JPH01134340A - アクティブマトリックスアレイ - Google Patents

アクティブマトリックスアレイ

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Publication number
JPH01134340A
JPH01134340A JP62292349A JP29234987A JPH01134340A JP H01134340 A JPH01134340 A JP H01134340A JP 62292349 A JP62292349 A JP 62292349A JP 29234987 A JP29234987 A JP 29234987A JP H01134340 A JPH01134340 A JP H01134340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
active matrix
voltage
matrix array
gate signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP62292349A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Takahara
博司 高原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62292349A priority Critical patent/JPH01134340A/ja
Publication of JPH01134340A publication Critical patent/JPH01134340A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は液晶ポケットテレビなどに用いる薄膜トランジ
スタ(以後、TPTと呼ぶ)が多数個一基板上に形成さ
れたアクティブマトリックスアレイに関するものである
従来の技術 以下凹面を参照しながら、従来のアクティブマトリック
スアレイについて説明する。第5図は従来のアクティブ
マトリックスアレイの一部等価回路図である。第5図に
おいて、01〜G、はゲート信号線、81〜S4はソー
ス信号線、T、〜T44はTFT、P++〜P44は絵
素電極である。図面では作図および説明を容易にするた
めにゲート信号線を4本、ソース信号線を4本としてい
るが、通常ゲート信号線およびソース信号線は100本
以上作製される0以上のことは以下の図面に対しても同
様である。第5図で明らかなようにゲート信号線および
ソース信号線の交点にTFTが作製され、前記TPTの
ドレイン端子は絵素電極に、ソース端子はソース信号線
に、ゲート端子はゲート信号線に接続される。アクティ
ブマトリックスアレイのTPTを動作させるときには、
ゲート信号線およびソース信号線に対し、外部より電気
信号を印加することによりおこなう。
次にアクティブマトリックスアレイの検査方法について
説明する。アクティブマトリックスの検査項目として種
々のものがあるが、その1つに信号線の断線検査がある
。信号線が断線している場合、電気信号が信号線の切断
箇所以後のTPTには印加されないため、何らかの修理
手段を講する必要がある。そのためにも断線検査は重要
である。
第6図はアクティブマトリックスアレイのゲート信号線
断線検査方法を説明するための説明図である。第6図に
おいて、1はゲート信号線切断点、7は抵抗値測定手段
、8,9はプローブである。
まずプローブ8.9はゲート信号線G1から順に圧接し
ていくとともに、プローブ8,9間の抵抗値を測定する
。ゲート信号線G3の両端にプローブ8,9を圧接して
、前記ゲート信号線の抵抗値を測定した場合、非常に高
い抵抗値を示すため、ゲート信号線の断線を検出するこ
とができる。
発明が解決しようとする問題点 信号線の断線検査をおこなうためには、プローブ8.9
をアクティブマトリックスアレイの信号線に圧接する必
要がある。しかし近年ますます、絵素は微細になる傾向
にあり、それにつれて、信号線間隔も狭くなってきてい
る。信号線間隔が200μm以下となると、プローブを
信号線に圧接することは不可能に近くなることが容易に
類推することができる。したがって、微小信号線間隔の
アクティブマトリックスアレイは断線検査をおこなうこ
とは不可能になりつつあるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、信号線間隔が微細になって
も断線検査をおこなうことが可能なアクティブマトリッ
クスアレイを提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため本発明のアクティブマトリッ
クスアレイは、各ゲート信号線と各ソース信号線の少な
くとも一方の各信号線にドレイン端子を接続した複数の
薄膜トランジスタを形成し、かつ前記薄膜トランジスタ
のソース端子を複数端子共通にし、かつ前記薄膜トラン
ジスタのゲート端子を複数端子を共通にしたものである
作用 本発明はアクティブマトリックスアレイの周辺部にTP
Tを形成し、前記TPTのドレイン端子を前記アクティ
ブマトリックスアレイの各信号線の一端(仮に右端とす
る、逆の方を左端とする)に接続し、かつ前記TPTの
ソース端子を複数端子共通にしたものである。したがっ
て、アクティブマトリックスアレイの各信号線の左端よ
り電気信号を印加し、かつアクティブマトリックスアレ
イの信号線が切断されていなければ、信号線の右端に形
成された前記TPTに電気信号が印加されるため、前記
TPTのソース端子を監視することにより、アクティブ
マトリックスアレイの信号線切断の有無を検出すること
ができる。
実施例 以下、本発明のアクティブマトリックスアレイの一実施
例について図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の第1の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの等価回路図である。第1図においてG
Q、〜GQ、はアクティブマトリックスアレイの信号線
を流れる電気信号を検出するためのTPT (以後、検
出TPTと呼ぶ)であり、SAは電流検出信号線であり
、SCは検出TPTのゲート端子に電圧を印加し、制御
するためのゲート制御信号線である。なお、検出TPT
のドレイン端子はアクデイプマトリックスアレイのゲー
ト信号線に、ソース端子は電流検出信号線SAに接続さ
れている。また検出TPTはアクティブマトリックスア
レイの表示部以外の部分、通常周辺部に形成される。
次にアクティブマトリックスアレイの信号線の断線検査
の方法について説明する。第2図および第3図は信号線
の断線検査を説明するための説明図である。第2図およ
び第3図において、2は電圧印加手段であり、具体的に
はガラスオンチップという技術を用いてアクティブマト
リックスアレイに接続されるゲート信号線駆動用ICな
どである。前記ICは任意の信号線に正電圧(以後、“
+”電圧と呼ぶ)と負電圧(以後、“−”電圧と呼ぶ)
を印加でき、かつ前記電圧をシフトできる機能をもつ。
4は電流検出信号線に接続されたピンクアンプ抵抗、5
は検出TPTのゲート端子に前記TPTをオン状態とす
る電圧またはオフ状態とする電圧を印加するための制御
手段、3はピックアップ抵抗間に発生する電圧を検出す
るための電圧検出手段、6はピックアップ抵抗の一端の
電圧を設定するための電圧制御手段である。まず電圧印
加手段2をゲート信号線に接続する0次に電圧制御手段
6はピンクアップ抵抗の一端の電位を固定するため所定
の電圧を出力する0通常前記所定の電圧はゲート信号線
の左端に接続された電圧印加手段2が発生する“−”電
圧に設定される。
次に電圧印加手段はゲート信号線G1に°−”電圧を他
のゲート信号線には“+”電圧を印加するとともに、制
御手段5はオン電圧を出力し、検出TFTGQ1〜GQ
、をオン状態にする。すると検出TFTGQ2およびG
Q4には図に示すI1なる電流が、GQ、にはI2なる
電流が流れ、GC3にはゲート信号線G8にゲート信号
線切断点1が発生しているため電流は流れない。したが
ってピンクアップ抵抗には212−1.なる電流が流れ
、前記電流(212−1))およびビックアンプ抵抗に
より発生する電圧が電圧検出手段3に検出される。以後
電圧出力端子をシフトさせ、電圧印加手段2からゲート
信号線G2のみに“−”電圧を印加し、他のゲート信号
線には“+”電圧を印加し、前記と同様の検査をおこな
う6以上の動作を順にくりかえす。いま第3図のように
ゲート信号w@G8に“−゛電圧を、他のゲート信号線
に“+”電圧を印加したとき、検出TFTのGQ、。
GC2およびGQ、にはI1なる電流が流れ、GC3に
はゲート信号線切断点1が発生しているため、電流が流
れない、したがってビックアンプ抵抗4には31.なる
電流が流れる。ゆえに前記電流<31.)およびピンク
アップ抵抗4により発生する電圧が電圧検出手段3に検
出される0以上のようにピンクアンプ抵抗4に流れる電
流の大きさにより、信号線の切断の有無を検出すること
ができる。なおアクティブマトリックスアレイを通常動
作させるときには、ゲート制御信号線SCには、検出T
PTのゲートをオフさせる電圧を印加する。
第4図は本発明の第2の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの等価回路図である。第4図においてS
Q、〜SQ、はアクティブマトリックスアレイの信号線
を流れる電気信号を検出するための検出TPTであり、
GAは電流検出信号線であり、GCは検出TPTのゲー
ト端子に電圧を印加し、制御するためのゲート制御信号
線である。なお、検出TPTのドレイン端子はアクティ
ブマトリックスアレイのソース信号線に、ソース端子は
電流検出信号線GAに接続されている。アクティブマト
リックスアレイの信号線の断線検査方法は、第1の実施
例の説明においてゲート信号線をソース信号線とおきか
えればよい。
なお、本発明の実施例において、アクティブマトリック
スアレイのゲート信号線またはソース信号線に検出TP
Tを形成するとしたが、これに限るものではなく、ゲー
ト信号線およびソース信号線に検出TPTを形成しても
よいことは明らかである。
また電圧印加手段2としてガラスオンチップという技術
を用いてアクティブマトリックスアレイに接続されるゲ
ート信号線駆動用ICを用いるとしたがこれに限るもの
でなく、従来のようにプローブなどを用いてもよい。前
記のプローブを用いる場合でも、プローブを信号線の一
端のみに圧接するだけですむため、本発明の効果は大き
い。
発明の効果 以上のように本発明のアクティブマトリックスアレイは
、アクティブマトリックスアレイの各ゲート信号線と各
ソース信号線の少なくとも一方に各信号線を流れる電流
を検出するための検出TPTを形成したものであるから
、信号線間隔が微細になっても、アクティブマトリック
スアレイの断線検査を容易におこなうことができる。し
たがってアクティブマトリックスアレイの作製段階でア
クティブマトリックスの信号線の断線の有無から良否を
判別することができ、またその検査もプローブなど機械
的な要素を用いないため、容易かつ高速におこなうこと
ができるため、本発明のアクティブマトリックスアレイ
の効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの等価回路図、第2図および第3図は本
発明のアクティブマトリックスアレイの検査方法を説明
するための説明図、第4図は本発明の第2の実施例にお
けるアクティブマトリックスアレイの等価回路図、第5
図は従来のアクティブマトリックスアレイの等価回路図
、第6図は従来のアクティブマトリックスアレイの検査
方法を説明するための説明図である。 01〜G1・・・・・・ゲート信号線、S1〜S、・・
・・・・ソース信号線、T、〜T44・・・・・・TF
T、P、、〜P44・・・・・・絵素電極、SA、GA
・・・・・・電流検出信号線、SC,GC・・・・・・
ゲート制御信号線、GQ1〜GQ、、SQ、〜SQ、・
・・・・・検出TFT、1・・・・・・ゲート信号線切
断点、2・・・・・・電圧印加手段、3・・・・・・電
圧検出手段、4・・・・・・ビックアンプ抵抗、5・・
・・・・制御手段、6・・・・・・電圧制御手段、7・
・・・・・抵抗値測定手段、8.9・・・・・・プロー
ブ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名にr−Go
−−ゲート禮号珠 Sノル54−−−ソース信号廉 ’Trr−ア杯−−−丁FT 第1図 −)I        シ2       ω    
   瀉           ぷ JQ/ −一一ケ
―ト4客号fiフ酌゛声、2− 電圧印加手、攻 6− 電江匍m子段 第3図 .50ノ〜S(k −−−T F 丁 4C−−−ゲ−)−!J御稔号簾 第4図 第5図 8q−プロー7” 第 6 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アクティブマトリックスアレイであって、各ゲー
    ト信号線と各ソース信号線の少なくとも一方の各信号線
    にドレイン端子を接続した複数の薄膜トランジスタを形
    成し、かつ前記薄膜トランジスタのソース端子を複数端
    子共通にし、かつ前記薄膜トランジスタのゲート端子を
    複数端子共通にしたことを特徴とするアクティブマトリ
    ックスアレイ。
  2. (2)薄膜トランジスタはアクティブマトリックスアレ
    イの周辺部に形成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第(1)項記載のアクティブマトリックスアレイ。
JP62292349A 1987-11-19 1987-11-19 アクティブマトリックスアレイ Pending JPH01134340A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62292349A JPH01134340A (ja) 1987-11-19 1987-11-19 アクティブマトリックスアレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62292349A JPH01134340A (ja) 1987-11-19 1987-11-19 アクティブマトリックスアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01134340A true JPH01134340A (ja) 1989-05-26

Family

ID=17780648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62292349A Pending JPH01134340A (ja) 1987-11-19 1987-11-19 アクティブマトリックスアレイ

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JP (1) JPH01134340A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453991A (en) * 1992-03-18 1995-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit device with internal inspection circuitry

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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