JP7493667B2 - 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<A-1.構成>
図1は、実施の形態1の窒化物半導体装置101の断面構造を示している。窒化物半導体装置101は、ダイヤモンド層11、中間層12、窒化物半導体層13、電極14、および接地電極15を備えて構成される。ダイヤモンド層11は、第1主面S1と、第1主面S1に対向する第2主面S2とを有している。ダイヤモンド層11の第2主面S2上に、中間層12を介して窒化物半導体層13が積層される。電極14は、ソース電極、ゲート電極、またはドレイン電極などであり、窒化物半導体層13の中間層12と反対側の面に設けられる。接地電極15は、ダイヤモンド層11の第2主面S2と反対側の主面である第1主面S1上に形成される。
図2から図5は、実施の形態1の窒化物半導体装置101の製造方法を示す断面図である。以下、図2から図5を参照して窒化物半導体装置101の製造方法を説明する。
実施の形態1の窒化物半導体装置101は、ダイヤモンド層11と、ダイヤモンド層11の第1主面S1上に形成された接地電極15と、ダイヤモンド層11の第1主面S1と反対側の主面である第2主面S2上に形成された中間層12と、中間層12のダイヤモンド層11と反対側の面に形成された窒化物半導体層13と、窒化物半導体層13の中間層と反対側の面に形成された電極14と、を備える。そして、ダイヤモンド層11の第1主面S1からダイヤモンド層11、中間層12、および窒化物半導体層13を貫通して電極14に達するビアホール16が設けられる。ビアホール16は、ダイヤモンド層11の第1主面S1に接する大口径ビアホール16bと、電極14に面し大口径ビアホール16bより小径かつテーパー形状の小口径ビアホール16aとを有する多段構造である。
実施の形態1の窒化物半導体装置101の製造方法によれば、ビアホール16cを形成した後のドライエッチングで中間層12がエッチングされる。これにより、中間層12が厚み方向だけでなく厚み方向と垂直な面方向にも後退し、ビアホール16の側面が中間層12においてノッチ形状となる場合がある。その結果、接地電極15がビアホール16の側面を被覆し難くなり、導通不良が生じるおそれがある。
図7は、実施の形態2の窒化物半導体装置102の断面図である。小口径ビアホール26aの深さhがダイヤモンド層11と中間層12の厚みの合計よりも大きいことが特徴である。窒化物半導体装置102は、実施の形態1の窒化物半導体装置101と比較すると、ビアホール16に代えてビアホール26が形成されている点でのみ異なる。
図8から図11は、実施の形態2の窒化物半導体装置102の製造方法を示す断面図である。以下、図8から図11を参照して窒化物半導体装置102の製造方法を説明する。
実施の形態2の窒化物半導体装置102において、小口径ビアホール26aの深さは、中間層12および窒化物半導体層13の厚さの合計以上である。このような小口径ビアホール26aは、レーザー加工により、ダイヤモンド層11の第1主面S1からダイヤモンド層11および中間層12を貫通する第1ビアホールであるビアホール26cを形成した後、ビアホール26cの底部に位置する窒化物半導体層13と、ビアホール26cの開口周辺の第1主面S1をドライエッチングで除去することにより、形成される。窒化物半導体層13のドライエッチング工程で中間層12はエッチングガスに曝されるが、このエッチングガスに対する中間層12のエッチングレートは低いため、中間層12は面方向に後退し難い。従って、ビアホール26の側面が中間層12においてノッチ形状となり難く、ビアホール26の導通不良が生じ難い。その結果、高周波特性の低下を抑制すると共に、歩留まりよく窒化物半導体装置102を製造することが可能となる。
<C-1.構成>
図12は、実施の形態3の窒化物半導体装置103の断面図である。窒化物半導体装置103は、中間層12に代えて中間層32を備える点でのみ、実施の形態1の窒化物半導体装置101と異なる。
実施の形態3の窒化物半導体装置103の製造工程は、実施の形態1の窒化物半導体装置101または実施の形態2の窒化物半導体装置102の製造工程に準じる。
実施の形態3の窒化物半導体装置103において、中間層32は、F系ガスまたはCl系ガスを用いたドライエッチングにおいて、SiまたはSiNと比較してエッチングレートが低い難エッチング材料からなる。従って、ビアホール16を形成する際、窒化物半導体層13のエッチング時に中間層12は面方向に後退しない。従って、ビアホール16の側面が中間層32においてノッチ形状とならないため、ビアホール16の導通不良が避けられる。その結果、高周波特性の低下を回避し、歩留まりよく窒化物半導体装置103を製造することが可能となる。
<D-1.構成>
実施の形態1,2の窒化物半導体装置101,102では、中間層12が窒化物半導体層13のエッチング時に後退する結果、ビアホール16,26に導通不良が生じることがあった。
実施の形態4の窒化物半導体装置104の製造方法は、実施の形態1または実施の形態2に準ずる。但し、接地電極45を形成する際に、メッキ厚みを厚くすることによって、ビアホール16の底部における接地電極45を厚くすることが可能である。
図14は、実施の形態4の変形例の窒化物半導体装置104Aの断面図である。窒化物半導体装置104Aは、窒化物半導体装置101の構成に加えて、ビアホール16に埋め込まれた埋め込み層49を備えている。図14では、埋め込み層49がビアホール16内に完全に充填された状態が示されているが、埋め込み層49は少なくともビアホール16の底部に埋め込まれ、ビアホール16の底部における接地電極45と埋め込み層49の厚みの合計が、窒化物半導体層13と中間層12の厚みの合計以上であればよい。
実施の形態4の窒化物半導体装置104において、ビアホール16の電極14に面する底部における接地電極15の厚みは、窒化物半導体層13と中間層12の厚みの合計以上である。そのため、ビアホール16を形成する際の窒化物半導体層13のエッチング時に中間層12が面方向に後退しても、接地電極15によりビアホール16の導通不良を避けられる。したがって、高周波特性の低下を回避し、歩留まりよく窒化物半導体装置104を製造することが可能となる。
実施の形態1-4では、大口径ビアホール16b、26bの開口部が垂直であるため、接地電極15,45が被覆し難く、導通不良になることがあった。これに対して本実施の形態は、大口径ビアホール16b1がテーパー形状である。
図15は、実施の形態5の窒化物半導体装置105の断面図である。窒化物半導体装置105は、実施の形態1の窒化物半導体装置101と比較すると、大口径ビアホール16bに代えてテーパー形状の大口径ビアホール16b1を備える点で異なる。
図16から図19は、実施の形態5の窒化物半導体装置105の製造方法を説明する断面模式図である。以下、図16から図19を参照して窒化物半導体装置105の製造方法を説明する。
実施の形態5の窒化物半導体装置105において、大口径ビアホール16b1はテーパー形状である。従って、大口径ビアホール16b1に対する接地電極15の被覆性が向上し、ビアホール16の導通不良が抑制される。その結果、窒化物半導体装置105の高周波特性の低下を抑制すると共に、歩留まりよく窒化物半導体装置105を製造することが可能となる。
Claims (13)
- ダイヤモンド層と、
前記ダイヤモンド層の第1主面上に形成された接地電極と、
前記ダイヤモンド層の前記第1主面と反対側の主面である第2主面上に形成された中間層と、
前記中間層の前記ダイヤモンド層と反対側の面に形成された窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の前記中間層と反対側の面に形成された電極と、を備え、
前記ダイヤモンド層の前記第1主面から前記ダイヤモンド層、前記中間層、および前記窒化物半導体層を貫通して前記電極に達するビアホールが設けられ、
前記ビアホールは、前記ダイヤモンド層の前記第1主面に接する大口径ビアホールと、前記電極に面し前記大口径ビアホールより小径かつテーパー形状の小口径ビアホールとを有する多段構造であり、
前記中間層は、F系ガスまたはCl系ガスを用いたドライエッチングにおいて、SiまたはSiNと比較してエッチングレートが低い難エッチング材料からなる、
窒化物半導体装置。 - 前記小口径ビアホールの深さは、前記中間層および前記窒化物半導体層の厚さの合計以上である、
請求項1に記載の窒化物半導体装置。 - 前記難エッチング材料は、ナノクリスタルダイヤモンド、Siの酸化物または炭化物、Al、Tiの酸化物または窒化物、Hf、Zrの酸化物のいずれかである、
請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体装置。 - 前記ビアホールの前記電極に面する底部における前記接地電極の厚みは、前記窒化物半導体層と前記中間層の厚みの合計以上である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記接地電極を介して前記ビアホールに埋め込まれた埋め込み層をさらに備え、
前記ビアホールの前記電極に面する底部における前記接地電極および前記埋め込み層の厚みの合計は、前記窒化物半導体層と前記中間層の厚みの合計以上である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記大口径ビアホールはテーパー形状である、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。 - (a)ダイヤモンド層、中間層、窒化物半導体層、および電極がこの順で積層された積層体に対して、レーザー加工により、前記ダイヤモンド層の前記中間層とは反対側の面である第1主面から前記電極に達しない第1ビアホールを形成する工程と、
(b)前記第1ビアホールの全体と前記第1ビアホールに隣接する前記ダイヤモンド層の前記第1主面の一部とが露出する、前記第1ビアホールより大径の開口を有するマスクを形成する工程と、
(c)前記マスクを用いたドライエッチングにより前記第1ビアホールを第2ビアホールに加工する工程と、
(d)前記ダイヤモンド層の前記第1主面と、前記第2ビアホールの内部とに接地電極を形成する工程と、を備え、
前記工程(c)は、前記マスクの開口から露出する前記ダイヤモンド層の前記第1主面を除去することにより形成された大口径ビアホールと、前記第1ビアホールを前記電極に達するまで拡張することにより形成された前記大口径ビアホールより小径かつテーパー形状の小口径ビアホールとを含む、多段構造の前記第2ビアホールを形成する工程である、
窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、前記ダイヤモンド層および前記中間層を貫通して前記窒化物半導体層に達する前記第1ビアホールを形成する工程であり、
前記工程(c)は、前記窒化物半導体層の前記第1ビアホールと平面視で重なる部分を除去して前記小口径ビアホールを形成する工程である、
請求項7に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記中間層は、F系ガスまたはCl系ガスを用いたドライエッチングにおいて、SiまたはSiNと比較してエッチングレートが低い難エッチング材料からなる、
請求項7または請求項8に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記難エッチング材料は、ナノクリスタルダイヤモンド、Siの酸化物または炭化物、Al、Tiの酸化物または窒化物、Hf、Zrの酸化物のいずれかである、
請求項9に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記第2ビアホールの前記電極に面する底部における前記接地電極の厚みは、前記窒化物半導体層と前記中間層の厚みの合計以上である、
請求項7から請求項10のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - (e)前記工程(d)の後、前記第2ビアホールに金属または合金からなる埋め込み層を埋め込む工程をさらに備え、
前記第2ビアホールの前記電極に面する底部における前記接地電極および前記埋め込み層の厚みの合計は、前記窒化物半導体層と前記中間層の厚みの合計以上である、
請求項7から請求項10のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記大口径ビアホールはテーパー形状である、
請求項7から請求項12のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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