KR20210116654A

KR20210116654A - 개선된 고온 칩

Info

Publication number: KR20210116654A
Application number: KR1020217027348A
Authority: KR
Inventors: 마츠베이 진케비치; 팀 아스무스; 스테판 디트만
Original assignee: 헤라우스 넥센소스 게엠베하
Priority date: 2019-05-17
Filing date: 2020-05-14
Publication date: 2021-09-27
Also published as: JP7098069B2; WO2020234097A1; CN113518905A; US20220196486A1; JP2022528224A; EP3969863A1; DE202019002164U1

Abstract

본 발명은 코팅된 기판을 포함하는 온도 센서, 특히 고온 센서에 대한 것이고, 기판은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹, 적어도 하나의 저항 구조물, 및 적어도 두 개의 접속 접촉부를 포함하고, 접속 접촉부는 저항 구조물과 전기적으로 접촉하고, 기판은 절연층으로 코팅되고, 절연층은, 금속 산화물층, 저항 구조물, 및 절연층의 자유 영역 - 자유 영역 상에는 저항 구조물이 배열되지 않음 - 을 포함하고, 세라믹 중간층으로 적어도 영역들에서 코팅되고, 보호층 및/또는 덮개가 세라믹 중간층 상에 배열되며, 적어도 하나의 개구부가 절연층에 형성되고, 이 개구부는 기판의 표면의 적어도 섹션들을 노출시킨다.

Description

개선된 고온 칩

본 발명은 온도 센서, 특히 기판, 적어도 하나의 저항 구조물, 및 적어도 두 개의 단자 접촉부(terminal contacts)를 갖는 고온 센서에 관한 것으로, 여기서 단자 접촉부는 저항 구조물과 전기적으로 접촉한다.

이러한 온도 센서는 사용되는 엔진 가스의 배기 가스 온도 및/또는 연소 온도를 측정하기 위해 자동차 산업에서 사용된다. 측정은 자주 그리고 가능한 한 엔진에 근접해서 이루어져야 한다. 따라서 이러한 센서는 연소 가스의 고온을 견뎌야 한다. 평면 저항 구조물을 갖는 온도 센서는 예를 들어, DE 197 42 696 A1에 알려져 있다.

이러한 고온-안정성 온도 센서가 어떻게 구성될 수 있는지에 대한 일부 제안이 선행 기술에서 이루어졌다. 예를 들어, DE 10 2007 046 900 B4는 백금 저항 구조물에 대한 보호로서 자체 지지 덮개가 있는 센서를 제안했다. 또 다른 고온 센서는 DE 10 2009 007 940 B4에 공지되어 있으며, 여기서 기판은 지르코늄 산화물을 함유한다. 백금층 저항 구조물에 유해한 이온에 의한 오염을 방지하기 위해 DE 10 2011 051 845 B4는 기판에 갈바닉 전극이 추가로 적용될 것을 제안한다.

빈번한 온도 변화에도 기능해야 하는 온도 센서는 DE 10 2012 110 210 B4에 알려져 있다. 그러나 설명된 온도 센서는 부식성 가스, 특히 내연 기관의 배기 가스 흐름에 장기간 노출된 후 고온에서 드리프트(drift)하기 시작한다. DE 10 2012 110 210 B4에 설명된 온도 센서의 경우, 관찰된 편차(deviation)는 배기 가스 흐름에서 저항 구조물로의 예를 들어, 크롬, 니켈, 철 및 실리콘과 같은 외부 원자(foreign atoms)의 확산으로 거슬러 올라갈 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 극복하는 것이다. 특히, 온도 센서는 낮은 센서 드리프트로 사용될 수 있어야 한다.

본 발명의 목적은 코팅된 기판(16)을 갖는, 온도 센서, 특히 고온 센서에 의해 달성되며, 기판은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹, 적어도 하나의 저항 구조물, 및 적어도 두 개의 단자 접촉부를 포함하고, 단자 접촉부는 저항 구조물과 전기적으로 접촉하고, 기판은 절연층으로 코팅되고, 절연층은, 금속 산화물층, 저항 구조물, 및 절연층의 노출된 영역 - 절연층의 노출된 영역 상에는 저항 구조물이 배열되지 않고 노출된 영역은 세라믹 중간층으로 적어도 부분적으로 코팅됨 - 을 포함하고, 보호층 및/또는 덮개가 세라믹 중간층 상에 배열되며, 적어도 하나의 개구부가 절연층에 형성되고, 이 개구부는 적어도 섹션들(sections)로 기판의 표면을 노출시킨다.

본 발명에 따르면, 기판은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹을 포함한다. 본 발명의 예에서, 기판은 또한 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹으로 구성되거나 실질적으로 구성될 수 있다. 본 발명의 예에서, 절연 층은 또한, 금속 산화물층으로 구성되거나 실질적으로 구성될 수 있다. 일례에서, 기판은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹으로 구성되고 절연층은 금속 산화물층으로 구성된다.

"개구부(opening)"라는 용어는 절연층 또는 절연층의 에지(edge)에 있는 물질 리세스를 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 물질 리세스는 예를 들어, 원형, 타원형, 직사각형, 트렌치형 또는 슬롯형으로 설계될 수 있다. "층"이라는 용어는 평평한 층 또는 실질적으로 평평한 층을 의미하는 것으로 이해될 수 있으며, 여기서 여러 층이 서로의 상부에 배열될 수 있다.

고온 센서의 안정성은 적어도 섹션들로 기판의 표면을 노출시키는 절연층에 적어도 하나의 개구부를 형성함으로써 유리하게 증가된다. 본 발명의 예에서, 복수의 개구부가 절연층에 형성된다.

종래 기술로부터 알려진 온도 센서에서, 절연층은 외부 원자가 침투할 수 있는 채널을 형성할 수 있다. 절연층 내 금속 산화물의 다공성이 그 원인으로 생각할 수 있다. 다공성 구조물은 외부 원자의 확산을 촉진한다. 외부 원자가 저항 구조물(예컨대, 백금 박막 구조물)에 도달하면 백금과 합금되어 백금 박막 구조물의 전기 저항이 변경된다. 이 효과는 적어도 하나의 개구부를 도입하여 최소화되거나 제거된다.

적어도 섹션들로 기판의 표면을 노출시키는 절연층의 개구부 또는 개구부들은 임의의 금속 산화물 물질이 없는 영역을 형성하고, 개구부 또는 개구부들의 설계에 따라 절연층을 별도의 세그먼트들로 분할한다. 개구부는 적어도 하나의 중앙 세그먼트가 절연층에 생성되는 방식으로 설계될 수 있으며, 이 세그먼트는 바람직하게는 기판의 중앙에 배열된다. 개구부는 바람직하게 연속적이며 중앙 세그먼트를 프레이밍(framing)한다. 중앙 세그먼트는 중앙 세그먼트의 에지가 기판의 에지와 공통 종단(common termination)을 갖지 않는 에지를 가질 수 있다. 패시베이션을 위해 저항 구조물과 이에 도포된 세라믹 중간층은 중앙 요소 상에 완전히 위치할 수 있다. 저항 구조물 및 세라믹 중간층을 갖는 중앙 세그먼트와 프레이밍 개구부는 모두 예를 들어, 유리 세라믹 보호층으로 제조된 보호층으로 덮일 수 있다. 본 발명의 예에서, 개구부/개구부들은 보호층의 물질로 채워진다. 보호층의 물질로 채워진 개구부는 절연층의 에지에서 중앙 세그먼트로 외부 원자에 대해 확산 장벽을 형성한다.

일례에서, 개구부 및/또는 개구부들은 슬롯의 형상으로 설계되고, 슬롯 폭은 우선적으로 5 ㎛와 1 mm 사이, 바람직하게 10 ㎛와 300 ㎛ 사이, 특히 바람직하게 20 ㎛와 100 ㎛ 사이이다.

슬롯형 개구부의 길이 방향 연장부는 기판의 길이 방향 연장부에 평행 및/또는 수직으로 형성될 수 있고, 그리고/또는 복수의 슬롯형 개구부의 길이 방향 연장부는 서로 평행하게 형성될 수 있다.

일례에서, 개구부 및/또는 개구부들은 기판의 적어도 하나의 측면(side surface)을 노출시킨다. 이와 관련하여, "측면"이라는 용어는 기판의 평평한 표면의 측부 또는 에지 상의 영역을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.

일례에서, 개구부 및/또는 개구부들은 저항 구조물을 완전히 둘러싼다.

또 다른 예에서, 개구부 및/또는 개구부들 중 추가 개구부는 저항 구조물의 두 개의 단자 접촉부 중 하나를 적어도 부분적으로 프레이밍한다.

일례에서, 개구부 및/또는 개구부들은 보호층의 물질로 채워진다.

추가의 예에서, 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹 내의 지르코늄 산화물은 3가 및 5가 금속의 산화물로 안정화되고, 그리고/또는 적어도 하나의 전극은 절연층 상의 저항 구조물 옆에 있는 적어도 하나의 단자 접촉부 상에 배열되며, 여기서 전극 또는 전극들은 저항 구조물과 일체로 형성된다.

지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹 내의 지르코늄 산화물의 안정화는 특정 결정 구조물이 안정화되는 구조적 안정화로서 이해될 수 있다. 3가 금속의 산화물로서는 이트륨 산화물이 특히 바람직하게 사용된다. 탄탈륨 산화물 및/또는 니오븀 산화물은 5가 금속의 산화물로서 특히 바람직하게 사용된다. 적합한 혼합물은 예를 들어, EP 0 115 148 B1에 알려져 있다.

3가 및 5가 금속 산화물로 결정 구조물을 안정화함으로써, 기판의 열팽창은 저항 구조물의 중간층 및 귀금속의 열팽창에 적응될 수 있다. 그 결과, 열 유도 전압은 저항 구조물에서 회피되거나 감소될 수 있다.

일례에서, 절연층은 알루미늄 산화물층이다.

추가 예에서, 세라믹 중간층은 1 ㎛와 50 ㎛ 사이, 바람직하게는 4 ㎛와 10 ㎛ 사이의 두께를 갖는다.

이러한 두께는 중간층, 덮개층 또는 상이한 열팽창으로 인한 덮개 박리(cover flaking off) 없이 중간층 상에 덮개층 및 가능하게는 또한 덮개가 배열될 수 있도록 선택된다.

또 다른 예에서, 보호층은 유리 또는 유리 세라믹을 포함하고 그리고/또는 덮개는 세라믹 판(ceramic plate)이다.

이 경우 특히 유리를 사용하여 덮개를 고정할 수도 있다.　

일례에서, 저항 구조물은 백금 물질 또는 백금 합금, 특히 백금계 합금을 포함한다.

백금 또는 백금 합금은 특히 고온 센서 생산에 적합하다.

본 발명은 또한 엔진, 특히 자동차 엔진의 제어 및/또는 조절을 위한 배기 시스템에서의 온도 센서의 사용을 제안한다.

본 발명은 또한 온도 센서, 특히 고온 센서를 생산하기 위한 방법을 제안하고, 이 방법은:

기판 - 기판은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹을 포함함 - 을 제공하고 이 기판을 절연층으로 코팅하고, 기판의 표면을 적어도 섹션들로 노출시키는 절연층 - 절연층은 금속 산화물층을 포함함 - 에 적어도 하나의 개구부를 형성하는 단계;

절연층 상에 저항 구조물 및 적어도 두 개의 단자 접촉부 - 단자 접촉부는 저항 구조물과 전기적으로 접촉함 - 를 배열하는 단계;

절연층의 저항 구조물과 노출된 영역 - 노출된 영역 상에는 저항 구조물이 배열되지 않음 - 을 적어도 영역들에서 세라믹 중간층으로 코팅하는 단계; 및

세라믹 중간층 상에 보호층 및/또는 덮개를 배열하는 단계를 포함한다.

일례에서, 절연층에 적어도 하나의 개구부를 형성하는 단계는 포토리소그래피 방식으로 개구부를 형성하고 그리고/또는 레이저 제거(laser ablation)에 의해 개구부를 형성하는 단계를 포함한다.

기판을 제공하는 단계는 이트륨 산화물 및 탄탈륨 산화물로 안정화된 지르코늄 산화물로 제조된 기판을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 380 μm의 두께와 50 x 50 mm²의 표면적을 가질 수 있다. 절연층은 알루미늄 산화물층일 수 있고 물리적 증기 퇴적(physical vapor deposition; PVD) 방법을 사용하여 기판에 도포될 수 있다. 이 층은 다공성일 수 있으며 두께는 2.4 μm이다.

저항 구조물을 생성하기 위해 PVD 방법을 통해 먼저 절연층의 전체 표면 위에 3850 ppm/K의 온도 계수를 갖는 백금 박막이 도포될 수 있다. 그 다음, 저항 구조물과 단자 접촉부는 포토리소그래피 방법에 의해 생산될 수 있다.

그런 다음, 예를 들어, 알루미늄 산화물의 중간층은 스크린 인쇄 또는 에어로졸 퇴적 방법(aerosol deposition method; ADM), 스퍼터링, 또는 PVD를 통해 8 μm의 두께로 도포될 수 있다. 이 경우 중간층은 백금 구조물과 백금 구조물에 인접한 절연층 영역을 덮을 수 있다. 기판의 접촉부 및 에지 영역은 노출된 상태로 유지될 수 있으며 중간층에 의해 덮이지 않는다. 그런 다음, 절연층의 개구부는 레이저를 사용하여 절연층의 연속적인 트렌치 또는 슬롯으로서 전체 저항 구조물 주위와 단자 접촉부 주위에서 밀링될(milled) 수 있다. 예를 들어, 개구부의 폭은 약 100 μm일 수 있다. 절연층의 이러한 레이저 제거로 절연층의 완전한 제거를 보장하기 위해 기판도 그 표면 상에서 약간 제거될 수 있다. 예를 들어, 단자 접촉부 주위에 추가 개구부가 제조될 수 있다.

개구부 또는 개구부들이 형성된 후, 유리 프릿(frit)의 보호층이 전체 표면 위에 스크린 인쇄되고 베이킹될 수 있다. 보호층은 중간층 및 절연층을 덮고 절연층의 개구부 또는 개구부들을 채울 수 있다. 단자 접촉부는 보호층의 물질이 없는 상태로 남아 있을 수 있다.

그런 다음, 덮개, 예를 들어, 이트륨 산화물 및 탄탈 산화물로 안정화될 수 있는 지르코늄 산화물로 제조된 하드 덮개는 보호층 상에 250 μm의 두께로 배열될 수 있다.

마지막으로 결과 온도 센서가 패널로부터 분리되고 접속 와이어는 단자 접촉부에 접속될 수 있다.

본 발명의 추가 특징 및 이점은 본 발명의 바람직한 실시예가 개략도를 참조하여 설명되는 다음의 설명으로부터 나타난다.

도면들은 다음을 도시한다:
도 1은 종래 기술로부터 알려진 온도 센서의 분해 개략도(exploded schematic view)이다.
도 2a는 그 위에 배치된 종래 기술로부터 공지된 온도 센서의 저항 구조물을 갖는 절연층의 개략적인 평면도이다.
도 2b 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따라 그 위에 배치된 개구부 및 저항 구조물을 갖는 절연층의 개략적인 평면도이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부, 저항 구조물, 중간층, 및 보호층을 갖는 그 위에 배치된 절연층을 갖는 기판을 관통한 개략적인 단면도이다.

도 1은 종래 기술로부터 알려진 온도 센서의 분해 개략도를 도시한다. 사행(meandering) 층상 저항 구조물(11)은 두 개의 단자 접촉부(12, 13)에 전기적으로 접속된다. 저항 구조물(11)은 두 개의 전극(14, 15)에 의해 두 개보다 약간 더 많은 측부 상에 프레이밍된다.

안정화된 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹으로 제조된 기판(16)은 고온에서 전도성인 지르코늄 산화물에 의해 저항 구조물(11)이 단락되지 않고 지르코늄 산화물과 저항 구조물(11) 사이의 임의의 유해한 상호작용이 방지되는 것을 보장하는 금속 산화물로 제조된 절연층(17)으로 코팅된다.

기판(16)을 등지는 측부 상에서, 저항 구조물(11)에는 확산 장벽으로서 중간층(18)이 제공되며, 이어서 중간층(18)에는 유리 또는 유리 세라믹으로 구성될 수 있는, 패시베이션을 위한 보호층(19)이 제공되며, 덮개(20)로 덮인다.

도 1에 따르면, 세라믹 판이 덮개(20)로서 보호층(19)에 도포된다. 세라믹 판은 추가 패시베이션을 나타내며 실제 온도 센서가 그 안에 설치된 하우징의 입자에 의한 마모에 대한 기계적 "보호 실드(protective shield)" 역할을 한다.

도 1에 도시된 온도 센서에서, 온도 센서의 단자 접촉부(12, 13)는 전기 절연 고정 드롭(drop)으로 구성된 고정부(25)를 가진 접속 패드(23, 24)를 통해 접속 와이어(21 및 22)로 변형이 완화된다. 이 고정부(25)는 고순도 유리 또는 유리 세라믹으로 구성된다.

확산 장벽으로서 중간층(18)의 초기에 언급된 실시예에 더하여, 이것은 0.2 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위 내의, 바람직하게는 5 ㎛의 두께를 갖는 박막 프로세스에서, 또는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위 내의, 바람직하게는 15 ㎛의 두께를 갖는 후막 프로세스에서 적용된다는 것이 주목되어야 한다.

저항 구조물(11) 상의 접속 패드(23, 24)의 두께는 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위 내, 바람직하게는 20 ㎛이다. 캐리어로서, 기판(16)은 0.1 mm 내지 1 mm 범위 내, 바람직하게는 0.4 mm, 특히 바람직하게는 0.38 mm의 두께를 갖는다.

단자 접촉부(12, 13)는 모두 하나의 측부 상에 배열된다. 또한, 그러나, 단자 접촉부(12, 13)를 양측부 상에 배열하는 것도 가능하다.

도 2a는 종래 기술로부터 공지된 그 위에 배치된 온도 센서의 저항 구조물(11)을 갖는 절연층(17)의 개략적인 평면도를 도시한다. 도 2a에 도시된 절연층(17) 및 저항 구조물(11)은 예를 들어, 도 1에 도시된 온도 센서에 사용될 수 있다. 도시된 절연층(17)은 개구부를 갖지 않는다.

도 2b 내지 도 2d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 개구부(30, 30a-d)를 갖는 절연층(17) 및 그 위에 배치된 저항 구조물(11)의 개략적인 평면도를 도시한다.

도 2b에 도시된 실시예에서, 기판의 표면을 노출시키는 개구부(30)가 절연층(17)에 형성된다. 개구부(30)는 중앙 세그먼트가 절연층(17)에 생성되는 방식으로 설계될 수 있으며, 이 세그먼트는 바람직하게는 기판의 중앙에 배열된다. 중앙 세그먼트는 중앙 세그먼트의 에지가 기판의 에지와 공통 종단을 갖지 않는 에지를 갖는다. 도시된 실시예에서, 개구부(30)는 절연층(17)의 물질에서 원주 개구부(circumferential opening)로서 도시되며, 이 개구부는 기판의 표면을 노출시킨다. 기판의 에지와 이 에지에 인접한 기판 표면의 영역은 절연층에 의해 덮이지 않는다. 이 경우, 절연층(17)은 초기에 기판의 표면에 완전히 도포된 후, 원주 에지 영역에서 다시 제거될 수 있다.

도 2c에 도시된 실시예에서, 절연층(17)의 개구부(30)는 슬롯의 형상으로 설계되고 저항 구조물(11)과 단자 접촉부(12, 13)를 완전히 둘러싼다. 슬롯의 폭은 예를 들어, 10 ㎛ 내지 1 mm 범위 내일 수 있다.

도 2d는 여러 개의 슬롯형 개구부(30, 30a-d)가 절연층(17)의 물질로 제조되고 절연층(17)에 여러 세그먼트를 형성하는 실시예를 도시한다. 도시된 실시예에서, 개별 슬롯형 개구부(30, 30a-d)는 단자 접촉부(12, 13) 및 저항 구조물(11)을 둘러싼다.

도 3a 및 3b는 본 발명의 실시예에 따른 개구부(30), 저항 구조물(11), 중간층(18), 및 보호층(19)을 갖는, 그 위에 배치된 절연층(17)을 갖는 기판(16)을 관통한 개략적인 단면도이다. 도시된 실시예에서, 보호층(19)의 물질은 개구부(17)를 완전히 채운다. 보호층(19)의 물질로 채워진 개구부(17)는 절연층(17)의 에지로부터 중앙 세그먼트 내로 외부 원자에 대해 확산 장벽을 형성한다. 도 3b에 도시된 바와 같이 단자 접촉부(12, 13)의 영역에는 보호층(19)이 없다. 도 3b에서, 단자 접촉부(12, 13)와, 단자 접촉부(12, 13) 사이에 배열된 개구부(30d)를 부분적으로 포함하는 개구부(30b 및 30c)가 도시되어 있다.

앞선 설명과 청구항들, 도면 및 예시적인 실시예에 개시된 본 발명의 특징은 다양한 실시예에서 본 발명의 구현을 위해 개별적으로 및 임의의 조합으로 필수적일 수 있다.　

참조 번호 목록
11 저항 구조물
12, 13 단자 접촉부
14, 15 전극
16 기판
17 절연층
18 중간층
19 보호층
20 덮개
21, 22 접속 와이어
23, 24 접속 패드
25 고정부
30, 30a-d 개구부

Claims

코팅된 기판(16)을 갖는 온도 센서, 특히 고온 센서에 있어서,
상기 기판(16)은 지르코늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 세라믹, 적어도 하나의 저항 구조물(11), 및 적어도 두 개의 단자 접촉부(12, 13)를 포함하고, 상기 단자 접촉부(12, 13)는 상기 저항 구조물(11)과 전기적으로 접촉하고, 상기 기판(16)은 절연층(17)으로 코팅되고, 상기 절연층(17)은, 금속 산화물층, 상기 저항 구조물(11) 및 상기 절연층(17)의 노출된 영역 - 상기 노출된 영역 상에는 저항 구조물(11)이 배열되지 않고 상기 노출된 영역은 세라믹 중간층(18)으로 적어도 부분적으로 코팅됨 - 을 포함하고, 보호층(19) 및/또는 덮개(20)가 상기 세라믹 중간층(18) 상에 배열되며,
적어도 하나의 개구부(30, 30a-d)가 상기 절연층(17)에 형성되고, 상기 개구부는 적어도 섹션들(sections)로 상기 기판(16)의 표면을 노출시키는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항에 있어서,
상기 개구부(30, 30a-d) 및/또는 개구부들(30, 30a-d)은 슬롯의 형상으로 설계되고, 상기 슬롯의 폭은 우선적으로 5 ㎛와 1 mm 사이, 바람직하게 10 ㎛와 300 ㎛ 사이, 특히 바람직하게 20 ㎛와 100 ㎛ 사이인 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제2항에 있어서,
상기 슬롯의 형상의 개구부(30, 30a-d)의 길이 방향 연장부가 상기 기판(16)의 길이 방향 연장부에 평행 및/또는 수직으로 형성되고, 그리고/또는 복수의 슬롯의 형상의 개구부들(30, 30a-d)의 길이 방향 연장부들이 서로 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개구부(30, 30a-d) 및/또는 개구부들(30, 30a-d)은 상기 기판(16)의 적어도 하나의 측면을 노출시키는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개구부(30) 및/또는 개구부들(30)은 상기 저항 구조물(11)을 완전히 둘러싸는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개구부(30a-d) 및/또는 상기 개구부들(30a-d)의 추가 개구부가 상기 저항 구조물(11)의 두 개의 단자 접촉부(12, 13) 중 적어도 하나를 부분적으로 프레이밍(framing)하는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개구부(30, 30a-d) 및/또는 개구부들(30, 30a-d)은 상기 보호층(19)의 물질로 채워지는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지르코늄 산화물 또는 상기 지르코늄 산화물 세라믹 내의 지르코늄 산화물은 3가 금속 및 5가 금속의 산화물로 안정화되고, 그리고/또는 상기 절연층(17) 상의 상기 저항 구조물(11) 옆에 있는 적어도 하나의 단자 접촉부(12, 13) 상에 적어도 하나의 전극(14, 15)이 배열되며, 상기 전극(14, 15) 또는 전극들(14, 15)은 상기 저항 구조물(11)과 일체(one piece)로 형성되는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층(17)은 알루미늄 산화물층인 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 중간층(18)은 1 ㎛와 50 ㎛ 사이, 바람직하게 4 ㎛와 10 ㎛ 사이의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호층(19)은 유리 또는 유리 세라믹을 포함하고 그리고/또는 상기 덮개(20)는 세라믹 판(ceramic plate)인 것을 특징으로 하는, 온도 센서.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 저항 구조물(11)은 백금 물질 또는 백금 합금, 특히 백금계 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는, 온도 센서.