JPH09140122A - Ｉｇｂｔ駆動の逆バイアス回路 - Google Patents
Ｉｇｂｔ駆動の逆バイアス回路Info
- Publication number
- JPH09140122A JPH09140122A JP7317138A JP31713895A JPH09140122A JP H09140122 A JPH09140122 A JP H09140122A JP 7317138 A JP7317138 A JP 7317138A JP 31713895 A JP31713895 A JP 31713895A JP H09140122 A JPH09140122 A JP H09140122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- terminal
- igbt
- type transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＧＢＴ駆動回路の簡素化
【解決手段】 ベース端子とエミッタ端子の間にダイオ
ード４を接続し、ベース端子とコレクタ端子の間に抵抗
５を接続したＰ形トランジスタ２をパルス電源１の入力
端子間に並列接続し、第１の抵抗６を介してＰ形トラン
ジスタ２のエミッタ端子をＩＧＢＴ３のゲート端子に接
続すると共に、コンデンサ８と定電圧ダイオード９より
成る並列回路を介してＰ形トランジスタ２のコレクタ端
子をＩＧＢＴ３のゲート端子に接続してある第２の抵抗
７に接続してゲート駆動回路を構成した。ダイオード４
と第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子にパル
ス電源１からの正バイアスを印加すると第２の抵抗７を
介してコンデンサ８も充電される。正バイアスがオフと
なるとＰ形トランジスタ２はオンとなるので、このＰ形
トランジスタ２と第２の抵抗７を介してコンデンサ８に
蓄積されている電荷は放電され、ＩＧＢＴ３のゲート端
子に逆バイアスが印加される。従って、単独の逆バイア
ス回路を設ける必要はない。
ード４を接続し、ベース端子とコレクタ端子の間に抵抗
５を接続したＰ形トランジスタ２をパルス電源１の入力
端子間に並列接続し、第１の抵抗６を介してＰ形トラン
ジスタ２のエミッタ端子をＩＧＢＴ３のゲート端子に接
続すると共に、コンデンサ８と定電圧ダイオード９より
成る並列回路を介してＰ形トランジスタ２のコレクタ端
子をＩＧＢＴ３のゲート端子に接続してある第２の抵抗
７に接続してゲート駆動回路を構成した。ダイオード４
と第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子にパル
ス電源１からの正バイアスを印加すると第２の抵抗７を
介してコンデンサ８も充電される。正バイアスがオフと
なるとＰ形トランジスタ２はオンとなるので、このＰ形
トランジスタ２と第２の抵抗７を介してコンデンサ８に
蓄積されている電荷は放電され、ＩＧＢＴ３のゲート端
子に逆バイアスが印加される。従って、単独の逆バイア
ス回路を設ける必要はない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＵＰＳ等の電力変
換回路を構成する半導体スイッチのうちＩＧＢＴ等を駆
動するゲート駆動回路に関する。
換回路を構成する半導体スイッチのうちＩＧＢＴ等を駆
動するゲート駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるＩＧＢＴのゲート駆動回
路の１例は図３に示す通りであり、正バイアス用と逆バ
イアス用の２つの駆動回路を設けていた。図３におい
て、正バイアス用の駆動回路は、スイッチング素子１０
２を１次回路に接続したトランス１０５と、スイッチン
グ素子１０３を１次回路に接続したトランス１０６と、
前記２つのトランスの２次回路に接続した２つのダイオ
ード１０９と１１０より成る整流回路とによって構成し
ており、抵抗１１１を介してＩＧＢＴ１０１のゲート端
子に接続してある。また、逆バイアス用の駆動回路は、
スイッチング素子１０４を１次回路に接続したトランス
１０７と、前記トランス１０７の２次回路の一端に抵抗
１１４を介してベース端子を接続すると共に前記トラン
ス１０７の２次回路の他端にエミッタ端子を接続したス
イッチング素子１０８と、さらに、前記スイッチング素
子１０８のコレクタ端子をダイオード１１３と抵抗１１
２を介してＩＧＢＴ１０１のゲート端子に接続して構成
した。
路の１例は図３に示す通りであり、正バイアス用と逆バ
イアス用の２つの駆動回路を設けていた。図３におい
て、正バイアス用の駆動回路は、スイッチング素子１０
２を１次回路に接続したトランス１０５と、スイッチン
グ素子１０３を１次回路に接続したトランス１０６と、
前記２つのトランスの２次回路に接続した２つのダイオ
ード１０９と１１０より成る整流回路とによって構成し
ており、抵抗１１１を介してＩＧＢＴ１０１のゲート端
子に接続してある。また、逆バイアス用の駆動回路は、
スイッチング素子１０４を１次回路に接続したトランス
１０７と、前記トランス１０７の２次回路の一端に抵抗
１１４を介してベース端子を接続すると共に前記トラン
ス１０７の２次回路の他端にエミッタ端子を接続したス
イッチング素子１０８と、さらに、前記スイッチング素
子１０８のコレクタ端子をダイオード１１３と抵抗１１
２を介してＩＧＢＴ１０１のゲート端子に接続して構成
した。
【０００３】正バイアス用のスイッチング素子１０２と
１０３を交互にオン・オフ制御すると、整流回路を構成
する２つのダイオード１０９と１１０を介してＶONが生
成され、抵抗１１１を介して正バイアスＶgeがＩＧＢＴ
１０１のゲート端子に印加される。また、逆バイアス用
のスイッチング素子１０４のスイッチングにより生成さ
れるＶoff によってスイッチング素子１０８が作動し、
逆バイアスＶgeがダイオード１１３と抵抗１１２を介し
てＩＧＢＴ１０１のゲート端子に印加される。図４にス
イッチング素子の出力信号波形および正バイアスと逆バ
イアスの電圧波形を示す。
１０３を交互にオン・オフ制御すると、整流回路を構成
する２つのダイオード１０９と１１０を介してＶONが生
成され、抵抗１１１を介して正バイアスＶgeがＩＧＢＴ
１０１のゲート端子に印加される。また、逆バイアス用
のスイッチング素子１０４のスイッチングにより生成さ
れるＶoff によってスイッチング素子１０８が作動し、
逆バイアスＶgeがダイオード１１３と抵抗１１２を介し
てＩＧＢＴ１０１のゲート端子に印加される。図４にス
イッチング素子の出力信号波形および正バイアスと逆バ
イアスの電圧波形を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術によるＩＧＢＴのゲート駆動回路は正バイアス用と
逆バイアス用の２つの駆動回路を設けていたので回路構
成が複雑である。また、３つのトランスによって構成し
た駆動回路であるので、その小型化は難しく、価格を低
減させることも困難であった。本発明は上述した従来技
術の欠点を解消するためになされたものであって、逆バ
イアス生成用の回路を必要としない回路構成が簡素化さ
れたＩＧＢＴ用の駆動回路を提供しようとするものであ
る。
技術によるＩＧＢＴのゲート駆動回路は正バイアス用と
逆バイアス用の２つの駆動回路を設けていたので回路構
成が複雑である。また、３つのトランスによって構成し
た駆動回路であるので、その小型化は難しく、価格を低
減させることも困難であった。本発明は上述した従来技
術の欠点を解消するためになされたものであって、逆バ
イアス生成用の回路を必要としない回路構成が簡素化さ
れたＩＧＢＴ用の駆動回路を提供しようとするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイオードと
第１の抵抗を介してＩＧＢＴのゲート端子に正バイアス
を印加したときにコンデンサと定電圧ダイオードより成
る並列回路のコンデンサを第２の抵抗を介して充電して
おき、パルス電源の入力端子間に並列接続してあるＰ形
トランジスタを正バイアスがオフとなることによってオ
ンさせ、このＰ形トランジスタのオンによって形成され
るループ回路を介してコンデンサに蓄積された電荷を放
電させ、ＩＧＢＴのゲート端子に逆バイアスを印加する
ようにしたものであり、単独の逆バイアス回路を設ける
必要のない駆動回路である。
第１の抵抗を介してＩＧＢＴのゲート端子に正バイアス
を印加したときにコンデンサと定電圧ダイオードより成
る並列回路のコンデンサを第２の抵抗を介して充電して
おき、パルス電源の入力端子間に並列接続してあるＰ形
トランジスタを正バイアスがオフとなることによってオ
ンさせ、このＰ形トランジスタのオンによって形成され
るループ回路を介してコンデンサに蓄積された電荷を放
電させ、ＩＧＢＴのゲート端子に逆バイアスを印加する
ようにしたものであり、単独の逆バイアス回路を設ける
必要のない駆動回路である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の実施例を示すブロッ
ク図であって、エミッタ端子とベース端子の間にダイオ
ード４を接続すると共に、コレクタ端子とベース端子の
間に抵抗５を接続したＰ形トランジスタ２はパルス電源
１の入力端子間に並列接続してある。ダイオード４のカ
ソード端子と接続してあるＰ形トランジスタ２のエミッ
タ端子は第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子
に接続してあり、また、前記Ｐ形トランジスタ２のコレ
クタ端子はコンデンサ８と定電圧ダイオード９より成る
並列回路を介してＩＧＢＴのゲート端子に接続してある
第２の抵抗７と接続することによってＩＧＢＴを駆動す
るゲート回路を構成している。
しながら説明する。図１は本発明の実施例を示すブロッ
ク図であって、エミッタ端子とベース端子の間にダイオ
ード４を接続すると共に、コレクタ端子とベース端子の
間に抵抗５を接続したＰ形トランジスタ２はパルス電源
１の入力端子間に並列接続してある。ダイオード４のカ
ソード端子と接続してあるＰ形トランジスタ２のエミッ
タ端子は第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子
に接続してあり、また、前記Ｐ形トランジスタ２のコレ
クタ端子はコンデンサ８と定電圧ダイオード９より成る
並列回路を介してＩＧＢＴのゲート端子に接続してある
第２の抵抗７と接続することによってＩＧＢＴを駆動す
るゲート回路を構成している。
【０００７】パルス電源１からの電圧信号Ｖinはダイオ
ード４と第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子
に入力し、図２に示す正バイアスＶgeが生成される。こ
のとき、コンデンサ８は第２の抵抗７を介して充電され
る。次に、正バイアスＶgeがオフとなるとＰ形トランジ
スタ２がオンとなり、Ｐ形トランジスタ２、コンデンサ
８、第２の抵抗７、第１の抵抗６より成るループ回路が
形成されるので、コンデンサ８に蓄積された電荷は第２
の抵抗７を介して放電され、ＩＧＢＴ３のゲート端子に
逆バイアスが印加される。なお、コンデンサ８に並列接
続してある定電圧ダイオード９はコンデンサ８への電荷
を所定の値Ｖrev に保持するために設けてある。図２は
本発明による正バイアスと逆バイアスの波形図である。
ード４と第１の抵抗６を介してＩＧＢＴ３のゲート端子
に入力し、図２に示す正バイアスＶgeが生成される。こ
のとき、コンデンサ８は第２の抵抗７を介して充電され
る。次に、正バイアスＶgeがオフとなるとＰ形トランジ
スタ２がオンとなり、Ｐ形トランジスタ２、コンデンサ
８、第２の抵抗７、第１の抵抗６より成るループ回路が
形成されるので、コンデンサ８に蓄積された電荷は第２
の抵抗７を介して放電され、ＩＧＢＴ３のゲート端子に
逆バイアスが印加される。なお、コンデンサ８に並列接
続してある定電圧ダイオード９はコンデンサ８への電荷
を所定の値Ｖrev に保持するために設けてある。図２は
本発明による正バイアスと逆バイアスの波形図である。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるＩＧ
ＢＴ駆動の逆バイアス回路は、正バイアス印加時に正バ
イアス回路に設けたコンデンサを充電させておき、この
コンデンサに蓄積された電荷を放電させて逆バイアスを
印加させるようにしたものであるから、専用の逆バイア
ス回路を必要としない。従って回路構成が簡素化される
ので小型軽量のゲート駆動回路を構成でき、低価格化を
図ることができる。また、このゲート駆動回路はＩＧＢ
ＴのみならずＦＥＴにも利用できるものである。
ＢＴ駆動の逆バイアス回路は、正バイアス印加時に正バ
イアス回路に設けたコンデンサを充電させておき、この
コンデンサに蓄積された電荷を放電させて逆バイアスを
印加させるようにしたものであるから、専用の逆バイア
ス回路を必要としない。従って回路構成が簡素化される
ので小型軽量のゲート駆動回路を構成でき、低価格化を
図ることができる。また、このゲート駆動回路はＩＧＢ
ＴのみならずＦＥＴにも利用できるものである。
【図１】本発明によるＩＧＢＴ駆動の逆バイアス回路の
ブロック図。
ブロック図。
【図２】波形図。
【図３】従来技術によるＩＧＢＴ駆動回路のブロック
図。
図。
【図４】波形図。
１ パルス電源 ２ Ｐ形トランジスタ ３ ＩＧＢＴ ４ ダイオード ５，６，７ 抵抗 ８ コンデンサ ９ 定電圧ダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 エミッタ端子とベース端子の間にダイオ
ードを接続し、コレクタ端子とベース端子の間に抵抗を
接続して構成したＰ形トランジスタのエミッタ端子とコ
レクタ端子をパルス電源の入力端子間に並列接続してお
き、 前記Ｐ形トランジスタのエミッタ端子を第１の抵抗を介
してＩＧＢＴのゲート端子に接続すると共に、コレクタ
端子をコンデンサと定電圧ダイオードより成る並列回路
を介して前記ＩＧＢＴのゲート端子に接続した第２の抵
抗と接続することにより前記ＩＧＢＴ駆動のバイアス回
路を構成し、 前記Ｐ形トランジスタのエミッタ端子に接続したダイオ
ードと第１の抵抗を介して前記ＩＧＢＴのゲート端子に
前記パルス電源から正バイアスを印加すると共に、前記
コンデンサと定電圧ダイオードより成る並列回路におけ
るコンデンサを第２の抵抗を介して充電しておき、 正バイアスがオフとなることによってオンとなる前記Ｐ
形トランジスタと第２の抵抗を介して前記コンデンサに
蓄積された電荷を放電させ、前記ＩＧＢＴのゲート端子
に逆バイアスを印加するようにした逆バイアス回路を構
成したことを特徴とするＩＧＢＴ駆動の逆バイアス回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317138A JPH09140122A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | Ｉｇｂｔ駆動の逆バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317138A JPH09140122A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | Ｉｇｂｔ駆動の逆バイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09140122A true JPH09140122A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=18084874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7317138A Pending JPH09140122A (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | Ｉｇｂｔ駆動の逆バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09140122A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040162B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Switch matrix drive circuit for a power element |
| JP2012115009A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Daihen Corp | アーク加工用電源装置 |
| DE102012223606A1 (de) | 2012-05-28 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitertreiberschaltung und Halbleitervorrichtung |
| CN107064767A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-18 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 栅极电阻、电容连续可调的igbt测试电路 |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP7317138A patent/JPH09140122A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040162B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Switch matrix drive circuit for a power element |
| EP3537582A1 (en) | 2007-07-03 | 2019-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Drive circuit for power element |
| JP2012115009A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Daihen Corp | アーク加工用電源装置 |
| CN102545620A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-07-04 | 株式会社大亨 | 电弧加工用电源装置 |
| DE102012223606A1 (de) | 2012-05-28 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitertreiberschaltung und Halbleitervorrichtung |
| CN107064767A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-18 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 栅极电阻、电容连续可调的igbt测试电路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010306 |