JPH01189162A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH01189162A JPH01189162A JP1380288A JP1380288A JPH01189162A JP H01189162 A JPH01189162 A JP H01189162A JP 1380288 A JP1380288 A JP 1380288A JP 1380288 A JP1380288 A JP 1380288A JP H01189162 A JPH01189162 A JP H01189162A
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- forming
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Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バイポーラトランジスタの製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
半導体装置の動向は、高密度集積化と高速化・高周波化
にある。特に、高周波特性に優れるヘテロ接合バイポー
ラトランジスタにおいては、トランジスタサイズの縮小
は最も重要であり、種々の自己整合を用いた製造方法が
考えられている。その例を第２図に示す。
にある。特に、高周波特性に優れるヘテロ接合バイポー
ラトランジスタにおいては、トランジスタサイズの縮小
は最も重要であり、種々の自己整合を用いた製造方法が
考えられている。その例を第２図に示す。
半絶縁性基板１上に、ｎ型不純物を高濃度に含有したコ
レクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレクタ
層３、ｎ型不純物を高濃度に含有したベース層４、ヘテ
ロ接合を形成するためにベース層よりも大きい禁制帯幅
を有する半導体からなる、ｎ型不純物を含有したエミッ
タ層５およびｎ型不純物を高濃度に含有したエミッタコ
ンタクトＪｌ１６を順に形成し、ダミーエミッタを用い
て上記ベース層４まで湿式エツチングをした後、反転法
によりエミッタ電極９を形成し、フォトリソグラフィー
によるマスク合せとエミッタ領域の逆台形を利用して半
自己整合的にベース電極７を形成し、周辺を絶縁化する
ためのイオン注入層１０とコレクタ電極８を形成する。
レクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレクタ
層３、ｎ型不純物を高濃度に含有したベース層４、ヘテ
ロ接合を形成するためにベース層よりも大きい禁制帯幅
を有する半導体からなる、ｎ型不純物を含有したエミッ
タ層５およびｎ型不純物を高濃度に含有したエミッタコ
ンタクトＪｌ１６を順に形成し、ダミーエミッタを用い
て上記ベース層４まで湿式エツチングをした後、反転法
によりエミッタ電極９を形成し、フォトリソグラフィー
によるマスク合せとエミッタ領域の逆台形を利用して半
自己整合的にベース電極７を形成し、周辺を絶縁化する
ためのイオン注入層１０とコレクタ電極８を形成する。
（たとえば第１８凹面体素子・材料コンファレンス、Ｌ
Ｎ−Ｄ−９−３１９８６年）発明が解決しようとする課
題 しかし上記のような構成では、ダミーエミッタを用いる
ため工程が多くかつ複雑であり、またベース電極を微細
にするのはフォトリソグラフィーの制約上法しかった。
Ｎ−Ｄ−９−３１９８６年）発明が解決しようとする課
題 しかし上記のような構成では、ダミーエミッタを用いる
ため工程が多くかつ複雑であり、またベース電極を微細
にするのはフォトリソグラフィーの制約上法しかった。
本発明は上記の課題を大きく改良するもので、ダミーエ
ミッタを用いずにエミッタ電極とベース電極を完全な自
己整合で形成し、かつ微細なベース電極が得られるバイ
ポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的と
する。
ミッタを用いずにエミッタ電極とベース電極を完全な自
己整合で形成し、かつ微細なベース電極が得られるバイ
ポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明の構成によるバイポー
ラトランジスタの製造方法は、基板上にトランジスタと
なる多層膜を形成する工程と、逆台形となるように上記
トランジスタの最上層領域を形成する工程と、上記最上
層領域上に被膜を用いて側壁を形成する工程と、上記基
板上にレジストを塗布して上記最上層領域の頭出しをす
る工程と、上記側壁を除去する工程と、上記最上層領域
上の電極とベース電極とを同時に形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
ラトランジスタの製造方法は、基板上にトランジスタと
なる多層膜を形成する工程と、逆台形となるように上記
トランジスタの最上層領域を形成する工程と、上記最上
層領域上に被膜を用いて側壁を形成する工程と、上記基
板上にレジストを塗布して上記最上層領域の頭出しをす
る工程と、上記側壁を除去する工程と、上記最上層領域
上の電極とベース電極とを同時に形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
作用
上記構成のバイポーラトランジスタの製造方法は、ダミ
ーエミッタを用いずにエミッタ電極とベース電極を完全
な自己整合で形成するため、工程数を減らすことができ
、かつ被膜の厚さを制御することにより、種々の幅を有
する微細なベース電極が得られ、トランジスタの高集積
化・高周波化に大きく貢献する。
ーエミッタを用いずにエミッタ電極とベース電極を完全
な自己整合で形成するため、工程数を減らすことができ
、かつ被膜の厚さを制御することにより、種々の幅を有
する微細なベース電極が得られ、トランジスタの高集積
化・高周波化に大きく貢献する。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図＋ａ＋〜（ｄｌは、本発明の実施例におけるバイ
ポーラトランジスタの製造方法を示す断面図である。ま
ず、半絶縁性基板１上に、ｎ型不純物を高濃度に含有し
たコレクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレ
クタ層３、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース層４、
ｎ型不純物を含有したエミ’７タ層５、およびｎ型不純
物を高濃度に含有したエミッタコンタクト層１６を順に
膜成長により形成した後、エミッタコンタクト層１６お
よびエミッタ層５が逆台形となるようにベース層４まで
湿式エツチングし、その上に被膜となるＳ ｉＯ２膜１
１を形成する（第１図（ａ））。次に、乾式エツチング
により上記逆台形部に側壁を形成した後、全面にレジス
ト１２を塗布し、酸素による乾式エツチングで上記逆台
形部の頭出しを行う（第１図（ｂｌ）、湿式エツチング
で上記側壁のＳ ｉ Ｏ２膜１１を除去して全面に金属
を蒸着し、エミッタコンタクト層１６とエミッタ層５の
逆台形状を用いて、自己整合でベース電極１７とエミッ
タ電極１９を同時に形成する（第１図（（＋１）、不要
な金属およびレジスト１２を除去し、周辺を絶縁化する
ためのイオン注入層１０を形成し、最後に湿式エツチン
グと蒸着によりコレクタ電極８を形成する（第１図＋ｄ
））、以上のようにして、本実施例におけるｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタが完成する。
ポーラトランジスタの製造方法を示す断面図である。ま
ず、半絶縁性基板１上に、ｎ型不純物を高濃度に含有し
たコレクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレ
クタ層３、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース層４、
ｎ型不純物を含有したエミ’７タ層５、およびｎ型不純
物を高濃度に含有したエミッタコンタクト層１６を順に
膜成長により形成した後、エミッタコンタクト層１６お
よびエミッタ層５が逆台形となるようにベース層４まで
湿式エツチングし、その上に被膜となるＳ ｉＯ２膜１
１を形成する（第１図（ａ））。次に、乾式エツチング
により上記逆台形部に側壁を形成した後、全面にレジス
ト１２を塗布し、酸素による乾式エツチングで上記逆台
形部の頭出しを行う（第１図（ｂｌ）、湿式エツチング
で上記側壁のＳ ｉ Ｏ２膜１１を除去して全面に金属
を蒸着し、エミッタコンタクト層１６とエミッタ層５の
逆台形状を用いて、自己整合でベース電極１７とエミッ
タ電極１９を同時に形成する（第１図（（＋１）、不要
な金属およびレジスト１２を除去し、周辺を絶縁化する
ためのイオン注入層１０を形成し、最後に湿式エツチン
グと蒸着によりコレクタ電極８を形成する（第１図＋ｄ
））、以上のようにして、本実施例におけるｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタが完成する。
上記構成を、より高周波特性に優れたヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタに用いることもでき、この場合は膜成
長の時にベース層に用いた半導体よりも大きな禁制帯幅
を有する半導体をエミッタ層に用いればよい、また同様
に、基板側にエミッタ層を有する、工・ミッタとコレク
タの位置が逆転したトランジスタにおいても、あるいは
ｐｎｐ型トランジスタにおいても適用しうる。
ーラトランジスタに用いることもでき、この場合は膜成
長の時にベース層に用いた半導体よりも大きな禁制帯幅
を有する半導体をエミッタ層に用いればよい、また同様
に、基板側にエミッタ層を有する、工・ミッタとコレク
タの位置が逆転したトランジスタにおいても、あるいは
ｐｎｐ型トランジスタにおいても適用しうる。
発明の効果
以上に記したように、本発明の構成によるバイポーラト
ランジスタの製造方法は、簡単な工程でベース電極とエ
ミッタ電極が完全な自己整合で形成されるため、工程数
を低減することができ、かつ被膜の厚さを制御すること
で、微細なベース電極が得ることができる。このことは
、バイポーラトランジスタの高集積化・高周波化に大き
く貢献する。
ランジスタの製造方法は、簡単な工程でベース電極とエ
ミッタ電極が完全な自己整合で形成されるため、工程数
を低減することができ、かつ被膜の厚さを制御すること
で、微細なベース電極が得ることができる。このことは
、バイポーラトランジスタの高集積化・高周波化に大き
く貢献する。
第１図（ａｌ〜ｆｄ＋は、本発明の実施例におけるトラ
ンジスタの製造方法を示す断面図、第２図は従来のトラ
ンジスタの構成を示す断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板、２・・・・・・コレクタ
コンタクト層、３・・・・・・コレクタ層、４・・・・
・・ベース層、５・・・・・・エミッタ層、８・・・・
・・コレクタ電極、１０・・・・・・イオン注入層、１
１・・・・・・Ｓ ｉ Ｏ２膜、１２・・・・・・レジ
スト、１６・・・・・・エミッタコンタクト層、１７・
・・・・・ベースＮ極、１９・・・・・・エミッタ電極
。
ンジスタの製造方法を示す断面図、第２図は従来のトラ
ンジスタの構成を示す断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板、２・・・・・・コレクタ
コンタクト層、３・・・・・・コレクタ層、４・・・・
・・ベース層、５・・・・・・エミッタ層、８・・・・
・・コレクタ電極、１０・・・・・・イオン注入層、１
１・・・・・・Ｓ ｉ Ｏ２膜、１２・・・・・・レジ
スト、１６・・・・・・エミッタコンタクト層、１７・
・・・・・ベースＮ極、１９・・・・・・エミッタ電極
。
Claims (2)
- （１）基板上にトランジスタとなる多層膜を形成する工
程と、上記多層膜の最上層上に形成される電極とベース
上に形成される電極を結ぶ上記トランジスタの断面にお
いて、逆台形となるように上記トランジスタの最上層領
域を形成する工程と、上記最上層領域に被膜を用いて側
壁を形成する工程と、上記基板上にレジストを塗布して
上記最上層領域の頭出しをする工程と、上記側壁を除去
する工程と、上記最上層領域上の電極とベース電極とを
同時に形成する工程とを有することを特徴とするバイポ
ーラトランジスタの製造方法。 - （２）ベース層に用いる半導体よりも禁制帯幅の大きい
半導体をエミッタ層に用いて多層膜を形成する工程を有
することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
バイポーラトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1380288A JPH01189162A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1380288A JPH01189162A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189162A true JPH01189162A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11843388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1380288A Pending JPH01189162A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189162A (ja) |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1380288A patent/JPH01189162A/ja active Pending
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