JP7472941B2 - インダクタ部品 - Google Patents
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Description
素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高い。
素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高く、
前記マーク層は、マーク層中結晶を含み、前記マーク層中結晶は、黒色顔料を含む。
素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高く、
前記マーク層は、前記素体の最外層の両側に存在し、当該両側のマーク層は、貫通穴を有する。
素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高く、
前記マーク層は、前記素体の最外層の両側に存在し、当該両側のマーク層は、貫通穴を有し、
前記絶縁層の一部は、前記マーク層の前記貫通穴に入り込んで、前記絶縁層の一部の外表面と前記マーク層の外表面とは、同一面となる。
前記絶縁層は、非晶質である絶縁層中母材と、絶縁層中結晶とを含み、
前記マーク層は、非晶質であるマーク層中母材と、少なくとも1種以上の顔料を含むマーク層中結晶とを含み、
380nm以上780nm以下の波長の光に対する反射スペクトルにおいて、前記マーク層中結晶の前記顔料の反射率の最大値は、前記絶縁層中結晶の反射率の最大値よりも大きい。
前記マーク層は、識別マークを構成する貫通穴を有し、
前記絶縁層は、前記貫通穴から露出している。
図1は、インダクタ部品の第1実施形態を示す斜視図である。図2は、インダクタ部品の分解斜視図である。図3は、インダクタ部品のYZ断面図である。図1と図2と図3に示すように、インダクタ部品1は、素体10と、素体10の内部に設けられた螺旋状のコイル20と、素体10に設けられコイル20に電気的に接続された第1外部電極30および第2外部電極40とを有する。
図6および図7Aから図7Oは、マーク層の複数の形態を示す平面図である。複数の形態のマーク層では、貫通穴の形状、数量、方向、配置が相違し、この相違する構成を以下に説明する。
次に、インダクタ部品の製造方法の実施例を説明する。
次に、最下層上に、絶縁ペーストをスクリーン印刷により必要量塗布し、絶縁層となる部分を形成する。
10 素体
11 絶縁層
12,12A-12O マーク層
12a,12b 貫通穴
20 コイル
21 コイル配線
26 ビア配線
30 第1外部電極
40 第2外部電極
D 最短距離
Claims (12)
- 素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高く、
前記マーク層は、前記素体の最外層の両側に存在し、当該両側のマーク層は、貫通穴を有し、
前記絶縁層は、非晶質である絶縁層中母材と、絶縁層中結晶とを含み、
前記マーク層は、非晶質であるマーク層中母材と、少なくとも1種以上の顔料を含むマーク層中結晶とを含む、インダクタ部品。 - 素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記素体は、複数の絶縁層と、前記素体の外表面の一部を構成するマーク層とを含み、
前記素体は、略直方体状であり、
前記マーク層中のK存在比率(atom%)は、前記絶縁層中のK存在比率(atom%)よりも高く、
前記マーク層は、前記素体の最外層の上面及び下面に存在し、当該上面及び下面のマーク層は、貫通穴を有し、
前記絶縁層の一部は、前記マーク層の前記貫通穴に入り込んでおり、
前記素体の下面における、前記絶縁層の下面と前記マーク層の下面とが、同一面となり、
前記絶縁層は、非晶質である絶縁層中母材と、絶縁層中結晶とを含み、
前記マーク層は、非晶質であるマーク層中母材と、少なくとも1種以上の顔料を含むマーク層中結晶とを含む、インダクタ部品。 - 380nm以上780nm以下の波長の光に対する反射スペクトルにおいて、前記マーク層中結晶の前記顔料の反射率の最大値は、前記絶縁層中結晶の反射率の最大値よりも大きい、請求項1または2に記載のインダクタ部品。
- 380nm以上780nm以下の波長の光に対する反射スペクトルにおいて、前記マーク層中結晶の前記顔料の前記反射率が最大値となる波長は、前記絶縁層中結晶の前記反射率が最大値となる波長と異なる、請求項3に記載のインダクタ部品。
- 380nm以上780nm以下の波長の光に対する反射スペクトルにおいて、前記絶縁層中結晶の反射率は、0.4以下である、請求項3または4に記載のインダクタ部品。
- 前記絶縁層中結晶は、クオーツである、請求項1から5の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記顔料は、Ti、Co、Al、Zrの少なくとも一つを含む酸化物である、請求項1から6の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記マーク層中母材は、B、Si、O、Kを主成分とする非晶質ガラスである、請求項1から7の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記絶縁層中母材は、B、Si、O、Kを主成分とする非晶質ガラスである、請求項1から8の何れか一つに記載のインダクタ部品。
- 前記マーク層は、識別マークを構成する貫通穴を有し、
前記絶縁層は、前記貫通穴から露出している、請求項1に記載のインダクタ部品。 - 前記絶縁層は、前記貫通穴に入り込んでいる、請求項10に記載のインダクタ部品。
- 前記マーク層に直交する方向からみて、前記貫通穴の内面と前記コイルとの最短距離は、10μm以上である、請求項2、10および11の何れか一つに記載のインダクタ部品。
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