JP7446318B2 - 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ - Google Patents
超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 51
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N calcium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ca+2].[Ti+4].[Ba+2] JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 etc.) Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01G4/018—Dielectrics
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Description
本出願は、2019年1月28日の出願日を有する米国仮特許出願第62/797,532号の出願利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
[0019]一般的に言えば、本発明は積層セラミックコンデンサを対象としている。積層セラミックコンデンサは、単一のモノリシックボディ内に交互の誘電層および電極層を含んでいる。コンデンサは、モノリシックボディ内に配置される、複数の作用電極、上部遮蔽電極、および底部遮蔽電極を含んでいる。上部遮蔽電極は、複数の作用電極とコンデンサの上面との間に配置され、コンデンサの上面から、最上の遮蔽部から上部までの距離だけ離間されている。底部遮蔽電極は、複数の作用電極とコンデンサの底面との間に配置され、コンデンサの底面から、最下の遮蔽部から底部までの距離だけ離間されている。
[0041]図1A~図1Eに目を向けると、積層セラミックコンデンサ100の一実施形態が開示されている。図1Eは、プリント回路基板または基材などの取付け面101に取り付けられた積層コンデンサ100の簡略化された側面図である。積層コンデンサ100は、Z方向136に積み重ねられた複数の電極領域10を含むことができる。複数の電極領域10は、作用電極領域14、上部遮蔽電極領域12、および底部遮蔽電極領域16を含むことができる。作用電極領域14は、上部遮蔽電極領域12と第2の電極領域16との間に配置され得る。
[00112]試験アセンブリが、本開示の態様によるコンデンサの挿入損および反射損などの性能特性を試験するために、使用され得る。例えば、コンデンサが、試験基板に取り付けられ得る。入力ラインおよび出力ラインはそれぞれ、試験基板に接続され得る。試験基板は、入力ラインおよび出力ラインをコンデンサのそれぞれの外部終端に電気的に接続するマイクロストリップラインを含むことができる。
Claims (20)
- 第1の端部、および前記第1の端部から横方向に垂直な長手方向に離間された第2の端部を有する広帯域積層セラミックコンデンサであって、前記横方向および長手方向が、それぞれZ方向に垂直であり、前記コンデンサが、上面、および前記Z方向に前記上面と反対側にある底面を備え、前記広帯域積層セラミックコンデンサが、
前記Z方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディと、
前記第1の端部に沿って配置された、第1の外部端子と、
前記第2の端部に沿って配置された、第2の外部端子と、
前記モノリシックボディ内に配置された、複数の作用電極と、
前記モノリシックボディ内に配置され、前記複数の作用電極と前記コンデンサの前記上面との間に配置された上部遮蔽電極であって、前記コンデンサの前記上面から、最上の遮蔽部から上部までの距離だけ離間され、また前記複数の作用電極から、第1の遮蔽部から作用部までの距離だけ離間されている、上部遮蔽電極と、
前記モノリシックボディ内に配置され、前記複数の作用電極と前記コンデンサの前記底面との間に配置された底部遮蔽電極であって、前記コンデンサの前記底面から、最下の遮蔽部から底部までの距離だけ離間されている、底部遮蔽電極と
を備え、前記最上の遮蔽部から上部までの距離と前記最下の遮蔽部から底部までの距離との比が、約0.8から約1.2の間であり、
前記第1の遮蔽部から作用部までの距離と前記最下の遮蔽部から底部までの距離との比が、約1から約20の範囲内であり、かつ
前記最下の遮蔽部から底部までの距離が、約8ミクロンから約100ミクロンの範囲であり、
前記作用電極のうちの少なくとも1つが、前記第1の外部端子に電気的に接続されたベース部分と、前記ベース部分から前記長手方向に延在する第1の電極アームと、前記ベース部分から前記長手方向に延在する中央部分とを備える、第1の電極であり、前記第1の電極アームは、前記第1の電極アームの前記横方向の縁からオフセットした階段部分を含む、広帯域積層セラミックコンデンサ。 - 前記コンデンサが、上面と底面との間で、前記Z方向にコンデンサの厚さを有し、前記コンデンサの厚さと前記最下の遮蔽部から底部までの距離との比は、約3よりも大きい、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、複数の電極領域を備え、前記複数の電極領域が、作用電極領域、上部遮蔽電極領域、および底部遮蔽電極領域を含み、
前記複数の作用電極が、前記作用電極領域内に配置され、
前記上部遮蔽電極が、前記上部遮蔽電極領域内に配置され、かつ
前記底部遮蔽電極が、前記底部遮蔽電極領域内に配置される、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。 - 前記上部遮蔽電極領域の前記Z方向の厚さと、前記底部遮蔽電極領域の前記Z方向の厚さとの比が、約0.8から約1.2の範囲である、請求項3に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記底部遮蔽電極と前記Z方向にほぼ揃えられている、追加の底部遮蔽電極をさらに備え、前記底部遮蔽電極が、前記第1の外部端子に接続され、前記追加の底部遮蔽電極が、前記第2の外部端子に接続されている、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記底部遮蔽電極が、前記第1の外部端子に接続され、
前記底部遮蔽電極が、前記横方向に揃えられ、前記第1の外部端子とは反対側に面する第1の長手方向の縁を有し、
前記底部遮蔽電極が、前記横方向に揃えられ、前記第1の外部端子とは反対側に面する第2の長手方向の縁を有し、かつ
前記第2の長手方向の縁が、前記第1の長手方向の縁から前記長手方向に、遮蔽電極オフセット距離だけオフセットされている、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。 - 前記第2の外部端子に接続され、前記底部遮蔽電極と前記Z方向にほぼ揃えられている、追加の底部遮蔽電極をさらに備え、
前記追加の底部遮蔽電極が、前記横方向に揃えられ、前記第2の外部端子とは反対側に面する第1の長手方向の縁を有し、
前記追加の底部遮蔽電極が、前記横方向に揃えられ、前記第2の外部端子とは反対側に面する第2の長手方向の縁を有し、かつ
前記第2の長手方向の縁が、前記第1の長手方向の縁から前記長手方向に、ほぼ前記遮蔽電極オフセット距離だけオフセットされている、請求項6に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。 - 第1の遮蔽ギャップ距離が、前記長手方向における、前記底部遮蔽電極の前記第1の長手方向の縁と前記追加の底部遮蔽電極の前記第1の長手方向の縁との間に形成される、請求項7に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、前記コンデンサの前記第1の端部と前記第2の端部との間に、前記長手方向にコンデンサの長さを有し、前記コンデンサの長さと前記第1の遮蔽ギャップ距離との比が、約2よりも大きい、請求項8に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 第2の遮蔽ギャップ距離が、前記長手方向における、前記底部遮蔽電極の前記第2の長手方向の縁と前記追加の底部遮蔽電極の前記第2の長手方向の縁との間に形成される、請求項7に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、前記コンデンサの前記第1の端部と前記第2の端部との間に、前記長手方向にコンデンサの長さを有し、前記コンデンサの長さと前記遮蔽電極オフセット距離との比が、約2よりも大きい、請求項10に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、前記上面と前記底面との間に、前記Z方向にコンデンサの厚さを有し、かつ
前記コンデンサの厚さと上部遮蔽電極領域の前記Z方向の厚さとの比が、約2.1から約20の範囲である、請求項3に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。 - コンデンサの厚さと作用電極領域の厚さとの比が、約1.1から約20の範囲である、請求項3に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記底部遮蔽電極が、前記長手方向に延びる長手方向の中心線に関して、前記横方向に対称である、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記複数の作用電極が、前記第1の電極と前記Z方向にほぼ揃えられている第2の電極を含み、前記第2の電極が、前記第2の外部端子と電気的に接続されたベース部分を備え、中央端部ギャップ距離が、前記長手方向において、前記第1の電極の前記中央部分と前記第2の電極の前記ベース部分との間に形成される、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、33GHzから40GHzの周波数範囲にわたって測定された場合、-0.25dBから-0.55dBの挿入損を示す、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、23GHzから30GHzの周波数範囲にわたって測定された場合、-0.20dBから-0.35dBの挿入損を示す、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、13GHzから20GHzの周波数範囲にわたって測定された場合、-0.15dBから-0.40dBの挿入損を示す、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記コンデンサが、4GHzから10GHzの周波数範囲にわたって測定された場合、-0.1dBから-0.25dBの挿入損を示す、請求項1に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 第1の端部、および前記第1の端部から横方向に垂直な長手方向に離間された第2の端部を有する広帯域積層セラミックコンデンサを形成する方法であって、前記横方向および長手方向が、それぞれZ方向に垂直であり、前記コンデンサが、上面、および前記Z方向に前記上面と反対側にある底面を有し、前記方法が、
複数の作用電極層に複数の作用電極を形成するステップと、
上部遮蔽電極層に上部遮蔽電極を形成するステップと、
底部遮蔽電極層に底部遮蔽電極を形成するステップと、
モノリシックボディを形成するために、前記複数の作用電極層、前記上部遮蔽電極層、および前記底部遮蔽電極層を、複数の誘電層と積み重ねるステップと、
前記モノリシックボディの第1の端部に第1の外部端子を形成するステップと、
前記モノリシックボディの第2の端部に第2の外部端子を形成するステップと
を含み、前記上部遮蔽電極層が、前記モノリシックボディ内に配置され、また前記複数の作用電極層と前記コンデンサの前記上面との間に配置され、前記上部遮蔽電極が、前記コンデンサの前記上面から、最上の遮蔽部から上部までの距離だけ離間され、また前記複数の作用電極から、第1の遮蔽部から作用部までの距離だけ離間されており、
前記底部遮蔽電極層が、前記モノリシックボディ内に配置され、また前記複数の作用電極と前記コンデンサの前記底面との間に配置され、第2の遮蔽電極が、前記コンデンサの前記底面から、最下の遮蔽部から底部までの距離だけ離間されており、
前記最上の遮蔽部から上部までの距離と前記最下の遮蔽部から底部までの距離との比が、約0.8から約1.2の間であり、
前記第1の遮蔽部から作用部までの距離と前記最下の遮蔽部から底部までの距離との比が、約1から約20の範囲内であり、かつ
前記最下の遮蔽部から底部までの距離が、約8ミクロンから約100ミクロンの範囲であり、
前記作用電極層のうちの少なくとも1層が、前記第1の外部端子に電気的に接続されたベース部分と、前記ベース部分から前記長手方向に延在する第1の電極アームと、前記ベース部分から前記長手方向に延在する中央部分とを備える、第1の電極を備え、前記第1の電極アームは、前記第1の電極アームの前記横方向の縁からオフセットした階段部分を含む、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023150077A JP2023169296A (ja) | 2019-01-28 | 2023-09-15 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962797532P | 2019-01-28 | 2019-01-28 | |
US62/797,532 | 2019-01-28 | ||
PCT/US2020/014892 WO2020159811A1 (en) | 2019-01-28 | 2020-01-24 | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023150077A Division JP2023169296A (ja) | 2019-01-28 | 2023-09-15 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022519039A JP2022519039A (ja) | 2022-03-18 |
JP7446318B2 true JP7446318B2 (ja) | 2024-03-08 |
Family
ID=71731901
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021544126A Active JP7446318B2 (ja) | 2019-01-28 | 2020-01-24 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
JP2023150077A Pending JP2023169296A (ja) | 2019-01-28 | 2023-09-15 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023150077A Pending JP2023169296A (ja) | 2019-01-28 | 2023-09-15 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11195656B2 (ja) |
JP (2) | JP7446318B2 (ja) |
CN (2) | CN113330526B (ja) |
DE (1) | DE112020000549T5 (ja) |
TW (1) | TW202109575A (ja) |
WO (1) | WO2020159811A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9847173B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting substrate |
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-
2020
- 2020-01-24 JP JP2021544126A patent/JP7446318B2/ja active Active
- 2020-01-24 DE DE112020000549.6T patent/DE112020000549T5/de active Pending
- 2020-01-24 US US16/751,323 patent/US11195656B2/en active Active
- 2020-01-24 CN CN202080010338.9A patent/CN113330526B/zh active Active
- 2020-01-24 WO PCT/US2020/014892 patent/WO2020159811A1/en active Application Filing
- 2020-01-24 CN CN202310716299.XA patent/CN116612991A/zh active Pending
- 2020-01-30 TW TW109102932A patent/TW202109575A/zh unknown
-
2021
- 2021-12-03 US US17/541,337 patent/US11728092B2/en active Active
-
2023
- 2023-09-15 JP JP2023150077A patent/JP2023169296A/ja active Pending
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JP2009527919A (ja) | 2006-02-22 | 2009-07-30 | ヴィシャイ スプレイグ,インコーポレイテッド | 改良高電圧キャパシタ |
JP2010045372A (ja) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Avx Corp | 超広帯域キャパシタ |
JP2015073115A (ja) | 2009-07-01 | 2015-04-16 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高電圧能力を有する高静電容量の多層 |
US20130093556A1 (en) | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered ceramic electronic component and fabrication method thereof |
US20160240317A1 (en) | 2015-02-16 | 2016-08-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
US20180374646A1 (en) | 2017-06-26 | 2018-12-27 | Vishay Israel Ltd. | Wideband coupling capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022519039A (ja) | 2022-03-18 |
CN113330526B (zh) | 2023-07-04 |
CN116612991A (zh) | 2023-08-18 |
DE112020000549T5 (de) | 2021-10-14 |
US11195656B2 (en) | 2021-12-07 |
US20200243261A1 (en) | 2020-07-30 |
WO2020159811A1 (en) | 2020-08-06 |
CN113330526A (zh) | 2021-08-31 |
US11728092B2 (en) | 2023-08-15 |
JP2023169296A (ja) | 2023-11-29 |
US20220093332A1 (en) | 2022-03-24 |
TW202109575A (zh) | 2021-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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