JPS5881333A - 半導体素子の伝導レベル切替駆動装置 - Google Patents

半導体素子の伝導レベル切替駆動装置

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JPS5881333A
JPS5881333A JP57184761A JP18476182A JPS5881333A JP S5881333 A JPS5881333 A JP S5881333A JP 57184761 A JP57184761 A JP 57184761A JP 18476182 A JP18476182 A JP 18476182A JP S5881333 A JPS5881333 A JP S5881333A
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pulse
voltage
conduction
drive
transformer
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JP57184761A
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English (en)
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フランク・ボイズ・マツコ−ル
ジエイムス・グレントン・ケリ−
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Ferranti International PLC
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Ferranti PLC
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子の駆動に関するものであり、特に
そのような半導体素子をそれらの伝導レベルを制御する
ように駆動することに関するものである。
半導体素子は、スイッチング・モードで動作するとき、
すなわち完全飽和伝導レベル(オン)と非伝導レベル(
オフ)に交互に駆動されるとき・異なる伝導レベルで動
作することが非常に多い。
半導体をスイッチング・モードで用いる回路はまた。小
さな駆動電圧を制御電極に加えて大電流を広範囲なスイ
ッチング速度で切替えできるスイッチング素子として電
界効果トランジスタ(FET)を用いることが多い。
そのようなスイッチを切替えられる回路の電位の高い(
回路接地に対して)ところにおくことがしばしば必要と
なり、その結果、値は小さいが回路接地より上につねに
等しく引上げられる駆動電圧を必要とする。スイッチン
グ動作が比較的高頻度で連続しているとき、これは、駆
動電圧をパルス発生器からのパルスとして制御電極に結
合する変圧器によって達成され、そのパルスは、必要な
持続時間の間トランジスタの状態を持続するための電圧
一時間積をもっている。
そのような装置は、数百ヘルツ以上のスイッチング周波
数でのみ有効に動作し、これ以下では。
変圧駆動パルスの電圧一時間積は、トランジスタスイッ
チングの価格的利点を損なう特殊で価格の高い変圧器構
成を必要とする。
オンとオフの間のトランジスタ伝導レベルの切替は1例
としてだけであるが、半導体素子の二つの異なるレベル
(伝導の二つの中間レベルテアッてもよい)の間で一般
に切替えるものであり、本発明の目的は、より低いスイ
ッチング速度で動作でき、従来知られている装置より簡
単な変圧器を必要とする半導体素子における交互に切替
わる伝導レベルを作る変圧器に結合した駆動装置と、そ
のような交互に切替わる伝導レベルを作る方法を提供す
ることである。
本発明によれば、半導体素子の交互に切替わる伝導レベ
ルを生成する変圧器結合駆動装置が極性が交互に反対に
なる駆動パルスをパルス変圧器の1次巻線に断続的に与
えるように動作できるパルス発生機構を含み、前記パル
ス変圧器は、2次巻線が半導体素子の二つの制御電極に
非対称しきい値伝導機構によって接続され、それによっ
て、一方の極性の変圧駆動パルスが前記非対称伝導機構
を一方の方向に電流を流すようにバイアスして、前記変
圧駆動パルスの電圧レベルの少なくとも一部分を前記制
御電極に与えて前記半導体素子に一方の伝導レベルをと
らせ、そのパルスの過ぎたのちは、前記半導体素子の制
御電極に前記制御電圧を蓄積することによって前記非対
称しきい値伝導機構に逆バイアスをかけることによって
前記一方の伝導レベルを維持するようになっており、前
記非対称伝導機構が各伝導方向に関連したしきい値以上
になると両方向に電流を流すことができ、前記他方の極
性の変圧駆動パルスが前記非対称双方向伝導機構にバイ
アスをかけて反対方向に電流を流して、蓄積した制御電
圧の少なくとも一部分を制御電極から取除いて前記半導
体素子にもう一つの伝導レベルをとらせることを特徴と
する。
複数の半導体素子における伝導レベルの交互切替えを前
節で定義したような駆動装置を複数個用いて行うことが
でき、その場合にパルス発生機構とパルス変圧器の1次
巻線はすべての装置に共通で共有される。
「非対称双方向伝導機構」という用語は、この明細書に
おいては、素子に一方向に加わった第1のあらかじめ定
めたしきい値レベルを超える電圧に応じて一方の方向に
電流を流し、その素子に反対向きに加わった第2のあら
かじめ定めたしきい値レベルを超える電圧に応じて反対
の方向に電流を流す素子または素子の組合わせを意味す
るようこのような機構は、しきい値電圧レベルの一方が
事実上ゼロで、他方がツェナー降伏電圧である順逆両方
の降伏モードの両方で動作できる単一の双方向性半導体
1例えばツェナーダイオードによって構成してもよいし
、または極性を逆にして直列に接続された1対のそのよ
うなダイオードがらなっていてもよい。別の方法では、
非対称伝導機構は、1対の並列に接続された単方向に伝
導性の素子、例えば極性を逆にしていわゆる電圧標準ダ
イオードを並列につないだもの(各々はツェナー降伏モ
ードでのみ伝導状態になれるように普通のダイオードと
ツェナーダイオードを極性を逆にして直列につないだも
のからなっている)、または相補トランジスタもしくは
他の半導体または非半導体のしきい鎖素子を含む。
複数の素子がこの機構を形成する場合、第1及び第2の
あらかじめ定めたしきい値レベルは、等しくてもよいし
または互いに異っていてもよい。
本発明の実施例を次に例として添付図面を参照して説明
する。
第1図を参照すると、正の電源線11と中性の電源線1
2との間の負荷Lf:通る電流は、n−チャネル・エン
ハンスメント・モードのF’ETからなるスイッチ15
によって制御される。飽和伝導「オン」状態と非伝導「
オフ」状態との間のトランジスタ1うの伝導レベルの切
替えは、交互に極性が反対になる短い駆動パルス、例え
ば10マイクロ秒以上ごとに1マイクロ秒の幅のパルス
ヲ断続的に生ずる駆動パルス発生器114によって制御
される。
パルス発生器illの出力端子は、2次巻線17を備え
ているパルス変圧器16の1次巻線15に接続されてい
る。パルス変圧器16は、環状鉄心上に約10〜15巻
の1次と2次の2本−巻線で形成した1:1比を有する
簡単な構成要素であってもよい。2次巻線17は一方の
端子18がトランジスタの制御電極(ソース)19に接
続され、もう一つの端子20が単一ツェナーダイオード
機構21の形の非対称しきい値伝導機構を介してトラン
ジスタの制御電極(ゲート)22に接続されている。ツ
ェナーダイオード機構は、陽極端子を2次巻線端子20
に接続され、陰極端子をトランジスタのゲート電極22
に接続された単一のツェナーダイオードからなっている
。ダイオード21のツェナー降伏電圧と発生した駆動パ
ルスのパルス振幅は、はぼ等しく、トランジスタ13の
スイッチング電圧として適当であるもの(例えば20ボ
ルト)に選ばれる。
一般にパルス発生器1’l+は、中性線12に対して動
作し、パルスを発生し、その線にはリード2うによって
接続されており、またトランジスタの制御電極間に住す
る必要のあるスイッチング電圧は、せいぜい20ボルト
の程度のものであってもよいが、電極それ自身は、中性
線12よシ何百ボルトも高いことのある電源線11の電
位で動作しなければならず、変圧器結合がパルス発振器
と制御電極とを隔離するのを都合よ〈実施できる方法を
表していることが分かるであろう。
第1図の回路の動作を考えると、パルス発生器11が中
性線12に対して20ボルトの正方向駆動パルスを生ず
ると、2次巻線端子20と18との間の同様な正方向パ
ルスがツェナーダイオード21を順方向にバイアスし、
トランジスタ15の制御電極22と19とにまたがって
現れて、トランジスタ15を飽和伝導状態に駆動し、ト
ランジスタのゲート・キャパシタンスを充電する。発生
したパルスが(1マイクロ秒後に)終ると、ツェナーダ
イオードは、ゲート・キャパシタンスに蓄積された電位
によって逆方向にバイアスされ、その電位がツェナー降
伏のレベルより上ではないので、制御電極間に残ってい
てトランジスタの「オン」状態を維持する。
パルス発生器illが引続いて20ボルトの振幅の負方
向パルスを発生すると、これは、変圧されてツェナーダ
イオード21の両端に40ボルトの電位差を生じさせ、
ゲート2くに接続されている陰極が陽極のレベルよ!1
120ボルト以上下げられるまで、すなわち端子1つに
対して0ボルトになるまで、ツェナー降伏モードでツェ
ナーダイオードを伝導させ、この点でトランジスタ・ス
イッチ13が切れて、駆動パルスが終ったのちその捷ま
の状態に残る。
次の正方向パルスが発生すると、トランジスタが再びつ
き、トランジスタは、駆動パルスそれ自身がパルス間の
時間間隔よりずっと短い幅であっても、駆動パルスが発
生する度に「オン」と「オフ」の間の状態を切替わる。
パルスとパルスの間の間隔は、トランジスタのスイッチ
ング速度に広い変化を与えるようにパルス幅より長い任
意の値をとるように選定でき、パルス変圧器16による
短いパルスの変圧以外のものを必要としない数十ないし
数百ヘルツの程度の速度での動作に特に適していること
が分るであろう。
スイッチングは、トランジスタ・ゲート・キャパシタン
スの迅速な充電または放電の結果として:1・票(、。
行われるが、それはそのキャパシタンス(7)値、印加
電圧及びパルス幅の関数である。
装置のスイッチング特性を向上させるためには、この回
路を制御電極間にコンデンサ21+によってキャパシタ
ンスを追加することによって増強でき、コンデンサのm
は、nチャネル・エンハンスメント・モードのF、ET
13の場合には、1nFの程度が適当であることが分か
った。パルスがなくなるときの変圧器と回路キャパシタ
ンスとのリンギングを止めるために、抵抗25を変圧器
の2次巻線の両端に接続してもよい。
スイッチング特性はまた、変圧駆動パルスの振幅とツェ
ナー降伏電圧との間に異なる動作関係を要求することが
ある。
例えば前述のFETは、15〜20ポルトの程度のター
ンオフ電圧と5ボルト未満のターンオフ電圧をもってい
てもよい。パルス振幅は、ツェナー降伏電圧より小さく
てもよく、例えばそれぞれ20ボルトと211ボルトで
あって、正方向パルスは、トランジスタをつけるために
20ボルト全部を加えるが、ツェナー降伏をもたらす負
方向パルスは、制御電極に約4ボルトの正の電圧を残す
が。
その電圧はターンオフVベル以下である。別の方法とし
て、トランジスタ・スイッチを「オーバドライブ」して
もよい;すなわちスイッチングを行うに必要なものより
ずっと大きいレベルをもたらすがスイッチング時間を短
縮する電圧差によって駆動してもよい。第1図の回路構
成においては、そのようなオーバドライブ電圧は、駆動
パルスの幅の間の一時的な特徴であって、レベルは伝導
状態を保つためにいくらか下がる。
変圧駆動パルス電圧をツェナー降伏電圧より大きくなる
ように選ぶ場合、例えば、それぞれ24ポルトと20ボ
ルトに選ぶ場合、正方向パルスが生ずると24ボルトの
電圧がツェナーダイオードを順方向にバイアスしてトラ
ンジスタをターンオンする。駆動パルスの終りに、ダイ
オードは、そのツェナー降伏レベル以上に逆バイアスさ
れて、制御電極電圧が伝導状態を保つに十分な20ボル
トになるまで電流が流れる。負方向パルスを印加すると
、ダイオードは再び制御電極をトランジスタをターンオ
フするーキボルトの制御電圧にして、ツェナー・モード
で電流が流れる。駆動パルスが終ったのち、制御電圧は
、ダイオードを通して電流が流れることによってOボル
トの堂度の電圧まで増加する。
この形式の動作の価値は、一時的に加わった電圧がトラ
ンジスタの動作の安全レベルを超えないことが確実にな
っていれば、ゲートキャパシタンスを充電または放電す
るのに必要な時間の関数であるスイッチング速度が大き
くなることである。
これまで説明した駆動装置において、トランジスタを「
オフ」に維持する制御電圧は、0ボルト以上である。回
路によっては、これは伝導レベルに近過ぎてすべての条
件のもとて非伝導を保証することができないことがあり
、できれば制御電圧をスイッチングの間のほんの一時的
でなくずっと負の値に維持するのが望ましい。そのよう
な構成を第2図に示しである。それは第1図に類似して
、゛。
いるが、非対称しきい鎖伝導機構21は、直列に背面接
続された1対のツェナーダイオード26゜27からなり
、各方向に伝導状態にするに必要な予め定めたしきい値
電圧がそれぞれの方向に逆ノ(イアスされるツェナーダ
イオードのツェナーの降服電圧に相当するようになって
いる。ダイオード機構21は、主ツェナーダイオード2
6と副ツェナーダイオード27からなっている。動作を
考えると、第1図の「オーバドライブ」の説明に用いた
値は、今度も適当であシ、211ボルトの変圧パルス振
幅及び20ボルトの主ツェナーダイオード降伏電圧であ
る。副ツェナーダイオードは、約4ボルトのツェナー降
伏電圧をもつように選ばれる。
すなわち主ツェナーダイオード降伏電圧と変圧駆動パル
ス振幅との間の差にほぼ等しい。
211ボルトの正方向駆動パルスが変圧されると、副ダ
イオード27を通って4ボルト降下して残りの20ボル
トがトランジスタの制御電極に加えられてトランジスタ
のスイッチ・オンを行う。この電圧は、主ツェナーダイ
オード26のツェナー降伏電圧より大きく□なく、駆動
パルスが終ったのちに維持される。負方向駆動パルスが
発生すると、制御電極電圧は、−Uボルトに下がって、
その電圧が逆バイアスをかけられた副ツェナーダイ万一
ド27のために駆動パルスののちに維持される。
第2(a)図に示したツェナーダイオード機構の形式は
、なお、駆動パルス振幅とツェナーダイオード降伏電圧
との相対レベルの変更をできるようにしている。例えば
、この構成は、なおより低い維持電圧に整定する一時的
なスイッチング電圧を与えるより大きな振幅のパルスを
駆動パルスの幅の量制御電極に加えることによって「オ
ーバドライブ」することができる。
ツェナーダイオード機構のもう一つの形が第2(1)1
図に示されており、並列に接続された一対のいわゆる電
圧標準ダイオード26及び27を含んでいる。各電圧標
準ダイオードは、ツェナーダイオードを通る順方向にバ
イアスされた伝導を阻止して、ツェナー降伏モードにお
いてのみ伝導できるようにする反対向きに極性を向けら
れた普通のダイオードと直列になっているツェナーダイ
オードを含んでいる。明らかに、動作は第2(a)図の
構成と同様であるが、その回路における順方向バイアス
ツェナーダイオードを通る電圧降下をなくしている。
上の説明は、動作の性質を例示するためにいくらか簡単
にされており、比較的短期間のスイッチング時間にわた
って結果として生ずる電圧を定めるのに、順方向バイア
ス・ダイオードにおける電圧降下、変圧器の非能率及び
充電速度のキャパシタンス及び誘導性構成要素に及ぼす
影響のような要因を考慮するのをなおざりにしているこ
とも分かるであろう。そして上に用いた簡単な根拠に基
づいて計算した値に対する修正値を、適宜に選択した構
成要素と電圧の値から引出すことができるし、またはそ
れらの値を実際の回路で行った測定値をもとにして選択
することもできる。
上述した容易に理解できる基本回路に対する他の変形が
1:1から外れた比を有するパルス変圧器または正のパ
ルスと負のパルスの間の時間間隔がトランジスタの伝導
状態の非対称マーク対スペース比で駆動するように異っ
ているかもしくは動作中に変えることができる駆動パル
ス発生器捷たは両方を用いることである。
同様に駆動パルスの繰返し周波数は、適当な周波数で素
子の切替を行うように簡単なやり方で変えることができ
る。
さらに、制御電極に加わる電圧に対して選ばれたレベル
は、トランジスタを飽和伝導または非伝導のいずれかに
駆動するようなものである必要はなく、伝導レベルをあ
る中間の値に設定するように選ぶことができる。
また、駆動装置は、説明のために選んだn−チャネル・
エンハンスメント・モードFETを用いることに制限さ
れない。この装置は、半導体素子を通しての制御電極の
漏えいが素子の伝導レベルに影響を与えるほど著しくな
ければ、異なる素子を駆動するのに適している、すなわ
ちこの装置は、比較的高いスイッチング速度で使われる
。この駆動装置は、これまで及びこのあとn−チャネル
FETに関して説明するが1反対の伝導型の素子をツェ
ナーダイオード機構の適当な極性反転をすることによっ
て用いるのに容易に適用される。
さらに、非対称双方向伝導機構を単一構成要素または構
成要素の組合わせとしてのツェナーダイオード機構であ
るとしてこれまで説明している。
前述の各構成において、ツェナーダイオード機構は、適
当なしきい値電圧において同じ伝導特性を示すものなら
半導体またはその他の任意の素子で構成されてもよいこ
とが分るであろう。
本発明による駆動装置を用いる回路の幾つかの例をこれ
ら及びその他の変形を例示のために示す。
便宜上、非対称しきい値伝導機構を単一ツェナーダイオ
ードの形で示す。
前述のように、スイッチング・トランジスタのだめのこ
の形の変圧器結合駆動装置は、特にトランジスタの制御
電極が駆動パルス発生器に対して高い電位にあることを
必要とする回路に特に適している。スイッチング・トラ
ンジスタを直列調整器として用いているそのような回路
の1例が第う図に示され、トランジスタ30とその制御
電極31゜52は、駆動パルス発生機構33からパルス
変圧器5Llによって隔離されている。調整器の残りの
部分は、普通のものであシ、動作時にトランジスタ5o
がパルス発生器33の制御のもとに交互にオンとオフに
切替えられる。パルス発生器35は、非対称なオン時間
とオフ時間を与えて、出力電圧を変えるようにあらかじ
めセットされてもよいし、または負荷に関係なく安定し
た出力を維持するように調整器の出力またけ電流の関数
として可変であってもよい。
このような装置はまた、第4図に示すような電気機械ア
クチュエータなどの制御装置と一緒に用いられることが
ある。アクチュエータ・コイル56を通って流れる電流
は、スイッチング・トランジスタ37によって制御され
、電流検知抵抗5gに生ずる電圧によって検知される。
電流検知電圧は、トランジスタ駆動装置lIOの駆動パ
ルス発生器3つに加えられて、相対する極性のパルス間
の間隔を制御し、電流の減少を検知するとスイッチ57
が「オン」である時間の割合を大きくするように正の駆
動パルスと負の駆動パルスとの間の時間間隔を大きくす
る。
本発明による駆動装置を含むこれまでに説明したすべて
の回路は、スイッチングによって制御される単一のトラ
ンジスタを含んでいた。
ときどき複数のトランジスタを「オン」と「オフ」に切
替えることが必要な多くの形式の回路があり、その一つ
はインバータで第5図に示されている。
インバータ回路111は、接合点1j5において互いに
直列に接続された1対のコンデンサl13と1llIに
よって分路された直流電圧源142を含んでいる。
この電圧源はまた。接合点l18でやはり互いに直列に
接続されたn−チャネル・エンハンスメント・モードF
ETスイッチli6とl+7の形の1対の制御可能な半
導体素子によっても分路されている。
コンデンサ対とトランジスタ対の間の接合、4115と
48は、それぞれ出力変圧器4つの1次巻線によって接
続され、変圧器49の2次巻線は、交流負荷(図示なし
)′を供給する出力端子50に接続されている。
この形のインバータ回路は周知で、トランジスタII6
と47を他方のトランジスタがターンオフされている間
交互に伝導状態に切替えることによって動作する。トラ
ンジスタは、第4図に関して述べた個々の駆動装置51
と52によって駆動され、駆動パルス発生機構53及び
54は、それぞれ人力接続線をもっており、それによっ
て各発生器の正方向パルスと負方向パルスとの間の時間
間隔を外部制御装置(図示なし)によって手動で行うか
、または変圧器嶋9によって与えられる出力を検知した
結果としてかのいずれかで前記出力を安定にするように
変えることができる。トランジスタ・スイッチII6と
47は、同時に「オン」になることができるようになっ
ていてはならず、これは位相を違えて動作する駆動パル
ス発生機構53及び54によって達成され、すなわちパ
ルス発生器54の「オン」生成駆動パルスと「オフ」生
成駆動パルスの両方がパルス発生器53の連続する「オ
フ」生成駆動パルスと「オン」生成駆動パルスとの間で
起る。
上述のインバータ回路は、トランジスタ・スイッチの伝
導期間が二つのトランジスタのオン状態ことができる動
作の一般的な形を示している。
第5図に示したインバータの広く用いられる形はトラン
ジスタの同期スイッチングを採用しており、その場合に
はトランジスタは決して一緒に「オフ」にならないで一
つのトランジスタが「オフ」であるとき、他方のトラン
ジスタは「オン」であり、その逆もまた真である。第5
図の実施例で明らかなように一方のトランジスタが、他
方がターンオンされる前にオフになっていることを確実
にするために、非常な注意が必要で、同期スイッチング
を保証するのが難しい。
本発明によるもので、そのようなインバータに適する駆
動装置の多重素子形が第6図に示されている。
第6図において、インバータは、総括的に55で示され
ておl)%直列接続のスイッチング・トラ( ンジスタ56と57(第5図のトランジスタ46と11
7に対応する)を含んでいる。これらのトランジスタの
駆動装置は、中性線5つに対して交互に正方向パルス及
び負方向パルスを生ずる駆動パルス発生器58を含み、
その発生器の出力は、パルス変圧器6101次巻@60
の両端に加えられる。
パルス変圧器69は、二つの2次巻線62と65をもっ
ており、各2次巻線は、1次巻線60と1:1の巻数比
をもっているが、反対極性に使われるように接続されて
いる(ドツト表記法で示されている)。巻線62は、ツ
ェナーダイオード機構61iを経てトランジスタ56の
制御電極に接続され、第1の巻線に反対極性に出力を与
えるパルス変圧器の2次巻線63は、・ツェナーダイオ
ード機構65を経てスイッチングトランジスタ57の制
御電極に接続されている。
トランジスタ56と57が同様の動作特性をもっていれ
ば、ツェナーダイオード機構64と65は同じ形のもの
で、これまでに検討した変数に従って選ばれる同じツェ
ナー降伏電圧をもっているのが便利であり、駆動パルス
発生器58は、前記変数に基づく振幅のパルスを発生す
るように構成される。
変圧器巻線の接続を考えると、変圧器の1次巻線60に
加わる正方向駆動パルスがトランジスタ56の制御電極
の両端に正の電圧を生じてトランジスタをターレオンし
、同時に(ツェナーダイオード機構65におけるツェナ
ー降伏によって)トランジスタ57の制御電極の間の電
圧を減少させてトランジスタをターンオフすることが分
かるであろう。続く負方向駆動パルスがツェナーダイオ
ード機構611のツェナー降伏とトランジスタ56の制
御電極間の電圧を減少させて、トランジスタ56をオフ
にし、一方向時にトランジスタ57の制御電極間の電圧
を上げてそれをオンにする。
正の駆動パルスと負の駆動パルスの間の時間間隔の変動
によってトランジスタ56と57の間の伝導時間の比は
対応して変る。なお各駆動パルスが両方のトランジスタ
の伝導状態または伝導レベルを同時に切替えるように働
くので、直流供給線の直接の短絡の可能性はなく、その
ようなことが起るのを防ぐために回路を追加する必要が
ない。
前述のように、変圧パルス振幅とツェナー降伏電圧との
関係は、トランジスタのパラメータによる変動をまぬが
れない。
第2図に示したツェナーダイオード機構の形。
すなわち二つの背面ツェナーダイオード、は特に多重素
子駆動装置に適しており、その場合一つの素子の効果的
なスイッチングに必要な電圧パルス振幅を他方の素子に
対して適当なレベルまでツェナー降伏電圧の適当な選定
によって下げることができる。
多重素子駆動装・置はまた、他の変形をもっている。例
えば、変圧器の1次巻線と各2次巻線との間の巻数比が
異っていてもよいし、または互いに異なる伝導形のトラ
ンジスタをツェナーダイオード機構と変圧器2次巻線の
適当な極性の反転によって用いることができる。
上述の多重素子駆動装置は、直列に接続された素子を駆
動するのに適しているが、一方の素子の制御電極が他方
の制御電極より必然的に高い電位にある場合、それはそ
のような回路に限られないで第7(a)及び7(b)図
に示したプッシュプル・インバータに示したような並列
に接続された岑子に同じに適している。第7(a)図は
トランジスタ・スイッチが回路の低い電位部分にある多
重素子駆動装置によって駆動されるトランジスタ・スイ
ッチの使用を例示し、一方第7(b)図は、トランジス
タ・スイッチが回路の高電位部分にある対応する装置を
例示している。
上述の多重素子駆動装置は、すべてインバータ回路に関
するものであったが、その駆動装置は、第8図に示した
う相モータ制御のような他の形式のスイッチングに適用
できる。直列接続されたトランジスタスイッチに用いる
駆動装置の動作は第6図に関して説明したものと同様で
あって、駆動パルス発生器(図示なし)があらかじめ定
めた位相関係を有するパルス変圧器端子A、B及びCに
接続されて5相出力をモータコイルに与える。
上述の単一素子装置について述べたように、スイッチン
グの周波数、すなわちスイッチング素子によって制御さ
れる回路の整流の周、波数は、駆動パルス発生機構のパ
ルス繰返し周波数に直接に関係し、その周波数はあらか
じめ設定されてもよく、または詳細な説明をする必要な
しに理解されるであろう簡単な方法で可変であってもよ
い。
以上の説明において多重素子駆動装置に対して二つの素
子が駆動された回路の例を示さなければならないが、非
常に多数の素子が単一の駆動パルス発生器とパルス変圧
器から同期的に駆動でき、各素子が別々の2次巻線とツ
ェナーダイオード機構を必要とすることが分かるであろ
う。
【図面の簡単な説明】
第1図は、単一ツェナーダイオードの形で非対称しきい
値伝導機構を用いるFETに対する本発明による駆動装
置の回路図、 第2(a)図は、第1図のものと同様であるが直列に接
続されたツェナーダイオード機構の形で非対称しきい値
伝導機構を用いた駆動装置の回路図、第2(b)図は、
第2(a)図のものと同様であるが、非対称しきい値伝
導機構を並列接続の電圧標準ダイオードの形にした駆動
装置の回路図。 第5図は、本発明による駆動装置を組込んだ直列調整器
の回路図。 第4図は1本発明による駆動装置を用いたスイッチ付き
比例制御装置の回路図、 第5図は、スイッチングの可変マーク対スペース比を可
能にするように個々に駆動される1対の直列接続トラン
ジスタスイッチを組込んだインバータの回路図。 第6図は、1対の直列接続トランジスタスイッチにおい
て同期スイッチングを行う本発明に従った駆動装置を示
すインバータの回路図。 第7(a)図は、回路の低圧部分にあるトランジスタス
イッチにおいて同期スイッチングを行う本発明の駆動装
置を示すプッシュプル・インバータの回路図、 第7(b)図は、トランジスタスイッチが回路の高圧部
分にある第7(a)図のものと同様なプッシュプル・イ
ンバータの回路図。 第8図は、本発明による駆動装置によって制御された電
源不インチング・トランジスタを用いる5相モ一タ駆動
機構の回路図である。 13−−)ランジスタ・スイッチ、111,3う一−ノ
ぐルス発生器、  16 、314−−i<Ftレス変
圧器、17一−2次巻線。 1つm−制御電極(ソース)、21−−ツェナーダイオ
ード機構(非対称伝導機構)、22−一制御電極(ゲー
ト)。 21F−一コンデンサ、25−一抵抗、26.27−−
ツエナーダイオード、50−一トランジスタ、う1.3
2−−制御電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 極性が交互に反対になる駆動パルスをパルス変圧器
    の1次巻線に断続的に与えるように動作できるパルス発
    生機構を含み、前記パルス変圧器は、2次巻線が半導体
    素子の二つの制御電極の非対称しきい値伝導機構によっ
    て接続され、それによって、一方の極性の変圧駆動パル
    スが前記非対称伝導機構を一方の方向に伝導するように
    バイアスして、前記変圧駆動パルスの電圧レベルの少な
    くとも一部分を前記制御電極に与えて前記半導体素子に
    一方の伝導レベル全敗らせ、そのパルスの過ぎた後は前
    記半導体素子の制御電極に前記制御電圧を蓄積すること
    によって前記非対称しきい値伝導機構に逆バイアスをか
    けることによって前記一方の伝導レベルを維持するよう
    になっている半導体素子において交互に切替えられる伝
    導レベルを生成する変圧器結合駆動装置であって。 前記非対称伝導機構が各伝導方向に関連したしきい値以
    上になると両方向に電流を流すことができ、前記他方の
    極性の変圧駆動パルスが前記非対称双方向伝導機構にバ
    イアスをかけて反対方向に電流を流して、蓄積した制御
    電圧の少なくとも一部分を制御電極から取除いて前記半
    導体素子にもう一つの伝導レベルを取らせることを特徴
    とする変圧器結合駆動装置。 2 前記半導体素子の制御電極にまたがってコンデンサ
    が接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載された駆動装置。 五 前記パルス変圧器の2次巻線の両端子間に抵抗が接
    続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
    たは第2項に記載された駆動装置。 4、 前記非対称伝導機構がツェナーダイオード機構を
    含み、前記ンエナーダイオード機構のツェナーダイオー
    ドのツェナー降服電圧が前記非対称伝導機構に電流を流
    すに必要な予め定めたしきい値電圧の少なくとも一方を
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項ま
    たは第5項に記載の駆動装置。 5、 前記ツェナーダイオード機構が単一のツェナーダ
    イオードを含み、前記ツェナーダイオードの順方向バイ
    アス伝導電圧降下が前、配弁対称伝導機構に逆向きに電
    流を流すに必要な他方の予め定めたしきい値電圧レベル
    を含むことを特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の
    駆動装置。 6、 前記ツェナー・ダイオード機構が極性を反対にし
    てつないだ1対ツエナーダイオードを含み、二つのツェ
    ナーダイオードのツェナー降服電圧が前記非対称伝導機
    構に電流を流すに必要な予め定めたしきい値電圧からな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の駆動
    装置。 7、 前記ツェナーダイオードが直列に接続されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の駆動装
    置。 & 前記ツェナーダイオードが並列に接続され、各ツェ
    ナーダイオードが関連のツェナーダイオードを通る順バ
    イアス伝導を抑止するためにそれと直列にもう一つのダ
    イオードを持っていることを特徴とする特許請求の範囲
    第6項に記載の駆動装置。 9 前記パルス発生装置とパルス変圧器が一方の方向に
    非対称伝導機構の伝導を生じさせて前記トランジスタを
    飽和伝導(完全にオン)に駆動し、他方の方向に非対称
    伝導機構の伝導を生じさせて前記トランジスタを非伝導
    (完全にオフ)にするような振幅のパルスを与えるよう
    に構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項ないし第8項のいずれかに記載の駆動装置。 10、特許請求の範囲゛第5項に記載の前記ツェナーダ
    イオードが前記トランジスタ・スイッチのターンオン制
    御電圧より大きいツェナー降服電圧を有し、前記パルス
    発生機構は、前記トランジスタの前記ターンオン制御電
    圧よシ大きな振幅の変圧パルスを与えるように動作でき
    、変圧パルス電圧とツェナー降服電圧との間の差が前記
    トランジスタのターンオフ電圧より小さいことを特徴と
    する特許請求の範囲第9項の駆動装置。 IL  前記ツェナー降服電圧と変圧パルスの振幅とが
    値がほぼ等しく、前記トランジスタ・スイッチの制御電
    極に事実上ゼロのターンオフ電圧を作ること全特徴とす
    る特許請求の範囲第10項に記載の駆動装置。 12、前記変圧パルスの振幅が前記ツェナー降服電圧よ
    り大きく、ターンオン電圧に反対の極性のターンオフ電
    圧を最初に作るように調整されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第10項に記載の駆動装置。 13、  前記ツェナーダイオードの一つが前記トラン
    ジスタのターンオン制御電圧を超えるツェナー降服電圧
    を有し、他方のツェナーダイオードが維持されるべきタ
    ーンオン電圧に反対の極性のターンオフ電圧の大きさよ
    シ以上のツェナー降服電圧を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第6項ないし第8項のいずれかによる特許
    請求の範囲第9項に記載の駆動°、装置。 111、  前記駆動パルス発生機構と、変圧器が前記
    ツェナーダイオードのツェナー降服電圧の合計に事実上
    等しい大きさの変圧パルスを作るように構成されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第13項に記載の駆動
    装置。 15、  前記駆動パルス発振機構が1マイクロ秒の長
    さの程度の駆動パルスを作るように構成されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第11項のい
    ずれかに記載の駆動装置。 16、  前記パルス変圧器が1=1の1次対2次巻線
    比を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
    し第15項のいずれかに記載の駆動装置。 17、  前記パルス変圧器の巻線が環状鉄心に2本巻
    きされていることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
    いし第16項のいずれかに記載の駆動装置。 la゛前記パルス発生機構とパルス変圧器の1次巻線が
    すべての装置に共通ですべての装置によって共有されて
    いる特許請求の範囲第1項ないし第17項のいずれかに
    記載された駆動装置を複数備えることを特徴とする複数
    の半導体素子における伝導のレベルを交互に切替える駆
    動装置。 1つ、  前記複数の半導体素子の少なくともいくつか
    が残りの半導体素子と反対の伝導レベルで駆動されるよ
    うに制御されるように構成された特許請求の範囲第18
    項に記載の駆動装置。 20、  前記複数の半導体素子の前記少なくともいく
    つかに関連した前記パルス変圧器の2次巻線が前記残り
    の半導体素子に関連した2次巻線に対して反対の極性の
    パルスを与えるように接続されていることを特徴とする
    同じ極性型の半導体素子に用いる特許請求の範囲第19
    項に記載の駆動装置。 2L  前記半導体素子がnチャネル・エンハンスメン
    ト・モードの電界効果トランジスタであることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項ないし第20項に記載の駆動
    装置。
JP57184761A 1981-10-22 1982-10-22 半導体素子の伝導レベル切替駆動装置 Pending JPS5881333A (ja)

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