JPS61255347A - ガラスマスクの製造方法 - Google Patents

ガラスマスクの製造方法

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JPS61255347A
JPS61255347A JP60096960A JP9696085A JPS61255347A JP S61255347 A JPS61255347 A JP S61255347A JP 60096960 A JP60096960 A JP 60096960A JP 9696085 A JP9696085 A JP 9696085A JP S61255347 A JPS61255347 A JP S61255347A
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JP
Japan
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film
mask
metal film
mask layer
corrosion resistance
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JP60096960A
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English (en)
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JPH0679156B2 (ja
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Yoshio Suzuki
鈴木　美雄
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ガラスマスクの製造方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来、ガラスマスクの製造は、次のようｔｃ行われてい
る。先ず、第２図（薊に示す如く、ガラス基板１上釦所
定の膜厚でりσム等からなる金属膜２を形成する。次い
で、同図（Ｂｌ　Ｋ丞す如く、金属膜２上にレジスト膜
３を形成し、このレジスト膜３に選択的に露光を施した
後現儂を行い、開口ｓ４を形成する。次に、同図（Ｃ）
に示す如く、所定のエツチング液を用いてレジスト膜３
をマスクにして金属＠２をパターニングし、所定形ヶ。
７７．開ｒ：Ｐｉよう９６、次、。。（１）ｌよおヶよ
うにレジスト膜３を除去してガラスマスクＬヱを得る。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、従来のガラスマスクの製造方法では、レ
ジスト膜３に形成される開口部４が第２図（Ｂ）に示す
ように傾斜しており、かつ金属膜２をエラをングする際
にレジスト膜３も若干エツチングされ開口部４は第２図
（均に点線で示す如く拡大された開口部６となる。この
ため金属膜２のマスク開口５は、当初予定したものより
も大きくなってしまう。しかもエツチング液によって拡
大される開口部６の形状を正確に把なかった。その結果
、サブミクロン寸法の微細なノ９ターニングを確実に実
現できるガラスマスクを潜ることができない問題があっ
た。
〔発明の目的〕
本発明は、ガラス基板上に所定パターンの金Ｍ膜を極め
て高い形状精度で、かつ、容易に形成してサブミクロン
寸法のパターニングヲ確実に実現できるガラスマスクの
製造方法を提供することをその目的とするものである◇ 〔発明の概要〕 本発明は、金属膜よりも耐食性に優れたマスク部社をマ
スクにして金属膜のパターニングを行うことにより、ガ
ラス基板上に所定パターンの金属膜を極めて高い形状精
度で、かつ、容易く形成してサブミクロン寸法のパター
ニングを確実に実現できるガラスマスクの製造方法であ
る０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。先ず、第１図（Ａｌに示す如く、ガラス基板２０上に
所定の膜厚でクロム等からなる金属＠２２を形成する。
次いで、同図（Ｂ）　Ｋ示す如く、金属膜２１上にレジ
スト膜２２ｔ−形成し、このレジスト膜２２に選択的に
露光を施した後現像を行い開口部２３を形成する。次い
で金属膜２１を電極として電気メッキ法により開口部２
３によって露出した金属膜２１の表面のみにマスク層２
４を形成する。
このマスク層２４としては、後述する金属膜２１のエツ
チングに対して金属膜２１よりも耐食性に優れた金、白
金、モリブデン、タングステン、銅等を使用する。
次ＶＣ％　ｕｍ（ｃ）Ｋ示ｆ如＜、レジストＪＩ！１Ｉ
２２ヲ溶剤にて溶解し、アッシング等により除去する〇
然る後、残存したマスク層２４をマスクにして金属膜２
ノを所定のエツチング液でパターニングし同図（旬（示
す如く残膜〕やターン２５を形成したポジ型のガラスマ
スク３０を得る。
このように金ＩＲＭＩ２１のパターニングは、金属膜２
１よりもそのエツチング（対して耐食性に優れ九マスク
層２４をマスクにして行うので、パターニングの際にマ
スク層２４の形状が変化することはない。このため、極
めて高い形状精度で所定の残膜パターン２５を容易に得
ることができる。その結果、サブミクロン寸法の・苧タ
ーニングを確実に実現できるガラスマスクＬヱを得るこ
とができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係るガラスマスクの製造方
法によれば、ガラス基板上、ニ所定パターンの金属膜を
極めて扁い形状精度で、かつ、容易に形成してサブミク
ロン寸法のパターニングを確実に実現できるガラスマス
クを得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図（＾）乃至同図（Ｄ）Ｆｉ、本発明の実施例を工
程順に示す説明図、第２図（Ａ）乃至同図（Ｄ）は、従
来のガラスマスクの製造方法を工程１頁に示す説明図で
ある。 ２０・・・ガラス基板、２１・・・金属膜、２２・・・
レジスト膜、２３・・・開口部、２４・・・マスク層、
２５・−残膜ノＩターン、３０…ガラスマスク。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦３１１図 （Ａ） ＣＢ） １１２図 （Ａ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス基板上に所定の膜厚の金属膜を形成する工程と、
    該金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト
    膜にパターニングを施して前記金属膜を所定のパターン
    で露出する開口部を形成する工程と、該開口部に露出し
    ている前記金属膜の表面に該金属膜のエッチングに対し
    て前記金属膜より耐食性に優れたマスク層を電気メッキ
    法により形成する工程と、前記レジスト膜を除去し前記
    マスク層をマスクにして前記金属膜をエッチングにより
    パターニングする工程とを具備することを特徴とするガ
    ラスマスクの製造方法。
JP9696085A 1985-05-08 1985-05-08 ガラスマスクの製造方法 Expired - Lifetime JPH0679156B2 (ja)

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JPH0679156B2 JPH0679156B2 (ja) 1994-10-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6811959B2 (en) 2002-03-04 2004-11-02 International Business Machines Corporation Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks

Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5178988A (en) * 1974-12-30 1976-07-09 Fujitsu Ltd Negamasukuno seizohoho
JPS5293274A (en) * 1976-01-31 1977-08-05 Toppan Printing Co Ltd Method of manufacturing negative type photomask by way of new lift off process

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US6989219B2 (en) 2002-03-04 2006-01-24 International Business Machines Corporation Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks

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Publication number Publication date
JPH0679156B2 (ja) 1994-10-05

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