JPH01152358A - 酸素センサ - Google Patents

酸素センサ

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JPH01152358A
JPH01152358A JP62249827A JP24982787A JPH01152358A JP H01152358 A JPH01152358 A JP H01152358A JP 62249827 A JP62249827 A JP 62249827A JP 24982787 A JP24982787 A JP 24982787A JP H01152358 A JPH01152358 A JP H01152358A
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    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02DCONTROLLING COMBUSTION ENGINES
    • F02D41/00Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
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    • GPHYSICS
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    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4065Circuit arrangements specially adapted therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸素センサに係り、特に内燃機関に好適な、酸
素イオン伝導性の固体電解質を用いた酸素センサに関す
る。
〔従来の技術〕
従来のセンサでは特開昭62−67255号公報に記載
のように出力電圧及び内部抵抗を測定する手段を備えて
温度補償を行ない、空焼比に対する出力電圧の温度依存
性を回避している。
【発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は下記の点について配慮がされておらず、
測定精度、信頼性の面の問題があった。
第6図に記載されているごとく、空気過剰率が1以下、
あるいは1以上の領域で、空気過剰率に対する起電力、
すなわち出力電圧の変化が小さく、測定精度が低くなる
欠点がある。
また第7図に記載されているごとく、可燃性ガス、例え
ばCs Ha 、 COs Hz等が出力電圧に影響を
及ぼし、信頼性が低くなる欠点がある。
本発明の目的は、測定精度、信頼性が高い酸素センサを
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的の一つである測定精度の向上は起電力をE、
参照電圧をVoとしたとき、V=A(E−Vo)のごと
く差電圧を増幅することによって達成される。第6図に
示したごとく、起電力Eは温度によって大幅に変化する
のでVoを固定していたのでは(E−Vo)の変化幅が
大きくなり充分にAを大きくすることができない。これ
を回避するため、Voを温度によって加減し、(E  
Vo)の変化幅を小さくしてAを大きくし測定精度を高
めることが必要である。
また、可燃ガスの影響に関しては温度を600”C以上
にするとCs Ha等の分子量の大きい炭化水素を除き
回避できることがわかった。内燃機関の場合、CaHs
等の炭化水素は燃焼室の壁面で生じるので、エンジン出
力を論じるときはこれを無視してもよく、ヒータで温度
を600 ”C以上にすると信頼性の向上が達成される
〔作用〕
いま、第6図において、空気過剰率1の近傍の起電力を
Voとすると温度が815℃のときは0.7V、温度が
370℃のときは0.95V程度になる。このとき空気
過剰率0.85〜1 における(E−Vo)(7)変化
幅は0.15V以内であり、A=10とし、空焼比に対
する出力の変化を10倍に拡大でき、測定精度が高まる
一方、空気過剰率1.15のとき、温度370’CのV
o=0.2,815℃のVo=0.6Vとすると、空気
過剰率1.0〜1.15における(E−Vo)の変化幅
は0.IV以内でA=10とし空燃比に対する出力の変
化を10倍に拡大し測定精度を高めることができる。こ
のように、空気過剰率9小さい領域、大きい領域でVo
は異なる。内燃機関の場合、空燃比はあらかじめ設定さ
れるので、この設定空燃比に応じてVoを変化させれば
よい。設定空燃比が理論空燃比、すなわち空気過剰率が
1の場合はVo=0.5Vに設定される。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図において、測定ガスが流れる通路1に袋管状の固体電
解質2が装着される。電解質2はZrOx、YzOa等
で造られ、両側に白金層の測定ガス側電極3.参照ガス
側電極4が設けられている。電極3は接地され、電極4
は差動増幅器5の正の入力端子6に接続されている。増
幅器5の出力端子7はA/Dコンパレータ9を介してマ
イクロプロセッサ10に接続されている。一方、増幅器
5の負の入力端子8はD/Aコンバータ11を介してマ
イクロプロセッサ10に接続されている。
アルミナにタングステン線を内蔵したヒータ12が袋管
の中に設置され、タングステン線の一端は接地、他端は
スイッチ素子13を介して電源14に接続されている。
スイッチ素子13は信号線15を介しマイクロプロセッ
サ10で制御される。
入力端子6にはスイッチ素子16を介して、抵抗17が
接続され、他端は接地されている。スイッチ素子16は
信号線18を介してマイクロプロセッサ10で制御され
る。また、端子6の電圧がA/Dフンバータ19を介し
てマイクロプロセッサ10に入力される。
第1図の実施例の動作は第2図のごとくである。
第2図のステップ101から105までの動作で、いま
、抵抗17の値をR1固体電解質2の内部抵抗をrとす
ると。
となる。この関係を用いE、Uの値からステップ106
でrを求める。周知のように内部抵抗rは温度Tの関数
であり、あらかじめこの関係をプロセッサ11に入力し
ておくことによりステップ107で温度Tを求めること
ができる。
ステップ108で、T>600’Cの場合はステップ1
09へ、T(600℃のときはステップ109にとび、
ヒータ12の電流を加減して電解質2の温度Tを600
℃以上に保持する。このとき、電解質2の近傍のガスの
温度もTと等しくなる。ステップ112で、設定空燃比
が理論空燃比のときはステップ113でA/Dコンパレ
ータ19を介してEをマイクロプロセッサに入力し一回
の動作を終了する。
設定空燃比が理論空燃比でない場合はステップ114に
入る。ここで、設定空燃比が理論空燃比より大きい、す
なわち空気過剰率が1より大きいときはステップ115
でvo=yz(T)を計算する。このtPlは、例えば
第6図の空気過剰率1.15のときの起電力で温度の関
数である。この値はあらかじめ実験で求めてマイクロプ
ロセッサ10に記憶しておく。
設定空燃比が理論空燃比より小さい、すなわち空気過剰
率が1より小さいときはステップ116でV o =ψ
1(T)を計算する。このTzは、例えば第6図の空気
過剰率0.98のときの起電力で温度の関数としてあら
かじめ実験で求めてマイクロプロセッサ10内に記憶し
ておく。
ステップ117で、このvOをD/Aコンバータを介し
て差動増幅器5の負の入力端子8に出力する。ここで、
差動増幅器5の出力端子7にはA・(E−Vo)が出力
されており、A/Dコンバータ9を介してマイクロプロ
セッサ1oにとりこみv1=A・(E−Vo)を測定す
る。
ここで、空燃比はVzとTの関数となっており、あらか
じめこの関数(P3を求めておき、これを基にステップ
119で空燃比を計算する。これで。
1回の動作を修了しステップ101に戻り、上記の動作
をくりかえす。
差動増幅器5の出力は、空気過剰率が1より小さいとき
は第3図の曲線すのごとくになり、空気過剰率が1より
大きいときは曲線Cのごとくなる。
また、設定空燃比が理論空燃比の場合にはマイクロプロ
セッサ10にとりこまれる出力は曲線aのごとくなる。
以上のごとく、第6図の出力すなわち起電力の空燃比に
対する変化に比べ、第3図の出力の変化は、b、Cに示
したごとく大きくなり、測定精度を出力電圧の範囲を拡
大することなく向上することができる。
内燃機関の空燃比を閉ループ制御するときは、空燃比の
絶対値を求めず、センサの出力を目標値としてもよい、
すなねち、第2図のステップ101からステップ111
までの動作を実施し、目標値=T4(設定空燃比、温度
T)を直接床めることができる。このときは、第1図の
構成において差動増幅器5.A/Dコンバータ9を省略
することができる。
第2図のステップ111以降の動作を第4図に例示した
。ステップ201であらかじめマイクロプロセッサ10
に記憶されているT4を用いて閉ループの目標値EOを
計算する。ステップ202で起電力EとEoを比較しス
テップ203で比例。
積分、微分動作を実行し、これらの結果を基にステップ
204で燃料噴射弁を制御し一回の動作を終了してステ
ップ101に戻る。
第8図に、酸化物半導体を用いた抵抗変化型の酸素セン
サの空気過剰率λに対する抵抗率の変化を示した。この
場合も温度依存性が大きい。このときも、差動増幅器の
負の入力端子の電圧を温度によって加減してそのときの
差動増幅器の出力端子の電圧から測定ガス中の酸素分圧
を測定することができる。
第5図に、その一実施例を示した。酸化物半導体31の
抵抗の変化を抵抗32を用いて電圧に変換し、これを差
動増幅器32の入力端子33に入力する。一方、白金線
のヒータ34を半導体31の近傍に設け、スイッチ素子
35でヒータ34の電流を制御する。スイッチ素子36
はマイクロプロセッサ36で制御される。差動増幅器3
2の出力端子37はマイクロプロセッサ36に接続され
ている。増幅器32の負の入力端子39はD/Aコンバ
ータ38を介してマイクロプロセッサ36に接続されて
いる。また端子37はA/Dコンバータ40を介してマ
イクロプロセッサ36に接続されている。また、ヒータ
34の電圧がA/Dコンバータ41を介してマイクロプ
ロセッサ36に入力される。
いま、白金ヒータ34の抵抗を、RH,抵抗42の値を
R,とすると、抵抗42の電圧降下はRo+Rz となり、Δ■からRH、すなわち温度Tを測定すること
ができる。このTを用いて差動増幅器32の負の入力端
子39に印加する電圧vOを求める手法は第2図の場合
と同じであるのでここでは説明を省略する。
第1図の固体電解質のセンサに対して参照ガスが不要に
なるので構造が簡単になり装着性向上する効果がある。
内燃機関の排ガスの酸素濃度を測定する際の信頼性を考
察する。空気過剰率が1より大きいときでも、Hz 、
Co、HC等の可燃分が存在する。
ここでHzはO2に比べ拡散が速<、HCは02に比べ
拡散が遅い。これにより、測定ガス中の02分圧と固体
電解質2の表面の02分圧に差が生じる。これを回避す
るためには、温度を600℃以上に保持し上記の可燃分
を零近くまで低減すればよいことがわかった。S i 
02.  すす等によって第1図の固体電解質2のf!
電極を保護する保護層21が多少目づまりしても出力へ
の影響が回避でき、センサの信頼性が大幅に向上する6
空気過剰率が1より小さいときはCOa、HzOとHz
 、○z、Coの平衡状態にある。ここで、02゜CO
の拡散の速度は同じであるので、保護層21 ・が多少
目づまりしてもセンサの出力に影響を及ぼすことはない
。しかし、Hzの拡散の速さは023倍程度と高い、し
たがって、固体電解質2の電極3の近傍のガスの温度と
測定ガス、すなわち排ガスの温度に差があるときは、H
z、Oxの平衡条件が異なり、上記の拡散の速さの差で
センサの出力に影響を及ぼす。
これを回避するためには、保護層21の近傍のガスの温
度を電極3の近傍のガスの温度と等しくすればよい。
保護層21はAQzOsの50〜100μmの厚さから
構成され、あるいは、マグネシウムスピネルから構成さ
れる。この保護層21の表面の温度境界層を厚くすれば
よい。このため、粒径の大きいセラミック粒子、あるい
は繊維を保護層の表面に配置する。また、保護層21の
表面のガスの速度が大きいと温度境界層が小さくなるの
で保護層21の外側に保護管を設けてもよい。
固体電解質、あるいは酸化物半導体の表面の測定ガスの
温度を600℃以上とし、かつ保7aWJ21の表面の
ガスの温度をこれと等しくすることによってガスの平衡
状態を維持し、水成ガス反応の平衡から定まる酸素濃度
を正確に測定できる。
このときの酸素濃度は空気過剰率と温度との関係になり
Hz、Co等の成分の影響を受けない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来の酸素センサに比べて空気過剰率
が1より小さい、あるいは1より大きい領域の空燃比に
対するセンサ出力の変化を約10倍程度に増大すること
ができるので、センサの測定精度が向上できコスト上昇
を招くことなく内燃機関の性能を高めることができる。
また、測定ガス中に含まれるHz 、Co、HC等の影
響を回避できるのでセンサの表面が5iOz、すす等で
よごれてもセンサの出力が経時変化することがなくなり
センサの信頼性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は固体電解質を用いたセンサの構成図、第2図は
その動作の説明図、第3図はセンサの出力特性図である
。第4図は内燃機関の空燃比閉ループ制御への応用の動
作の説明図、第5図は酸化物半導体を用いたセンサの構
成図、第6図ないし第8図は従来のセンサの特性図であ
る。 1・・・通路、2・・・固体電解質、3,4・・・電極
、5・・・第 1 目 箔 30 空虻過業1午 箭40

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、酸素イオン伝導性の固体電解質の参照ガス側、測定
    ガス側の電極間の起電力を差動増幅器の正の入力端子に
    入力し、負の入力端子の電圧を固体電解質近傍の温度に
    よつて調節する構成とし、そのときの差動増幅器の出力
    端子の電圧から測定ガス中の酸素分圧を測定することを
    特徴とした酸素センサ。
JP62249827A 1987-10-05 1987-10-05 酸素センサ Expired - Lifetime JPH0758275B2 (ja)

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JP62249827A JPH0758275B2 (ja) 1987-10-05 1987-10-05 酸素センサ
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