JPH01106452A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01106452A JPH01106452A JP26417587A JP26417587A JPH01106452A JP H01106452 A JPH01106452 A JP H01106452A JP 26417587 A JP26417587 A JP 26417587A JP 26417587 A JP26417587 A JP 26417587A JP H01106452 A JPH01106452 A JP H01106452A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- semiconductor element
- electrodes
- electrode
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子と外部接続
用端子が接続された電極と、基板との間を絶縁する絶縁
部材に関するものである。
用端子が接続された電極と、基板との間を絶縁する絶縁
部材に関するものである。
従来のこの種絶縁部材は、第２図に示すフラットベース
形交流制御用素子においては一般にセラミック板が使用
されている。第２図はフラットベース形交流制御用素子
の側断面図で、同図において、１はベース板で、このベ
ース板１は半導体素子２が発する熱を外部に放熱しやす
くするために金属等の熱伝導性の良い材料によって形成
されている。３は絶縁部材としてのセラミック基板で、
このセラミック基板３には前記ベース板１、半導体素子
２および後述する端子とが固着する電極３ａ１３ｂ＃３
ｃ、３ｄが形成されている。４は前記セラミック基板３
の電、箕３ｂと前記半導体素子２とを接続するための導
電板である。すなわちベース板１の半導体素子取付部１
ａ上にセラミック基板３の裏面に形成された電極３ａを
固着させ、このセラミック基板３の上面に形成された電
極３ｂに導電板４を固着させ、さらに、その上に半導体
素子２を固着させることによって半導体素子２が導電板
４と絶縁部材としてのセラミック基板３を介してベース
板１上に固着されることになる。５は前記半導体素子２
の電極（図示せず）と前記セラミック基板３の電極３ｃ
、３ｄとを接続するための内部電極フレーム、６〜８は
外部装置（図示せず）と半導体素子２とを接続するため
の端子で、これら端子６〜８はその一部分が枠体９の保
持部９ａに埋設されることによって、枠体９と一体的に
形成され、これら端子６〜８の下端部６ａ〜８ａは前記
電極３ ｂ ＊ ３ Ｃｓ ３ ｄにクリーム半田（図
示せず）によって固着されている。１０は前記枠体９内
に満たされることによって半導体素子２．′１極３ｂ〜
３ｄ、導電板４．内部電極フレーム５等を封止するため
の不透過性樹脂からなる封止樹脂である。
形交流制御用素子においては一般にセラミック板が使用
されている。第２図はフラットベース形交流制御用素子
の側断面図で、同図において、１はベース板で、このベ
ース板１は半導体素子２が発する熱を外部に放熱しやす
くするために金属等の熱伝導性の良い材料によって形成
されている。３は絶縁部材としてのセラミック基板で、
このセラミック基板３には前記ベース板１、半導体素子
２および後述する端子とが固着する電極３ａ１３ｂ＃３
ｃ、３ｄが形成されている。４は前記セラミック基板３
の電、箕３ｂと前記半導体素子２とを接続するための導
電板である。すなわちベース板１の半導体素子取付部１
ａ上にセラミック基板３の裏面に形成された電極３ａを
固着させ、このセラミック基板３の上面に形成された電
極３ｂに導電板４を固着させ、さらに、その上に半導体
素子２を固着させることによって半導体素子２が導電板
４と絶縁部材としてのセラミック基板３を介してベース
板１上に固着されることになる。５は前記半導体素子２
の電極（図示せず）と前記セラミック基板３の電極３ｃ
、３ｄとを接続するための内部電極フレーム、６〜８は
外部装置（図示せず）と半導体素子２とを接続するため
の端子で、これら端子６〜８はその一部分が枠体９の保
持部９ａに埋設されることによって、枠体９と一体的に
形成され、これら端子６〜８の下端部６ａ〜８ａは前記
電極３ ｂ ＊ ３ Ｃｓ ３ ｄにクリーム半田（図
示せず）によって固着されている。１０は前記枠体９内
に満たされることによって半導体素子２．′１極３ｂ〜
３ｄ、導電板４．内部電極フレーム５等を封止するため
の不透過性樹脂からなる封止樹脂である。
このように構成されたフラットベース形交流制御用素子
を組立てるには、先ず、ベース板１上にセラミック基板
３および導電板４を介して半導体素子２を固着させる。
を組立てるには、先ず、ベース板１上にセラミック基板
３および導電板４を介して半導体素子２を固着させる。
次いで、内部電極フレーム５によって半導体素子２の電
極（図示せず）とセラミック基板３の電極３ｂ〜３ｄと
を接続し、この電極３ｂ〜３ｄに端子６〜８をクリーム
半田によって固着させる。しかる後、枠体Ｓ内に封止樹
脂１０を注入することによって組立てが終了する。
極（図示せず）とセラミック基板３の電極３ｂ〜３ｄと
を接続し、この電極３ｂ〜３ｄに端子６〜８をクリーム
半田によって固着させる。しかる後、枠体Ｓ内に封止樹
脂１０を注入することによって組立てが終了する。
しかるに、このように構成されたフラットペース形交流
制御素子においては、部品点数が多く、かつ製造方法も
複雑であるため、製造コストが高くなるばかりか、゛端
子６〜８の下端部６ａ〜８ａとベース板１との離間寸法
が少ないうえ、端子６〜８をセラミック基板３の電極３
ｂ〜３ｄに固着させるためのクリーム半田が溶融した時
に微細表半田つぶ等がセラミック基板３上に付着するた
め、絶縁距離がさらに短かくなシ、端子６〜８に高電圧
が印加されると絶縁距離の最も短かい部分のセラミック
が焼けて絶縁不良を起こす場合があった。
制御素子においては、部品点数が多く、かつ製造方法も
複雑であるため、製造コストが高くなるばかりか、゛端
子６〜８の下端部６ａ〜８ａとベース板１との離間寸法
が少ないうえ、端子６〜８をセラミック基板３の電極３
ｂ〜３ｄに固着させるためのクリーム半田が溶融した時
に微細表半田つぶ等がセラミック基板３上に付着するた
め、絶縁距離がさらに短かくなシ、端子６〜８に高電圧
が印加されると絶縁距離の最も短かい部分のセラミック
が焼けて絶縁不良を起こす場合があった。
本発明に係る半導体装置は、絶縁部材を、基板における
電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によつ−で形成し、か
つこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆ったものである
。
電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によつ−で形成し、か
つこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆ったものである
。
基板の露出部分がな（なり、基板は他の部材に対して絶
縁される。
縁される。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るフラットベース形交流制御用素子
を示す側断面図で、同図において前記従来例で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。同図において、
１１は絶縁膜で、この絶縁膜１１はベース板１０半導体
素子取付部１ａを囲む範囲を被覆するように形成されて
おシ、この絶縁膜１１上に電極３ｂ〜３ｄが固着されて
いる。
を示す側断面図で、同図において前記従来例で説明した
ものと同一もしくは同等部材については同一符号を付し
、ここにおいて詳細な説明は省略する。同図において、
１１は絶縁膜で、この絶縁膜１１はベース板１０半導体
素子取付部１ａを囲む範囲を被覆するように形成されて
おシ、この絶縁膜１１上に電極３ｂ〜３ｄが固着されて
いる。
そして、本実施例では半導体素子２は直接電極３ｂ上に
固着され、ボンディングワイヤ１２によって表面の電極
（図示せず）と電極３ｃ、３ｄとが接続されている。１
３はベース板１における前記絶縁膜１１によって被覆さ
れていない部分を覆うための樹脂ケースで、この樹脂ケ
ース１３はベース板１の外形形状と略等しい形状に形成
されておシ、ベース板１に接着液（図示せず）等によっ
て接着されている。
固着され、ボンディングワイヤ１２によって表面の電極
（図示せず）と電極３ｃ、３ｄとが接続されている。１
３はベース板１における前記絶縁膜１１によって被覆さ
れていない部分を覆うための樹脂ケースで、この樹脂ケ
ース１３はベース板１の外形形状と略等しい形状に形成
されておシ、ベース板１に接着液（図示せず）等によっ
て接着されている。
このように構成′されたフラットベース形交流制御用素
子を組み立てるには、先ず、予めベース板１の半導体素
子取付部１ａを絶縁膜によって被覆し、その他の部分を
樹脂ケース１３によって覆う。
子を組み立てるには、先ず、予めベース板１の半導体素
子取付部１ａを絶縁膜によって被覆し、その他の部分を
樹脂ケース１３によって覆う。
そして、絶縁膜１１上に電極３ｂ〜３ｄを固着させ、こ
の電極４ｂ上に半導体素子２を固着させる。次で、半導
体素子２の電極（図示せず）と電極３ｃ。
の電極４ｂ上に半導体素子２を固着させる。次で、半導
体素子２の電極（図示せず）と電極３ｃ。
３ｄとをボンディングワイヤ１３によって接続し、電極
３ｂ〜３ｄに端子６〜８をクリーム半田によって固着さ
せる。しかる後、枠体９内に封止樹脂１０を注入するこ
とによって組立てが終了する。
３ｂ〜３ｄに端子６〜８をクリーム半田によって固着さ
せる。しかる後、枠体９内に封止樹脂１０を注入するこ
とによって組立てが終了する。
したがって、絶縁膜１１および樹脂ケース１３によづて
ベース板１の露出部分がなくなシ、ベース板１は他の部
材に対して絶縁されることになる。
ベース板１の露出部分がなくなシ、ベース板１は他の部
材に対して絶縁されることになる。
なお、本実施例ではフラットベース形交流制御用素子に
ついて説明したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えばパワートランジスタ等であっても同
等の効果が得られる。
ついて説明したが、本発明はこのような限定にとられれ
ることなく、例えばパワートランジスタ等であっても同
等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、絶縁部材を、基板
における電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によって形成
し、かつこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆うという
簡単な構成によシ、基板の露出部分がなくなシ、基板は
他の部材に対して絶縁されるから、絶縁膜上の電極にク
リーム半田によって外部接続端子を固着させる際に、半
田クリームが周辺の絶縁膜に付着しても絶縁不良を起こ
すようなことはなくなる。また、半導体素子と外部接読
端子が接続される電極が直接絶縁膜に固着されるから、
絶縁部材が不要となシ組立てが容易になるので、製造コ
ストを低く抑えることができる。
における電極を囲む範囲を被覆する絶縁膜によって形成
し、かつこの基板の他の部分を樹脂ケースで覆うという
簡単な構成によシ、基板の露出部分がなくなシ、基板は
他の部材に対して絶縁されるから、絶縁膜上の電極にク
リーム半田によって外部接続端子を固着させる際に、半
田クリームが周辺の絶縁膜に付着しても絶縁不良を起こ
すようなことはなくなる。また、半導体素子と外部接読
端子が接続される電極が直接絶縁膜に固着されるから、
絶縁部材が不要となシ組立てが容易になるので、製造コ
ストを低く抑えることができる。
第１図は本発明に係るフラットベース形交流制御用素子
を示す側断面図、第２図は従来のフラットベース形交流
制御用素子を示す側断面図である。 １・・・・ベース板、２・・・・半導体素子、３・・・
・セラミック基板、３ｂｓ３Ｃ＃３ｄ・・・・電極、６
，７．８・・・・端子、１１・・・・絶縁膜、１３・・
・・樹脂ケース。
を示す側断面図、第２図は従来のフラットベース形交流
制御用素子を示す側断面図である。 １・・・・ベース板、２・・・・半導体素子、３・・・
・セラミック基板、３ｂｓ３Ｃ＃３ｄ・・・・電極、６
，７．８・・・・端子、１１・・・・絶縁膜、１３・・
・・樹脂ケース。
Claims (1)
- 半導体素子と外部接続用端子が接続された電極が絶縁
部材を介して基板上に固着された半導体装置において、
前記絶縁部材を、前記基板における前記電極を囲む範囲
を被覆する絶縁膜によって形成し、かつこの基板の他の
部分を樹脂ケースで覆ったことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26417587A JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26417587A JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106452A true JPH01106452A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17399504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26417587A Pending JPH01106452A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-04-04 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26417587A patent/JPH01106452A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-04-04 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus |
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