JPH01114115A - 電圧駆動形パワー素子のドライブ回路 - Google Patents
電圧駆動形パワー素子のドライブ回路Info
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- JPH01114115A JPH01114115A JP62272853A JP27285387A JPH01114115A JP H01114115 A JPH01114115 A JP H01114115A JP 62272853 A JP62272853 A JP 62272853A JP 27285387 A JP27285387 A JP 27285387A JP H01114115 A JPH01114115 A JP H01114115A
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、誘導電動機駆動用インバータ等に用いられる
電圧駆動形パワー素子のドライブ回路に関し、特に、従
来のバイポーラトランジスタのような電流駆動形パワー
素子に代わって、パワーＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素
子を用いた場合のドライブ回路に関するものである。
電圧駆動形パワー素子のドライブ回路に関し、特に、従
来のバイポーラトランジスタのような電流駆動形パワー
素子に代わって、パワーＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素
子を用いた場合のドライブ回路に関するものである。
誘導電動機駆動用インバータ等の駆動電源においては、
第７図に示すように、直流電源７を、誘導電動機８を駆
動するための三相交流に変換するスイッチング素子とし
て、一般的にトランジスタ１〜６が用いられている。そ
して、これらのトランジスタは第８図に示すような構成
のドライブ回路で駆動される。
第７図に示すように、直流電源７を、誘導電動機８を駆
動するための三相交流に変換するスイッチング素子とし
て、一般的にトランジスタ１〜６が用いられている。そ
して、これらのトランジスタは第８図に示すような構成
のドライブ回路で駆動される。
この第８図の回路の動作について説明すると、制御信号
１０がフォトカプラ１２を介して電気的に絶縁されてベ
ースドライブ用ＩＣｌ３に伝達され、その出力信号であ
るドライブ信号９によってトランジスタ１１がドライブ
される。このとき、ベースドライブ用Ｉ Ｃ１５には制
御信号１０と電気的に絶縁されたドライブ電源１３．１
４が必要となる。すなわち、第７図において、トランジ
スタ２，４．６をドライブする場合、これらのトランジ
スタのエミッタ電位は等しいため、ドライブ電源の零電
位は共通でよい。一方、トランジスタ１．３．５をドラ
イブする場合、各トランジスタのエミッタ電位が異なる
ため、ドライブ電源の零電位を分ける必要がある。
１０がフォトカプラ１２を介して電気的に絶縁されてベ
ースドライブ用ＩＣｌ３に伝達され、その出力信号であ
るドライブ信号９によってトランジスタ１１がドライブ
される。このとき、ベースドライブ用Ｉ Ｃ１５には制
御信号１０と電気的に絶縁されたドライブ電源１３．１
４が必要となる。すなわち、第７図において、トランジ
スタ２，４．６をドライブする場合、これらのトランジ
スタのエミッタ電位は等しいため、ドライブ電源の零電
位は共通でよい。一方、トランジスタ１．３．５をドラ
イブする場合、各トランジスタのエミッタ電位が異なる
ため、ドライブ電源の零電位を分ける必要がある。
このように、前記のトランジスタ１〜６のエミッタ電位
は個々において異なるため、各トランジスタ１〜６のベ
ースドライブ回路に零電位の異なる電源、すなわち電気
的に絶縁された電源が必要となる。
は個々において異なるため、各トランジスタ１〜６のベ
ースドライブ回路に零電位の異なる電源、すなわち電気
的に絶縁された電源が必要となる。
一方、従来においてインバータに一般的に用いられてい
るバイポーラトランジスタは電流駆動であるため、個々
のベースドライブ面路に、ある程度の電源容量をもった
個々のドライブ回路が必要であるという難点がある。
るバイポーラトランジスタは電流駆動であるため、個々
のベースドライブ面路に、ある程度の電源容量をもった
個々のドライブ回路が必要であるという難点がある。
このようなバイポーラトランジスタ等の電流駆動形パワ
ー素子に対し、ＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子は、そ
の個々のドライブ回路にドライブ電源を設ける程の電力
は必要でないという利点がある。
ー素子に対し、ＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子は、そ
の個々のドライブ回路にドライブ電源を設ける程の電力
は必要でないという利点がある。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであり、パワーＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子の利
点を利用して、個々のドライブ回路にドライブ電源が不
要なドライブ回路を提供することを目的とする。
のであり、パワーＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子の利
点を利用して、個々のドライブ回路にドライブ電源が不
要なドライブ回路を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明の電圧駆動形パワー素
子のドライブ回路は、インバータドライブ装置等のパワ
ー素子のドライブ回路において、前記パワー素子を形成
するＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子と、正゛のパルス
列と負のパルス列とが、前記パワー素子のオンオフ間隔
に等しい間隔で交互に切り替わるパルス信号を生成する
制御回路と、該制御回路と前記パワー素子のドライブ回
路との間の信号伝送に用いられるパルストランスと、該
パルストランスの二次側に出力されるパルス状の電圧を
平滑して前記パワー素子のベース又はゲートにドライブ
電圧を与える平滑手段とを有することを特徴とする。
子のドライブ回路は、インバータドライブ装置等のパワ
ー素子のドライブ回路において、前記パワー素子を形成
するＦＥＴ等の電圧駆動形パワー素子と、正゛のパルス
列と負のパルス列とが、前記パワー素子のオンオフ間隔
に等しい間隔で交互に切り替わるパルス信号を生成する
制御回路と、該制御回路と前記パワー素子のドライブ回
路との間の信号伝送に用いられるパルストランスと、該
パルストランスの二次側に出力されるパルス状の電圧を
平滑して前記パワー素子のベース又はゲートにドライブ
電圧を与える平滑手段とを有することを特徴とする。
第１図に本発明の基本構成を示す。本発明においては、
電圧型動形素子１７のゲート−ソース間容量２０又は外
付コンデンサ１６に高周波の正及び負のパルス列１８を
印加する。これにより、外付コンデンサ１６又はゲート
−ソース間容量２０は正及び負に交互に充電され、電圧
型動形素子１７のゲート−ソース間に連続した順バイア
ス及び逆バイアス信号１９を与え、電圧型動形素子１７
がドライブされる。
電圧型動形素子１７のゲート−ソース間容量２０又は外
付コンデンサ１６に高周波の正及び負のパルス列１８を
印加する。これにより、外付コンデンサ１６又はゲート
−ソース間容量２０は正及び負に交互に充電され、電圧
型動形素子１７のゲート−ソース間に連続した順バイア
ス及び逆バイアス信号１９を与え、電圧型動形素子１７
がドライブされる。
第２図に本発明の基本回路例を示す。この回路は、第１
図に示した回路を実用に則して具体化したものであり、
制御回路６０とドライブ回路６１との絶縁にパルストラ
ンス２５を用いている。
図に示した回路を実用に則して具体化したものであり、
制御回路６０とドライブ回路６１との絶縁にパルストラ
ンス２５を用いている。
ここで、第８図の従来の回路において、フォトカブラ１
２０人力段までを制御回路、出力段以降をドライブ回路
とし、第８図にならって書くと、第２図の回路構成は第
５図のようになる。第８図において、制御回路からフォ
トカブラ１２に人力される制御信号が第５図においては
パルストランス人力信号発生回路に人力され、これから
出力されるパルストランス入力信号が第２図の回路に入
力され、パワーＦＥＴのドライブ信号に変換される。
２０人力段までを制御回路、出力段以降をドライブ回路
とし、第８図にならって書くと、第２図の回路構成は第
５図のようになる。第８図において、制御回路からフォ
トカブラ１２に人力される制御信号が第５図においては
パルストランス人力信号発生回路に人力され、これから
出力されるパルストランス入力信号が第２図の回路に入
力され、パワーＦＥＴのドライブ信号に変換される。
ドライブ回路は、第５図においては破線で示される範囲
と考えることができる。
と考えることができる。
なお、第２図は本発明の基本概念を例示したものであり
、制御信号３５のような、正・負のパルス列が入力され
さえすれば、パルストランス２５０１次側の回路はどの
ようなものでもよい。
、制御信号３５のような、正・負のパルス列が入力され
さえすれば、パルストランス２５０１次側の回路はどの
ようなものでもよい。
次に、第２図の回路の動作を説明する。まず、パワーＦ
ＥＴスイッチングパターン発生器５８から出力されたパ
ワーＦＥＴスイッチングパターン信号６４が、制御信号
発生回路５９を経て正負のパルス列からなる制御信号３
５に変換され、パルストランス２５に入力される。
ＥＴスイッチングパターン発生器５８から出力されたパ
ワーＦＥＴスイッチングパターン信号６４が、制御信号
発生回路５９を経て正負のパルス列からなる制御信号３
５に変換され、パルストランス２５に入力される。
パルストランス２５の１次側に正のパルス列が入力され
ている期間で、スイッチ２７をオンさせる。
ている期間で、スイッチ２７をオンさせる。
このとき、スイッチ２６はオフさせておく。すると、パ
ルストランス２５の２次側一スイツチ２７〜ダイオード
２９〜抵抗３０〜コンデンサ３１〜パルストランス２５
の２次側という経路でコンデンサ３１に正に充電された
電荷はパルストランスの２次側電圧υ３がｖ３＝０とな
ってもダイオード２９に逆バイアスがかかるため放電す
ることはなく、コンデンサ３１の両端の電圧は一定の値
を保つ。
ルストランス２５の２次側一スイツチ２７〜ダイオード
２９〜抵抗３０〜コンデンサ３１〜パルストランス２５
の２次側という経路でコンデンサ３１に正に充電された
電荷はパルストランスの２次側電圧υ３がｖ３＝０とな
ってもダイオード２９に逆バイアスがかかるため放電す
ることはなく、コンデンサ３１の両端の電圧は一定の値
を保つ。
パルストランス２５の１次側に負のパルス、列が人力さ
れている期間は、逆にスイッチ２６をオンさせ、スイッ
チ２７をオフさせる。このときも同様にコンデンサ３１
に負に充電された電荷はｖ、＝０となってもダイオード
２８に逆バイアスが掛かるため、放電することはなく、
コンデンサ３１の両端の電圧は一定の値を保つ。したが
って、コンデンサ３Ｉの両端の電圧はドライブ信号３６
のようになり、パワーＦ Ｅ Ｔ３２をドライブするこ
とができ゛る。
れている期間は、逆にスイッチ２６をオンさせ、スイッ
チ２７をオフさせる。このときも同様にコンデンサ３１
に負に充電された電荷はｖ、＝０となってもダイオード
２８に逆バイアスが掛かるため、放電することはなく、
コンデンサ３１の両端の電圧は一定の値を保つ。したが
って、コンデンサ３Ｉの両端の電圧はドライブ信号３６
のようになり、パワーＦ Ｅ Ｔ３２をドライブするこ
とができ゛る。
ここで、パルストランス２５０１次側に連続した正及び
負のパルス列を与えている理由は、ダイオード２８．２
９の漏れ電流及びスイッチ２６．２７を半導体スイッチ
に置き換えた場合の漏れ電流によるコンデンサ３１の充
電電荷の放電あるいはノイズによる誤動作によるコンデ
ンサ３１の充電電荷の放電を考慮してのものであり、原
理的には数回圧及び負のパルスを与えればコンデンサ３
１は正及び負に充電される。
負のパルス列を与えている理由は、ダイオード２８．２
９の漏れ電流及びスイッチ２６．２７を半導体スイッチ
に置き換えた場合の漏れ電流によるコンデンサ３１の充
電電荷の放電あるいはノイズによる誤動作によるコンデ
ンサ３１の充電電荷の放電を考慮してのものであり、原
理的には数回圧及び負のパルスを与えればコンデンサ３
１は正及び負に充電される。
第３図に本発明の一実施例を示す。第３図の回路は第２
図の回路のスイッチ２６．２７をトランジスタ４７．４
８で置き換え、さらに第２図の回路のパルストランス２
５の１次側に印加するパルス列３５を直流電源４１及び
スイッチ３７〜４０をオンオフさせることにより発生さ
せている。
図の回路のスイッチ２６．２７をトランジスタ４７．４
８で置き換え、さらに第２図の回路のパルストランス２
５の１次側に印加するパルス列３５を直流電源４１及び
スイッチ３７〜４０をオンオフさせることにより発生さ
せている。
第４図に第３図の回路の動作の概要を示す。その動作と
して、まずスイッチ３７及び４０がスイッチング動作し
ている期間を与える（第４図の期間Ｂ参照）。スイッチ
３７．４０共にオンの期間はパルストランス４２０１次
側にはパルストランス４２の２次側誘起電圧υ、の矢印
と同方向（以下正方向とする）の電圧が印加される。そ
して、パルストランス４２０２次側に正方向に誘起され
た電圧υ５により、トランジスタ４８が抵抗４６．５３
を介して順バイアス状態となり、パルストランス４２の
２次側〜トランジスタ４８のエミッタ〜コレクタ〜ダイ
オード５０〜抵抗５４〜コンデンサ５６〜パルストラン
ス４２の２次側という経路を通って電流が流れ、コンデ
ンサ５６が正方向に充電される。次に、スイッチ４０が
オンのままでスイッチ３７をオフさせるとυ、＝０とな
る。このときダイオード５０は、トランジスタ４８のコ
レクタ・ベース間がコンデンサ５６の充電電圧により順
バイアスされてオン状態となり、コンデンサ５６の充電
電荷が充電時と逆方向となるように電流が流れることに
より放電するのを防ぐ働きをする。
して、まずスイッチ３７及び４０がスイッチング動作し
ている期間を与える（第４図の期間Ｂ参照）。スイッチ
３７．４０共にオンの期間はパルストランス４２０１次
側にはパルストランス４２の２次側誘起電圧υ、の矢印
と同方向（以下正方向とする）の電圧が印加される。そ
して、パルストランス４２０２次側に正方向に誘起され
た電圧υ５により、トランジスタ４８が抵抗４６．５３
を介して順バイアス状態となり、パルストランス４２の
２次側〜トランジスタ４８のエミッタ〜コレクタ〜ダイ
オード５０〜抵抗５４〜コンデンサ５６〜パルストラン
ス４２の２次側という経路を通って電流が流れ、コンデ
ンサ５６が正方向に充電される。次に、スイッチ４０が
オンのままでスイッチ３７をオフさせるとυ、＝０とな
る。このときダイオード５０は、トランジスタ４８のコ
レクタ・ベース間がコンデンサ５６の充電電圧により順
バイアスされてオン状態となり、コンデンサ５６の充電
電荷が充電時と逆方向となるように電流が流れることに
より放電するのを防ぐ働きをする。
スイッチ３８及び３９がスイッチング動作している期間
（第４図期間Ａ参照）も同様に考えることができる。す
なわちスイッチ３８．３９共にオンの期間はパルストラ
ンス４２の２次側誘起電圧Ｖ、には負方向の電圧が誘起
され、トランジスタ４７が順バイアスされる。これによ
り、パルストランス４２の２次側〜コンデンサ５６〜抵
抗５４〜ダイオード４９〜トランジスタ４７のコレクタ
〜エミッタ〜パルストランス４２の２次側という経路で
電流が流れ、これによりコンデンサ５６は負に充電され
る。ダイオード４９はコンデンサ５６が正方向に充電さ
れるときと同様、υ５＝０のときにコンデンサ５６の放
電を防ぐためのものである。
（第４図期間Ａ参照）も同様に考えることができる。す
なわちスイッチ３８．３９共にオンの期間はパルストラ
ンス４２の２次側誘起電圧Ｖ、には負方向の電圧が誘起
され、トランジスタ４７が順バイアスされる。これによ
り、パルストランス４２の２次側〜コンデンサ５６〜抵
抗５４〜ダイオード４９〜トランジスタ４７のコレクタ
〜エミッタ〜パルストランス４２の２次側という経路で
電流が流れ、これによりコンデンサ５６は負に充電され
る。ダイオード４９はコンデンサ５６が正方向に充電さ
れるときと同様、υ５＝０のときにコンデンサ５６の放
電を防ぐためのものである。
次に、ダイオード４３．４４、抵抗４５、ツェナーダイ
オード５１．５２の動作について述べる。
オード５１．５２の動作について述べる。
スイッチ３７．４０が共にオンしていて、その後、スイ
ッチ３７がオフした時を考える。このとき、パルストラ
ンス４２には逆起電力が発生するが、そのサージ電圧は
本来オンしてはならないトランジスタ４７をオンさせる
可能性があるが、ダイオード４３を付加することにより
、パルストランス４２の１次側一スイツチ４０〜ダイオ
ード４３〜パルストランス４２の１次側という短絡回路
ができるため、抑制される。ダイオード４４もスイッチ
３８．３９がオンしていて、スイッチ３８がオフした時
に同様の働きをする。またパルストランス４２の２次側
の負荷抵抗４５により逆起電力分はある程度まで消費さ
れる。ここで、磁束飽和の可能性を解消するため、スイ
ッチ３７及び３８のオンの期間をオフの期間より充分短
（しておく。
ッチ３７がオフした時を考える。このとき、パルストラ
ンス４２には逆起電力が発生するが、そのサージ電圧は
本来オンしてはならないトランジスタ４７をオンさせる
可能性があるが、ダイオード４３を付加することにより
、パルストランス４２の１次側一スイツチ４０〜ダイオ
ード４３〜パルストランス４２の１次側という短絡回路
ができるため、抑制される。ダイオード４４もスイッチ
３８．３９がオンしていて、スイッチ３８がオフした時
に同様の働きをする。またパルストランス４２の２次側
の負荷抵抗４５により逆起電力分はある程度まで消費さ
れる。ここで、磁束飽和の可能性を解消するため、スイ
ッチ３７及び３８のオンの期間をオフの期間より充分短
（しておく。
ツェナーダイオード５１．５２は、前述のように発生す
るパルストランス４２の逆起電力分がある程度存在して
も、本来オンしてはならないトランジスタ４７あるいは
４８が誤点弧することを防ぐため、トランジスタ４７．
４８のバイアス電圧にある程度の閾値を持たせるための
ものである。
るパルストランス４２の逆起電力分がある程度存在して
も、本来オンしてはならないトランジスタ４７あるいは
４８が誤点弧することを防ぐため、トランジスタ４７．
４８のバイアス電圧にある程度の閾値を持たせるための
ものである。
これらの動作を周期的に繰り返すことにより、パワーＦ
ＥＴ等の電圧駆動形パワー素子のドライブ信号を第４図
（ｆ）のｖ６ に示すように発生させることが可能とな
る。
ＥＴ等の電圧駆動形パワー素子のドライブ信号を第４図
（ｆ）のｖ６ に示すように発生させることが可能とな
る。
ここで第６図に第３図の回路のスイッチ３７〜４０にス
イッチングパターン信号を発生させるための周辺回路を
示す。パワーＦＥＴスイッチングパターン発生器５８か
ら出力されるパワーＦＥＴスイッチングパターン信号６
４が、スイッチ３７〜４０のスイッチングパターン発生
回路６２を経て、スイッチ３７〜４０のスイッチングパ
ターン信号６５に変換され、第３図の回路６３のスイッ
チ３７〜４０をスイッチングする。
イッチングパターン信号を発生させるための周辺回路を
示す。パワーＦＥＴスイッチングパターン発生器５８か
ら出力されるパワーＦＥＴスイッチングパターン信号６
４が、スイッチ３７〜４０のスイッチングパターン発生
回路６２を経て、スイッチ３７〜４０のスイッチングパ
ターン信号６５に変換され、第３図の回路６３のスイッ
チ３７〜４０をスイッチングする。
以上に説明したように、本発明においては、電圧駆動層
素子のゲート−ソース間容量又は外付コンデンサに高周
波の正及び負のパルス列を印加するようにしている。こ
れにより、外付コンデンサ又はゲート−ソース間容量は
正及び負に交互に充電され、電圧駆翳形素子のゲート−
ソース間に連続した順バイアス及び逆バイアス信号が与
えられて電圧駆動層素子がドライブされることになる。
素子のゲート−ソース間容量又は外付コンデンサに高周
波の正及び負のパルス列を印加するようにしている。こ
れにより、外付コンデンサ又はゲート−ソース間容量は
正及び負に交互に充電され、電圧駆翳形素子のゲート−
ソース間に連続した順バイアス及び逆バイアス信号が与
えられて電圧駆動層素子がドライブされることになる。
したがって、従来のバイポーラトランジスタ等の電流駆
動形パワー素子の駆動の際は必要であった個々のドライ
ブ電源が不要となる。ざらに、パワーＦＥＴ等の電圧駆
動形パワー素子の利点である電圧信号による駆動のため
のパワーＦＥＴの定格値によってゲート−ソース間容量
が異なるため、多少の依存性はあるものの、トランジス
タはど定格値による電源容量の依存性は大きくない。し
たがって、ドライブ回路の共通化、標準化が容易である
。
動形パワー素子の駆動の際は必要であった個々のドライ
ブ電源が不要となる。ざらに、パワーＦＥＴ等の電圧駆
動形パワー素子の利点である電圧信号による駆動のため
のパワーＦＥＴの定格値によってゲート−ソース間容量
が異なるため、多少の依存性はあるものの、トランジス
タはど定格値による電源容量の依存性は大きくない。し
たがって、ドライブ回路の共通化、標準化が容易である
。
第１図は本発明の原理図、第２図は本発明の基本回路例
を示す回路図、第３図は本発明の実施例を示す回路図、
第４図は第３図の各部の波形図、第５図は本発明の概略
構成図、第６図は第３図の回路のスイッチ３７〜４０に
スイッチングパターン信号を発生させるための周辺回路
を示す図、第７図は一般的なトランジスタインバータの
概略図、第８図は従来のトランジスタドライブ回路の動
作を説明する回路図である。 １〜６，１１．４７，４８ ： ）ランジスタフ、４に
直流電源 ８：誘導電動機９ニドライブ信号
１ｏ：制御信号１２：フォトカプラ １３
．１４ニドライブ電源Ｉ５：ベースドライブ用ｒｃ １６、３１．５６ ：コンデンサ １７、３２．５７ ：電圧駆動層素子 １８、１９．３５ ：信号 ２０：ゲートーソース間容看 ２５．４２：パルストランス ２６、２７．３７〜４０：スイッチ ２８、２９．４３．４４．４９．５０：ダイオード３０
、４５．４６．５３．５４．５５：抵抗５１．５２：ツ
ェナーダイオード ５８：パワーＦＥＴスイッチングパターン発生器５９：
制御信号発生回路 ６０：制御回路 ６１ニドライブ回路 ６２：スイッチ３７〜４０のスイッチングパターン発生
回路 ６３：第３図の回路部分 ６４：パワーＦＥＴスイッチングパターン信号６５：ス
イッチ３７〜４０のスイッチングパターン信号。 特許出願人 株式会社 安用電機製作所代 理
人 小 堀 益 （ほか２名）第５図 第７図 ｆ回路 第８図
を示す回路図、第３図は本発明の実施例を示す回路図、
第４図は第３図の各部の波形図、第５図は本発明の概略
構成図、第６図は第３図の回路のスイッチ３７〜４０に
スイッチングパターン信号を発生させるための周辺回路
を示す図、第７図は一般的なトランジスタインバータの
概略図、第８図は従来のトランジスタドライブ回路の動
作を説明する回路図である。 １〜６，１１．４７，４８ ： ）ランジスタフ、４に
直流電源 ８：誘導電動機９ニドライブ信号
１ｏ：制御信号１２：フォトカプラ １３
．１４ニドライブ電源Ｉ５：ベースドライブ用ｒｃ １６、３１．５６ ：コンデンサ １７、３２．５７ ：電圧駆動層素子 １８、１９．３５ ：信号 ２０：ゲートーソース間容看 ２５．４２：パルストランス ２６、２７．３７〜４０：スイッチ ２８、２９．４３．４４．４９．５０：ダイオード３０
、４５．４６．５３．５４．５５：抵抗５１．５２：ツ
ェナーダイオード ５８：パワーＦＥＴスイッチングパターン発生器５９：
制御信号発生回路 ６０：制御回路 ６１ニドライブ回路 ６２：スイッチ３７〜４０のスイッチングパターン発生
回路 ６３：第３図の回路部分 ６４：パワーＦＥＴスイッチングパターン信号６５：ス
イッチ３７〜４０のスイッチングパターン信号。 特許出願人 株式会社 安用電機製作所代 理
人 小 堀 益 （ほか２名）第５図 第７図 ｆ回路 第８図
Claims (1)
- １、インバータドライブ装置等のパワー素子のドライブ
回路において、前記パワー素子を形成するＦＥＴ等の電
圧駆動形パワー素子と、正のパルス列と負のパルス列と
が、前記パワー素子のオンオフ間隔に等しい間隔で交互
に切り替わるパルス信号を生成する制御回路と、該制御
回路と前記パワー素子のドライブ回路との間の信号伝送
に用いられるパルストランスと、該パルストランスの二
次側に出力されるパルス状の電圧を平滑して前記パワー
素子のベース又はゲートにドライブ電圧を与える平滑手
段とを有することを特徴とする電圧駆動形パワー素子の
ドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272853A JPH01114115A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 電圧駆動形パワー素子のドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272853A JPH01114115A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 電圧駆動形パワー素子のドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114115A true JPH01114115A (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=17519684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272853A Pending JPH01114115A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 電圧駆動形パワー素子のドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01114115A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2669477A1 (fr) * | 1990-11-16 | 1992-05-22 | Gen Electric Cgr | Circuit de commande de commutation basse frequence de transistors a effet de champ et de transistors bipolaires a grille isolee. |
| JP2007021547A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Asano:Kk | パイプ加工装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224723A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタ駆動回路 |
| JPS62254518A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Matsushita Seiko Co Ltd | ゲ−ト・ドライブ回路 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62272853A patent/JPH01114115A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224723A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタ駆動回路 |
| JPS62254518A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Matsushita Seiko Co Ltd | ゲ−ト・ドライブ回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2669477A1 (fr) * | 1990-11-16 | 1992-05-22 | Gen Electric Cgr | Circuit de commande de commutation basse frequence de transistors a effet de champ et de transistors bipolaires a grille isolee. |
| JP2007021547A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Asano:Kk | パイプ加工装置 |
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