JPH01175243A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の金属配線トリミングの方法に
関する。

〔発明の概要〕

この発明は、半導体装置の金属配線トリミングについて
、最終保護膜を被覆した後に行うようにすることにより
、トリミングの精度を向上せしめるようにしたものであ
る。

〔従来の技術〕

従来、第２図に示すように、金属配線３をパターニング
した時点で、半導体装置のトリミング測定を行い、次に
その結果に基づいて、レジスト４を塗布してパターン形
成を行い、エツチングにより金属配線を切断することに
よりトリミングを行い、その後、最終保護膜を形成して
いた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、従来のトリミング方法は、最終保護膜で被覆す
ると、トランジスタのしきい値電圧等の変動により、ト
リミング測定した時の結果とでき上がりとの間で誤差が
生じるという欠点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために、この発明は、金属配線を
形成した後に、最終保護膜を被覆し、電極取り出し口を
形成し、トリミング測定を行うようにした。この後、上
記トリミング測定結果に基づいて、レジストを塗布して
パターニングを行い、最終保護膜のエツチングを行い、
この保護膜の孔を介して、下部金属配線をエツチングす
るようにした。

〔作用〕

上記の方法でトリミングを行うと、最終保護膜形成によ
るトランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を受ける
ことなく、高精度のトリミングを行うことができる。

〔実施例〕

以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図において、金属配線３上に最終保護膜５を被覆す
る。この保護膜上に、電極取り出し日用のパターニング
をレジストにより行う、レジストのパターンにそって、
電極取り出し口を形成するために、最終保護Ｍ５をエツ
チングする。

次に、半導体装置のトリミング測定を行い、トリミング
で使用するフォトマスクの選定を行う、レジスト４を最
終保護膜上に塗布し、上記トリミング測定により選定し
たフォトマスクでパターニングを行う、このパターンに
より、最終保護膜のエツチングを行い、金属配線３を露
出後、金属配線３のエツチングすることによりトリミン
グを行う。

〔発明の効果〕

この発明は、以上説明したように、最終保護膜によるト
ランジスタのしきい値電圧等の変動によるトリミングの
誤差を無くする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明にかかるトリミング方式を説明する
ための半導体装置の断面図、第２図は、従来のトリミン
グ方式を説明するための半導体装置の断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・絶縁体 ３・・・金属配線 ４・・・レジスト ５・・・最終保護膜　　　　以上 出願人　セイコー電子工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に最終保護膜を被覆する工程と、この保護上に
   レジストにより所望のパターンを形成する工程と、上記
   パターンにより保護膜をエッチング除去する工程と、エ
   ッチングにより除去されたパターンより、露出した金属
   配線をエッチングする工程よりなる半導体装置の製造方
   法。