JPH0442424A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0442424A JPH0442424A JP15105690A JP15105690A JPH0442424A JP H0442424 A JPH0442424 A JP H0442424A JP 15105690 A JP15105690 A JP 15105690A JP 15105690 A JP15105690 A JP 15105690A JP H0442424 A JPH0442424 A JP H0442424A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜型磁気記録媒体を用いたフレキシブル磁
気ディスクに関する。
気ディスクに関する。
(従来の技術)
近年、フレキシブル磁気ディスク装置、オーディオ用磁
気テープ装置、VTR用磁気テープ装置等、各種の磁気
記録装置の小型化、高密度化が進められている。磁気記
録における高密度化は主として磁気記録媒体の磁性層の
高保磁力化と薄層化とによって実現されている。従来使
用されている媒体は、磁性体微粒子を高分子バインダ中
に分散させたものをベースフィルム上に塗布した、いわ
ゆる塗布型磁気記録媒体である。
気テープ装置、VTR用磁気テープ装置等、各種の磁気
記録装置の小型化、高密度化が進められている。磁気記
録における高密度化は主として磁気記録媒体の磁性層の
高保磁力化と薄層化とによって実現されている。従来使
用されている媒体は、磁性体微粒子を高分子バインダ中
に分散させたものをベースフィルム上に塗布した、いわ
ゆる塗布型磁気記録媒体である。
最近これらの記録密度1〜2桁はど向上できる垂直Fn
気記録方式が注目されている。ここに用いられる記録媒
体としてスパッタまたは蒸着などによって形成されるC
oCr合金薄膜の単層媒体及びCoCr膜/NiFe軟
磁性膜の2層媒体が主に開発されている。これらの高密
度磁気記録用の薄膜型磁気媒体をフレキシブル磁気ディ
スク、磁気テープ等として実用化するためには機械的耐
久性、特にバスウェア耐久性を保証する必要がある。
気記録方式が注目されている。ここに用いられる記録媒
体としてスパッタまたは蒸着などによって形成されるC
oCr合金薄膜の単層媒体及びCoCr膜/NiFe軟
磁性膜の2層媒体が主に開発されている。これらの高密
度磁気記録用の薄膜型磁気媒体をフレキシブル磁気ディ
スク、磁気テープ等として実用化するためには機械的耐
久性、特にバスウェア耐久性を保証する必要がある。
(発明が解決しようとする課M)
垂直記録フレキシブル磁気ディスクにはCoCr合金薄
膜が広く用いられているが、最近フレキシブル磁気ディ
スク装置(FDD)の大容量化ために従来の片面型のF
DDからディスクの両面を用いる両面型のFDDの検討
がなされている。片面型FDDのヘッドでは、球面ヘッ
ドと柔らかいパッドを対で用いているが、両面型FDD
では2つのフラットで硬質なスライダーからなるヘッド
で媒体を挟んで使用している。そのため両面型FDDで
は、ヘッド摺動時に硬いスライダー同士が振動によって
衝突したりゴミや磨耗粉の混入によって、媒体にスクラ
ッチなどが発生することが観測され、パスウェア耐久性
は片面型FDDを用いたときと較べて著しく低かった。
膜が広く用いられているが、最近フレキシブル磁気ディ
スク装置(FDD)の大容量化ために従来の片面型のF
DDからディスクの両面を用いる両面型のFDDの検討
がなされている。片面型FDDのヘッドでは、球面ヘッ
ドと柔らかいパッドを対で用いているが、両面型FDD
では2つのフラットで硬質なスライダーからなるヘッド
で媒体を挟んで使用している。そのため両面型FDDで
は、ヘッド摺動時に硬いスライダー同士が振動によって
衝突したりゴミや磨耗粉の混入によって、媒体にスクラ
ッチなどが発生することが観測され、パスウェア耐久性
は片面型FDDを用いたときと較べて著しく低かった。
本発明は、パスウェア耐久性のよい磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明の磁気記録体は、第1図に示すように基体上に薄
膜記録媒体が形成され、該薄膜記録媒体上に保護膜が形
成される。上述の課題を解決するための手段の特徴を以
下に示す。
膜記録媒体が形成され、該薄膜記録媒体上に保護膜が形
成される。上述の課題を解決するための手段の特徴を以
下に示す。
1)薄膜記録媒体のヤング率が1.4X 10’Kg/
mm2以上であることを特徴とする。
mm2以上であることを特徴とする。
2)基体上に形成された薄膜記録媒体がCoCrTa合
金、またはCoCrTa合金にNi、 Mo、 Ti、
Zr、Nb、 Hf、 O,Hの中の1つもしくは2
つ以上の元素を含有していることを特徴とする。
金、またはCoCrTa合金にNi、 Mo、 Ti、
Zr、Nb、 Hf、 O,Hの中の1つもしくは2
つ以上の元素を含有していることを特徴とする。
保護膜としては、ダイヤモンド状カーボン、グラファイ
ト状カーボン、Siもしくはシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などがある。
ト状カーボン、Siもしくはシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などがある。
なお、保護膜上には摩擦摩耗特性を向上させるために潤
滑層を形成してもよい。潤滑層としては、液体潤滑剤と
して側鎖バー70ロアルキルエーテル、パーフロロポリ
エーテルまたは極性終端分子を有するそれぞれの側鎖及
び直鎖パーフロロアルキルエーテル及びパーフロロポリ
エーテル、フッ素オイルなどがある。また、固体潤滑剤
としてはフッ素系固体潤滑剤、硫化モリブデンなどがあ
る。塗布法としては、液体潤滑剤だけを、または液体潤
滑剤と固体潤滑剤を混合して適当な溶剤に溶解もしくは
分散させたものを保護膜上に形成する浸漬法、スプレー
法、ローラコート法、またはスピンコード法等がある。
滑層を形成してもよい。潤滑層としては、液体潤滑剤と
して側鎖バー70ロアルキルエーテル、パーフロロポリ
エーテルまたは極性終端分子を有するそれぞれの側鎖及
び直鎖パーフロロアルキルエーテル及びパーフロロポリ
エーテル、フッ素オイルなどがある。また、固体潤滑剤
としてはフッ素系固体潤滑剤、硫化モリブデンなどがあ
る。塗布法としては、液体潤滑剤だけを、または液体潤
滑剤と固体潤滑剤を混合して適当な溶剤に溶解もしくは
分散させたものを保護膜上に形成する浸漬法、スプレー
法、ローラコート法、またはスピンコード法等がある。
(作用)
基体上に形成した薄膜記録媒体のヤング率を1.4X1
04Kg/mm2以上にし、さらに保護膜を形成するこ
とにより、パスウェア耐久性の劣化の原因であったヘッ
ドスライダ−、ゴミや磨耗粉によるスクラッチに対する
耐性が向上し、高パスウェア耐久性が可能となる。薄膜
記録媒体の作製方法として、マグネトロンスパッタ方式
もしくは対向式ターゲットスパッタ方式などを用いて0
.5mTorrがら6 mTorrの範囲、もしくはR
Fスパッタ方式を用いてスパッタ圧力が1mTorrが
ら10mTorrの範囲でスパッタすることにより膜の
ヤング率を劣化することなく機械的強度の良好な膜が作
製8来る。また、CoCr膜にTa元素を含有させ、さ
らにNi、 Mo、Ti、 Zr、 Nb、 Hf、0
、Hを含有させることによりヤング率が増大する。
04Kg/mm2以上にし、さらに保護膜を形成するこ
とにより、パスウェア耐久性の劣化の原因であったヘッ
ドスライダ−、ゴミや磨耗粉によるスクラッチに対する
耐性が向上し、高パスウェア耐久性が可能となる。薄膜
記録媒体の作製方法として、マグネトロンスパッタ方式
もしくは対向式ターゲットスパッタ方式などを用いて0
.5mTorrがら6 mTorrの範囲、もしくはR
Fスパッタ方式を用いてスパッタ圧力が1mTorrが
ら10mTorrの範囲でスパッタすることにより膜の
ヤング率を劣化することなく機械的強度の良好な膜が作
製8来る。また、CoCr膜にTa元素を含有させ、さ
らにNi、 Mo、Ti、 Zr、 Nb、 Hf、0
、Hを含有させることによりヤング率が増大する。
(実施例)
以下実施例を示し、本発明の詳細な説明する。
本実施例では、パスウェア耐久性の評価には全て市販3
.5インチ両面型FDD(回転数60Orpm)を用い
た。パスウェア耐久性は同一トラックで走行させ、再生
出力が初期出力の70以下になるまでのバス回数とした
。
.5インチ両面型FDD(回転数60Orpm)を用い
た。パスウェア耐久性は同一トラックで走行させ、再生
出力が初期出力の70以下になるまでのバス回数とした
。
(実施例1〜5)
基本にはポリイミドフィルム(30μm厚)を用い、薄
膜記録媒体としてCoCrをターゲットとし、ターゲッ
ト上にTaチップをのせてRFマグネトロンスパッタに
より3000A厚の膜を成膜した。RFマグ゛ネトロン
スパッタパワーは一定(3W/am2)とした。
膜記録媒体としてCoCrをターゲットとし、ターゲッ
ト上にTaチップをのせてRFマグネトロンスパッタに
より3000A厚の膜を成膜した。RFマグ゛ネトロン
スパッタパワーは一定(3W/am2)とした。
比較例として同じターゲット及びTaチップを置かない
CoCrターゲットを用いてスパッタ圧力を変えて成膜
した例を示した。
CoCrターゲットを用いてスパッタ圧力を変えて成膜
した例を示した。
保護層は薄膜記録媒体作製後、マグネトロンスパッ方式
によりカーボン保護膜をArガス雰囲気中で形成した。
によりカーボン保護膜をArガス雰囲気中で形成した。
また、保護膜上にはフッ素糸潤滑剤ヲスビンコートによ
り塗布シた。
り塗布シた。
表1に本実施例の条件と評価結果を示す。膜組成は、表
に示した組成の残部のパーセントはCoであ(実施例6
〜20) 基体にはポリイミドフィルム(30pm厚)を用い、薄
膜記録媒体としてCoCrをターゲットとして、ターゲ
ット上に添加元素チップをのせてRFマグネトロンスパ
ッタにより3000A厚の膜を成膜した。また、酸素O
及び水素Hの添加については、Arガス中にそれぞれ0
2. H2O及びH2を混ぜて膜を形成した。RFマグ
ネトロンスパッタパワーは一定(6W/cm2)とした
。
に示した組成の残部のパーセントはCoであ(実施例6
〜20) 基体にはポリイミドフィルム(30pm厚)を用い、薄
膜記録媒体としてCoCrをターゲットとして、ターゲ
ット上に添加元素チップをのせてRFマグネトロンスパ
ッタにより3000A厚の膜を成膜した。また、酸素O
及び水素Hの添加については、Arガス中にそれぞれ0
2. H2O及びH2を混ぜて膜を形成した。RFマグ
ネトロンスパッタパワーは一定(6W/cm2)とした
。
保護層は薄膜記録媒体作製後、スパッタによりカーボン
、5i02、Si保護膜をArガス雰囲気中で形成した
。また、保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードに
より塗布した。
、5i02、Si保護膜をArガス雰囲気中で形成した
。また、保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードに
より塗布した。
た、保護股上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードにより
塗布した。
塗布した。
表3に本実施例の条件及び評価結果を示す。
表3
(実施例21〜24)
基本にはポリイミドフィルム(30pm厚)を用い、薄
膜記録媒体としてCoerをターゲットとし、ターゲッ
ト上にTaチップをのせてRFスパッタにより3000
人厚の膜を成膜した。RFツタ−ットパワーは一定(1
,5W/am2)とした。比較例として同じターゲット
を用いて成膜圧力を変えて作製した例を示した。
膜記録媒体としてCoerをターゲットとし、ターゲッ
ト上にTaチップをのせてRFスパッタにより3000
人厚の膜を成膜した。RFツタ−ットパワーは一定(1
,5W/am2)とした。比較例として同じターゲット
を用いて成膜圧力を変えて作製した例を示した。
保護層は薄膜記録媒体作製後、RFスパッタ法によりカ
ーボン保護膜をArガス雰囲気中で形成した。ま以上の
実施例ではRFマグネトロンスパッタ方式を用いて成膜
したが、ターゲットのプラズマ収束を狙った対向式ター
ゲット方式またはSガンスパッタ方式でもよい。また蒸
着法でもよい。
ーボン保護膜をArガス雰囲気中で形成した。ま以上の
実施例ではRFマグネトロンスパッタ方式を用いて成膜
したが、ターゲットのプラズマ収束を狙った対向式ター
ゲット方式またはSガンスパッタ方式でもよい。また蒸
着法でもよい。
(発明の効果)
実施例1から24及び比較例1から9に示されるように
、本発明により、薄膜記録媒体のヤング率を1.4 X
104Kg/mm2以上とすることで、バスウェア耐
久性を向上することができる。また、CoCr膜にTa
元素を含有させ、さらにNi、 Mo、 Ti、 Zr
、 Nb、Hf、 O,Hを含有させることにより、さ
らに効果の高い膜を得ることができる。
、本発明により、薄膜記録媒体のヤング率を1.4 X
104Kg/mm2以上とすることで、バスウェア耐
久性を向上することができる。また、CoCr膜にTa
元素を含有させ、さらにNi、 Mo、 Ti、 Zr
、 Nb、Hf、 O,Hを含有させることにより、さ
らに効果の高い膜を得ることができる。
第1図は本発明の0記録媒体の部分断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基体上に薄膜記録媒体が形成され、該薄膜記録媒体
上にさらに保護膜が形成された磁気記録媒体において、
薄膜記録媒体のヤング率が 1.4×10^4Kg/mm^2以上であることを特徴
とする磁気記録媒体。 2)薄膜記録媒体がCoCrTa合金、またはCoCr
Ta合金にNi、Mo、Ti、Zr、Nb、Hf、O、
Hの中の1つもしくは2つ以上の元素を含有しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15105690A JPH0442424A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15105690A JPH0442424A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0442424A true JPH0442424A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15510335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15105690A Pending JPH0442424A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0442424A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196323A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15105690A patent/JPH0442424A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196323A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
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