JPH01158770A - カラーイメージセンサの製造方法 - Google Patents
カラーイメージセンサの製造方法Info
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- JPH01158770A JPH01158770A JP62317709A JP31770987A JPH01158770A JP H01158770 A JPH01158770 A JP H01158770A JP 62317709 A JP62317709 A JP 62317709A JP 31770987 A JP31770987 A JP 31770987A JP H01158770 A JPH01158770 A JP H01158770A
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- Japan
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- transparent electrode
- image sensor
- color
- resist layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、密＠型カラーイメージセンサの製造方法に関
する。
する。
一次元密着イメージセンサは原稿と同一サイズのセンサ
長を持つので、ファクシミリやイメージスキャナの小型
化、低価格化に大きく寄与する。
長を持つので、ファクシミリやイメージスキャナの小型
化、低価格化に大きく寄与する。
このため、近年その開発が活発化しており、テレビジョ
ン学会技術報告Ｖｏρ、１０、Ｎ ｏ ２２、ＥＤ９８
３に示ずように、光電変換素子とこれを駆動する走査回
路とを同一の石英基板上に集積化した密着型イメージセ
ンサが実用化されている。
ン学会技術報告Ｖｏρ、１０、Ｎ ｏ ２２、ＥＤ９８
３に示ずように、光電変換素子とこれを駆動する走査回
路とを同一の石英基板上に集積化した密着型イメージセ
ンサが実用化されている。
この密着型イメージセンサ上にカラーフィルタをｏｎ−
ｃｈｉｐで形成してカラー密着型イメージセンサを作製
する場合、透明高分子膜をチップ上にパタニングし、染
料で染色することによりカラーフィルタを形成する方法
か従来から知られている。しかし、この方法は各色のカ
ラーフィルタ毎にフォト工程が必要であり、更にカラー
フィルタの段差を緩和する平坦化層を塗布する必要があ
るなどの複雑な工程が必要である。また染料カラーフィ
ルタは熱に弱く、その耐熱性は１５０℃程度しかないと
いう欠点があった。
ｃｈｉｐで形成してカラー密着型イメージセンサを作製
する場合、透明高分子膜をチップ上にパタニングし、染
料で染色することによりカラーフィルタを形成する方法
か従来から知られている。しかし、この方法は各色のカ
ラーフィルタ毎にフォト工程が必要であり、更にカラー
フィルタの段差を緩和する平坦化層を塗布する必要があ
るなどの複雑な工程が必要である。また染料カラーフィ
ルタは熱に弱く、その耐熱性は１５０℃程度しかないと
いう欠点があった。
一方、カラーフィルタを形成する方法に電着法と呼ばれ
る方法がある。電着法とは絶縁基板上にパタニングされ
た透明電極を顔料溶液中に浸し、透明電極にプラス、対
向電極にマイナスの電圧を印加して電気泳動法により各
色のカラーフィルタを形成する方法である。この方法だ
と、カラーフィルタは電圧を印加された透明電極上にの
み形成されるので、あらかじめ透明電極を互いに絶縁さ
れたパターンにパタニングしておけば、各々のパタンに
顔料の種類に応じて選択的に電圧を印加するととにより
、複数種のカラーフィルタを形成することができる。以
上の説明からもわかるように、複数色のカラーフィルタ
を形成するのに電着法では１回のフォト工程でよく、ま
た顔料を用いているため耐熱性も２５０°Ｃ程度まであ
るなど優れた点が多い。
る方法がある。電着法とは絶縁基板上にパタニングされ
た透明電極を顔料溶液中に浸し、透明電極にプラス、対
向電極にマイナスの電圧を印加して電気泳動法により各
色のカラーフィルタを形成する方法である。この方法だ
と、カラーフィルタは電圧を印加された透明電極上にの
み形成されるので、あらかじめ透明電極を互いに絶縁さ
れたパターンにパタニングしておけば、各々のパタンに
顔料の種類に応じて選択的に電圧を印加するととにより
、複数種のカラーフィルタを形成することができる。以
上の説明からもわかるように、複数色のカラーフィルタ
を形成するのに電着法では１回のフォト工程でよく、ま
た顔料を用いているため耐熱性も２５０°Ｃ程度まであ
るなど優れた点が多い。
ただし、電着法を用いてカラーフィルタを形成する場合
でも、従来考案されていた方法では第３図に示すように
密着イメージセンサの光電変換素子上に透明保護膜９を
形成し、この上に更に電着用透明電極１０を形成しパタ
ニングするという、工程としては必ずしも簡単ではない
方法がとられていた。
でも、従来考案されていた方法では第３図に示すように
密着イメージセンサの光電変換素子上に透明保護膜９を
形成し、この上に更に電着用透明電極１０を形成しパタ
ニングするという、工程としては必ずしも簡単ではない
方法がとられていた。
本発明では以上に述べた電着法によるカラーフィルタ形
成方法を更に簡略化し、安価で信頼性の高いカラー密着
形イメージセンサを形成する方法を提供するととを目的
とする。
成方法を更に簡略化し、安価で信頼性の高いカラー密着
形イメージセンサを形成する方法を提供するととを目的
とする。
本発明のカラーイメージセンサの製造方法は、絶縁基板
上に周期的に配列された光電変換素子と、該光電変換素
子の光入射側に透明電極を存するイメージセンサにおい
て、前記透明電極を、カラーフィルタ電着用透明電極と
して使用したことを特徴とする。
上に周期的に配列された光電変換素子と、該光電変換素
子の光入射側に透明電極を存するイメージセンサにおい
て、前記透明電極を、カラーフィルタ電着用透明電極と
して使用したことを特徴とする。
第１図と第２図に本発明のカラーイメージセンナの製造
方法を示す工程図を示す。第１図はカラーイメージセン
サの画素部を基板に垂直な方向から見た図であり、第２
図は前記画素部の主走査方向における断面を示した図で
ある。第１図の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ第２図の（ａ
）〜（ｆ）の各工程に対応している。第１図で１は透明
電極、２はレジスト、３は赤（Ｒ）フィルタ、４は青（
Ｂ）フィルタ、５は緑（Ｇ）フィルタである。第２図で
１〜５までは第１図と同じであり、６は光電変換素子、
７は下部電極、８は絶縁基板である。
方法を示す工程図を示す。第１図はカラーイメージセン
サの画素部を基板に垂直な方向から見た図であり、第２
図は前記画素部の主走査方向における断面を示した図で
ある。第１図の（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ第２図の（ａ
）〜（ｆ）の各工程に対応している。第１図で１は透明
電極、２はレジスト、３は赤（Ｒ）フィルタ、４は青（
Ｂ）フィルタ、５は緑（Ｇ）フィルタである。第２図で
１〜５までは第１図と同じであり、６は光電変換素子、
７は下部電極、８は絶縁基板である。
以下に実施例を工程を追いながら説明する。まず絶縁基
板上に形成したイメージセンナの画素部（第１図−（ａ
）、第２図−（ａ））の最上層である透明電極１上にレ
ジストを形成する（第１図−（ｂ） 、第２図−（ｂ）
）。レジストの１部はパタニングして透明電極１を露出
させておく。この状態で例えば赤（Ｒ）の電着液に基板
を浸し、透明電極にプラス、対向電極にマイナスの電圧
をかけると、前記透明電極露出部上にＲのカラーフィル
タが形成される。これを９５°ＣのＮ、ガス雰囲気中で
１時間加熱し、カラーフィルタを仮硬化させ、レジスト
をはくりする（第１図−（Ｃ）、第２図−（Ｃ））。レ
ジストはくり後、２２０ ’ＣのＮ、中でｌｈｒ加熱し
、本硬化させる。次に第１図−（ｂ）と同一のマスクバ
タンを１画素分たけずらせて、レジストをパタニングす
る（第１図−（ｄ） 、第２図−（ｄ））。この状態で
例えば青（Ｂ）の電着液に基板を浸し、Ｂのカラーフィ
ルタを形成する。Ｒフィルタの場合と同様にしてＢフィ
ルタの仮硬化を行いレジストをはくすする。はくり後、
Ｒフィルタと同様にＢフィルタを本硬化させる（第１図
−（ｅ）、第２図−（ｅ））。この状態で基板を例えば
緑（Ｇ）フィルタの電着液中に浸し電着を行えば、Ｇの
カラーフィルタが形成される。Ｒ・Ｂフィルタと同様に
して仮硬化・本硬化を行えば、光電変換素子上にＲ−Ｇ
＠Ｂのカラーフィルタが形成されることになる（第１図
−（ｆ）、第２図−（ｆ））。
板上に形成したイメージセンナの画素部（第１図−（ａ
）、第２図−（ａ））の最上層である透明電極１上にレ
ジストを形成する（第１図−（ｂ） 、第２図−（ｂ）
）。レジストの１部はパタニングして透明電極１を露出
させておく。この状態で例えば赤（Ｒ）の電着液に基板
を浸し、透明電極にプラス、対向電極にマイナスの電圧
をかけると、前記透明電極露出部上にＲのカラーフィル
タが形成される。これを９５°ＣのＮ、ガス雰囲気中で
１時間加熱し、カラーフィルタを仮硬化させ、レジスト
をはくりする（第１図−（Ｃ）、第２図−（Ｃ））。レ
ジストはくり後、２２０ ’ＣのＮ、中でｌｈｒ加熱し
、本硬化させる。次に第１図−（ｂ）と同一のマスクバ
タンを１画素分たけずらせて、レジストをパタニングす
る（第１図−（ｄ） 、第２図−（ｄ））。この状態で
例えば青（Ｂ）の電着液に基板を浸し、Ｂのカラーフィ
ルタを形成する。Ｒフィルタの場合と同様にしてＢフィ
ルタの仮硬化を行いレジストをはくすする。はくり後、
Ｒフィルタと同様にＢフィルタを本硬化させる（第１図
−（ｅ）、第２図−（ｅ））。この状態で基板を例えば
緑（Ｇ）フィルタの電着液中に浸し電着を行えば、Ｇの
カラーフィルタが形成される。Ｒ・Ｂフィルタと同様に
して仮硬化・本硬化を行えば、光電変換素子上にＲ−Ｇ
＠Ｂのカラーフィルタが形成されることになる（第１図
−（ｆ）、第２図−（ｆ））。
本実施例で用いているイメージセンサには、上部電極に
透明電極を用いているものであればどんなものでもよく
、例えば、第２図−（ａ）の絶縁基板８に石英基板、下
部電極７にＡρ−３ｉ−ＣＵ金合金光電変換素子６にア
モルファスシリコン、透明電極１にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を用いた密着型イメージセン
サなどが本発明の応用に大変適している。
透明電極を用いているものであればどんなものでもよく
、例えば、第２図−（ａ）の絶縁基板８に石英基板、下
部電極７にＡρ−３ｉ−ＣＵ金合金光電変換素子６にア
モルファスシリコン、透明電極１にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を用いた密着型イメージセン
サなどが本発明の応用に大変適している。
以上の工程からもわかるように、本発明によれば、カラ
ーフィルタ作成時のフォト工程は染色フィルタ法の３回
に対し２回ですみ、また染色フィルタ法では必要であっ
た、カラーフィルタの段差を平坦化する工程も必要ない
。更に、従来の電着塗装性では必要だったカラーフィル
タ電着専用の透明電極を新たに形成する必要もなくなる
ので、第３図の従来例に示すような、透明保護膜９を塗
布する必要もなくなる。また、本発明により形成された
カラーイメージセンサは、第２図−（ｆ）からもわかる
ように、構造上、カラーフィルタが光電変換素子のバッ
シベーショ７層としても機能しているので、例えば第２
図−（ｆ）の上部に透明ポリイミド（Ｐ １−２５６６
：商品名）などを−層塗布するだけでも、耐環境性に優
れた信頼性の高いカラーイメージセンサを低コストで実
現できる。
ーフィルタ作成時のフォト工程は染色フィルタ法の３回
に対し２回ですみ、また染色フィルタ法では必要であっ
た、カラーフィルタの段差を平坦化する工程も必要ない
。更に、従来の電着塗装性では必要だったカラーフィル
タ電着専用の透明電極を新たに形成する必要もなくなる
ので、第３図の従来例に示すような、透明保護膜９を塗
布する必要もなくなる。また、本発明により形成された
カラーイメージセンサは、第２図−（ｆ）からもわかる
ように、構造上、カラーフィルタが光電変換素子のバッ
シベーショ７層としても機能しているので、例えば第２
図−（ｆ）の上部に透明ポリイミド（Ｐ １−２５６６
：商品名）などを−層塗布するだけでも、耐環境性に優
れた信頼性の高いカラーイメージセンサを低コストで実
現できる。
本発明によれば、従来の染色法、或は電着塗装性で必要
だったカラーフィルタ形成の複雑な工程を大幅に簡略化
することができる。更に、カラーフィルタ形成の構造上
、信頼性の高いカラーイメージセンナも同時に実現する
ことができるので、本発明の効果は絶大なものがある。
だったカラーフィルタ形成の複雑な工程を大幅に簡略化
することができる。更に、カラーフィルタ形成の構造上
、信頼性の高いカラーイメージセンナも同時に実現する
ことができるので、本発明の効果は絶大なものがある。
第１（ａ）〜（ｆ）図は本発明のカラーイメージセンサ
の製造方法を示す工程図。 第２（ａ）〜（ｆ）図は本発明のカラーイメージセンサ
の製造方法を示す断面工程図。 第３図は従来のカラーイメージセンサの製造方法による
カラーイメージセンサの断面図。 ■・・・透明電極 ２・・・レジスト ３・・・赤（Ｒ）フィルタ ４・・・青（Ｂ）フィルタ ５・・緑（Ｇ）フィルタ ６・・・光電変換素子 ７・・・下部電極 ８・・・絶縁基板 ９・・・透明保護膜 １０・・・電着用透明電極 以 上
の製造方法を示す工程図。 第２（ａ）〜（ｆ）図は本発明のカラーイメージセンサ
の製造方法を示す断面工程図。 第３図は従来のカラーイメージセンサの製造方法による
カラーイメージセンサの断面図。 ■・・・透明電極 ２・・・レジスト ３・・・赤（Ｒ）フィルタ ４・・・青（Ｂ）フィルタ ５・・緑（Ｇ）フィルタ ６・・・光電変換素子 ７・・・下部電極 ８・・・絶縁基板 ９・・・透明保護膜 １０・・・電着用透明電極 以 上
Claims (1)
- 絶縁基板上に周期的に配列された光電変換素子と、該
光電変換素子の光入射側に透明電極を有するイメージセ
ンサの製造方法において、前記透明電極を、カラーフィ
ルタ電着用透明電極として使用したことを特徴とするカ
ラーイメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317709A JPH01158770A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | カラーイメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317709A JPH01158770A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | カラーイメージセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158770A true JPH01158770A (ja) | 1989-06-21 |
Family
ID=18091158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317709A Pending JPH01158770A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | カラーイメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108461A (en) * | 1996-12-05 | 2000-08-22 | Nec Corporation | Contact image sensor and method of manufacturing the same |
| JP2008153594A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサｉｃ |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62317709A patent/JPH01158770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108461A (en) * | 1996-12-05 | 2000-08-22 | Nec Corporation | Contact image sensor and method of manufacturing the same |
| JP2008153594A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサｉｃ |
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