JPH01143234A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01143234A JPH01143234A JP30091087A JP30091087A JPH01143234A JP H01143234 A JPH01143234 A JP H01143234A JP 30091087 A JP30091087 A JP 30091087A JP 30091087 A JP30091087 A JP 30091087A JP H01143234 A JPH01143234 A JP H01143234A
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- Japan
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- aluminum
- aluminum wiring
- wiring
- semiconductor device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に金属ヒユーズ部を備え
た半導体装置に関する。
た半導体装置に関する。
特定の半導体装置では、例えば信号調整手段として配線
の一部領域に金属ヒユーズ部を予かしめ用意しておき一
部の配線を外部から適宜切断操作することが行われる。
の一部領域に金属ヒユーズ部を予かしめ用意しておき一
部の配線を外部から適宜切断操作することが行われる。
第３図＋ａ）および（ｂ）並びにｉｃ）はそれぞれ従来
半導体装置に設けられるアルミ・ヒューズ部の平面図お
よびそのＡ−Ａ’断面図並びに切断後の状態図を示すも
ので、その特徴とするところは、第３図（ａ）。
半導体装置に設けられるアルミ・ヒューズ部の平面図お
よびそのＡ−Ａ’断面図並びに切断後の状態図を示すも
ので、その特徴とするところは、第３図（ａ）。
（ｂ）が示すように、アルミ配線２３の切断しようとす
る部分のカバー膜２４に予かじめ開孔２６を明けてこの
周囲の熱伝導を低くしておき、電極窓２５゜２５′を介
して外部から電流を流した際、この部分でアルミ配線２
３が第３図＋Ｃ１の如く断線できるようにしたものであ
る。ここで、２１および２２はシリコン基板および絶縁
膜を、また、２７はナルミ配線の溶解断線部をそれぞれ
示している。
る部分のカバー膜２４に予かじめ開孔２６を明けてこの
周囲の熱伝導を低くしておき、電極窓２５゜２５′を介
して外部から電流を流した際、この部分でアルミ配線２
３が第３図＋Ｃ１の如く断線できるようにしたものであ
る。ここで、２１および２２はシリコン基板および絶縁
膜を、また、２７はナルミ配線の溶解断線部をそれぞれ
示している。
しかしながら、上述した従来のアルミ・ヒーーズ部はカ
バー膜を開孔してしまうので、耐湿性が悪くなると共に
溶解したアルミ材が周囲に飛び散シ絶縁性を低下させる
という欠点がある。
バー膜を開孔してしまうので、耐湿性が悪くなると共に
溶解したアルミ材が周囲に飛び散シ絶縁性を低下させる
という欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、カバー膜に開孔部
を設けることなきアルミ・ヒューズ部を備えた半導体装
置を提供することである。
を設けることなきアルミ・ヒューズ部を備えた半導体装
置を提供することである。
本発明によれば、互いに離間する２つの電極窓からの通
電により溶解断線するアルミ・ヒューズ部を備える半導
体装置において〃、前記アルミ・ヒューズ部はヒユーズ
線として機能する第１アルミ配線と前記第１アルミ配線
の両端部を互いに異なる大きさのスルー・ホールを介し
前記２つの電極窓へそれぞれ接続する第２のアルミ配線
との２層アルミ配線から成ることを含む。
電により溶解断線するアルミ・ヒューズ部を備える半導
体装置において〃、前記アルミ・ヒューズ部はヒユーズ
線として機能する第１アルミ配線と前記第１アルミ配線
の両端部を互いに異なる大きさのスルー・ホールを介し
前記２つの電極窓へそれぞれ接続する第２のアルミ配線
との２層アルミ配線から成ることを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図ｆａｌおよびｆｂｌはそれぞれ本発明の一実施例
を示すアルミ・ヒューズ部の断面図およびその切断後の
状態図である。本実施例によれば、本発明半導体装置の
アルミ・ヒューズ部は、シリコン基板１の絶縁膜２上に
アルミ・ヒューズとして形成された第１アルミ配線３と
、この第１アルミ配線３を被覆する層間絶縁膜４と、層
間絶縁膜４に設けられた大小２つのスルー・ホール５，
６を介し第１アルミ配線３の両端部とそれぞれ接続され
、上 第１アルミ配線３を引出すように層間絶縁膜）マ形成さ
れた第２アルミ配線７と、第２アルミ配線７上に形成さ
れたカバー膜８と、第２アルミ配線７上のカバー膜８に
形成さ力だ２つの電極窓９゜９′とを含む。このアルミ
・ヒーーズ部の構造では、アルミ・ヒューズとして形成
された第１アルミ配線３には、２つの電極窓９．９′お
よび第２アルミ配線７を通じてヒユーズ切断電流が流さ
れる。
を示すアルミ・ヒューズ部の断面図およびその切断後の
状態図である。本実施例によれば、本発明半導体装置の
アルミ・ヒューズ部は、シリコン基板１の絶縁膜２上に
アルミ・ヒューズとして形成された第１アルミ配線３と
、この第１アルミ配線３を被覆する層間絶縁膜４と、層
間絶縁膜４に設けられた大小２つのスルー・ホール５，
６を介し第１アルミ配線３の両端部とそれぞれ接続され
、上 第１アルミ配線３を引出すように層間絶縁膜）マ形成さ
れた第２アルミ配線７と、第２アルミ配線７上に形成さ
れたカバー膜８と、第２アルミ配線７上のカバー膜８に
形成さ力だ２つの電極窓９゜９′とを含む。このアルミ
・ヒーーズ部の構造では、アルミ・ヒューズとして形成
された第１アルミ配線３には、２つの電極窓９．９′お
よび第２アルミ配線７を通じてヒユーズ切断電流が流さ
れる。
ところで、このようなアルミ配線の２層構造では熱処理
を加えることによって上層の第２アルミ配線が、スルー
ホール孔を介して下層の第１アルミ配線材を吸い上げる
仁とが知られており、特に第２アルミ配線の量の方が多
い場合、例えば本実施例の如く第１アルミ配線３と第２
アルミ配紳７とがコンタクトするスルー・ホールの面積
が大きい場合には、この現象はよシー層顕著になる。従
って、電極窓９，９′を通じて電極間の第１アルミ配線
ｉおよび第２アルミ配線７に電流をそれぞれ流し、両者
を共に電流加熱した場合には、第１図ｆｂｌが示すよう
に、面積の広いスルーホール５上の第２アルミ配線領域
１１が第１アルミ配線３を矢印の如く吸い上げる。この
ようにして、ある程度の量の第１アルミ配線３が第２ア
ルミ配線７によって吸い上げられると、第１アルミ配線
３は遂いには断線する。この場合、断線した第１アルミ
配線３の溶解断線部１０の上部は層間絶縁膜４およびカ
バー膜８によって完全に被われているので、耐湿性に関
して問題を生じることはなく、また断線したアルミ材が
飛び散るという問題も起こらない。
を加えることによって上層の第２アルミ配線が、スルー
ホール孔を介して下層の第１アルミ配線材を吸い上げる
仁とが知られており、特に第２アルミ配線の量の方が多
い場合、例えば本実施例の如く第１アルミ配線３と第２
アルミ配紳７とがコンタクトするスルー・ホールの面積
が大きい場合には、この現象はよシー層顕著になる。従
って、電極窓９，９′を通じて電極間の第１アルミ配線
ｉおよび第２アルミ配線７に電流をそれぞれ流し、両者
を共に電流加熱した場合には、第１図ｆｂｌが示すよう
に、面積の広いスルーホール５上の第２アルミ配線領域
１１が第１アルミ配線３を矢印の如く吸い上げる。この
ようにして、ある程度の量の第１アルミ配線３が第２ア
ルミ配線７によって吸い上げられると、第１アルミ配線
３は遂いには断線する。この場合、断線した第１アルミ
配線３の溶解断線部１０の上部は層間絶縁膜４およびカ
バー膜８によって完全に被われているので、耐湿性に関
して問題を生じることはなく、また断線したアルミ材が
飛び散るという問題も起こらない。
第２図は本発明の他の実施例を示すアルミ・ヒューズ部
の断面図である。本実施例によれば、ヒユーズとして機
能する第１アルミ配線３′は前実施例の場合より更に薄
膜化される。従って、電流を流して第１アルミ配線３′
および第２アルミ配ｌＴｈ１７を同時に加熱したとき、
スルーホール５上のアルミ領域１１による第１アルミ配
線材の吸い上げ量が仮置用じであっても、第１アルミ配
線３′の膜厚が薄い分だけ短時間で第１アルミ配線３′
を断線せしめることができる。
の断面図である。本実施例によれば、ヒユーズとして機
能する第１アルミ配線３′は前実施例の場合より更に薄
膜化される。従って、電流を流して第１アルミ配線３′
および第２アルミ配ｌＴｈ１７を同時に加熱したとき、
スルーホール５上のアルミ領域１１による第１アルミ配
線材の吸い上げ量が仮置用じであっても、第１アルミ配
線３′の膜厚が薄い分だけ短時間で第１アルミ配線３′
を断線せしめることができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、２層構造
のアルミ配線を同時に電流加熱した除虫じる上層アルミ
配線の下層アルミ配線の吸い上げ現象を利用してアルミ
・ヒューズ部を構成しているので、従来の如くアルミヒ
ユーズ部上のカバー膜を除去する構造をとる必要は皆無
となる。従って耐湿性が同上すると共に断線したアルミ
材が飛び散ることもなくなるので、半導体装置の歩留り
及び信頼性を著しく向上せしめることができる。
のアルミ配線を同時に電流加熱した除虫じる上層アルミ
配線の下層アルミ配線の吸い上げ現象を利用してアルミ
・ヒューズ部を構成しているので、従来の如くアルミヒ
ユーズ部上のカバー膜を除去する構造をとる必要は皆無
となる。従って耐湿性が同上すると共に断線したアルミ
材が飛び散ることもなくなるので、半導体装置の歩留り
及び信頼性を著しく向上せしめることができる。
第１図（ａ）および（ｂｌは本発明の一実施例を示すア
ルミ・ヒューズ部の断面図およびその切断後の状態図、
第２図は本発明の他の実施例を示すアルミ・ヒューズ部
の断面図、第３図＋ａ＋および（ｂ）並びに（Ｃ）はそ
れぞれ従来半導体装置に設けられるアルミ・ヒューズ部
の平面図およびそのＡ −Ａ ’ を所面図並びに切断
（＆の状態図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・第１アルミ配線、３′・・・・・薄い第
１アルミ配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・
・・大きいスルーホール、６・・・・・・小すいスルー
ホール、８．２４・・・・・・カバー膜、−１、９’
、 ２５ 、２５’・・・・・・電極窓、ｌＯ・・・・
・・第１アルミ配線の溶解断線部、１１・・・・・・ス
ルーホール５上の第２アルミ配線配線領域。 代理人 弁理士 内 原 晋 （ｃＬ） （ｂ） 茅 １ 図 ６ ／Ｉ’乏・・スルー、ネール
歯己未り領万Ｘ（ａ） （ｂ） （Ｃ） 早３ 凹
ルミ・ヒューズ部の断面図およびその切断後の状態図、
第２図は本発明の他の実施例を示すアルミ・ヒューズ部
の断面図、第３図＋ａ＋および（ｂ）並びに（Ｃ）はそ
れぞれ従来半導体装置に設けられるアルミ・ヒューズ部
の平面図およびそのＡ −Ａ ’ を所面図並びに切断
（＆の状態図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・第１アルミ配線、３′・・・・・薄い第
１アルミ配線、４・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・
・・大きいスルーホール、６・・・・・・小すいスルー
ホール、８．２４・・・・・・カバー膜、−１、９’
、 ２５ 、２５’・・・・・・電極窓、ｌＯ・・・・
・・第１アルミ配線の溶解断線部、１１・・・・・・ス
ルーホール５上の第２アルミ配線配線領域。 代理人 弁理士 内 原 晋 （ｃＬ） （ｂ） 茅 １ 図 ６ ／Ｉ’乏・・スルー、ネール
歯己未り領万Ｘ（ａ） （ｂ） （Ｃ） 早３ 凹
Claims (1)
- 互いに離間する２つの電極窓からの通電により溶解断
線するアルミ・ヒューズ部を備える半導体装置において
、前記アルミ・ヒューズ部はヒューズ線として機能する
第１アルミ配線と前記第１アルミ配線の両端部を互いに
異なる大きさのスルー・ホールを介し前記２つの電極窓
へそれぞれ接続する第２のアルミ配線との２層アルミ配
線から成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091087A JPH01143234A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091087A JPH01143234A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143234A true JPH01143234A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17890599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30091087A Pending JPH01143234A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118646A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 集積回路デバイスのヒューズ構造 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP30091087A patent/JPH01143234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118646A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 集積回路デバイスのヒューズ構造 |
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