JPS63160242A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63160242A JPS63160242A JP31486786A JP31486786A JPS63160242A JP S63160242 A JPS63160242 A JP S63160242A JP 31486786 A JP31486786 A JP 31486786A JP 31486786 A JP31486786 A JP 31486786A JP S63160242 A JPS63160242 A JP S63160242A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- wiring
- insulating layer
- metal layers
- passivation
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 201000001880 Sexual dysfunction Diseases 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装！ｔＫ関し、ヒユーズ配線の信頼度向
上に関するものである。
上に関するものである。
従来、この種の半導体装置は、絶縁層上にＭ配線もしく
はポリシリコン配線をヒユーズとして設け、その上層に
絶縁層もしくはパシベーションを有する構造か、又は、
ヒユーズ部分の上のみ開口した構造となっていた。
はポリシリコン配線をヒユーズとして設け、その上層に
絶縁層もしくはパシベーションを有する構造か、又は、
ヒユーズ部分の上のみ開口した構造となっていた。
上述した従来の半導体装置は、ヒユーズ部がＭ配線を使
用した構造の場合、上層のパシベーションが有ると、電
流を加えてオープンにする際、発熱及びＭの移動でパシ
ベーションにクラツク等を生じ、耐湿性に問題が生じる
。又、ヒユーズ部のみパシベーションを開口した場合、
オープンにした際のＭの移動及びパシベーションクラッ
ク等の問題はないが、元々、Ｍがむき出しになるので、
耐湿性が問題となるという欠点がある。
用した構造の場合、上層のパシベーションが有ると、電
流を加えてオープンにする際、発熱及びＭの移動でパシ
ベーションにクラツク等を生じ、耐湿性に問題が生じる
。又、ヒユーズ部のみパシベーションを開口した場合、
オープンにした際のＭの移動及びパシベーションクラッ
ク等の問題はないが、元々、Ｍがむき出しになるので、
耐湿性が問題となるという欠点がある。
ヒユーズ部をポリシリコン配線で形成した場合、耐湿性
は、ポリシリコン配線には問題ないが、パシベーション
クラックが生じた場合、引き出しＭ配線に影響が出ると
いう欠点がある。
は、ポリシリコン配線には問題ないが、パシベーション
クラックが生じた場合、引き出しＭ配線に影響が出ると
いう欠点がある。
本発明の半導体装置は、ヒユーズ部の上層に絶縁層を挾
んで、平面的に分離したフローティング電位である金属
層を有している。
んで、平面的に分離したフローティング電位である金属
層を有している。
本発明について図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線断面図である。
Ａ−Ａ線断面図である。
Ｍ配線（ヒユーズを含む）ｌ、７の上層に絶縁層４を挾
んで平面的に分離し、電位的にフローティングな金属層
（Ａｔ） ２ 、５を設ける。
んで平面的に分離し、電位的にフローティングな金属層
（Ａｔ） ２ 、５を設ける。
このＭヒユーズをオーブンにする場合、電流を流し、発
熱及びＭの移動によるパシベーシミンクラックを電位的
にフローティングで分離された金属層２．５で防止する
。
熱及びＭの移動によるパシベーシミンクラックを電位的
にフローティングで分離された金属層２．５で防止する
。
〔実施例２〕
第３図は本発明の実施例２の平面図、第４図は第３図の
Ｂ−Ｂ線断面図である。
Ｂ−Ｂ線断面図である。
ポリシリコン配線（ヒユーズを含む）１０．１８の上層
に絶縁層１７を挾んで平面的に分離し、電位的にフロー
ティングな金属層（１１１，１６を設ける。
に絶縁層１７を挾んで平面的に分離し、電位的にフロー
ティングな金属層（１１１，１６を設ける。
この実施例では、ヒユーズ部がポリシリコン配、 線
である為層間の絶縁層が厚いという利点がある。
である為層間の絶縁層が厚いという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ヒユーズ部である配線の
上層に絶縁層を挾んで平面的に分離し、電位的にフロー
ティングである金属層を設ける事により電流を流してオ
ープンにする際の発熱等にヨルパシベーションクラック
を生じｍ＜Ｌ、ｕの飛散を防止し他の素子に影響を与え
ないという効果がある。
上層に絶縁層を挾んで平面的に分離し、電位的にフロー
ティングである金属層を設ける事により電流を流してオ
ープンにする際の発熱等にヨルパシベーションクラック
を生じｍ＜Ｌ、ｕの飛散を防止し他の素子に影響を与え
ないという効果がある。
第１図は本発明の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図は本発明の実施例２の平面図、第４図は第
３図のＢ−Ｂ線断面図である。 １・・・・・・Ｍ配線（ヒユーズを含む）、２・・・・
・・金属層（Ａり、３，４・・・・・・絶縁層、５・・
・・・・金属層ＣＭ”）、６・・・・・・パシベーシヨ
ン、７・・・・・・Ａ１配線（ヒユーズを含む）、８・
・・・・・Ｍ配線、９・・・・・・コンタクト、１０・
・・・・・ポリシリコン配線（ヒユーズを含む）、１１
・・・・−・金属層（Ａり、１２．１３．１７・・・・
・・絶縁層、１４・・・・・・”配置ｆＭ−％ １５・
・・・・・パシベーシヨン、１６・・・・・・金属層（
ＡＡ）、１８・・・・・・ポリシリコン配線（ヒーーズ
）、１９・・・・・・Ｍ配線（ヒユーズを含む）２０・
・・・・・Ｍ配線、２１・・・・・・コンタクト、２２
・・・・・・ポリシリコン配線（ヒユーズ）。
面図、第３図は本発明の実施例２の平面図、第４図は第
３図のＢ−Ｂ線断面図である。 １・・・・・・Ｍ配線（ヒユーズを含む）、２・・・・
・・金属層（Ａり、３，４・・・・・・絶縁層、５・・
・・・・金属層ＣＭ”）、６・・・・・・パシベーシヨ
ン、７・・・・・・Ａ１配線（ヒユーズを含む）、８・
・・・・・Ｍ配線、９・・・・・・コンタクト、１０・
・・・・・ポリシリコン配線（ヒユーズを含む）、１１
・・・・−・金属層（Ａり、１２．１３．１７・・・・
・・絶縁層、１４・・・・・・”配置ｆＭ−％ １５・
・・・・・パシベーシヨン、１６・・・・・・金属層（
ＡＡ）、１８・・・・・・ポリシリコン配線（ヒーーズ
）、１９・・・・・・Ｍ配線（ヒユーズを含む）２０・
・・・・・Ｍ配線、２１・・・・・・コンタクト、２２
・・・・・・ポリシリコン配線（ヒユーズ）。
Claims (1)
- 配線層の上層に絶縁層を挾んでフローティング電位であ
る平面的に分離された金属層を有する事を特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486786A JPS63160242A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31486786A JPS63160242A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160242A true JPS63160242A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=18058574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31486786A Pending JPS63160242A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273940A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-10-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および電気ヒューズの抵抗値の増加方法 |
| JP2008066693A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31486786A patent/JPS63160242A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273940A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-10-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および電気ヒューズの抵抗値の増加方法 |
| US10923419B2 (en) | 2006-03-07 | 2021-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of increasing a resistance value of an electric fuse |
| JP2008066693A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
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