JP2000019141A - 半導体ガスセンサ - Google Patents
半導体ガスセンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス検出感度を向上させ、ガス感応部の電極
に亀裂などを生じないようにしたヒータと電極の配列を
有する半導体ガスセンサを提供する。 【解決手段】 基板１１上に、ヒータ部１２と、該ヒー
タ部により加熱されるガス感応部１５と、ガス感応部に
設けた一対の電極１４Ａ，１４Ｂを備えてなる半導体ガ
スセンサ１において、ヒータ部１２を構成する抵抗体を
一端と他端で繰返し折り返して並べたつずら折れ状の形
状とし、前記ガス感応部の電極１４をヒータ部を構成す
る隣接する２本の抵抗体の間に配置し、電極の投影がヒ
ータと重ならないように配置した。
に亀裂などを生じないようにしたヒータと電極の配列を
有する半導体ガスセンサを提供する。 【解決手段】 基板１１上に、ヒータ部１２と、該ヒー
タ部により加熱されるガス感応部１５と、ガス感応部に
設けた一対の電極１４Ａ，１４Ｂを備えてなる半導体ガ
スセンサ１において、ヒータ部１２を構成する抵抗体を
一端と他端で繰返し折り返して並べたつずら折れ状の形
状とし、前記ガス感応部の電極１４をヒータ部を構成す
る隣接する２本の抵抗体の間に配置し、電極の投影がヒ
ータと重ならないように配置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱部の加熱によ
って半導体からなるガス感応材の温度を上昇させてガス
検出を行う半導体ガスセンサに関し、特に、温度勾配の
少ない部分に電極を配置しガス検出感度を向上させると
ともに、ガス感応部の断線をなくし耐久性を向上させた
半導体ガスセンサに関する。
って半導体からなるガス感応材の温度を上昇させてガス
検出を行う半導体ガスセンサに関し、特に、温度勾配の
少ない部分に電極を配置しガス検出感度を向上させると
ともに、ガス感応部の断線をなくし耐久性を向上させた
半導体ガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ガス漏れを検知する半導体式のガ
スセンサが都市ガスやＬＰガスの漏洩検知用に実用化さ
れている。半導体ガスセンサは、多くの場合、白金（Ｐ
t）やルテニウム（Ｒu）やタングステン（Ｗ）などから
なるヒータ線の周囲に、半導体もしくは半導体と酸化触
媒の原料を焼結させる方法で製造されている。このため
センサの小型化に限界があり、しかも消費電力が比較的
大きく、電池による長時間使用はできないという問題点
を有していた。
スセンサが都市ガスやＬＰガスの漏洩検知用に実用化さ
れている。半導体ガスセンサは、多くの場合、白金（Ｐ
t）やルテニウム（Ｒu）やタングステン（Ｗ）などから
なるヒータ線の周囲に、半導体もしくは半導体と酸化触
媒の原料を焼結させる方法で製造されている。このため
センサの小型化に限界があり、しかも消費電力が比較的
大きく、電池による長時間使用はできないという問題点
を有していた。
【０００３】一方、半導体微細加工技術を用いた薄膜型
の半導体式ガスセンサが知られている。この種の薄膜型
の半導体式ガスセンサの構造を図４および図５を用いて
説明する。図４は、従来の半導体式ガスセンサのヒータ
と電極およびガス感応部を構成する半導体層の配置関係
を説明する平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ線にお
ける縦断面図である。図４および図５に示すように、従
来の半導体ガスセンサ１は、シリコン、アルミナ、サフ
ァイヤなどからなる基板１０と、基板の表面に形成した
絶縁膜１１と、絶縁膜の上に形成したヒータ１２と、ヒ
ータを保護する保護膜１３と、保護膜上に形成した一対
の電極１４と、ガス感応部材として働く半導体層１５を
積層して構成されている。さらに、ヒータ１２下部の基
板１０をエッチング処理して基板を除去したりあるいは
その厚みを薄くして窪み１６を形成し、ガスセンサ１と
基板１０との熱絶縁を図っている。
の半導体式ガスセンサが知られている。この種の薄膜型
の半導体式ガスセンサの構造を図４および図５を用いて
説明する。図４は、従来の半導体式ガスセンサのヒータ
と電極およびガス感応部を構成する半導体層の配置関係
を説明する平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ線にお
ける縦断面図である。図４および図５に示すように、従
来の半導体ガスセンサ１は、シリコン、アルミナ、サフ
ァイヤなどからなる基板１０と、基板の表面に形成した
絶縁膜１１と、絶縁膜の上に形成したヒータ１２と、ヒ
ータを保護する保護膜１３と、保護膜上に形成した一対
の電極１４と、ガス感応部材として働く半導体層１５を
積層して構成されている。さらに、ヒータ１２下部の基
板１０をエッチング処理して基板を除去したりあるいは
その厚みを薄くして窪み１６を形成し、ガスセンサ１と
基板１０との熱絶縁を図っている。
【０００４】基板１０は、エッチング処理できるように
シリコンやサファイアなどの単結晶基板を用いることが
多く、絶縁膜１１および保護膜１３には、電気絶縁性お
よび耐熱性に優れたＳiＯ2膜やＳi3Ｎ4膜やＳiＮxＯ
y膜、あるいはこれらの積層膜などが使われる。ヒータ
１２には、長期にわたって安定なプラチナ（Ｐt）、タ
ングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒu）多結晶シリコン
などが多く用いられる。また、電極１４にはＰtなどが
用いられ、ガス感応部材として働く半導体１５には、酸
化錫（ＳnＯ2）、酸化亜鉛（ＺnＯ）、酸化ニッケル
（ＮiＯ）、酸化銅（ＣuＯ）、酸化鉄（ＦeＯ）酸化イ
ンジウム（Ｉn2Ｏ3）などの金属酸化物が用いられてい
る。
シリコンやサファイアなどの単結晶基板を用いることが
多く、絶縁膜１１および保護膜１３には、電気絶縁性お
よび耐熱性に優れたＳiＯ2膜やＳi3Ｎ4膜やＳiＮxＯ
y膜、あるいはこれらの積層膜などが使われる。ヒータ
１２には、長期にわたって安定なプラチナ（Ｐt）、タ
ングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒu）多結晶シリコン
などが多く用いられる。また、電極１４にはＰtなどが
用いられ、ガス感応部材として働く半導体１５には、酸
化錫（ＳnＯ2）、酸化亜鉛（ＺnＯ）、酸化ニッケル
（ＮiＯ）、酸化銅（ＣuＯ）、酸化鉄（ＦeＯ）酸化イ
ンジウム（Ｉn2Ｏ3）などの金属酸化物が用いられてい
る。
【０００５】このようなガスセンサは、小型化が容易な
ため消費電力を極めて小さくすることができ、さらに温
度上昇速度が速く、ヒータを間欠駆動させても十分にガ
スの監視が可能であることから、ヒータの消費電力をよ
り一層小さくすることができるという利点を備えてい
る。
ため消費電力を極めて小さくすることができ、さらに温
度上昇速度が速く、ヒータを間欠駆動させても十分にガ
スの監視が可能であることから、ヒータの消費電力をよ
り一層小さくすることができるという利点を備えてい
る。
【０００６】上記半導体ガスセンサは、ヒータの上部に
電極を形成していることから、図４に太い実線Ｃで示し
たり、図５の一点鎖線Ｃで囲った段差の部分で、電極１
４に亀裂などを生じ正確な出力を得ることができなくな
るおそれがある。さらに、ヒータと電極との配置関係か
らヒータ上のガス感応部に温度勾配を生じ、ガス感応膜
の抵抗値が温度に依存することから、ガス感度が不安定
になるという問題を有している。
電極を形成していることから、図４に太い実線Ｃで示し
たり、図５の一点鎖線Ｃで囲った段差の部分で、電極１
４に亀裂などを生じ正確な出力を得ることができなくな
るおそれがある。さらに、ヒータと電極との配置関係か
らヒータ上のガス感応部に温度勾配を生じ、ガス感応膜
の抵抗値が温度に依存することから、ガス感度が不安定
になるという問題を有している。
【０００７】この問題を解決するために、図６に示すよ
うに、電極１４Ａ，１４Ｂをヒータ１２が形成された部
分から外れた位置に後退させ、段差の部分での電極の亀
裂を無くすことが考えられる。しかしながら、この方法
では、電極１４Ａ，１４Ｂ間が大きくなり、発熱部に配
置されたガス感応部に温度勾配が生じガス検出感度を向
上させることができないばかりでなく、ガス検出出力が
小さくなるという問題がある。
うに、電極１４Ａ，１４Ｂをヒータ１２が形成された部
分から外れた位置に後退させ、段差の部分での電極の亀
裂を無くすことが考えられる。しかしながら、この方法
では、電極１４Ａ，１４Ｂ間が大きくなり、発熱部に配
置されたガス感応部に温度勾配が生じガス検出感度を向
上させることができないばかりでなく、ガス検出出力が
小さくなるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑みてなされたもので、ガス検出感度を向上させ、か
つ、ガス感応部の電極に亀裂などを生じないようにした
ヒータと電極の配列を有する半導体ガスセンサ提供する
ことを目的とする。
鑑みてなされたもので、ガス検出感度を向上させ、か
つ、ガス感応部の電極に亀裂などを生じないようにした
ヒータと電極の配列を有する半導体ガスセンサ提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、基板上に、ヒータ部と、該ヒータ部によ
り加熱されるガス感応部と、ガス感応部に一対の電極を
備えてなる半導体ガスセンサにおいて、前記ガス感応部
の電極を、電極の投影がヒータと重ならないように配置
した。
め、本発明は、基板上に、ヒータ部と、該ヒータ部によ
り加熱されるガス感応部と、ガス感応部に一対の電極を
備えてなる半導体ガスセンサにおいて、前記ガス感応部
の電極を、電極の投影がヒータと重ならないように配置
した。
【００１０】さらに、本発明は、上記半導体ガスセンサ
において、ヒータ部を構成する抵抗体を、一端と他端で
繰返し折り返して並べたつずら折れ状に配置した。
において、ヒータ部を構成する抵抗体を、一端と他端で
繰返し折り返して並べたつずら折れ状に配置した。
【００１１】また、本発明は、上記半導体ガスセンサに
おいて、ガス感応部の電極を、ヒータ部を構成する隣接
する２本の抵抗体の間に配置した。
おいて、ガス感応部の電極を、ヒータ部を構成する隣接
する２本の抵抗体の間に配置した。
【００１２】本発明は、上記半導体ガスセンサにおい
て、ガス感応部の一対の電極のそれぞれが抵抗体によっ
て区画された別の領域に抵抗体を挾んでそれぞれ配置さ
れて対向している。さらに、本発明は、ガス感応部の一
対の電極を、温度勾配の少ない、換言すれば、均一な温
度領域にのみ配置した。
て、ガス感応部の一対の電極のそれぞれが抵抗体によっ
て区画された別の領域に抵抗体を挾んでそれぞれ配置さ
れて対向している。さらに、本発明は、ガス感応部の一
対の電極を、温度勾配の少ない、換言すれば、均一な温
度領域にのみ配置した。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明にかかる半導体ガスセンサ
の実施の形態について、図１〜図３を用いて説明する。
の実施の形態について、図１〜図３を用いて説明する。
【００１４】図１および図２を用いて、本発明にかかる
半導体ガスセンサの構成を説明する。図１は、本発明に
かかる半導体ガスセンサの平面形状を説明する平面図で
あり、図２は図１のＡ−Ａ線での断面図である。図１お
よび図２に示すように本発明にかかる半導体ガスセンサ
１は、例えばシリコン（Ｓi）からなる半導体基板１０
の上面に絶縁膜１１を設け、絶縁膜１１の上にヒータ１
２、保護膜１３、電極１４、ガス感応物質である半導体
層１４を順次積層して構成される。一方、絶縁膜１１の
下部は基板１０が一部除去され、窪み１６が形成されて
いる。
半導体ガスセンサの構成を説明する。図１は、本発明に
かかる半導体ガスセンサの平面形状を説明する平面図で
あり、図２は図１のＡ−Ａ線での断面図である。図１お
よび図２に示すように本発明にかかる半導体ガスセンサ
１は、例えばシリコン（Ｓi）からなる半導体基板１０
の上面に絶縁膜１１を設け、絶縁膜１１の上にヒータ１
２、保護膜１３、電極１４、ガス感応物質である半導体
層１４を順次積層して構成される。一方、絶縁膜１１の
下部は基板１０が一部除去され、窪み１６が形成されて
いる。
【００１５】基板１０は、シリコンなどの半導体の単結
晶もしくはサファイアガラスなどの絶縁体から構成され
る。基板１０がシリコンなどの半導体であるときにはそ
の表面に二酸化シリコン（ＳiＯ2）などを形成して絶縁
膜１１を形成している。この絶縁膜１１は、ＳiＯ2のほ
か、窒化珪素（Ｓi3Ｎ4）、窒化酸化珪素（ＳiＮ
xＯy）、アルミナ（Ａl2Ｏ3）、マグネシア（ＭgＯ）や
これらを複合させたものでも良い。ヒータ１２は、絶縁
膜１１上に形成した多結晶シリコンをフォトエッチング
技術を用いて図示したようなヒータ部を構成する抵抗体
を、一端と他端で繰返し折り返して並べたつずら折れ状
に配置した形状に形成している。ヒータは、上記多結晶
シリコンのほかに、Ｐt、Ｗ、Ｒuその他を用いることが
できる。
晶もしくはサファイアガラスなどの絶縁体から構成され
る。基板１０がシリコンなどの半導体であるときにはそ
の表面に二酸化シリコン（ＳiＯ2）などを形成して絶縁
膜１１を形成している。この絶縁膜１１は、ＳiＯ2のほ
か、窒化珪素（Ｓi3Ｎ4）、窒化酸化珪素（ＳiＮ
xＯy）、アルミナ（Ａl2Ｏ3）、マグネシア（ＭgＯ）や
これらを複合させたものでも良い。ヒータ１２は、絶縁
膜１１上に形成した多結晶シリコンをフォトエッチング
技術を用いて図示したようなヒータ部を構成する抵抗体
を、一端と他端で繰返し折り返して並べたつずら折れ状
に配置した形状に形成している。ヒータは、上記多結晶
シリコンのほかに、Ｐt、Ｗ、Ｒuその他を用いることが
できる。
【００１６】保護膜１３は、絶縁膜１１とヒータ１２の
上面に形成され、ＳiＯ2膜を形成して構成される。保護
膜１３は、絶縁層１１と同様にＳiＯ2のほか、Ｓi
3Ｎ4、ＳiＮxＯy、Ａl2Ｏ3、ＭgＯやこれらを複合させ
たものでも良い。保護膜１３の上に一対の電極１４Ａ，
１４Ｃが対向して形成され、電極１４Ａ，１４Ｃを覆う
ように、ガス感応物質として働く例えばＳnＯ2からなる
半導体層１５がヒータ１２の上方に形成してある。電極
１４は、Ｐt、Ｗ、Ｔiなどの金属等を用いることができ
る。半導体層１５は、上記ＳnＯ2のほか、酸化タングス
テン（ＷＯ3）、酸化チタン（ＴiＯ2）ＺnＯ、ＮiＯ、
ＣuＯ、ＦeＯ、Ｉn2Ｏ3等を用いることができる。
上面に形成され、ＳiＯ2膜を形成して構成される。保護
膜１３は、絶縁層１１と同様にＳiＯ2のほか、Ｓi
3Ｎ4、ＳiＮxＯy、Ａl2Ｏ3、ＭgＯやこれらを複合させ
たものでも良い。保護膜１３の上に一対の電極１４Ａ，
１４Ｃが対向して形成され、電極１４Ａ，１４Ｃを覆う
ように、ガス感応物質として働く例えばＳnＯ2からなる
半導体層１５がヒータ１２の上方に形成してある。電極
１４は、Ｐt、Ｗ、Ｔiなどの金属等を用いることができ
る。半導体層１５は、上記ＳnＯ2のほか、酸化タングス
テン（ＷＯ3）、酸化チタン（ＴiＯ2）ＺnＯ、ＮiＯ、
ＣuＯ、ＦeＯ、Ｉn2Ｏ3等を用いることができる。
【００１７】ヒータ１２は、図１に示すような平面形状
がつずら折り状に形成され、ヒータの密度を高くして単
位面積当たりの発熱量が大きくなるようにされている。
一方、電極１４Ａは、例えばＩ字状に形成されヒータ１
２の隣接した抵抗体の間に投影面がヒータに重ならない
ように配置される。電極１４Ｂは、例えば分岐した２肢
を有するＵ字状に形成されそれぞれの分岐肢は、ヒータ
１２の隣接した抵抗体の間に投影面がヒータに重ならな
いように配置される。電極１４Ａ，１４Ｂを双方とも電
極１４Ｂのように分岐した構造とすることができ、ま
た、双方を電極１４ＡのようにＩ字状の形状とすること
ができる。さらに、一方の電極１４Ａは、ヒータ１２の
抵抗体によって分離された一方の領域に配置され、他方
の電極１４Ｂは、ヒータ１２の抵抗体によって分離され
た他方の領域に配置される。
がつずら折り状に形成され、ヒータの密度を高くして単
位面積当たりの発熱量が大きくなるようにされている。
一方、電極１４Ａは、例えばＩ字状に形成されヒータ１
２の隣接した抵抗体の間に投影面がヒータに重ならない
ように配置される。電極１４Ｂは、例えば分岐した２肢
を有するＵ字状に形成されそれぞれの分岐肢は、ヒータ
１２の隣接した抵抗体の間に投影面がヒータに重ならな
いように配置される。電極１４Ａ，１４Ｂを双方とも電
極１４Ｂのように分岐した構造とすることができ、ま
た、双方を電極１４ＡのようにＩ字状の形状とすること
ができる。さらに、一方の電極１４Ａは、ヒータ１２の
抵抗体によって分離された一方の領域に配置され、他方
の電極１４Ｂは、ヒータ１２の抵抗体によって分離され
た他方の領域に配置される。
【００１８】半導体層１５は、ヒータ１２および電極１
４Ａ，１４Ｂの表面を覆うように配置されている。
４Ａ，１４Ｂの表面を覆うように配置されている。
【００１９】このような構成を有する半導体ガスセンサ
は、電極１４をヒータ１２の抵抗体に近接して配置する
ことができセンサ部に温度勾配を生じることがなくガス
検出感度を向上させることができ、かつガス感応部の電
極に亀裂などを生じることがなくなり耐久性を向上させ
ることができる。
は、電極１４をヒータ１２の抵抗体に近接して配置する
ことができセンサ部に温度勾配を生じることがなくガス
検出感度を向上させることができ、かつガス感応部の電
極に亀裂などを生じることがなくなり耐久性を向上させ
ることができる。
【００２０】次に、上記形状を有する半導体ガスセンサ
１の製造方法の一例について図３を用いて説明する。図
３は、図１のＢ−Ｂ線での断面形状を模式的に示してい
る。まず、シリコン単結晶基板１０上にＳiＯ2絶縁膜１
１を成膜する。この絶縁膜１１は、シリコン基板１０を
ＣＶＤ装置を用いておよそ３００秒処理することによっ
て、形成され、およそ３０００オングストロームの厚み
に形成される。同様にシリコン基板１０の裏面にも厚さ
１０００オングストロームの絶縁膜１１を形成する
（Ａ）。
１の製造方法の一例について図３を用いて説明する。図
３は、図１のＢ−Ｂ線での断面形状を模式的に示してい
る。まず、シリコン単結晶基板１０上にＳiＯ2絶縁膜１
１を成膜する。この絶縁膜１１は、シリコン基板１０を
ＣＶＤ装置を用いておよそ３００秒処理することによっ
て、形成され、およそ３０００オングストロームの厚み
に形成される。同様にシリコン基板１０の裏面にも厚さ
１０００オングストロームの絶縁膜１１を形成する
（Ａ）。
【００２１】次いで、絶縁膜１１の表面に、多結晶シリ
コン層を形成する。この多結晶シリコン層の形成は、Ｃ
ＶＤ装置を用いておよそ３０００秒処理することによっ
て、形成され、およそ３０００オングストロームの厚み
に形成される。続いて、イオン注入装置を用いて燐
（Ｐ）イオンを加速電圧９０ｋＶで注入し、電気炉中で
１０００℃で３０分処理することによって不純物を拡散
させ２８Ω／□の抵抗を得る。この多結晶シリコン層を
フォトエッチング技術を用いて処理して、ヒータ１２を
形成する（Ｂ）。
コン層を形成する。この多結晶シリコン層の形成は、Ｃ
ＶＤ装置を用いておよそ３０００秒処理することによっ
て、形成され、およそ３０００オングストロームの厚み
に形成される。続いて、イオン注入装置を用いて燐
（Ｐ）イオンを加速電圧９０ｋＶで注入し、電気炉中で
１０００℃で３０分処理することによって不純物を拡散
させ２８Ω／□の抵抗を得る。この多結晶シリコン層を
フォトエッチング技術を用いて処理して、ヒータ１２を
形成する（Ｂ）。
【００２２】この、絶縁膜１１とヒータ１２の上に、Ｃ
ＶＤ装置を用いて４０００秒処理し、厚み４５００オン
グストロームのＳiＯ2保護膜１３を形成する（Ｃ）。
ＶＤ装置を用いて４０００秒処理し、厚み４５００オン
グストロームのＳiＯ2保護膜１３を形成する（Ｃ）。
【００２３】この上面に白金（Ｐt）膜をスパッタリン
グによって成膜し、フォトエッチング技術を用いて処理
して、電極１４Ａ，１４Ｂを形成する（Ｄ）。電極１４
Ａ，１４Ｂは、互いに近接して対向しており、対向する
辺の長さが大きくなるように配置されている。このと
き、ヒータ１２と電極１４Ａ，１４Ｂは、互いに重なら
ないように配置される。
グによって成膜し、フォトエッチング技術を用いて処理
して、電極１４Ａ，１４Ｂを形成する（Ｄ）。電極１４
Ａ，１４Ｂは、互いに近接して対向しており、対向する
辺の長さが大きくなるように配置されている。このと
き、ヒータ１２と電極１４Ａ，１４Ｂは、互いに重なら
ないように配置される。
【００２４】次いで、スパッタリングによって、ＳnＯ2
からなる半導体層１５を形成し、フォトエッチング技術
を用いて、所定の形状の半導体層を形成する（Ｅ）。
からなる半導体層１５を形成し、フォトエッチング技術
を用いて、所定の形状の半導体層を形成する（Ｅ）。
【００２５】次いで、スパッタリングによって、クロム
（Ｃｒ）と金（Ａｕ）からなる膜を成膜し、フォトエッ
チング技術を用いて電極パッド１７を形成する（Ｆ）。
（Ｃｒ）と金（Ａｕ）からなる膜を成膜し、フォトエッ
チング技術を用いて電極パッド１７を形成する（Ｆ）。
【００２６】この後、半導体ガスセンサが配置されたシ
リコン基板１０の裏面をエッチングして窪み１６を形成
する（Ｇ）。
リコン基板１０の裏面をエッチングして窪み１６を形成
する（Ｇ）。
【００２７】以上述べたように、本実施例の半導体ガス
センサ１は、ガス検知部分を構成する電極１４Ａ，１４
Ｂがヒータ１１に重ならないように配置され、これらの
電極は、絶縁膜１３の平坦な面上に形成されるので、従
来の技術のような異なる高さの面間での亀裂の発生を防
ぐことができ電極の断線を無くして、信頼性の高い半導
体ガスセンサを提供することができる。
センサ１は、ガス検知部分を構成する電極１４Ａ，１４
Ｂがヒータ１１に重ならないように配置され、これらの
電極は、絶縁膜１３の平坦な面上に形成されるので、従
来の技術のような異なる高さの面間での亀裂の発生を防
ぐことができ電極の断線を無くして、信頼性の高い半導
体ガスセンサを提供することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明にかかる半導体ガスセンサは、ガ
ス検出感度が大きくかつ耐久性が高いガスセンサとする
ことができる。本発明にかかる半導体ガスセンサは、温
度勾配の少ない領域にガス感応部を設けたので、ガス検
出感度をさらに向上させることができる。
ス検出感度が大きくかつ耐久性が高いガスセンサとする
ことができる。本発明にかかる半導体ガスセンサは、温
度勾配の少ない領域にガス感応部を設けたので、ガス検
出感度をさらに向上させることができる。
【図１】本発明にかかる半導体ガスセンサのヒータと電
極の配置関係を説明する平面図。
極の配置関係を説明する平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線における縦断面図。
【図３】図１示した半導体ガスセンサの製造工程を説明
する図。
する図。
【図４】従来の半導体センサのヒータと電極の配置関係
を説明する平面図。
を説明する平面図。
【図５】図１のＡ−Ａ線における縦断面図。
【図６】従来の半導体センサのヒータと電極の他の配置
関係を説明する平面図。
関係を説明する平面図。
１ 半導体ガスセンサ １０ 基板 １１ 絶縁膜 １２ ヒータ １３ 保護膜 １４ 電極 １５ 半導体 １６ 窪み １７ 電極パッド
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F035 AA06 EA08 2G046 AA19 AA21 BA01 BA09 BB01 BB04 BC05 BE02 BE08 EA02 EA04 EA11 FB00 FB02 FB06 FE03 FE11 FE12 FE15 FE20 FE25 FE31 FE35 FE38 FE39 FE44 FE46 FE48
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、ヒータ部と、該ヒータ部によ
り加熱されるガス感応部と、ガス感応部に設けた一対の
電極を備えてなる半導体ガスセンサにおいて、前記ガス
感応部の電極を、電極の投影がヒータと重ならないよう
に配置したことを特徴とする半導体ガスセンサ。 - 【請求項２】 ヒータ部を構成する抵抗体を、一端と他
端で繰返し折り返して並べたつずら折れ状の形状とした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項３】 ガス感応部の電極を、ヒータ部を構成す
る隣接する２本の抵抗体の間に配置したことを特徴とす
る請求項２記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項４】 ガス感応部の一対の電極のそれぞれが、
抵抗体によって区画された別の領域に抵抗体を挾んでそ
れぞれ配置されて対向していることを特徴とする請求項
３記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項５】 ガス感応部の一対の電極が、温度勾配の
少ない部分に配置されていることを特徴とする請求項４
記載の半導体ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189148A JP2000019141A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10189148A JP2000019141A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019141A true JP2000019141A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16236238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10189148A Pending JP2000019141A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000019141A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323467A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Denso Corp | 薄膜型ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP2006038786A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体センサおよびその製造方法 |
| JP2006194853A (ja) * | 2005-01-10 | 2006-07-27 | Univ Of Warwick | ガス検知半導体装置 |
| JP2008128772A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
| JP2012107999A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | New Cosmos Electric Corp | ガス検知素子 |
| JP2017191055A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | いすゞ自動車株式会社 | センサ |
| KR101842648B1 (ko) * | 2017-01-25 | 2018-03-28 | 한국산업기술대학교산학협력단 | Ｍｅｍｓ 구조를 가지는 히터 임베디드 유해 가스 센서의 제작방법 |
-
1998
- 1998-07-03 JP JP10189148A patent/JP2000019141A/ja active Pending
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