JPH0758275B2 - 酸素センサ - Google Patents

酸素センサ

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JPH0758275B2
JPH0758275B2 JP62249827A JP24982787A JPH0758275B2 JP H0758275 B2 JPH0758275 B2 JP H0758275B2 JP 62249827 A JP62249827 A JP 62249827A JP 24982787 A JP24982787 A JP 24982787A JP H0758275 B2 JPH0758275 B2 JP H0758275B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸素センサに係り、特に内燃機関に好適な、酸
素イオン伝導性の固体電解質を用いた酸素センサに関す
る。
〔従来の技術〕
従来のセンサでは特開昭62-67255号公報に記載のように
出力電圧及び内部抵抗を測定する手段を備えて温度補償
を行ない、空焼比に対する出力電圧の温度依存性を回避
している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は下記の点について配慮がされておらず、
測定精度、信頼性の面の問題があつた。
第6図に記載されているごとく、空気過剰率が1以下、
あるいは1以上の領域で、空気過剰率に対する起電力、
すなわち出力電圧の変化が小さく、測定精度が低くなる
欠点がある。
また第7図に記載されているごとく、可燃性ガス、例え
ばC3H8,CO,H2等が出力電圧に影響を及ぼし、信頼性が低
くなる欠点がある。
本発明の目的は、測定精度,信頼性が高い酸素センサを
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、酸素イオン伝導性の固体電解質と、前記固
体電解質の参照ガス側に設けられた第一の電極と、測定
ガス側に設けられた第二の電極と、前記電極間に接続さ
れた差動増幅器と、前記固体電解質を加熱する加熱手段
とを備え、前記差動増幅器の出力端子の電圧から測定ガ
ス中の酸素分圧を測定する酸素センサにおいて、前記加
熱手段により前記固体電解質の温度を600℃以上に保
ち、前記電極間の起電力を前記差動増幅器の正の入力端
子に入力するとともに、前記差動増幅器の負の入力端子
の電圧を前記固体電解質の温度によって調節することに
よって達成される。
〔作用〕
可燃ガスの影響に関して、レギュラーガソリンを用いた
内燃機関の場合には固体電解の温度を600℃以上にする
とC3H8等の分子量の大きい炭化水素を除くことができる
ので、ヒータで固体電解質の表面温度を600℃以上にす
ると信頼性の向上が達成される。いま、第6図におい
て、空気過剰率1の近傍の起電力をVoとすると温度が81
5℃のときは0.7V、温度が370℃のときは0.95V程度にな
る。このとき空気過剰率0.85〜1における(E−Vo)の
変化は0.15V以内であり、A=10とし、空焼比に対する
出力の変化を10倍に拡大でき、測定精度が高まる。
一方、空気過剰率1.15のとき、温度370℃のVo=0.02,81
5℃のVo=0.06Vとすると、空気過剰率1.0〜1.15におけ
るEの最大値が温度370℃のとき空気過剰率1で0.1V、
温度815℃のとき0.14Vなので、(E−Vo)の変化幅は0.
1V以内でA=10とし空燃比に対する出力の変化を10倍に
拡大し測定精度を高めることができる。このように、空
気過剰率が小さい領域(空気過剰率0.85〜1)、大きい
領域(空気過剰率1〜1.15)でVoは異なる。内燃機関の
場合、空燃比はあらかじめ設定されるので、この設定空
燃比に応じてVoを変化させればよい。設定空燃比が理論
空燃比、すなわち空気過剰率が1の場合はVo=0.5Vに設
定される。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図において、測定ガスが流れる通路1に袋管状の固体電
解質2が装着される。電解質2はZrO2,Y2O3等で造ら
れ、両側に白金製の測定ガス側電極3,参照ガス側電極4
が設けられている。電極3は接地され、電極4は差動増
幅器5の正の入力端子6に接続されている。増幅器5の
出力端子7はA/Dコンパレータ9を介してマイクロプロ
セツサ10に接続されている。一方、増幅器5の負の入力
端子8はD/Aコンバータ11を介してマイクロプロセツサ1
0に接続されている。アルミナにタングステン線を内蔵
したヒータ12が袋管の中に設置され、タングステン線の
一端は接地、他端はスイツチ素子13を介して電源14に接
続されている。スイツチ素子13は信号線15を介しマイク
ロプロセツサ10で制御される。入力端子6にはスイツチ
素子16を介して、抵抗17が接続され、他端は接地されて
いる。スイツチ素子16は信号線18を介してマイクロプロ
セツサ10で制御される。また、端子6の電圧がA/Dコン
バータ19を介してマイクロプロセツサ10に入力される。
第1図の実施例の動作は第2図のごとくである。
第2図のステツプ101から105までの動作で、いま、抵抗
17の値をR、固体電解質2の内部抵抗をrとすると、 となる。この関係を用いE,Uの値からステツプ106でrを
求める。周知のように内部抵抗rは温度Tの関数であ
り、あらかじめこの関係をプロセツサ11に入力しておく
ことによりステツプ107で温度Tを求めることができ
る。
ステツプ108で、T>600℃の場合はステツプ109へ、T
<600℃のときはステツプ109にとび、ヒータ12の電流を
加減して電解質2の温度Tを600℃以上に保持する。こ
のとき、電解質2の近傍のガスの温度もTと等しくな
る。ステツプ112で、設定空燃比が理論空燃比のときは
ステツプ113でA/Dコンパレータ19を介してEをマイクロ
プロセツサに入力し一回の動作を終了する。
設定空燃比が理論空燃比でない場合はステツプ114に入
る。ここで、設定空燃比が理論空燃比より大きい、すな
わち空気過剰率が1より大きいときはステツプ115でVo
1(T)を計算する。この1は、例えば第6図の空
気過剰率1.15のときの起電力で温度の関数である。この
値はあらかじめ実験で求めてマイクロプロセツサ10に記
憶しておく。
設定空燃比が理論空燃比より小さい、すなわち空気過剰
率が1より小さいときはステツプ116でVo=2(T)を
計算する。この2は、例えば第6図の空気過剰率0.98
のときの起電力で温度の関数としてあらかじめ実験で求
めてマイクロプロセツサ10内に記憶しておく。
ステツプ117で、このVoをD/Aコンバータを介して差動増
幅器5の負の入力端子8に出力する。ここで、差動増幅
器5の出力端子7にはA・(E−Vo)が出力されてお
り、A/Dコンバータ9を介してマイクロプロセツサ10に
とりこみV1=A・(E−Vo)を測定する。
ここで、空燃比はV1とTの関数となつており、あらかじ
めこの関数3を求めておき、これを基にステツプ119で
空燃比を計算する。これで、1回の動作を修了しステツ
プ101に戻り、上記の動作をくりかえす。
差動増幅器5の出力は、空気過剰率が1より小さいとき
は第3図の曲線bのごとくになり、空気過剰率が1より
大きいときは曲線Cのごとくなる。また、設定空燃比が
理論空燃比の場合にはマイクロプロセツサ10にとりこま
れる出力は曲線aのごとくなる。
以上のごとく、第6図の出力すなわち起電力の空燃比に
対する変化に比べ、第3図の出力の変化は、b,cに示し
たごとく大きくなり、測定精度を出力電圧の範囲を拡大
することなく向上することができる。
内燃機関の空燃比を閉ループ制御するときは、空燃比の
絶対値を求めず、センサの出力を目標値としてもよい。
すなわち、第2図のステツプ101からステツプ111までの
動作を実施し、目標値=4(設定空燃比、温度T)を
直接求めることができる。このときは、第1図の構成に
おいて差動増幅器5,A/Dコンバータ9を省略することが
できる。
第2図のステツプ111以降の動作を第4図に例示した。
ステツプ201であらかじめマイクロプロセツサ10に記憶
されている4を用いて閉ループの目標値Eoを計算す
る。ステツプ202で起電力EとEoを比較しステツプ203で
比例,積分,微分動作を実行し、これらの結果を基にス
テツプ204で燃料噴射弁を制御し一回の動作を終了して
ステツプ101に戻る。
第8図に、酸化物半導体を用いた抵抗変化型の酸素セン
サの空気過剰率λに対する抵抗率の変化を示した。この
場合も温度依存性が大きい。このときも、差動増幅器の
負の入力端子の電圧を温度によつて加減してそのときの
差動増幅器の出力端子の電圧から測定ガス中の酸素分圧
を測定することができる。
第5図に、その一実施例を示した。酸化物半導体31の抵
抗の変化を抵抗32を用いて電圧に変換し、これを差動増
幅器32の入力端子33に入力する。一方、白金線のヒータ
34を半導体31の近傍に設け、スイツチ素子35でヒータ34
の電流を制御する。スイツチ素子36はマイクロプロセツ
サ36で制御される。差動増幅器32の出力端子37はマイク
ロプロセツサ36に接続されている。増幅器32の負の入力
端子39はD/Aコンバータ38を介してマイクロプロセツサ3
6に接続されている。また端子37はA/Dコンバータ40を介
してマイクロプロセツサ36に接続されている。また、ヒ
ータ34の電圧がA/Dコンバータ41を介してマイクロプロ
セツサ36に入力される。
いま、白金ヒータ34の抵抗を、RH,抵抗42の値をRfとす
ると、抵抗42の電圧降下は となり、ΔVからRH、すなわち温度Tを測定することが
できる。このTを用いて差動増幅器32の負の入力端子39
に印加する電圧Voを求める手法は第2図の場合と同じで
あるのでここでは説明を省略する。
第1図の固体電解質のセンサに対して参照ガスが不要に
なるので構造が簡単になり装着性向上する効果がある。
内燃機関の排ガスの酸素濃度を測定する際の信頼性を考
察する。空気過剰率が1より大きいときでも、H2,CO,HC
等の可燃分が存在する。ここでH2はO2に比べ拡散が速
く、HCはO2に比べ拡散が遅い。これにより、測定ガス中
のO2分圧と固体電解質2の表面のO2分圧に差が生じる。
これを回避するためには、温度を600℃以上に保持し上
記の可燃分を零近くまで低減すればよいことがわかつ
た。SiO2,すす等によつて第1図の固体電解質2の電極
3を保護する保護層21が多少目づまりしても出力への影
響が回避でき、センサの信頼性が大幅に向上する。
空気過剰率が1より小さいときはCO2,H2OとH2,COの平
衡状態にある。ここで、O2,COの拡散の速度は同じであ
るので、保護層21が多少目づまりしてもセンサの出力に
影響を及ぼすことはない。しかし、H2の拡散の速さはO2
3倍程度と高い。したがつて、固体電解質2の電極3の
近傍のガスの温度と測定ガス、すなわち排ガスの温度に
差があるときは、H2,O2の平衡条件が異なり、上記の拡
散の速さの差でセンサの出力に影響を及ぼす。
これを回避するためには、保護層21の近傍のガスの温度
を電極3の近傍のガスの温度と等しくすればよい。
保護層21はAl2O3の50〜100μmの厚さから構成され、あ
るは、マグネシウムスピネルから構成される。この保護
層21の表面の温度境界層を厚くすればよい。このため、
粒径の大きいセラミツク粒子、あるいは繊維を保護層の
表面に配置する。また、保護層21の表面のガスの速度が
大きいと温度境界層が小さくなるので保護層21の外側に
保護管を設けてもよい。
固体電解質、あるいは酸化物半導体の表面の測定ガスの
温度を600℃以上とし、かつ保護層21の表面のガスの温
度をこれと等しくすることによつてガスの平衡状態を維
持し、水成ガス反応の平衡から定まる酸素濃度を正確に
測定できる。このときの酸素濃度は空気過剰率と温度と
の関係になりH2,CO等の成分の影響を受けない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来の酸素センサに比べて空気過剰率
が1より小さい、あるいは1より大きい領域の空燃比に
対するセンサ出力の変化を約10倍程度に増大することが
できるので、センサの測定精度が向上できコスト上昇を
招くことなく内燃機関の性能を高めることができる。
また、測定ガス中に含まれるH2,CO,HC等の影響を回避で
きるのでセンサの表面がSiO2、すす等でよごれてもセン
サの出力が経時変化することがなくなりセンサの信頼性
を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は固体電解質を用いたセンサの構成図、第2図は
その動作の説明図、第3図はセンサの出力特性図であ
る。第4図は内燃機関の空燃比閉ループ制御への応用の
動作の説明図、第5図は酸化物半導体を用いたセンサの
構成図、第6図ないし第8図は従来のセンサの特性図で
ある。 1……通路、2……固体電解質、3,4……電極、5……
差動増幅器、10……マイクロプロセツサ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】酸素イオン伝導性の固体電解質と、前記固
    体電解質の参照ガス側に設けられた第一の電極と、測定
    ガス側に設けられた第二の電極と、前記電極間に接続さ
    れた差動増幅器と、前記固体電解質を加熱する加熱手段
    とを備え、前記差動増幅器の出力端子の電圧から測定ガ
    ス中の酸素分圧を測定する酸素センサにおいて、前記加
    熱手段により前記固体電解質の温度を600℃以上に保
    ち、前記電極間の起電力を前記差動増幅器の正の入力端
    子に入力するとともに、前記差動増幅器の負の入力端子
    の電圧を前記固体電解質の温度によって調節することを
    特徴とする酸素センサ。
JP62249827A 1987-10-05 1987-10-05 酸素センサ Expired - Lifetime JPH0758275B2 (ja)

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