JPS6310315A - 磁気記録方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-1-piperidin-4-ylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CC(O)CN1C1CCNCC1 HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254032 Acrididae Species 0.000 description 1
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背」;[
技術分野
本発明は、磁気記録媒体、特に金属薄膜型の磁気記録媒
体に関する。
体に関する。
先行技術とその問題点
ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、金属薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行なわれている。
プ化して巻回したときのコンパクト性から、金属薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行なわれている。
このような金属薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行なう、いわ
ゆる斜め蒸着法によって形成したCo系、Co−Ni系
等からなる蒸着膜が好適である。
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行なう、いわ
ゆる斜め蒸着法によって形成したCo系、Co−Ni系
等からなる蒸着膜が好適である。
このような媒体では、小型化、長時間記録等のため、よ
り薄いフィルムを用いた媒体の研究が進められているが
、走行性、耐久性、強磁性金属薄膜の強度等の点で問題
が生じる。
り薄いフィルムを用いた媒体の研究が進められているが
、走行性、耐久性、強磁性金属薄膜の強度等の点で問題
が生じる。
そこで、これらの不都合を解消するため、フィルム裏面
に金属薄膜補強層を設ける旨の提案(特開昭56−16
939号、同58−97131号、同57−78627
号、同57−37737号)あるいはフィルム表面に微
粒子を配設してヘッドタッチ、走行面で改良をなす旨の
提案(特開昭58−68227号、同58−10022
1号)等がなされている。
に金属薄膜補強層を設ける旨の提案(特開昭56−16
939号、同58−97131号、同57−78627
号、同57−37737号)あるいはフィルム表面に微
粒子を配設してヘッドタッチ、走行面で改良をなす旨の
提案(特開昭58−68227号、同58−10022
1号)等がなされている。
また、耐久性や電磁変換特性を向」ニさせるために、強
磁性金属薄膜層を2層以トの多層構成とする旨の提案も
種々性なわれている(特開昭54−141608号、特
公昭56−26892号、特開昭57−130228号
等)。
磁性金属薄膜層を2層以トの多層構成とする旨の提案も
種々性なわれている(特開昭54−141608号、特
公昭56−26892号、特開昭57−130228号
等)。
しかし、現状では、走行性、耐久性、強磁性薄膜強度が
良好で、かつ電磁変換特性の面でも不都合の生じない技
術は未だ実現していない。
良好で、かつ電磁変換特性の面でも不都合の生じない技
術は未だ実現していない。
n 発明の目的
本発明の目的は、媒体の走行性が良好で、走行による磁
性層のクラックやケズレが少なく、さらにヘッド摩耗1
i1およびドロップアウトが少なく、電磁変換特性の良
好な金属薄膜型の磁気記録媒体を提供することにある。
性層のクラックやケズレが少なく、さらにヘッド摩耗1
i1およびドロップアウトが少なく、電磁変換特性の良
好な金属薄膜型の磁気記録媒体を提供することにある。
■ 発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち、本発明はプラスチックフィルム上にCoを主
成分とする強磁性金属薄膜層を有し、この強磁性金属薄
膜層が2以上の層からなる多層構造を有し、その最下層
のプラスチックフィルム側界面近傍の酸素濃度C2を最
上層のプラスチックフィルムと反対側表面近傍の酸素濃
度C1で除した値C2/C1が0.3以下であることを
特徴とする磁気記録媒体ある。
成分とする強磁性金属薄膜層を有し、この強磁性金属薄
膜層が2以上の層からなる多層構造を有し、その最下層
のプラスチックフィルム側界面近傍の酸素濃度C2を最
上層のプラスチックフィルムと反対側表面近傍の酸素濃
度C1で除した値C2/C1が0.3以下であることを
特徴とする磁気記録媒体ある。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明における磁性層としての強磁性金属薄膜層は少な
くとも2層からなる多層構造を有するものである。 そ
して、本発明に用いる強磁性金属薄膜層は、Coを主成
分とし、これにOを含み、さらに必要に応じNiおよび
/またはCrが含有される組成を有する。
くとも2層からなる多層構造を有するものである。 そ
して、本発明に用いる強磁性金属薄膜層は、Coを主成
分とし、これにOを含み、さらに必要に応じNiおよび
/またはCrが含有される組成を有する。
すなわち、好ましい態様においては、co単独からなっ
てもよく、CoとNiからなってもよい。 Niが含ま
れる場合、Co / N iの重量比は、1.5以トで
あることが好ましい。
てもよく、CoとNiからなってもよい。 Niが含ま
れる場合、Co / N iの重量比は、1.5以トで
あることが好ましい。
さらに、強磁性金属薄膜層中には、Crが含有されてい
てもよい。
てもよい。
このような場合、Cr / CoあるいはCr/(Co
+N i )の重量比は0.1以下、特に0.001〜
0.1、より好ましくは0.005〜0.05であるこ
とが好ましい。
+N i )の重量比は0.1以下、特に0.001〜
0.1、より好ましくは0.005〜0.05であるこ
とが好ましい。
さらに、本発明の強磁性金属薄膜中には0が含有される
ものである。
ものである。
強磁性金属薄膜中の層全体の平均酸素量は、原子比、特
にO/(CoまたはCo+N i )の原子比で、最上
層における平均酸素量Cげはo、t〜o、s程度、好ま
しくは0.1〜0゜4程度である。
にO/(CoまたはCo+N i )の原子比で、最上
層における平均酸素量Cげはo、t〜o、s程度、好ま
しくは0.1〜0゜4程度である。
平均酸素量がc、1が、0.1未満では耐食性、走行性
、磁性層のクラック、ケズレ等の点で不十分であり、0
.5をこえると、表面酸化物層が増大し、ヘッドとのス
ペーシングによる出力の低下等の問題を生じる。
、磁性層のクラック、ケズレ等の点で不十分であり、0
.5をこえると、表面酸化物層が増大し、ヘッドとのス
ペーシングによる出力の低下等の問題を生じる。
そして、最下層のプラスチックフィルムとの界面近傍で
の酸素濃度c2、特にO/ (CoまたはCo+Ni)
原子比を、最上層のプラスチックフィルムと反対側の表
面近傍での酸素濃度CI、特にO/ (CoまたはCo
+N i )原子比で除した値C2/clは0.3以下
、より好ましくは0.15以下であることが好ましい。
の酸素濃度c2、特にO/ (CoまたはCo+Ni)
原子比を、最上層のプラスチックフィルムと反対側の表
面近傍での酸素濃度CI、特にO/ (CoまたはCo
+N i )原子比で除した値C2/clは0.3以下
、より好ましくは0.15以下であることが好ましい。
この場合、これら酸素濃度は、強磁性金属薄膜をAr等
がイオンミリングないしイオンエツチングしながら、オ
ージェ分光分析、SIMS(2次イオン質量分析)等を
行ない、測定することができる。
がイオンミリングないしイオンエツチングしながら、オ
ージェ分光分析、SIMS(2次イオン質量分析)等を
行ない、測定することができる。
すなわち、イオンエツチングを行ないながら0、Co、
Ni等をカウントし、その膜厚方向のプロファイルを比
較する。
Ni等をカウントし、その膜厚方向のプロファイルを比
較する。
そして、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属薄
膜表面のO/(CoまたはCo+Ni)をC6とする。
膜表面のO/(CoまたはCo+Ni)をC6とする。
また、最下層については、プラスチックフィルムまで
エツチングが行なわれ、Cがカウントされる直前のO/
(C。
エツチングが行なわれ、Cがカウントされる直前のO/
(C。
またはCo+N i )をC2とする。
イオンエッヂングおよびオージェ分光分析ないしSIM
Sの測定法は常法に従えばよい。
Sの測定法は常法に従えばよい。
このように最上層表面の酸素濃度を相対的に高くするこ
とにより、保磁力Heが高くなり、また最下層の酸素濃
度を相対的に低くすることにより、最大残留磁束φrお
よび角形比SQが高くなり、電磁変換特性がきわめて良
好な磁性層となる。
とにより、保磁力Heが高くなり、また最下層の酸素濃
度を相対的に低くすることにより、最大残留磁束φrお
よび角形比SQが高くなり、電磁変換特性がきわめて良
好な磁性層となる。
なお、表面近傍のO/(CoまたはCo+N1)C,は
、一般に0.2〜0.7、好ましくは0.3〜0.6で
ある。
、一般に0.2〜0.7、好ましくは0.3〜0.6で
ある。
従って、フィルム界面近傍のO/(CoまたはCo+N
i )C2は0.06〜0.21、好ましくは0.09
〜0.18である。
i )C2は0.06〜0.21、好ましくは0.09
〜0.18である。
さらに、最上層の層全体でのO/(CoまたはCo+N
1)C,’はo−i〜0.5、ヨリ好ましくは0.1〜
0.4であることが好ましい。 また、最下層の層全体
でのO/ (CoまたはCo+Nt)C2”は0.5以
下、より好ましくは0.3以下であることが好ましい。
1)C,’はo−i〜0.5、ヨリ好ましくは0.1〜
0.4であることが好ましい。 また、最下層の層全体
でのO/ (CoまたはCo+Nt)C2”は0.5以
下、より好ましくは0.3以下であることが好ましい。
このとき、電磁変換特性、耐食性、走行耐久性、磁性膜
強度等はきわめて良好となる。
強度等はきわめて良好となる。
この場合、3層以上の多層構造の場合、それらの各層の
層全体でのO/(coまたはCo+Ni)は、一般に、
0,5以下、好ましくは0.3以下とする。
層全体でのO/(coまたはCo+Ni)は、一般に、
0,5以下、好ましくは0.3以下とする。
なお、この場合、強磁性金属薄膜層の各層の表面では、
酸素が強磁性金属(Go、Ni)と酸化物を形成してい
る。
酸素が強磁性金属(Go、Ni)と酸化物を形成してい
る。
すなわち、各層の表面から100λ〜
2000人、より好ましくは500〜1000人の厚さ
の範囲には、オージェ分光分析により、酸化物を示すピ
ークが認められるものである。
の範囲には、オージェ分光分析により、酸化物を示すピ
ークが認められるものである。
本発明では、強磁性金属薄膜層表面とフィルム側界面と
の酸素濃度を規制するものであり、そのとき、本発明所
定の効果が実現するものである。
の酸素濃度を規制するものであり、そのとき、本発明所
定の効果が実現するものである。
このため、強磁性金属薄膜の膜厚方向の酸素濃度プロフ
ァイルについては問わない。 すなわち、膜厚方向にて
酸素が?lI減してもよく、あるいは酸素分布が折線状
をなしたり、途中の分布、例えば多層膜界面にピークが
存在してもよい。
ァイルについては問わない。 すなわち、膜厚方向にて
酸素が?lI減してもよく、あるいは酸素分布が折線状
をなしたり、途中の分布、例えば多層膜界面にピークが
存在してもよい。
なお、通常、強磁性金属薄膜は2層とすればよいが、必
要に応じ3層以上、特に3〜5層とすることもできる。
要に応じ3層以上、特に3〜5層とすることもできる。
なお、このような強磁性金属薄膜中には、さらに他の微
m成分、特に遷移元素、例えばFe、Mn、V、Zr、
Nb、Ta、Ti。
m成分、特に遷移元素、例えばFe、Mn、V、Zr、
Nb、Ta、Ti。
Zn、Mo、W、Cu等が含まれていてもよい。
このような強磁性金属薄膜層は、好ましい態様において
、上記したCoを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。
、上記したCoを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。
この場合、強磁性金属薄膜層の厚さは、総計で0.05
〜0.5μI、好ましくは0.07〜0.3μmとされ
る。
〜0.5μI、好ましくは0.07〜0.3μmとされ
る。
そして、このような強磁性金属薄膜層の各層の厚さの比
は特に制限はないが、例えば2層構成の場合、上層と下
層の厚さの比は好ましくは0.1〜10程度が好ましい
。
は特に制限はないが、例えば2層構成の場合、上層と下
層の厚さの比は好ましくは0.1〜10程度が好ましい
。
そして、柱状の結晶粒は、各層の厚さ方向のほぼ全域に
亘る長さをもち、その長平方向が基体の主面の法線に対
して傾斜する角度は特に制限はない。 そして、3層以
上の構成における中間に位置する各層では、柱状結晶粒
の基体主面法線に対する傾斜角度は、通常、最上層と最
下層における傾斜角度域内にあればよく、特に制限はな
い。
亘る長さをもち、その長平方向が基体の主面の法線に対
して傾斜する角度は特に制限はない。 そして、3層以
上の構成における中間に位置する各層では、柱状結晶粒
の基体主面法線に対する傾斜角度は、通常、最上層と最
下層における傾斜角度域内にあればよく、特に制限はな
い。
そして、この場合、相隣接する各磁性層の結晶粒の基体
主面法線に対する傾斜の向きは、媒体の長さ方向で同方
向であフてよいが、好ましくは相対向する向きであるこ
とが好ましい。
主面法線に対する傾斜の向きは、媒体の長さ方向で同方
向であフてよいが、好ましくは相対向する向きであるこ
とが好ましい。
このような、結晶粒の傾斜の向きを、2層構成を例とし
て模式的に例示すると第1図および第2図のようになる
。
て模式的に例示すると第1図および第2図のようになる
。
第1図および第2図において、磁気記録媒体lは、基体
2−1−に強磁性金属薄膜下層部3および強磁性金属薄
膜り周部4とを有する。 そして、強磁性金属薄膜F周
部3内の下層結晶粒5の傾斜の向き、強磁性金属薄膜−
L層部4内の上層結晶粒6の傾斜の向きは、第1図では
媒体の長さ方向aで相対向する向きであり、第2図では
媒体の長さ方向aで同方向である。
2−1−に強磁性金属薄膜下層部3および強磁性金属薄
膜り周部4とを有する。 そして、強磁性金属薄膜F周
部3内の下層結晶粒5の傾斜の向き、強磁性金属薄膜−
L層部4内の上層結晶粒6の傾斜の向きは、第1図では
媒体の長さ方向aで相対向する向きであり、第2図では
媒体の長さ方向aで同方向である。
本発明では、第1図あるいは第2図のいずれの結晶粒傾
斜を有するものであってよいが、好ましくは、第1図に
示される結晶粒傾斜を有するものが好ましい。
斜を有するものであってよいが、好ましくは、第1図に
示される結晶粒傾斜を有するものが好ましい。
このように、強磁性金属薄膜層が少なくとも2層以上の
層からなる多層構造を有することにより、柱状結晶粒の
長さが小さいものとなるため、強磁性金属薄膜層の膜強
度が向上する。
層からなる多層構造を有することにより、柱状結晶粒の
長さが小さいものとなるため、強磁性金属薄膜層の膜強
度が向上する。
また、最上層の酸素濃度を、最下層の酸素濃度よりも、
前述のように相対的に高くすることにより、例えば比較
的浅い磁界を有し、中心周波数が5MIIz程度の比較
的高周波数の信号は、最下層に比べ、相対的に保磁力H
eの高い最−F層側で有効に保持され、きわめて良好な
分解能を有するものとなる。
前述のように相対的に高くすることにより、例えば比較
的浅い磁界を有し、中心周波数が5MIIz程度の比較
的高周波数の信号は、最下層に比べ、相対的に保磁力H
eの高い最−F層側で有効に保持され、きわめて良好な
分解能を有するものとなる。
また、例えば比較的深い磁界を有する中心周波数0 、
75 MHz程度の信号は、最大残留磁束φr、角形比
が最上層に比べ相対的に高い最下層側で有効に保持され
、きわめて良好な電磁変換特性を有するものとなる。
75 MHz程度の信号は、最大残留磁束φr、角形比
が最上層に比べ相対的に高い最下層側で有効に保持され
、きわめて良好な電磁変換特性を有するものとなる。
また、さらに、最上層の酸素濃度を高くすることにより
、耐摩耗性に優れたCo、Ni等の酸化物が最上層に形
成されるため、多層構造との相乗効果により、強磁性金
属i膜層の膜強度がより高いものとなる。
、耐摩耗性に優れたCo、Ni等の酸化物が最上層に形
成されるため、多層構造との相乗効果により、強磁性金
属i膜層の膜強度がより高いものとなる。
本発明の磁気記録媒体に用いられる基体の材質としては
、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが、通常
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン2,6
−ナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイ
ミド、ボリフェニレンサルファイド、ポリサルフオン、
全芳香族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフオン、ポリエーテルイミド等を用い
る。 また、その形状、寸法、厚さには制限はなく、用
途に応じたものとすればよい。
、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが、通常
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン2,6
−ナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイ
ミド、ボリフェニレンサルファイド、ポリサルフオン、
全芳香族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフオン、ポリエーテルイミド等を用い
る。 また、その形状、寸法、厚さには制限はなく、用
途に応じたものとすればよい。
このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けられて
いない他方の面上には裏地層を設層してもよい。
いない他方の面上には裏地層を設層してもよい。
裏地層を設層する場合、裏地層はAI。
Cu、W、Mo、Cr、T i等の単一金属ないしこれ
らを含む合金、あるいはその酸化物等の薄膜であること
が好ましい。
らを含む合金、あるいはその酸化物等の薄膜であること
が好ましい。
上記の金属等の中では特に非磁性のものを用いるのが好
ましい。 その理由としては、例えば裏地層を磁性金属
とすると、磁性面が磁化された状態で巻き取られた場合
、裏地層が磁性層の漏洩磁束により磁化されたり、ある
いは裏地層が磁化された状態で磁性面再記録して再び巻
き取られると、裏地層の磁気の影響により磁性面の磁化
状態が乱れるためノイズが増加するなどの問題が生じう
るからである。
ましい。 その理由としては、例えば裏地層を磁性金属
とすると、磁性面が磁化された状態で巻き取られた場合
、裏地層が磁性層の漏洩磁束により磁化されたり、ある
いは裏地層が磁化された状態で磁性面再記録して再び巻
き取られると、裏地層の磁気の影響により磁性面の磁化
状態が乱れるためノイズが増加するなどの問題が生じう
るからである。
裏地層の形成方法は、例えば、蒸着、スパッタ、イオン
ブレーティング等の真空薄膜形成法、さらには各種CV
D等の気相成長法、あるいはメッキ法等を用いればよい
。
ブレーティング等の真空薄膜形成法、さらには各種CV
D等の気相成長法、あるいはメッキ法等を用いればよい
。
このように形成された裏地層の膜厚は、0.05〜1.
5μm、より好ましくは0.07〜0.9μm、さらに
より好ましくは0.07〜0.7μmとされる。
5μm、より好ましくは0.07〜0.9μm、さらに
より好ましくは0.07〜0.7μmとされる。
この膜厚が1.5μmをこえると、走行によって、磁性
層のクラックや磁性面ケズレが生じる。 また、ヘッド
摩耗量が増大する。 そして、ドロップアウトが増大す
る。 また膜厚が0.05μW未満となると、走行安定
性が低下し、ヘッドタッチ不良が生じ、出力低下やエン
ベローブ不良が生じる。
層のクラックや磁性面ケズレが生じる。 また、ヘッド
摩耗量が増大する。 そして、ドロップアウトが増大す
る。 また膜厚が0.05μW未満となると、走行安定
性が低下し、ヘッドタッチ不良が生じ、出力低下やエン
ベローブ不良が生じる。
本発明の磁気記録媒体の表面には、微細な突起が所定の
密度で設けられてもよい。
密度で設けられてもよい。
微細な突起は、30〜300人、より好ましくは50〜
250人の高さをイエするものである。
250人の高さをイエするものである。
すなわち、本発明の突起は、光学顕微鏡で観察でき、か
つ触31型表面相さ計で測定できるものではなく、走査
71.1!電子顕微鏡にて観察できる程度のものである
。
つ触31型表面相さ計で測定できるものではなく、走査
71.1!電子顕微鏡にて観察できる程度のものである
。
突起高さが300人をこえ、光学顕微鏡にて観察できる
ものとなると、電磁変換特性の劣化と、走行安定性の低
下をもたらず。
ものとなると、電磁変換特性の劣化と、走行安定性の低
下をもたらず。
また、50λ未満となると、物性の向上の実効がない。
そして、その密度はllllm2あたり平均105個以
上、より好ましくは105〜109個、特に106〜1
08個である。
上、より好ましくは105〜109個、特に106〜1
08個である。
突起密度が10″個/lllm2未満となると、ノイズ
が増大し、スチル特性が低下する等物性の低下をきたし
、実用に耐えない。
が増大し、スチル特性が低下する等物性の低下をきたし
、実用に耐えない。
また、109個/mm2をこえると、物性上の効果が少
なくなってしまう。
なくなってしまう。
なお、突起径は、一般に200〜1000人程度とする
。
。
このような突起を設けるには、通常、基板上に微粒子を
配設すればよい。 微粒子径は、30〜1000人とす
ればよく、これにより微粒Y−径に対応した微細突起が
形成される。
配設すればよい。 微粒子径は、30〜1000人とす
ればよく、これにより微粒Y−径に対応した微細突起が
形成される。
用いる微粒子としては、通常コロイド粒子として知られ
ているものであって、例えばSiO2(コロイダルシリ
カ)、 A1203 (yルミナゾル)、MgO1T
i 02、ZnO。
ているものであって、例えばSiO2(コロイダルシリ
カ)、 A1203 (yルミナゾル)、MgO1T
i 02、ZnO。
Fe2O3、ジルコニア、CdO,Ni01CaWo4
、CaCo3、BaCo3、C0Co3、BaTiO3
,Ti (チタンブラック)、Au、Ag、Cu、Ni
、Fe、各種ヒドロシルや、樹脂粒子等が使用可能であ
る。
、CaCo3、BaCo3、C0Co3、BaTiO3
,Ti (チタンブラック)、Au、Ag、Cu、Ni
、Fe、各種ヒドロシルや、樹脂粒子等が使用可能であ
る。
この場合、特に無機物質を用いるのが好ましし1 。
このような微粒子は、各種溶媒を用いて塗布液とし、こ
れを基板上に塗布、乾燥してもよく、あるいは塗布液中
に各種水性エマルジョン等の樹脂分を添加したものを塗
布、乾燥してもよい。
れを基板上に塗布、乾燥してもよく、あるいは塗布液中
に各種水性エマルジョン等の樹脂分を添加したものを塗
布、乾燥してもよい。
なお、場合によっては、これら塗布液を基板りに配設す
るのではなく、磁性薄膜層上にトップコート層として配
設することもできる。
るのではなく、磁性薄膜層上にトップコート層として配
設することもできる。
また、樹脂分を用いる場合、これら微粒子にもとづく微
細突起に重畳してゆるやかな突起を設けることもできる
が、通常はこのようにする必要はない。
細突起に重畳してゆるやかな突起を設けることもできる
が、通常はこのようにする必要はない。
もし必要であるならば、強磁性金属薄膜層の最上層と最
下層との間に非磁性金属薄膜層を介在させてもよい。
下層との間に非磁性金属薄膜層を介在させてもよい。
本発明において、磁性層の形成は、いわゆる斜め蒸着法
によって形成されることが好ましい。
によって形成されることが好ましい。
この場合、基体法線に対する蒸着物質の最小入射角は、
特に制限はない。
特に制限はない。
また、磁性層は一工程で2層以−Lを連続して設層して
もよいが、通常は、各層毎に蒸着工程に流して設層する
ことか好ましい。
もよいが、通常は、各層毎に蒸着工程に流して設層する
ことか好ましい。
このように、磁性層の設層な各層毎に分ける1 に
とにより、前述のように、基体法線に対する磁性柱状結
晶粒の傾斜の向きが相隣接する各層間で、媒体の長さ方
向で相対向する向きとなる。
晶粒の傾斜の向きが相隣接する各層間で、媒体の長さ方
向で相対向する向きとなる。
このような磁性層構成とすることにより、電磁変換特性
は極めて良好となる。
は極めて良好となる。
なお、蒸着雰囲気は、通常、アルゴン、ヘリウム、真空
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、10
−′−〜10°Pa程度の圧力とし、また、蒸着距離、
基体搬送方向、キャンやマスクの構造、配置等は公知の
条件と同様にすればよい。
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、10
−′−〜10°Pa程度の圧力とし、また、蒸着距離、
基体搬送方向、キャンやマスクの構造、配置等は公知の
条件と同様にすればよい。
そして、酸素雰囲気での蒸着により、表面に金属酸化物
の被膜が形成される。 なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。
の被膜が形成される。 なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。
なお、表面に金属酸化物の被膜を形成するには、各種酸
化処理が可能である。
化処理が可能である。
適用できる酸化処理としては下記のようなものがある。
1)乾式処理
a、エネルギー粒子処理
特願昭58−76640号に記載したように、蒸着の後
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルギー粒
子として磁性層にさしむけるもの。
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルギー粒
子として磁性層にさしむけるもの。
b、グロー処理
02 、 H20、02+ H20等とAr。
N2等の不活性ガスとを用い、これをグロー放電してプ
ラズマを生じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさら
すもの。
ラズマを生じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさら
すもの。
C1酸化性ガス
オゾン、加熱水蒸気等の酸化性ガスを吹き付けるもの。
d、加熱処理
加熱によって酸化を行なうもの。 加熱温度は60〜1
50℃程度。
50℃程度。
2)湿式処理
a、陽極酸化
す、アルカリ処理、
C9酸処理
クロム酸塩処理、過マンガン酸塩処理、リン酸塩処理等
を用いる。
を用いる。
d、酸化剤処理
■202等を用いる。
本発明の有機物のトップコート層は、放射線硬化型化合
物、すなわち放射線硬化型ポリマー、モノマー、オリゴ
マーの1種以上と、酸化防止剤と、さらに必要に応じ潤
滑剤とを含有し、かつ所定の密度と大きさの突起を有す
る強磁性金属薄膜上に設層されたものである。
物、すなわち放射線硬化型ポリマー、モノマー、オリゴ
マーの1種以上と、酸化防止剤と、さらに必要に応じ潤
滑剤とを含有し、かつ所定の密度と大きさの突起を有す
る強磁性金属薄膜上に設層されたものである。
さらに、本発明の媒体は、磁性層上に表面層を設層して
、走行性をより一層向上することもできる。
、走行性をより一層向上することもできる。
表面層としては、公知の種々のものが適用でき、例えば
、各種高分子物質被膜、ないしはこれに潤滑剤、酸化防
止剤、界面活性剤、無機微粒子等を含有させたものや、
各種潤滑剤の塗膜ないし気相被着膜等がある。
、各種高分子物質被膜、ないしはこれに潤滑剤、酸化防
止剤、界面活性剤、無機微粒子等を含有させたものや、
各種潤滑剤の塗膜ないし気相被着膜等がある。
表面層の厚さは、5〜300λ程度とする。
■ 発明の具体的作用効果
本発明によれば、磁性層が2層以上の層構成をなすこと
により、磁性柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため
磁性層の膜強度が向上する。 このため、走行安定性が
きわめて高く、また、走行による磁性層のクラックや磁
性面のケズレの発生がきわめて少なく、ヘッド摩耗量も
きわめて少ないものとなる。
により、磁性柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため
磁性層の膜強度が向上する。 このため、走行安定性が
きわめて高く、また、走行による磁性層のクラックや磁
性面のケズレの発生がきわめて少なく、ヘッド摩耗量も
きわめて少ないものとなる。
さらに、最下層の酸素濃度C2と最上層の酸素濃度C1
との比C2/ C+が0.3以下であることにより、最
上層では保磁力Hcが相対的に高くなり、比較的浅い磁
界を有する中心周波数が5MIIy、程度の信号を有効
に保持し、かつ分解能が良好なものとなる。 また、最
下層では、最大残留磁束φr、角形比が高くなり、比較
的深い磁界を有する中心周波数0.75MHz程度の信
号を有効に保持するものである。
との比C2/ C+が0.3以下であることにより、最
上層では保磁力Hcが相対的に高くなり、比較的浅い磁
界を有する中心周波数が5MIIy、程度の信号を有効
に保持し、かつ分解能が良好なものとなる。 また、最
下層では、最大残留磁束φr、角形比が高くなり、比較
的深い磁界を有する中心周波数0.75MHz程度の信
号を有効に保持するものである。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
下記表1に示す厚さのポリエステル(PET)フィルム
を円筒状、冷却キャンの周面に沿わせて移動させ、02
+Ar (容積比1:1)を毎分800ccの早さで流
し真空度を1.OX 10−’Torrとしたチャンバ
ー内で、C。
を円筒状、冷却キャンの周面に沿わせて移動させ、02
+Ar (容積比1:1)を毎分800ccの早さで流
し真空度を1.OX 10−’Torrとしたチャンバ
ー内で、C。
80、Ni20(重量比)の合金を溶融し入射角を表1
に示す入射角として、斜め蒸着により第1図に示される
Co−Ni−0の2層薄膜を形成した。
に示す入射角として、斜め蒸着により第1図に示される
Co−Ni−0の2層薄膜を形成した。
また、比較として、入射角30〜90”の部分のみ斜め
蒸着し膜厚o、15μmのCo−Ni−0の単層薄膜を
形成した。
蒸着し膜厚o、15μmのCo−Ni−0の単層薄膜を
形成した。
酸素は下層と上層との界面およびベースと反対側の表面
に多く偏在していた。 また、ペースと反対側の表面は
ほぼ酸化物のみで覆われていた。
に多く偏在していた。 また、ペースと反対側の表面は
ほぼ酸化物のみで覆われていた。
Hc=1000 0e。 11Q中の平均酸素量はCo
とNiに対する原−r=比 で40%であった。
とNiに対する原−r=比 で40%であった。
表1にはArにてイオンエツチングを行ないながら、オ
ージェ分光分析を行なって得たO/(CoまたはCo
−1−N i )原r比のうち、C1(表面) 、 C
I” (−,1一層・ト均)、C2(ベース界面)、C
2”(下層平均)が併記される。
ージェ分光分析を行なって得たO/(CoまたはCo
−1−N i )原r比のうち、C1(表面) 、 C
I” (−,1一層・ト均)、C2(ベース界面)、C
2”(下層平均)が併記される。
このようにして形成した下記表1に示す各サンプルにつ
き、F記の測定を行なった。 なお、媒体走行方向と、
下層の基体法線に対する傾きの方向とを同 方向とした
。
き、F記の測定を行なった。 なお、媒体走行方向と、
下層の基体法線に対する傾きの方向とを同 方向とした
。
1)耐久性
温度20℃、湿度60%RHの条件下、および温度40
℃、湿度80%RHの条件下で連続走行テストを行ない
、出力が2dB低下するまでのバス回数を求めた。
℃、湿度80%RHの条件下で連続走行テストを行ない
、出力が2dB低下するまでのバス回数を求めた。
使用デツキ:5ONY A−300
ヘッドニスバッタ センダスト
2)電磁変換特性
中心周波数0.75MIIzおよび5MIIzの出力を
測定し、サンプルNo、6の出方をOdBとした時の値
を求めた。
測定し、サンプルNo、6の出方をOdBとした時の値
を求めた。
イ吏用デツキ:5ONY A−300ヘッド:スパッ
タ センダスト モード:SPモード 1N開昭63−10315(8) 表1にil<される結果より本発明の効果は明らかであ
る。
タ センダスト モード:SPモード 1N開昭63−10315(8) 表1にil<される結果より本発明の効果は明らかであ
る。
4、図面のtisi lll−な説明
第1図は、本発明の磁気記録媒体の1実施例の媒体方向
に平行な断面の模式図である。
に平行な断面の模式図である。
第2図は、本発明の磁気記録媒体の他の実施例の媒体方
向に・II−行な断面の模式図である。
向に・II−行な断面の模式図である。
符号の説明
1・・・磁気記録媒体、
2・・・基体、
3・・・強磁性金属薄膜下層部、
4・・・強磁性金属薄膜り周部、
5・・・下層結晶粒、
6・・・上層結晶粒、
矢印a・・・媒体長さ方向
出願人 ディーディーケイ株式会社
FIG、1
□a
FIG、2
手−絽タネ市正帽↓1:(自発)
1昭和61年 8月27日 昭和61特許願第155593号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人任 所
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表者
大 歳 寛 4、代理人 〒101 住 所 東京都千代田区岩本町3丁目2番2号
千代田岩木ビル4階 f1864−4498 Fax、864−6280氏
名 (8286) 弁理士 石 井 陽
−5、補正の対象 (1)委任状 3、補正の内容 (1)委任状を別紙の通り補正する。
1昭和61年 8月27日 昭和61特許願第155593号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人任 所
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表者
大 歳 寛 4、代理人 〒101 住 所 東京都千代田区岩本町3丁目2番2号
千代田岩木ビル4階 f1864−4498 Fax、864−6280氏
名 (8286) 弁理士 石 井 陽
−5、補正の対象 (1)委任状 3、補正の内容 (1)委任状を別紙の通り補正する。
(2)明細書の「3、発明の詳細な説明」の欄を下記の
通り補正する。
通り補正する。
(i)明細書第13ページ第7行目〜第14ページ第1
0行目に「このようなプラスチックフィルムの磁性層が
・・・・0.07〜0.7μmとされる。」とあるのを
、「このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けら
れていない他方の面上には公知の種々の裏地層を設層す
ることが好ましい。
0行目に「このようなプラスチックフィルムの磁性層が
・・・・0.07〜0.7μmとされる。」とあるのを
、「このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けら
れていない他方の面上には公知の種々の裏地層を設層す
ることが好ましい。
裏地層の材質については特に制限はないが、特に顔料と
放射線硬化型樹脂とを含有するものが好ましい。 裏地
層のII!2厚は、0.05〜1.5μm、より好まし
くは0.07〜1.0μmとされる。」と訂正する。
放射線硬化型樹脂とを含有するものが好ましい。 裏地
層のII!2厚は、0.05〜1.5μm、より好まし
くは0.07〜1.0μmとされる。」と訂正する。
(it)明細書第23ページ第9行目の「併記される。
」の後に、改行して、「なお、磁性層薄膜上には、ミリ
スチン酸イソプロピルの表面層を膜厚25人にて設層し
、また、基体裏面側には0.5μm厚にてカーボン、シ
リカおよび放射線硬化樹脂を含む裏地層を設層した。」
を追加する。
スチン酸イソプロピルの表面層を膜厚25人にて設層し
、また、基体裏面側には0.5μm厚にてカーボン、シ
リカおよび放射線硬化樹脂を含む裏地層を設層した。」
を追加する。
Claims (1)
- プラスチックフィルム上にCoを主成分とする強磁性金
属薄膜層を有し、この強磁性金属薄膜層が2以上の層か
らなる多層構造を有し、その最下層のプラスチックフィ
ルム側界面近傍の酸素濃度C_2を最上層のプラスチッ
クフィルムと反対側表面近傍の酸素濃度C_1で除した
値C_2/C_1が0.3以下であることを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61155593A JPH0760482B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 磁気記録方法 |
US07/069,228 US4770924A (en) | 1986-07-02 | 1987-07-02 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61155593A JPH0760482B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 磁気記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6310315A true JPS6310315A (ja) | 1988-01-16 |
JPH0760482B2 JPH0760482B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=15609421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61155593A Expired - Fee Related JPH0760482B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 磁気記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0760482B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205714A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH01205716A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5472778A (en) * | 1991-05-17 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US5525398A (en) * | 1991-03-22 | 1996-06-11 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for making |
US5534324A (en) * | 1992-11-12 | 1996-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing the same |
US5665460A (en) * | 1994-11-01 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5798133A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS61145722A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61155593A patent/JPH0760482B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5798133A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS61145722A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205714A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH01205716A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5525398A (en) * | 1991-03-22 | 1996-06-11 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and method for making |
US5472778A (en) * | 1991-05-17 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US5534324A (en) * | 1992-11-12 | 1996-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing the same |
US5665460A (en) * | 1994-11-01 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0760482B2 (ja) | 1995-06-28 |
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