JPH01124209A - 粒界絶縁型磁器組成物 - Google Patents
粒界絶縁型磁器組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁器コンデンサの誘電体等に用いられる粒界絶
縁型磁器組成物に関する。
縁型磁器組成物に関する。
従来の技術
電子機器の小型化、信頼性の向上につれて、装着される
電子部品についても形状の小型化、信頼性の向上の要望
は強い。従って粒界給源型半導体磁器コンデンサについ
ても小型化の要求が強く、誘電体の誘電率や破壊電圧の
向上が沼まれて−る。
電子部品についても形状の小型化、信頼性の向上の要望
は強い。従って粒界給源型半導体磁器コンデンサについ
ても小型化の要求が強く、誘電体の誘電率や破壊電圧の
向上が沼まれて−る。
以下に従来の粒界絶縁型半導体コンデンサについて説明
する。
する。
ＢａＴｉ０５や５ｒＴｉＯ５を主成分とし、これにＮｂ
。
。
Ｗなどの金属酸化物を微量添加して中性まだは還元雰囲
気中で焼成して半導体磁器板を作製する。
気中で焼成して半導体磁器板を作製する。
このようにして作られた半導体磁器板にＢｉ、Ｃｕなど
の金属の酸化物から成る金属酸化物を塗布しこれを空気
中で熱処理して、結晶粒界を絶縁化し粒界絶縁型半導体
磁器板を作製する。この粒界絶縁型半導体磁器板の表面
に電極を設けてコンデンサを完成している。
の金属の酸化物から成る金属酸化物を塗布しこれを空気
中で熱処理して、結晶粒界を絶縁化し粒界絶縁型半導体
磁器板を作製する。この粒界絶縁型半導体磁器板の表面
に電極を設けてコンデンサを完成している。
以上の様に構成された粒界絶縁型半導体コンデンサにつ
いて以下にその特性を説明する。粒界絶縁型半導体コン
デンサでは、絶縁化された結晶粒界に薄い誘電体層が形
成される。静電容量、絶縁抵抗、破壊電圧などのコンデ
ンサ特性はこの結晶粒界に生成する透電体層の性状とそ
の厚さに依存する。この時、結晶粒界に形成される誘電
体層の厚みは薄い。従って通常の磁器誘電体を利用した
コンデンサに較べて大きい静電容量を得られるが破壊電
圧、絶縁抵抗が低いという欠点がある。
いて以下にその特性を説明する。粒界絶縁型半導体コン
デンサでは、絶縁化された結晶粒界に薄い誘電体層が形
成される。静電容量、絶縁抵抗、破壊電圧などのコンデ
ンサ特性はこの結晶粒界に生成する透電体層の性状とそ
の厚さに依存する。この時、結晶粒界に形成される誘電
体層の厚みは薄い。従って通常の磁器誘電体を利用した
コンデンサに較べて大きい静電容量を得られるが破壊電
圧、絶縁抵抗が低いという欠点がある。
発明が解決しようとする問題点
ＢａＴｉＯ３若しくはその固姿体を主成分とするＢａ’
Ｌ’ｉ０３系の粒界絶縁型半導体磁器は高い見掛けの誘
電率が得られるためこれを用いて作られるコンデンサの
形状を小形化するには適しているが、Ｂｉ！ＬＴｉＯ３
は誘電率の温度依存性が大きいだめＢａＴｉＯ１５系の
粒界絶縁型半導体磁器の静電容量の温度依存性は大きい
。またＢａＴｉＯ３が室温付近で強誘電性を示すために
、室温付近で非線形効果による波形歪やヒステリ７スを
生じる。また誘電損失も５φ程度で大きい。これらのＢ
ａＴｉＪ系の材料を用いたコンデンサの欠点を克服する
材料として５ｒＴｉ０５系の材料がある。５ｒＴｉＯ３
またはその固溶体を主成分とする磁器を用いた粒界絶縁
型半導体コンデンサはＢａＴｉＯ３系に咬べて透電率の
温度依存性が小さいため静電容量の温度依存性は小さく
、またＳｒ’ｒ工０５は室温付近で常、誘電性を示すた
めに、非線形効果による波形歪やヒステリ７スを示さな
い。さらに誘電損失率が１％以下で小さいという特徴が
ある。
Ｌ’ｉ０３系の粒界絶縁型半導体磁器は高い見掛けの誘
電率が得られるためこれを用いて作られるコンデンサの
形状を小形化するには適しているが、Ｂｉ！ＬＴｉＯ３
は誘電率の温度依存性が大きいだめＢａＴｉＯ１５系の
粒界絶縁型半導体磁器の静電容量の温度依存性は大きい
。またＢａＴｉＯ３が室温付近で強誘電性を示すために
、室温付近で非線形効果による波形歪やヒステリ７スを
生じる。また誘電損失も５φ程度で大きい。これらのＢ
ａＴｉＪ系の材料を用いたコンデンサの欠点を克服する
材料として５ｒＴｉ０５系の材料がある。５ｒＴｉＯ３
またはその固溶体を主成分とする磁器を用いた粒界絶縁
型半導体コンデンサはＢａＴｉＯ３系に咬べて透電率の
温度依存性が小さいため静電容量の温度依存性は小さく
、またＳｒ’ｒ工０５は室温付近で常、誘電性を示すた
めに、非線形効果による波形歪やヒステリ７スを示さな
い。さらに誘電損失率が１％以下で小さいという特徴が
ある。
以上のようにコンデンサの材料として優れた特徴をもっ
ているが、比誘電率が小さい。粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサは見掛けの誘電率を大きくし単位面積当りの静
電容量を大きくすると破壊電圧が低下する。これは、粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサの静電容量と破壊電圧は
結晶粒界に形成される誘電体層の厚みに関係しており、
誘電体層の厚みを薄くすると単位面積当シの静電容量は
大きくなるが、破壊電圧は低下する。逆に誘電体層の厚
みを厚くすると破壊電圧は高くなるが単位面積当υの静
電容量は低下するからである。
ているが、比誘電率が小さい。粒界絶縁型半導体磁器コ
ンデンサは見掛けの誘電率を大きくし単位面積当りの静
電容量を大きくすると破壊電圧が低下する。これは、粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサの静電容量と破壊電圧は
結晶粒界に形成される誘電体層の厚みに関係しており、
誘電体層の厚みを薄くすると単位面積当シの静電容量は
大きくなるが、破壊電圧は低下する。逆に誘電体層の厚
みを厚くすると破壊電圧は高くなるが単位面積当υの静
電容量は低下するからである。
また破壊電圧を高くし、単位面積当りの静電容量を大き
くするために結晶粒界に生成される透電体層の比誘電率
を大きくすると直流バイアスによる静電容量変化率や静
電容量の温度依存性が大きくなるという欠点があった。
くするために結晶粒界に生成される透電体層の比誘電率
を大きくすると直流バイアスによる静電容量変化率や静
電容量の温度依存性が大きくなるという欠点があった。
これらの欠点が、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの使
用上の大きな制約の１つになっている。
用上の大きな制約の１つになっている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上記問題点を解決するために、Ｓｒ １．Ｃ
ａ）（Ｔ１０３ （但し０≦ｘ≦０．２）を１００モル
部と、これにＮｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ
２０５ 、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ５
。
ａ）（Ｔ１０３ （但し０≦ｘ≦０．２）を１００モル
部と、これにＮｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ
２０５ 、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ５
。
Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ
３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３および、ＣｅＯ２のうち少
なくとも一種類の金属酸化物を０．０１〜１．０モル部
、！： ＭｇＯヲ０．０５〜３ 、００ モ＃部、Ａ、
５２０．をＯ，ＯＳ〜１．００モル部からなる組成物あ
るいは上記組成物に５ｉ０２をｏ、ｏ１〜１．０モル部
含む磁器組成物である。
３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３および、ＣｅＯ２のうち少
なくとも一種類の金属酸化物を０．０１〜１．０モル部
、！： ＭｇＯヲ０．０５〜３ 、００ モ＃部、Ａ、
５２０．をＯ，ＯＳ〜１．００モル部からなる組成物あ
るいは上記組成物に５ｉ０２をｏ、ｏ１〜１．０モル部
含む磁器組成物である。
作用
本発明は上記の手段により従来の５ｒＴｉＯ５系粒界絶
禄型半導体磁器コンデンサに較べ次の特徴がある。
禄型半導体磁器コンデンサに較べ次の特徴がある。
（１）見掛は誘電率が７８０００以上でＯＲ積が１００
０μＦ・μΩ 以上あり、従来のそれに較べて約４倍高
い。
０μＦ・μΩ 以上あり、従来のそれに較べて約４倍高
い。
（１１）破壊電圧が６５０〜７００ ＶＯｌｔ／ｆｆｆ
ｆであり約１．５倍〜２倍以上高い。
ｆであり約１．５倍〜２倍以上高い。
（ｉｉｉ） 直流バイアスによる静電容量変化率が１
６Ｖｏｌｔ、 Ｄ、Ｃ印加の条件下で約５係以下である
。
６Ｖｏｌｔ、 Ｄ、Ｃ印加の条件下で約５係以下である
。
（Ｉｖ）、銹電損失、静電容量の温度依存性も従来列と
較べて劣らない。
較べて劣らない。
以上の特徴により、従来の粒界絶縁型半導体磁器コンデ
ンサの使用上の制約を大きく緩和することが出来る。以
下に具体的実施ヅ］を挙げて詳細に説明する。
ンサの使用上の制約を大きく緩和することが出来る。以
下に具体的実施ヅ］を挙げて詳細に説明する。
実施例
試料は第１表に記載のとと（５ｒＴｉ０３ 、ＣａＴｉ
０゜Ｎｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２０５
、ＷＯ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ５。
０゜Ｎｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２０５
、ＷＯ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ５。
Ｓｍ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３塩を各々所
要の組成となる様に秤量し、これを２２時時間式混合す
る。混合後脱水乾燥し、ポリビニールアルコールを約１
．ｏｗｔ％バインダーとして添加し、３２メツシユパス
に整粒し、１ｏ ｏ ｏｋｇ／ ｃｉの圧力で直径９．
６謂、厚さ０．３６ＭＮ の円板に成形する。次いで
これらの成形体を空気中１０００’Ｃの温度で加熱して
バインダーを除去した後に容積比でＮ２ を９０％、Ｎ
２を１０％混合したガス気流中において、１４００’Ｃ
の温度で４時間焼成して、直径８．３Ｍ、厚さ０．３
ｆｌの半導体磁器を得た。この半導体磁器の表面にビス
マス９．４ ｗｔ％、銅０，５ｗｔ％ 。
要の組成となる様に秤量し、これを２２時時間式混合す
る。混合後脱水乾燥し、ポリビニールアルコールを約１
．ｏｗｔ％バインダーとして添加し、３２メツシユパス
に整粒し、１ｏ ｏ ｏｋｇ／ ｃｉの圧力で直径９．
６謂、厚さ０．３６ＭＮ の円板に成形する。次いで
これらの成形体を空気中１０００’Ｃの温度で加熱して
バインダーを除去した後に容積比でＮ２ を９０％、Ｎ
２を１０％混合したガス気流中において、１４００’Ｃ
の温度で４時間焼成して、直径８．３Ｍ、厚さ０．３
ｆｌの半導体磁器を得た。この半導体磁器の表面にビス
マス９．４ ｗｔ％、銅０，５ｗｔ％ 。
マンガン０，１ ｗｔ％ とジエチレングリコール９゜
ｗｔ％ を含む金属酸化物塩のペーストを半導体磁器
の重量に対して金属酸化物に換算して、０．４ｗｔ％の
比率で塗布し、これを空気中で１１００°Ｃの温度で２
時間熱拡散し粒界絶縁型半導体磁器を得た。この磁器表
面に銀を含有するペーストを塗布し、８６０°Ｃで３０
分間焼付けを行ない対向する電極を形成し、粒界絶縁型
半導体磁器を作製した。
ｗｔ％ を含む金属酸化物塩のペーストを半導体磁器
の重量に対して金属酸化物に換算して、０．４ｗｔ％の
比率で塗布し、これを空気中で１１００°Ｃの温度で２
時間熱拡散し粒界絶縁型半導体磁器を得た。この磁器表
面に銀を含有するペーストを塗布し、８６０°Ｃで３０
分間焼付けを行ない対向する電極を形成し、粒界絶縁型
半導体磁器を作製した。
上記の方法により作製したコンデンサの静電容量、誘電
損失、絶縁抵抗、破壊電圧、温度特性および静電容量の
直流電圧依存性の測定結果を第２表に示す。なお各試料
の測定にあたり、静電容量および誘電損失は、周波数Ｉ
Ｋｌ−（−２、電圧１ｖ測定し、絶縁抵抗は２５Ｖの
直流電圧を３ｏ秒印加後測定した。また破壊電圧は、直
流電圧を印加し、印加電圧をしだいに上昇させる方法に
より求めた。
損失、絶縁抵抗、破壊電圧、温度特性および静電容量の
直流電圧依存性の測定結果を第２表に示す。なお各試料
の測定にあたり、静電容量および誘電損失は、周波数Ｉ
Ｋｌ−（−２、電圧１ｖ測定し、絶縁抵抗は２５Ｖの
直流電圧を３ｏ秒印加後測定した。また破壊電圧は、直
流電圧を印加し、印加電圧をしだいに上昇させる方法に
より求めた。
温度特性値は、＋８５°Ｃと一２６°Ｃにおける静電容
量値から変化率を（０丁−Ｃ２０）／Ｃ２０Ｘ１００の
計算式から求めた。ここで０丁は＋８６°Ｃあるいは−
２６°Ｃでの静電容量を示す。Ｃ２０ば＋２０″Ｃでの
静電容量を示す。
量値から変化率を（０丁−Ｃ２０）／Ｃ２０Ｘ１００の
計算式から求めた。ここで０丁は＋８６°Ｃあるいは−
２６°Ｃでの静電容量を示す。Ｃ２０ば＋２０″Ｃでの
静電容量を示す。
また静電容量のバイアス依存性は、１６Ｖの直流電圧を
６０秒間印加した時の静電容量値を０１６とし、（Ｃ１
６Ｇｏ’）／ＣｏＸ１００の計算式より求めた。
６０秒間印加した時の静電容量値を０１６とし、（Ｃ１
６Ｇｏ’）／ＣｏＸ１００の計算式より求めた。
なお比較のだめの従来例として５ｒＴｉ○３１Ｎｂ２０
５を、５ｒＴｉ０５を１００モル部、Ｎｂ２Ｏ５を０．
２モル部の割合で秤量し、実施例に記載した方法で粒界
絶縁型半導体磁器コンデンサを作製し、その特性を調べ
た。また第１表の１から第１表の６および第２表の１か
ら第２表の５までの傘印を付したものはこの発明範囲外
のものであり、それ以外は全てこの発明範囲内のもので
ある。
５を、５ｒＴｉ０５を１００モル部、Ｎｂ２Ｏ５を０．
２モル部の割合で秤量し、実施例に記載した方法で粒界
絶縁型半導体磁器コンデンサを作製し、その特性を調べ
た。また第１表の１から第１表の６および第２表の１か
ら第２表の５までの傘印を付したものはこの発明範囲外
のものであり、それ以外は全てこの発明範囲内のもので
ある。
（以下余白）
第１表において本発明の範囲に入る資料の凪はＮｈ ２
”Ｎａ ３ 、 ｌ’ｈ ６〜Ｎａ ８ 、 Ｎｌ
１１〜Ｎａ １３ 、 ％１６〜隘１８．隘２１〜隘２
３．患２６〜隘２８．寛３１〜ＮＣＬ３３．隘３６〜隘
３８．隘４１〜隘４４゜黒４６〜述４８９％５１〜隘５
３．隘６６〜隘６８であり、他は本発明の範囲外の資料
であり、比較のだめの資料である。
”Ｎａ ３ 、 ｌ’ｈ ６〜Ｎａ ８ 、 Ｎｌ
１１〜Ｎａ １３ 、 ％１６〜隘１８．隘２１〜隘２
３．患２６〜隘２８．寛３１〜ＮＣＬ３３．隘３６〜隘
３８．隘４１〜隘４４゜黒４６〜述４８９％５１〜隘５
３．隘６６〜隘６８であり、他は本発明の範囲外の資料
であり、比較のだめの資料である。
上記実ノ崩列から明らかな様に本発明の粒界絶縁型磁器
組成物はε、、ｔａｎδ、絶家抵抗、破壊絶家抵抗量破
壊電圧化率、直流バイアスの容量依存性の何れも優れて
いる。これらの好結果は、焼成時に異常粒成長が抑制さ
れており、かつ均一な微細構造をもち、Ｍｇと人４ が
粒界に一部偏析した半導体磁器がｍられることに起因し
ている。Ｎｂ 、Ｔａ 。
組成物はε、、ｔａｎδ、絶家抵抗、破壊絶家抵抗量破
壊電圧化率、直流バイアスの容量依存性の何れも優れて
いる。これらの好結果は、焼成時に異常粒成長が抑制さ
れており、かつ均一な微細構造をもち、Ｍｇと人４ が
粒界に一部偏析した半導体磁器がｍられることに起因し
ている。Ｎｂ 、Ｔａ 。
Ｗ 、 Ｌａ 、Ｙ 、Ｈｄ、Ｓｍ 、 Ｃｅ の酸
化物塩の各酸化物の単独での組成あるいは酸化物塩の合
計組成比が０．０１〜１．０モル部以外の時、即ち上記
酸化物塩の単独あるいは合計の組成比が０．０１モル部
以下の時は、これらの酸化物塩が原子化制御剤として不
足することより、半導体化の効果がなく、また一方これ
らの金属酸化物塩の組成比が１．０モル部以上の時は半
導体磁器の粒成長が著しく抑制され何れも好ましくない
。まだＭｇＯとに４ｈｏｓはＭｇＯが、０．０５≦ｘ≦
３．００モル部、Ａ６２０ ｓがｏ、Ｑ５≦Ｙ≦１．０
０モル部で良好な特性を示し、ｘくｏ、ｏｓ、Ｙ（ｏ、
ｏｓ の時は、絶縁抵抗の低下をもたらし、またＸ≧３
．００ 、Ｙ≧１．０００時は、粒成長が抑制され、ま
だ焼成過程で磁器相互のくっつきを生じ易くなるため何
れも好ましくない。また資料Ｎ１２，５．１０より明ら
かな庫にＭｇＯとｋ１２０３ は相互作用に基づき特性
の良化に作用している。
化物塩の各酸化物の単独での組成あるいは酸化物塩の合
計組成比が０．０１〜１．０モル部以外の時、即ち上記
酸化物塩の単独あるいは合計の組成比が０．０１モル部
以下の時は、これらの酸化物塩が原子化制御剤として不
足することより、半導体化の効果がなく、また一方これ
らの金属酸化物塩の組成比が１．０モル部以上の時は半
導体磁器の粒成長が著しく抑制され何れも好ましくない
。まだＭｇＯとに４ｈｏｓはＭｇＯが、０．０５≦ｘ≦
３．００モル部、Ａ６２０ ｓがｏ、Ｑ５≦Ｙ≦１．０
０モル部で良好な特性を示し、ｘくｏ、ｏｓ、Ｙ（ｏ、
ｏｓ の時は、絶縁抵抗の低下をもたらし、またＸ≧３
．００ 、Ｙ≧１．０００時は、粒成長が抑制され、ま
だ焼成過程で磁器相互のくっつきを生じ易くなるため何
れも好ましくない。また資料Ｎ１２，５．１０より明ら
かな庫にＭｇＯとｋ１２０３ は相互作用に基づき特性
の良化に作用している。
（以下余白）
なお上記実施例では、半導体磁器の結晶粒界の絶縁化に
Ｂｉ 、 Ｃｕ 、 Ｍｎの酸化物塩からなるペースト
を半導体磁器表面に塗布する方法を用いて金属を粒界に
偏析させたが、浸漬、蒸着等の方法を用いて、金属また
はその化合物を半導体磁器表面に付与することが出来る
。また半導体磁器に付与する金属量および熱処理温度は
、各金属またはその化合物によって異なり、本実施例の
みに限定されるものではない。
Ｂｉ 、 Ｃｕ 、 Ｍｎの酸化物塩からなるペースト
を半導体磁器表面に塗布する方法を用いて金属を粒界に
偏析させたが、浸漬、蒸着等の方法を用いて、金属また
はその化合物を半導体磁器表面に付与することが出来る
。また半導体磁器に付与する金属量および熱処理温度は
、各金属またはその化合物によって異なり、本実施例の
みに限定されるものではない。
発明の効果
本発明は、Ｓｒ １−ｘＣａｚＴｉＯ５（０≦ｘ≦０．
２）にＮｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２０５
、’ｆｆ０３ 、Ｌａ２Ｃ）５ 、Ｎｄ２Ｏ３。
２）にＮｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２０５
、’ｆｆ０３ 、Ｌａ２Ｃ）５ 、Ｎｄ２Ｏ３。
Ｓｍ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３およびＣｅＯ２のうち少なくと
も一種類以上の金属酸化物塩を０．０１≦ｘ≦０．３モ
ル部、ＭｇＯを０．ｏ５≦Ｙ≦３．００モル部、ム１２
０３を○、Ｏ５≦Ｚ≦１．００モル部の組成物を還元雰
囲気中で焼成し半導体磁器を作製し、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ
を塗布し熱処理して得られる粒界絶縁型磁器組成物は表
面に銀電極を設けて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサに
すると、従来ν１１と較べて次のような効果を有する。
も一種類以上の金属酸化物塩を０．０１≦ｘ≦０．３モ
ル部、ＭｇＯを０．ｏ５≦Ｙ≦３．００モル部、ム１２
０３を○、Ｏ５≦Ｚ≦１．００モル部の組成物を還元雰
囲気中で焼成し半導体磁器を作製し、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ
を塗布し熱処理して得られる粒界絶縁型磁器組成物は表
面に銀電極を設けて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサに
すると、従来ν１１と較べて次のような効果を有する。
つまシ見掛けの誘電率が７８０００以上であり、ＯＲ積
が約４倍程度高く、破壊電圧が約１．５〜２陪程度高く
、容量の直流バイアス依存性が約Ａと低い、といった優
れた特徴をもち、更に誘電損失、静電容量の温度依存性
も従来例に較べ何ら遜色のない特性を示している。更に
前記の組成にＳｉＯ２を１．００モル部以下を添加する
ことにより前記組成の磁器より作られるコンデンサに較
べ更に冶縁抵抗を向上させることが出来る。
が約４倍程度高く、破壊電圧が約１．５〜２陪程度高く
、容量の直流バイアス依存性が約Ａと低い、といった優
れた特徴をもち、更に誘電損失、静電容量の温度依存性
も従来例に較べ何ら遜色のない特性を示している。更に
前記の組成にＳｉＯ２を１．００モル部以下を添加する
ことにより前記組成の磁器より作られるコンデンサに較
べ更に冶縁抵抗を向上させることが出来る。
よって本発明の粒界絶縁型磁器組成物を用いると、コン
デンサの小形化と信頼性の向上を図ることが出来、した
がって従来制限されていた粒界絶縁型半導体コンデンサ
の使用範囲を拡大できるものであり、工業的画値大なる
ものである。
デンサの小形化と信頼性の向上を図ることが出来、した
がって従来制限されていた粒界絶縁型半導体コンデンサ
の使用範囲を拡大できるものであり、工業的画値大なる
ものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（但し０≦
ｘ≦０．２）を１００モル部と、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ
＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｙ＿２Ｏ＿３
、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、Ｓｍ＿２Ｏ＿３及びＣｅＯ＿２のう
ち少くとも１種類の金属酸化物を０．０１〜１．０モル
部と、ＭｇＯを０．０５〜３．００モル部と、Ａｌ＿２
Ｏ＿３を０．０５〜１．００モル部含む粒界絶縁型磁器
組成物。 （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（但し０≦
ｘ≦０．２）を１００モル部と、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ
＿２Ｏ＿５、ＷＯ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｙ＿２Ｏ＿３
、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、Ｓｍ＿２Ｏ＿３及びＣｅＯ＿２のう
ち、少なくとも１種類の金属酸化物を ０．０１〜１．０モル部と、ＭｇＯを０．０５〜３．０
０モル部と、Ａｌ＿２Ｏ＿３を０．０５〜１．００モル
部と、ＳｉＯ＿２を０〜１．０モル部含む粒界絶縁型磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282431A JPH0734416B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 粒界絶縁型磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282431A JPH0734416B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 粒界絶縁型磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124209A true JPH01124209A (ja) | 1989-05-17 |
| JPH0734416B2 JPH0734416B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17652324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282431A Expired - Fee Related JPH0734416B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 粒界絶縁型磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734416B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187218A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製法 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282431A patent/JPH0734416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187218A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製法 |
| JP4614656B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2011-01-19 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734416B2 (ja) | 1995-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |