JPH01118563A - 絶縁性ペースト - Google Patents
絶縁性ペーストInfo
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- JPH01118563A JPH01118563A JP62274838A JP27483887A JPH01118563A JP H01118563 A JPH01118563 A JP H01118563A JP 62274838 A JP62274838 A JP 62274838A JP 27483887 A JP27483887 A JP 27483887A JP H01118563 A JPH01118563 A JP H01118563A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のアッセンブリー工程等に使用さ
れるエポキシ系の絶縁性ペーストに関し、特に最近の半
導体ベレットの大形化に対応するように改良したもので
、大形ベレットのマウントにおいて熱時の剥離強度に優
れ、配線等の腐蝕［線を起こすことの少ない絶縁性ペー
ストに関する。
れるエポキシ系の絶縁性ペーストに関し、特に最近の半
導体ベレットの大形化に対応するように改良したもので
、大形ベレットのマウントにおいて熱時の剥離強度に優
れ、配線等の腐蝕［線を起こすことの少ない絶縁性ペー
ストに関する。
（従来の技術）
半導体装置のアッセンブリーで、基板等の所定部分にＩ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体ベレットをマウントし、基板とベ
レットとを接着する工程は、半導体装置の長期信頼性に
影響を与える重要な工程の１つである。 従来、この接
着には絶縁性粉末を配合したエポキシ樹脂が用いられ、
この有機系ペーストを使用する場合は、樹脂やその硬化
剤が、ベレットのアルミニウム電極の腐蝕を促進し、断
線不良の原因となる場合が多く、半導体装置の信頼性を
低下させる。 また、この方法はペーストの作業性を良
くする目的で溶剤を使用しているなめ、基板を直接ヒー
タブロック等にのせる高速硬化や大形ベレットのマウン
トにおいてはボイドが発生したり、有機系ペースト被膜
にクラックが生じなりして、ボンディング不良や接続不
良、或いは熱時の剥離強度が弱くなる等の問題があり、
その結果、半導体装置の信頼性を悪くするという欠点が
あった。
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体ベレットをマウントし、基板とベ
レットとを接着する工程は、半導体装置の長期信頼性に
影響を与える重要な工程の１つである。 従来、この接
着には絶縁性粉末を配合したエポキシ樹脂が用いられ、
この有機系ペーストを使用する場合は、樹脂やその硬化
剤が、ベレットのアルミニウム電極の腐蝕を促進し、断
線不良の原因となる場合が多く、半導体装置の信頼性を
低下させる。 また、この方法はペーストの作業性を良
くする目的で溶剤を使用しているなめ、基板を直接ヒー
タブロック等にのせる高速硬化や大形ベレットのマウン
トにおいてはボイドが発生したり、有機系ペースト被膜
にクラックが生じなりして、ボンディング不良や接続不
良、或いは熱時の剥離強度が弱くなる等の問題があり、
その結果、半導体装置の信頼性を悪くするという欠点が
あった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、これらの欠点を解消するためになされたもの
で、高速硬化やベレットの大形化においてもボイドおよ
びペースト被膜のクラック発生がなく、熱時の剥離強度
に優れ、電極配線の腐蝕・断線や接続不良がなく、信頼
性の高い半導体装置が得られる絶縁性ペーストを提供し
ようとするものである。
で、高速硬化やベレットの大形化においてもボイドおよ
びペースト被膜のクラック発生がなく、熱時の剥離強度
に優れ、電極配線の腐蝕・断線や接続不良がなく、信頼
性の高い半導体装置が得られる絶縁性ペーストを提供し
ようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、シクロ系液状エポキシモノマーと液状エポキ
シ樹脂とを組み合わせることによって、上記目的が達成
されることを見いだし、本発明を完成させたものである
。
ねた結果、シクロ系液状エポキシモノマーと液状エポキ
シ樹脂とを組み合わせることによって、上記目的が達成
されることを見いだし、本発明を完成させたものである
。
すなわち、本発明は、（Ａ）シクロ系液状エポキシモノ
マー、（Ｂ）液状エポキシ樹脂、及び（Ｃ）絶縁性粉末
を含むことを特徴とする絶縁性ペーストである。 そし
て、（Ａ）シクロ系液状エポキシモノマーとＣＢ）液状
エポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）／（Ｂ）］が２／９
８〜４０〜６０（重量比）ア範囲内にある絶縁性ペース
トである。
マー、（Ｂ）液状エポキシ樹脂、及び（Ｃ）絶縁性粉末
を含むことを特徴とする絶縁性ペーストである。 そし
て、（Ａ）シクロ系液状エポキシモノマーとＣＢ）液状
エポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）／（Ｂ）］が２／９
８〜４０〜６０（重量比）ア範囲内にある絶縁性ペース
トである。
本発明に用いる（Ａ）シクロ系液状エポキシモノマーと
しては、例えばセロキサイド２０２１゜３０００．４０
００ （ダイセル化学社製、商品名）、ＥＲＬ−４２２
１，４２８９，４２０５゜４２０６．４２３４ （ユニ
オンカーバイド社製、 □商品名）等が挙げられ、こ
れらは単独もしくは２種以上混合して使用することがで
きる。 シクロ系液状エポキシモノマーの配合割合は、
シクロ系液状エポキシモノマー／液状エポキシ樹脂＝［
（Ａ）／（Ｂ）］＝ ２／９８〜４０／６０ （重量比
）の範囲内であり、好ましくは５／９５〜３０／ ７０
の範囲内である。 シクロ系液状エポキシモノマーが２
／９８より少ないとペーストに十分な柔軟性を与えるこ
とができず、また、４０／６０を超えると液状エポキシ
樹脂の硬化を著しく遅らせ、熱時の剥離強度が弱くなり
好ましくない。
しては、例えばセロキサイド２０２１゜３０００．４０
００ （ダイセル化学社製、商品名）、ＥＲＬ−４２２
１，４２８９，４２０５゜４２０６．４２３４ （ユニ
オンカーバイド社製、 □商品名）等が挙げられ、こ
れらは単独もしくは２種以上混合して使用することがで
きる。 シクロ系液状エポキシモノマーの配合割合は、
シクロ系液状エポキシモノマー／液状エポキシ樹脂＝［
（Ａ）／（Ｂ）］＝ ２／９８〜４０／６０ （重量比
）の範囲内であり、好ましくは５／９５〜３０／ ７０
の範囲内である。 シクロ系液状エポキシモノマーが２
／９８より少ないとペーストに十分な柔軟性を与えるこ
とができず、また、４０／６０を超えると液状エポキシ
樹脂の硬化を著しく遅らせ、熱時の剥離強度が弱くなり
好ましくない。
本発明に用いる（Ｂ）液状エポキシ樹脂とじては、液状
ビスフェノールＡあるいは液状ビスフェノールＦタイプ
のエポキシ樹脂等がある。 具体的には、例えばＥＰ８
０７．ＹＬ９８０．ＹＬ９８３（油化シーエルエポキシ
社製、商品名）、エピクロン８３０Ｓ （大日本インキ
化学工業社製、商品名）、ＡＥＲＸ２３１７．８５０１
（旭化成社製、商品名）等が挙げられこれらは単独も
しくは２種以上混合して使用することができる。
ビスフェノールＡあるいは液状ビスフェノールＦタイプ
のエポキシ樹脂等がある。 具体的には、例えばＥＰ８
０７．ＹＬ９８０．ＹＬ９８３（油化シーエルエポキシ
社製、商品名）、エピクロン８３０Ｓ （大日本インキ
化学工業社製、商品名）、ＡＥＲＸ２３１７．８５０１
（旭化成社製、商品名）等が挙げられこれらは単独も
しくは２種以上混合して使用することができる。
本発明に用いる（Ｃ）絶縁性粉末としては、アルカリ金
属イオン、ハロゲンイオン等のイオン性不純物を含まな
いことが必要である。 このために、イオン性不純物を
含まない絶縁性粉末を選定する。 水、溶剤等で洗浄し
てイオン性不純物を取り除く、 また、この絶縁性粉末
の熱伝導度は１０ ｋＷ −ｒａ−’ ・” Ｋ−’
（ａｔ ０℃）以上であることが望ましく、好ましくは
２０ ｋＷ・ 「１・０に一１以上が良い、 このよう
な絶縁性粉末としては、例えば炭化ホウ素、窒化ホウ素
、窒化アルミニウム、窒化チタン等の非酸化物のセラミ
ック粉末、ベリラム、マグネシウム、アルミニウム、チ
タン、シリコン等の酸化物等が挙げられ、これらは単独
又は２種以上の混合系として用いる。 絶縁性粉末は、
バインダーとなる樹脂成分、すなわちシクロ系液状エポ
キシモノマーおよび液状エポキシ樹脂と混合されるがそ
の配合割合は、樹脂成分［（Ａ）＋（Ｂ）］３３０〜９
０重量に対して、１０〜７０重量部である。 絶縁性粉
末が１０重量部未満では適当な塗布作業性が得られず、
また７０重量部を超えると絶縁性ペーストの粘度が極め
て高く作業性が悪くなり好ましくない。
属イオン、ハロゲンイオン等のイオン性不純物を含まな
いことが必要である。 このために、イオン性不純物を
含まない絶縁性粉末を選定する。 水、溶剤等で洗浄し
てイオン性不純物を取り除く、 また、この絶縁性粉末
の熱伝導度は１０ ｋＷ −ｒａ−’ ・” Ｋ−’
（ａｔ ０℃）以上であることが望ましく、好ましくは
２０ ｋＷ・ 「１・０に一１以上が良い、 このよう
な絶縁性粉末としては、例えば炭化ホウ素、窒化ホウ素
、窒化アルミニウム、窒化チタン等の非酸化物のセラミ
ック粉末、ベリラム、マグネシウム、アルミニウム、チ
タン、シリコン等の酸化物等が挙げられ、これらは単独
又は２種以上の混合系として用いる。 絶縁性粉末は、
バインダーとなる樹脂成分、すなわちシクロ系液状エポ
キシモノマーおよび液状エポキシ樹脂と混合されるがそ
の配合割合は、樹脂成分［（Ａ）＋（Ｂ）］３３０〜９
０重量に対して、１０〜７０重量部である。 絶縁性粉
末が１０重量部未満では適当な塗布作業性が得られず、
また７０重量部を超えると絶縁性ペーストの粘度が極め
て高く作業性が悪くなり好ましくない。
本発明の絶縁性ペーストは上述した各成分、すなわち、
シクロ系液状エポキシモノマー、液状エポキシ樹脂およ
び絶縁性粉末を含むが本発明の主旨に反しない限度にお
いて、必要に応じて他の成分を添加配合することができ
る。
シクロ系液状エポキシモノマー、液状エポキシ樹脂およ
び絶縁性粉末を含むが本発明の主旨に反しない限度にお
いて、必要に応じて他の成分を添加配合することができ
る。
この絶縁性ペーストは、各成分を配合し、３本ロール等
により均一に混練して容易に製造することができる。
そして、この絶縁性ペーストを所定の場所にデイスペン
サー、スクリーン印刷、ビン転写法等によって塗布した
後、数秒から数十時間接、各種半導体ベレットを載せ加
熱硬化させて使用する。 絶縁性ペーストは、種々の硬
化条件で硬化させることが可能であるが１５０〜２００
℃で１時間、オーブン硬化もしくは２５０℃以上で数十
秒のし−タブロック硬化が好ましい。
により均一に混練して容易に製造することができる。
そして、この絶縁性ペーストを所定の場所にデイスペン
サー、スクリーン印刷、ビン転写法等によって塗布した
後、数秒から数十時間接、各種半導体ベレットを載せ加
熱硬化させて使用する。 絶縁性ペーストは、種々の硬
化条件で硬化させることが可能であるが１５０〜２００
℃で１時間、オーブン硬化もしくは２５０℃以上で数十
秒のし−タブロック硬化が好ましい。
（作用）
シクロ系液状エポキシモノマーと液状エポキシ樹脂とを
組み合わせることによってエポキシ樹脂の硬化性、密着
性を阻害することなく、可どう性を付与することができ
る。 従って、絶縁性ペーストと基板、リードフレーム
等の基材との剥離やペーストのクラックの発生がなく、
特に大形ベレットにおける熱時剥離強度が大幅に改善さ
れる。
組み合わせることによってエポキシ樹脂の硬化性、密着
性を阻害することなく、可どう性を付与することができ
る。 従って、絶縁性ペーストと基板、リードフレーム
等の基材との剥離やペーストのクラックの発生がなく、
特に大形ベレットにおける熱時剥離強度が大幅に改善さ
れる。
（実施例）
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
実施例 １〜４
第１表に示した各成分を３本ロールで３回混練して絶縁
性ペーストをそれぞれ製造した。 こうして得られた導
電性ペーストを硬化させ、ボイドの発生、体積抵抗率、
剥離強度、ペースト層のクラックを試験したので、その
結果を第１表に示した。 実施例はいずれも、ボイドの
発生、クラックの発生がなく、優れた剥離強度を示し、
本発明の効果が確認された。
性ペーストをそれぞれ製造した。 こうして得られた導
電性ペーストを硬化させ、ボイドの発生、体積抵抗率、
剥離強度、ペースト層のクラックを試験したので、その
結果を第１表に示した。 実施例はいずれも、ボイドの
発生、クラックの発生がなく、優れた剥離強度を示し、
本発明の効果が確認された。
比較例
シクロ系液状エポキシモノマーを使用せず、液状エポキ
シ樹脂のみを使用した絶縁性ペーストを実施例１〜４と
同様にして製造し、また同様な試験を行ったので、その
結果を第１表に示した。
シ樹脂のみを使用した絶縁性ペーストを実施例１〜４と
同様にして製造し、また同様な試験を行ったので、その
結果を第１表に示した。
［発明の効果］
以上の説明および第１表から明らかなように、本発明の
絶縁性ペーストは、高速硬化や大形ベレットにおいても
ボイドやクラックの発生がなく、基材と強固に密着し、
特に熱時の剥離強度に優れ、配線の腐蝕、断線や接続不
良がないもので、これを使用することによって信頼性の
高い半導体装置をつくることができる。
絶縁性ペーストは、高速硬化や大形ベレットにおいても
ボイドやクラックの発生がなく、基材と強固に密着し、
特に熱時の剥離強度に優れ、配線の腐蝕、断線や接続不
良がないもので、これを使用することによって信頼性の
高い半導体装置をつくることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （Ａ）シクロ系液状エポキシモノマー、（Ｂ）液状
エポキシ樹脂、及び（Ｃ）絶縁性粉末を含むことを特徴
とする絶縁性ペースト。 ２ （Ａ）シクロ系液状エポキシモノマーと（Ｂ）液状
エポキシ樹脂との配合割合［（Ａ）／（Ｂ）］が２／９
８〜４０／６０（重量比）の範囲内である特許請求の範
囲第１項記載の絶縁性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274838A JPH01118563A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 絶縁性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274838A JPH01118563A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 絶縁性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01118563A true JPH01118563A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17547289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274838A Pending JPH01118563A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 絶縁性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01118563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0446580A1 (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-18 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure with encapsulant and composition of the latter |
| EP0446666A3 (en) * | 1990-03-14 | 1992-01-08 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure on organic substrates and process for making |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604523A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS60255859A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62274838A patent/JPH01118563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JPS604523A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS60255859A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
Cited By (3)
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