JP7462846B2 - 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ - Google Patents
超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7462846B2 JP7462846B2 JP2023541623A JP2023541623A JP7462846B2 JP 7462846 B2 JP7462846 B2 JP 7462846B2 JP 2023541623 A JP2023541623 A JP 2023541623A JP 2023541623 A JP2023541623 A JP 2023541623A JP 7462846 B2 JP7462846 B2 JP 7462846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- working electrode
- capacitor
- electrode
- external terminal
- multilayer ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 53
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 13
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ba] Chemical compound [Ca].[Ba] FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N calcium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ca+2].[Ti+4].[Ba+2] JXDXDSKXFRTAPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
[0001]
関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年１月７日の出願日を有する米国仮特許出願第６３／１３４，６２０号の出願利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年１月７日の出願日を有する米国仮特許出願第６３／１３４，６２０号の出願利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
[0002]近代の技術的用途の多様性は、それらの用途に使用される有効な電子構成要素および集積回路の必要性をもたらしている。コンデンサは、無線通信、警報システム、レーダシステム、回路切替え、整合化回路網および多くの他の用途を含み得るこのような近代の用途におけるフィルタリング、結合、バイパス化および他の態様のために使用される基本的な構成要素である。集積回路の速度の劇的な高速化および実装密度の劇的な増加は、とりわけ結合コンデンサ技術における進歩を要求している。高静電容量結合コンデンサが多くの現在の用途における高い周波数にさらされる場合、性能特性がますます重要になる。コンデンサは、このような広範囲にわたる様々な用途に対する基本となるものであるため、それらの精度および効率は不可欠である。したがってコンデンサ設計の多くの特定の態様は、それらの性能特性を改善することに的が絞られている。
[0003]本発明の一実施形態によれば、広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向に積み重ねられた、複数の誘電層を備える、モノリシックボディを含んでもよい。第１の外部端子は、コンデンサの第１の端部に沿って配置されてもよい。第１の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含んでもよい。第２の外部端子は、長手方向において第１の端部と反対側にある、コンデンサの第２の端部に沿って配置されてもよい。第２の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含んでもよい。第１の外部端子の底部分および第２の外部端子の底部分は、長手方向に、底部外部端子間隔距離だけ離間されていてもよい。コンデンサは、複数の作用電極層を備えてもよい。複数の作用電極層のうちの第１の作用電極層は、第１の外部端子と接続された第１の作用電極と、第２の外部端子と接続された第２の作用電極とを備えてもよい。第２の電極は、第１の電極と同一平面上にあってもよい。複数の作用電極層のうちの第２の作用電極層は、第１の外部端子と接続された第３の作用電極と、第２の外部端子と接続された第４の作用電極とを備えてもよい。第３の電極は、第４の電極と同一平面上にあってもよい。第１の作用電極は、第４の作用電極と、長手方向に重畳してもよい。コンデンサは、長手方向における、第１の端部と第２の端部との間に、コンデンサの長さを有する。コンデンサの長さの、底部外部端子間隔距離に対する比は、約４より大きくてもよい。
[0004]本発明の別の実施形態によれば、広帯域積層セラミックコンデンサを形成する方法は、複数の作用電極層に複数の作用電極を形成するステップを、含むことができる。複数の作用電極層のうちの少なくとも１つの作用電極層は、第１の作用電極および第２の作用電極を備えることができる。複数の作用電極層のうちの第２の作用電極層は、第３の作用電極および第４の作用電極を備えることができる。第３の電極は、第４の電極と同一平面上にあり得る。第１の作用電極は、第４の作用電極と、長手方向に重畳することができる。この方法は、モノリシックボディを形成するために、複数の作用電極層を複数の誘電層と積み重ねるステップを、含むことができる。この方法は、第１の作用電極および第３の作用電極とつながるコンデンサの第１の端部に沿って、第１の外部端子を堆積させるステップを、含むことができる。第１の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含むことができる。この方法は、第１の端部とは反対側にある、コンデンサの第２の端部に沿って第２の外部端子を堆積するステップを、含むことができる。第２の外部端子は、第２の作用電極および第４の作用電極につながることができる。第２の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含むことができる。第１の外部端子の底部分および第２の外部端子の底部分は、長手方向に、底部外部端子間隔距離だけ離間され得る。コンデンサは、長手方向における、第１の端部と第２の端部との間のコンデンサの長さを有することができる。コンデンサの長さと底部外部端子間隔距離との比は、約４より小さくなり得る。
[0005]当業者に対する、本発明の最良モードを含む本発明の完全で、かつ、実施可能な開示は、添付の図の参照を含む本明細書の残りの部分でより具体的に説明される。
[0023]当業者には、本考察は例示的実施形態の説明にすぎず、本発明のより広義の態様を制限することは意図されていないことを理解されたい。
[0024]コンデンサは、概して言えば、コンデンサのモノリシックボディの少なくとも一部を形成してもよい、交互に配置された誘電層および電極層を備える。コンデンサは、誘電層および電極層を、積み重ねられた、すなわち積層された構成で配置することにより、例えば誘電層がセラミックを含む場合に、積層コンデンサ、具体的には積層セラミックコンデンサと呼ばれてもよい。
[0025]コンデンサは、Ｚ方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディを含んでもよい。第１の外部端子は、コンデンサの第１の端部に沿って配置され得る。第１の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含むことができる。第２の外部端子は、長手方向において第１の端部と反対側にある、コンデンサの第２の端部に沿って配置され得る。第２の外部端子は、コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含むことができる。第１の外部端子の底部分および第２の外部端子の底部分は、長手方向に、底部外部端子間隔距離だけ離間され得る。
[0026]底部外部端子間隔距離は、外部端子間でフリンジ効果静電容量が生み出されるように、比較的短くすることができる。フリンジ効果静電容量は、コンデンサの優れた高周波性能に寄与することができる。コンデンサは、例えば、長手方向における、第１の端部と第２の端部との間に、コンデンサの長さを有することができる。コンデンサの長さの、底部外部端子間隔距離に対する比は、約４より大きく、いくつかの実施形態では約５より大きく、いくつかの実施形態では約７より大きく、いくつかの実施形態では約１０より大きく、またいくつかの実施形態では約２０より大きくなり得る。
[0027]いくつかの実施形態では、底部外部端子間隔距離は、約２５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約２００ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、いくつかの実施形態では約７５ミクロン未満、いくつかの実施形態では約５０ミクロン未満であり得る。
[0028]コンデンサは、複数の作用電極層を備えることができる。複数の作用電極層のうちの第１の作用電極層は、第１の外部端子と接続された第１の作用電極と、第２の外部端子と接続された第２の作用電極とを備えることができる。第２の電極は、第１の電極と同一平面上にあり得る。複数の作用電極層のうちの第２の作用電極層は、第１の外部端子と接続された第３の作用電極と、第２の外部端子と接続された第４の作用電極とを備えることができる。第３の作用電極は、第４の作用電極と同一平面上にあり得る。第１の作用電極は、第４の作用電極と、長手方向に重畳することができる。第１の作用電極と第４の作用電極との間の重畳は、第１の外部端子と第２の外部端子との間に、静電容量を生成することができる。第１の作用電極は、重畳距離にわたって、第４の作用電極と重畳することができる。重畳距離は、コンデンサの長さのうちのかなりの部分を占めることができる。重畳距離の、コンデンサの長さに対する比は、約０．４より大きく、いくつかの実施形態では約０．５より大きく、またいくつかの実施形態では約０．６より大きくなり得る。重畳距離は、例えば、約０．４から約０．９８、いくつかの実施形態では約０．５から約０．９５、またいくつかの実施形態では約０．６から約０．９の範囲であり得る。
[0029]作用電極は、同一平面上にある電極間に、フリンジ効果静電容量を生成する構成を有することができる。このフリンジ効果静電容量も、デバイスの優れた高周波性能に寄与することができる。第１の作用電極は、例えば、第１の作用電極のベース部分から、長手方向に離れる方へ延びる、中央部分を含むことができる。第２の作用電極は、ベース部分と、第１の端部に向かって長手方向に延びる、少なくとも１本のアームとを含むことができる。第２の作用電極のアームは、長手方向に、第１の作用電極の中央部分と重畳することができる。
[0030]第１および第２の作用電極は、比較的短い中央端部ギャップおよび／または中央縁ギャップを形成することができ、ギャップは、作用電極間にフリンジ効果静電容量を生成することができる。中央端部ギャップ距離は、例えば、長手方向における、第１の作用電極の中央部分と第２の作用電極のベース部分との間に形成され得る。中央端部ギャップ距離は、長手方向における、第１の作用電極の中央部分と第２の作用電極のベース部分との間に形成され得る。いくつかの実施形態では、中央端部ギャップは、約２５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１２０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約８０ミクロンであり得る。
[0031]中央縁ギャップ距離は、横方向における、第１の作用電極の中央部分と第２の作用電極のアームとの間に形成され得る。いくつかの実施形態では、中央縁ギャップは、約２５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１５０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１２０ミクロン未満、いくつかの実施形態では約１００ミクロン未満、またいくつかの実施形態では約８０ミクロン未満であり得る。中央縁ギャップ距離の、底部外部端子間隔距離に対する比は、約０．５から約２の範囲であり得る。
[0032]中央端部ギャップ距離および／または中央縁ギャップ距離は、底部外部端子間隔距離と比較的類似していてもよい。中央端部ギャップ距離の、底部外部端子間隔距離に対する比は、例えば、約０．５から約２、いくつかの実施形態では約０．６から約１．８、いくつかの実施形態では約０．７から約１．６、いくつかの実施形態では約０．８から約１．４、またいくつかの実施形態では約０．９から約１．１の範囲であり得る。中央端部ギャップ距離の、底部外部端子間隔距離に対する比は、約０．５から約２、いくつかの実施形態では約０．６から約１．８、いくつかの実施形態では約０．７から約１．６、いくつかの実施形態では約０．８から約１．４、またいくつかの実施形態では約０．９から約１．１の範囲であり得る。最後に、中央縁ギャップは、中央端部ギャップと比較的類似したサイズであり得る。中心端部ギャップ距離の、中心縁ギャップ距離に対する比は、例えば、約０．５から約２、いくつかの実施形態では約０．６から約１．８、いくつかの実施形態では約０．７から約１．６、いくつかの実施形態では約０．８から約１．４、またいくつかの実施形態では約０．９から約１．１の範囲であり得る。
[0033]同一平面上にある作用電極のサイズおよび間隔は、以前のコンデンサよりも広い高周波範囲にわたる静電容量の改善を実現するために、外部終端のサイズおよび間隔と組み合わせて選択的に構成され得る。底部外部端子間隔距離は、例えば、第１の周波数範囲にわたってコンデンサの応答特性を改善する、外部端子の外部フリンジ効果静電容量を生成するよう選択され得る。作用電極の構成は、第１の周波数範囲から、高く、またはより低く広がる（または完全に別の）第２の周波数範囲にわたってコンデンサの応答を改善する、フリンジ効果静電容量を生成するよう選択され得る。したがって、こうした機能の組合せが、いずれかの機能単独よりも優れた、コンデンサの高周波性能を実現することができる。
[0034]いくつかの実施形態では、コンデンサは、１つまたは複数の遮蔽電極層を備えることができる。遮蔽電極層は、様々な形状および構成を有することができる。各遮蔽電極層は、例として、一対の対向する、同一平面上にある遮蔽電極を備えることができる。いくつかの実施形態では、遮蔽電極は、正方形であり得る。他の実施形態では、遮蔽電極は、階段部または切欠きを有することができる。
[0035]遮蔽電極層は、セラミックボディ内に位置してもよい。遮蔽電極は、作用電極領域とセラミックボディの底面との間に、位置してもよい。遮蔽電極は、遮蔽電極領域が作用電極領域から離間され、かつ／または作用電極領域と区別可能になるように、概ね、遮蔽部から作用部までの距離だけ、作用電極から離間されている。複数の作用電極層のうちの作用電極層は、「降下（ｄｒｏｐ）」と呼ばれることがある、作用電極間隔距離だけ、Ｚ方向に互いに均一に離間されていてもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、作用電極間隔距離より長くてもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、例えば、作用電極間隔距離よりも２倍以上長く、いくつかの実施形態では３倍以上長く、いくつかの実施形態では４倍以上長く、いくつかの実施形態では５倍以上長く、またいくつかの実施形態では１０倍以上長くてもよい。
[0036]作用電極間隔距離は、例として、約０．１ミクロンから約２ミクロン、またいくつかの実施形態では、約０．２ミクロンから約０．５ミクロンの範囲であってもよい。遮蔽部から作用部までの距離は、５ミクロンから約８０ミクロン、いくつかの実施形態では約１０ミクロンから約７０ミクロン、いくつかの実施形態では約２０ミクロンから約６０ミクロン、またいくつかの実施形態では約３０ミクロンから約５０ミクロンの範囲であってもよい。
[0037]いくつかの実施形態では、モノリシックボディは、Ｚ方向において、作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域に、電極層がなくてもよい。しかし、他の実施形態では、作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域は、外部端子を形成する助けとなる可能性がある、１つの、またはダミーの電極タブを備えてもよい。ダミー電極タブは、コンデンサのそれぞれの端部から、概ね、コンデンサの長さの２５％未満しか延在しない。例えば、第１の複数のダミー電極タブは、第１の外部端子に接続されていてもよく、第２の複数のダミー電極タブは、第２の外部端子に接続されていてもよい。
[0038]いくつかの実施形態では、コンデンサは、作用電極領域とコンデンサの上部との間に、誘電体領域を含んでいてもよい。言い換えると、作用電極領域は、Ｚ方向における、誘電体領域と遮蔽電極領域との間に位置してもよい。誘電体領域は、作用電極領域から広帯域積層セラミックコンデンサの上面まで延在することができる。誘電体領域、および／または作用電極領域と遮蔽電極領域との間の領域（例えば、「追加の誘電体領域」）には、作用電極および／または遮蔽電極がなくてもよい。誘電体領域には、例えば、コンデンサの長さの２５％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの２０％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの１５％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの１０％より長く、いくつかの実施形態ではコンデンサの長さの５％より長く、またいくつかの実施形態ではコンデンサの長さの２％より長く延びる、電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、誘電体領域は、例えば、１つまたは複数のフローティング電極および／またはダミー電極タブを、備えることができる。しかし、他の実施形態では、誘電体領域には、一切の電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向において、複数の作用電極層の上に遮蔽電極がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向において、複数の作用電極層のうちの最も下の電極層の上に遮蔽電極がなくてもよい。
[0039]広帯域積層セラミックコンデンサは、Ｚ方向における、上面と底面との間に、コンデンサの厚さを有してもよい。誘電体領域は、Ｚ方向に、誘電体領域の厚さを有してもよい。コンデンサの厚さの、誘電体領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。
[0040]遮蔽電極領域は、Ｚ方向に、遮蔽電極領域の厚さを有してもよい。遮蔽電極領域の厚さは、Ｚ方向における、遮蔽電極領域の最も下の遮蔽電極と、遮蔽電極領域の最も上の遮蔽電極との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さの、遮蔽電極領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。
[0041]作用電極領域は、Ｚ方向に、作用電極領域の厚さを有してもよい。作用電極領域の厚さは、最も下の作用電極層と最も上の電極層との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さの、作用電極領域の厚さに対する比は、約１．１から約２０、いくつかの実施形態では約１．５から約１０、いくつかの実施形態では約１．７から約５の範囲であってもよい。
[0042]積層セラミックコンデンサは、広い範囲の周波数にわたって、低い挿入損を示す可能性がある。一般に、挿入損は、コンデンサを介した電力の損失であり、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して測定され得る。例えば、コンデンサは、約１ＧＨｚから約４０ＧＨｚで約－０．５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約－０．３５ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約－０．３ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。いくつかの実施形態では、コンデンサは、約１０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では、約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約２０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約２０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約２０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約３０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約３０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。コンデンサは、約４０ＧＨｚで約－０．４ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．３５ｄＢを超える、いくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．３ｄＢを超える、またいくつかの実施形態では約４０ＧＨｚで約－０．２５ｄＢを超える、挿入損を示すことができる。
[0043]いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサは、約５ＧＨｚから約２０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．４ｄＢ、いくつかの実施形態では、約１０ＧＨｚから約２０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢ、いくつかの実施形態では、約２０ＧＨｚから約３０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢ、またいくつかの実施形態では、約３０ＧＨｚから約４０ＧＨｚで約－０．０５ｄＢから約－０．３ｄＢの範囲である挿入損を示すことができる。
Ｉ．例示的実施形態
[0044]図１Ａ～図１Ｃに目を向けると、積層セラミックコンデンサ１００の一実施形態が開示されている。図１Ａは、本開示の態様による、例示的なコンデンサ１００の作用電極層１０２の、一実施形態の上面図を示している。図１Ｂは、電極層１０２および遮蔽層１５によって形成される、複数の容量性領域を示している。図１Ｃは、本開示の態様による、図１Ａのコンデンサ１００の一実施形態の、簡略化された側面図を示している。図１Ｄは、コンデンサ１４０の別の実施形態の、簡略化された側面図である。図１Ｃを参照すると、積層コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６に積み重ねられた複数の電極領域１０を含んでもよい。複数の電極領域１０は、誘電体領域１２、作用電極領域１４、遮蔽電極領域１６、および追加の誘電体領域１１５を含んでもよい。作用電極領域１４は、Ｚ方向１３６における、誘電体領域１２と遮蔽電極領域１６との間に配置され得る。誘電体領域１２は、作用電極領域１４から広帯域積層セラミックコンデンサ１００の上面１８まで延在することができる。コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６における上面１８と反対側の、底面２０を含むことができる。
[0044]図１Ａ～図１Ｃに目を向けると、積層セラミックコンデンサ１００の一実施形態が開示されている。図１Ａは、本開示の態様による、例示的なコンデンサ１００の作用電極層１０２の、一実施形態の上面図を示している。図１Ｂは、電極層１０２および遮蔽層１５によって形成される、複数の容量性領域を示している。図１Ｃは、本開示の態様による、図１Ａのコンデンサ１００の一実施形態の、簡略化された側面図を示している。図１Ｄは、コンデンサ１４０の別の実施形態の、簡略化された側面図である。図１Ｃを参照すると、積層コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６に積み重ねられた複数の電極領域１０を含んでもよい。複数の電極領域１０は、誘電体領域１２、作用電極領域１４、遮蔽電極領域１６、および追加の誘電体領域１１５を含んでもよい。作用電極領域１４は、Ｚ方向１３６における、誘電体領域１２と遮蔽電極領域１６との間に配置され得る。誘電体領域１２は、作用電極領域１４から広帯域積層セラミックコンデンサ１００の上面１８まで延在することができる。コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６における上面１８と反対側の、底面２０を含むことができる。
[0045]電極領域１０は、複数の誘電層を含むことができる。いくつかの誘電層は、そこに形成された電極層を含むことができる。一般に、誘電層および電極層の厚さは制限されず、コンデンサの性能特性に応じて、必要な任意の厚さにすることができる。例えば電極層の厚さは、それには限定されないが、約１μｍ以上など、約２μｍ以上など、約３μｍ以上など、約４μｍ以上などの約５００ｎｍ以上から、約５μｍ以下など、約４μｍ以下など、約３μｍ以下など、約２μｍ以下などの約１０μｍ以下までであってもよい。例えば電極層は、約１μｍから約２μｍまでの厚さを有することができる。さらに、一実施形態では、誘電層の厚さは、電極層の上記厚さに従って定義され得る。また、誘電層のこのような厚さは、存在する場合、本明細書において定義されているように、任意の作用電極層および／または遮蔽電極層間の層にも適用できることを理解されたい。
[0046]一般に、本発明は、様々な利益および利点を提供する、独自の電極配置および構成を有する積層コンデンサを提供する。これに関して、コンデンサを構築するのに使用される材料は、制限されることはあり得ず、また、当技術分野で広く使用されている任意の材料であってもよく、また、当技術分野で広く使用されている任意の方法を使用して形成され得ることを理解されたい。
[0047]一般に、誘電層は、典型的には約１０から約４０，０００まで、いくつかの実施形態では約５０から約３０，０００まで、また、いくつかの実施形態では約１００から約２０，０００までなどの比較的高い誘電率（Ｋ）を有する材料から形成される。
[0048]これに関して、誘電材料はセラミックであってもよい。セラミックは、ウェーハ（例えば事前焼成された）、またはデバイス自体内で共焼成される誘電材料などの様々な形態で提供され得る。
[0049]高誘電材料のタイプの特定の例は、例えばＮＰＯ（ＣＯＧ）（最大約１００）、Ｘ７Ｒ（約３，０００から約７，０００まで）、Ｘ７Ｓ、Ｚ５Ｕおよび／またはＹ５Ｖ材料を含む。上記材料は、それらの産業分野で認められた定義によって記述されるものであり、そのような定義の一部は、米国電子工業会（ＥＩＡ）によって確立された標準分類であり、また上記材料は、そのようなものとして、当業者によって認識されるべきであることを認識されたい。例えばこのような材料は、セラミックを含むことができる。このような材料は、チタン酸バリウムおよび関連する固溶体（例えばチタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウム、等々）、チタン酸鉛および関連する固溶体（例えばジルコン酸チタン酸鉛、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）、ビスマスチタン酸ナトリウム、等々などのペロブスカイトを含むことができる。特定の一実施形態では、例えば式ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３のチタン酸バリウムストロンチウム（「ＢＳＴＯ」）が使用されてもよく、上式でｘは０から１までであり、いくつかの実施形態では約０．１５から約０．６５まで、また、いくつかの実施形態では約０．２５から約０．６までである。他の適切なペロブスカイトは、例えばｘが約０．２から約０．８までであり、また、いくつかの実施形態では約０．４から約０．６までであるＢａｘＣａ１－ｘＴｉＯ３、ｘが約０．０５から約０．４の範囲にわたるＰｂｘＺｒ１－ｘＴｉＯ３（「ＰＺＴ」）、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（「ＰＬＺＴ」）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ジルコン酸チタン酸バリウムカルシウム（ＢａＣａＺｒＴｉＯ３）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）、ＫＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＮｂ２Ｏ６、ＰｂＴａ２Ｏ６、ＫＳｒ（ＮｂＯ３）、およびＮａＢａ２（ＮｂＯ３）５ＫＨｂ２ＰＯ４を含むことができる。より一層複雑なペロブスカイトはＡ［Ｂ１１／３Ｂ２２／３］Ｏ３材料を含むことができ、上式でＡはＢａｘＳｒ１－ｘ（ｘは０から１までの値であってもよい）、Ｂ１はＭｇｙＺｎ１－ｙ（ｙは０から１までの値であってもよい）、Ｂ２はＴａｚＮｂ１－ｚである（ｚは０から１までの値であってもよい）。特定の一実施形態では、誘電層はチタン酸を含むことができる。
[0050]電極層は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。電極層は、導電性金属などの金属からできていてもよい。材料は、貴金属（例えば銀、金、パラジウム、白金、等々）、卑金属（例えば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、等々）など、ならびにそれらの様々な組合せを含むことができる。スパッタされたチタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）合金、ならびにクロム、ニッケルおよび金のそれぞれのスパッタされた層も同じく適切であり得る。また、電極は、銀、銅、金、アルミニウム、パラジウム、等々などの低抵抗材料で同じくできていてもよい。特定の一実施形態では、電極層は、ニッケルまたはその合金を含むことができる。
[0051]図１Ａは、本開示の態様による、作用電極領域１４の１つまたは複数の電極についての、作用電極パターンの一実施形態の上面図を示している。作用電極領域１４は、より具体的には、例えば、図１Ｂを参照して下記で説明されるように、交互に配置された第１の電極層１０２および第２の電極層１０４を備えてもよい。図１Ａを参照すると、各電極層１０２、１０４は、第１の作用電極１０６および第２の作用電極１０８を備えてもよい。第１の作用電極１０６は、第１の作用電極１０６の長手方向の縁に沿って横方向１３４に延在する、ベース部分１１４を有してもよい。第１の作用電極１０６は、ベース部分１１４から長手方向１３２に延在する、一対の電極アーム１１０を有してもよい。第２の作用電極１０８は、第２の電極層１０８の長手方向の縁に沿って横方向１３４に延在する、ベース部分１１４を有してもよい。第２の電極１０は、ベース部分１１４から長手方向１３２に延在する、一対の電極アーム１１０を有してもよい。
[0052]第１の作用電極１０６の電極アーム１１０は、第２の作用電極１０８の電極アーム１１０に対して、概ね長手方向に揃えられてもよい。アームギャップ２２６は、長手方向１３２における、第１および第２の電極１０６、１０８の揃えられた電極アーム１１０間で定義されてもよい。
[0053]図１Ｂを参照すると、いくつかの容量性領域が、第１の作用電極１０６と第２の作用電極１０８との間に形成されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、中央容量性領域１２２が、第１の作用電極１０６の中央部分１１２と、第２の作用電極１０８のベース部分１１４および／またはアーム１２８との間に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、アームギャップ容量性領域１２４は、第１の作用電極１０６の電極アーム１１０と第２の作用電極１０８との間の、アームギャップ２３８内に形成されてもよい。
[0054]図１Ｃおよび図１Ｄを参照すると、複数の第１の電極層１０２および複数の第２の電極層１０４が、交互に左右反対の構成で配置されていてもよい。図示されているように、それぞれの電極層の中央部分１１２は、少なくとも部分的に重畳している。図１Ｃは、合計４つの電極層を示しているが、所望の用途に向けた所望の静電容量を得るために、任意の数の電極層が使用されてもよいことを理解されたい。
[0055]複数の作用電極層１０２、１０４が、作用電極領域１４内に配置され得る。各作用電極層１０２、１０４は、例えば、図１Ａから図１Ｃを参照して以下で説明されるように、１つまたは複数の作用電極を含むことができる。例えば、第１の作用電極層１０２は、第１の作用電極１０６および第２の作用電極１０８を備えることができる。第２の作用電極層１０３は、第１の外部端子１１８に接続された第３の作用電極１０７と、第２の外部端子１２０に接続された第４の作用電極１０９とを備えることができる。第３の作用電極１０７は、第４の作用電極１０９と同一平面上にあり得る。第１の作用電極１０６は、長手方向１３２に、第４の作用電極１０９と重畳することができる。第１の作用電極１０６は、重畳距離１１３にわたって、第４の作用電極と重畳することができる。積層コンデンサ１００は、交互に配置された第１の作用電極層１０２および第２の作用電極層１０３、１０４を収容してもよい。
[0056]コンデンサ１００は、遮蔽電極領域１６に１層または複数の遮蔽電極層１５を備えてもよい。遮蔽電極層１５は、例えば図２Ａおよび図２Ｂを参照して下記で説明されるように、様々な構成を有してもよい。遮蔽電極領域１６は、コンデンサ１００内の、作用電極領域１４とセラミックボディ１００の底面２０との間に、位置してもよい。遮蔽電極層１５は、遮蔽電極２２、２４が作用電極１０６、１０８と区別されるように、概ね、遮蔽部から作用部までの距離６７だけ、作用電極層１０２、１０４から離間されている。作用電極層１０２、１０４は、例えば、「降下」と呼ばれることがある、作用電極間隔距離１０５だけ、Ｚ方向１３６に互いに均一に離間されていてもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、作用電極間隔距離１０５より長くてもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、例えば、作用電極間隔距離１０５より２倍以上長くてもよい。作用電極間隔距離１０５は、例として、約０．５ミクロンから約５ミクロンの範囲であってもよい。遮蔽部から作用部までの距離６７は、約５ミクロンより長く、いくつかの実施形態では約１０ミクロンより長く、いくつかの実施形態では約２０ミクロンより長く、またいくつかの実施形態では約３０ミクロンより長くてもよい。
[0057]いくつかの実施形態では、コンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、作用電極領域１４と遮蔽電極領域１６との間の、追加の誘電体領域１１５（例えば、第２の誘電体領域）に、電極層１０２、１０４がなくてもよい。しかし、他の実施形態では、作用電極領域１４と遮蔽電極領域１６との間の領域１１５は、外部端子を形成する助けとなる可能性がある、例えば図３Ａに示されているような、１つの、またはダミーの電極タブを備えてもよい。
[0058]いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６における、上面１８と底面２０との間に、コンデンサの厚さ５６を有してもよい。誘電体領域１２は、Ｚ方向１３６に、誘電体領域の厚さ５８を有することができる。いくつかの実施形態では、コンデンサの厚さ５６と誘電体領域の厚さ５８との比は、約１０未満であり得る。
[0059]作用電極領域１４は、Ｚ方向１３６に、作用電極領域の厚さ５９があってもよい。作用電極領域１４には、遮蔽電極２２、２４がなくてもよく、かつ／または重畳する電極だけしか備えていなくてもよい。作用電極領域の厚さ５９は、最も下の作用電極層１９と最も上の作用電極層６５との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、作用電極領域の厚さ５９に対する比は、約１．１から約２０の範囲であってもよい。
[0060]遮蔽電極領域１６は、Ｚ方向１３６に、遮蔽電極領域の厚さ６１を有してもよい。遮蔽電極領域の厚さ６１は、Ｚ方向１３６における、遮蔽電極領域１６の最も下の遮蔽電極１３７と、遮蔽電極領域１６の最も上の遮蔽電極１３８との間で定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、遮蔽電極領域の厚さ６１に対する比は、約１．１から約２０の範囲であってもよい。
[0061]いくつかの実施形態では、遮蔽部から底面までの距離６３は、遮蔽電極２２、２４とコンデンサ１００の底面２０との間の距離と定義されてもよい。遮蔽部から底面までの距離６３は、複数の遮蔽電極層１５が備えられている場合、遮蔽電極層１５のうちの最も下の層と底面２０との間の距離と定義されてもよい。コンデンサの厚さ５６の、遮蔽部から底面までの距離６３に対する比は、約２より大きくてもよい。
[0062]いくつかの実施形態では、遮蔽電極２２、２４は、作用電極１０６、１０８から、第１の遮蔽部から作用部までの距離６７だけ離間されていてもよい。第１の遮蔽部から作用部までの距離６７は、Ｚ方向１３６における、最も下の作用電極１９と、最も下の作用電極１９に最も近い上部遮蔽電極１３８との間で定義されてもよい。第１の遮蔽部から作用部までの距離６７の、遮蔽部から底面までの距離６３に対する比は、約１から約２０、いくつかの実施形態では約２から約１０、またいくつかの実施形態では約３から約５の範囲であってもよい。
[0063]一般に、本明細書で論じられている実施形態に関して、外部端子１１８、１２０は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。外部端子１１８、１２０は、当技術分野で知られている様々な異なる金属のうちのいずれかから形成され得る。外部端子１１８、１２０は、導電性金属などの金属からできていてもよい。材料は、貴金属（例えば銀、金、パラジウム、白金、等々）、卑金属（例えば銅、スズ、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、等々）など、ならびにそれらの様々な組合せを含むことができる。特定の一実施形態では、外部端子１１８、１２０は、銅またはその合金を含むことができる。
[0064]外部端子１１８、１２０は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して形成され得る。外部端子１１８、１２０は、スパッタリング、塗装、印刷、無電解めっきまたは微細銅終端（ＦＣＴ：ｆｉｎｅ ｃｏｐｐｅｒ ｔｅｒｍｉｎａｌ）、電気めっき、プラズマ堆積、推進剤噴霧／エアブラシ、等々などの技法を使用して形成され得る。
[0065]一実施形態では、外部端子１１８、１２０は、外部端子１１８、１２０が比較的分厚くなるように形成され得る。例えばこのような端子１１８、１２０は、電極層の露出された部分に金属の分厚い膜条片を加えることによって（例えば、コンデンサを液体の外部端子材料に浸漬することによって）形成され得る。このような金属はガラス基質で存在し、また、銀または銅を含むことができる。例として、このような条片はコンデンサの上に印刷および焼成され得る。その後に、コンデンサを基板にはんだ付けすることができるよう、金属（例えばニッケル、スズ、はんだ、等々）の追加めっき層が終端条片の上に生成され得る。分厚い膜条片のこのような塗布は、当技術分野で広く知られている任意の方法を使用して（例えば金属含有ペーストを露出された電極層の上に移すための終端機械および印刷車輪によって）実施され得る。
[0066]分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約１２５μｍ以下など、約１００μｍ以下など、約８０μｍ以下などの約１５０μｍ以下の平均厚さを有することができる。分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約３５μｍ以上など、約５０μｍ以上など、約７５μｍ以上などの約２５μｍ以上の平均厚さを有することができる。例えば分厚くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約３５μｍから約１２５μｍまでなど、約５０μｍから約１００μｍまでなどの約２５μｍから約１５０μｍまでの平均厚さを有することができる。
[0067]別の実施形態では、外部端子１１８、１２０は、外部端子が金属の薄膜めっきであるように形成され得る。このような薄膜めっきは、電極層の露出された部分に導電性金属などの導電材料を堆積させることによって形成され得る。例えば電極層の前縁は、めっきされた終端の形成を可能にし得るように露出され得る。
[0068]薄くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約４０μｍ以下など、約３０μｍ以下など、約２５μｍ以下などの約５０μｍ以下の平均厚さを有することができる。薄くめっきされた外部端子１１８、１２０は、約１０μｍ以上など、約１５μｍ以上などの約５μｍ以上の平均厚さを有することができる。例えば外部端子１１８、１２０は、約１０μｍから約４０μｍまでなど、約１５μｍから約３０μｍまでなど、約１５μｍから約２５μｍまでなどの約５μｍから約５０μｍまでの平均厚さを有することができる。
[0069]一般に、外部端子はめっき端子を備えることができる。例えば外部端子は、電気めっき端子、無電解めっき端子またはそれらの組合せを備えることができる。例えば電気めっき端子は、電解めっきによって形成され得る。無電解めっき端子は、無電解めっきによって形成され得る。
[0070]複数の層が外部端子を構成する場合、外部端子は、電気めっき端子および無電解めっき端子を含むことができる。例えば最初に無電解めっきを使用して、材料の初期層が堆積されてもよい。次に、めっき技法は、材料のより速い構築を可能にすることができる電気化学めっきシステムに切り替えられ得る。
[0071]いずれかのめっき法を使用してめっき端子１１８、１２０を形成する場合、コンデンサの本体から露出される電極層のリードタブの前縁がめっき溶液にさらされる。さらすことにより、一実施形態では本コンデンサがめっき溶液に浸漬され得る。
[0072]めっき溶液は、めっきされた終端を形成するために使用される、導電性金属などの導電材料を含む。このような導電材料は、上記材料のうちのいずれか、または当技術分野で広く知られている任意の材料であってもよい。例えばめっき溶液は、めっきされた層および外部端子がニッケルを含むよう、スルファミン酸ニッケル槽溶液または他のニッケル溶液であってもよい。別法として、めっき溶液は、めっきされた層および外部端子が銅を含むよう、銅酸槽または他の適切な銅溶液であってもよい。
[0073]さらに、めっき溶液は、当技術分野で広く知られている他の添加剤を含むことも可能であることを理解されたい。例えば添加剤は、めっきプロセスを補助することができる他の有機添加剤および媒体を含むことができる。さらに、添加剤は、めっき溶液を所望のｐＨで使用するために使用され得る。一実施形態では、コンデンサ、およびリードタブの露出された前縁に対する、完全なめっき被覆およびめっき材料の結合を補助するために、抵抗低減添加剤が溶液中に使用され得る。
[0074]コンデンサは、所定の時間量の間、めっき溶液に露出、浸水、または浸漬され得る。このような露出時間は必ずしも制限されず、めっき端子を形成するために十分なめっき材料を堆積させることができる十分な時間量であり得る。これに関して、時間は、一組の交互の誘電層および電極層内のそれぞれの電極層の所与の極性のリードタブの、所望の露出された隣接する前縁間の連続接続の形成を可能にする十分な時間でなければならない。
[0075]一般に、電解めっきと無電解めっきの相違は、電解めっきは、外部電源の使用などによる電気的バイアスを使用していることである。電解めっき溶液は、典型的には、高電流密度範囲、例えば１０～１５ａｍｐ／ｆｔ２（定格９．４ボルト）にさらされ得る。接続は、めっき端子の形成を必要とするコンデンサへの負の接続、および同じめっき溶液中の固体材料（例えばＣｕめっき溶液中のＣｕ）への正の接続を使用して形成され得る。すなわちコンデンサは、めっき溶液の極性とは反対の極性にバイアスされる。この方法を使用して、めっき溶液の導電材料が、電極層のリードタブの露出された前縁の金属に引き付けられる。
[0076]コンデンサをめっき溶液に浸す、またはさらす前に、様々な前処理ステップが使用され得る。これらのステップは、リードタブの前縁へのめっき材料の付着に触媒作用を及ぼすこと、付着を加速すること、および／または付着を改善することを含む様々な目的のために実施され得る。
[0077]さらに、めっきまたは任意の他の前処理ステップの前に、初期クリーニングステップが使用され得る。このステップは、電極層の露出されたリードタブの上に形成するあらゆる酸化物の蓄積を除去するために使用され得る。このクリーニングステップは、内部電極または他の導電性素子がニッケルで形成される場合に、酸化ニッケルのあらゆる蓄積の除去を補助するためにとりわけ有用であり得る。構成要素クリーニングは、酸クリーナを含むものなど、プレクリーン槽中の完全浸水によって達成され得る。一実施形態では、露出は、約１０分程度などの所定の時間にわたり得る。また、クリーニングは、別法として化学研磨またはハーパライジングステップによっても同じく達成され得る。
[0078]さらに、導電材料の堆積を容易にするために、電極層のリードタブの露出された金属前縁を活性化するステップが実施され得る。活性化は、パラジウム塩、光パターン化パラジウム有機金属前駆体（マスクまたはレーザを介した）、スクリーン印刷もしくはインクジェット堆積パラジウム化合物、または電気泳動パラジウム堆積物中への浸水によって達成され得る。パラジウムに基づく活性化は、ここでは、ニッケルまたはその合金で形成された、露出されたタブ部分の活性化としばしば良好に作用する活性化溶液の単なる例として開示されていることを認識されたい。しかしながら他の活性化溶液も同じく利用され得ることを理解されたい。
[0079]また、上記活性化ステップの代わりに、またはそれに加えて、コンデンサの電極層を形成する際に、導電材料中に活性化ドーパントが導入され得る。例えば電極層がニッケルを含み、また、活性化ドーパントがパラジウムを含んでいる場合、電極層を形成するニッケルインクまたは組成物中にパラジウムドーパントが導入され得る。そうすることにより、パラジウム活性化ステップを省略することができる。有機金属前駆体など、上記活性化方法のうちのいくつかは、コンデンサの概ねセラミックのボディへの付着を強化するためのガラス形成剤の共堆積に同じく適していることをさらに認識されたい。活性化ステップが上で説明したように実施される場合、終端めっきの前後に、露出された導電性部分に活性剤材料の痕跡がしばしば残り得る。
[0080]さらに、めっき後の後処理ステップが同じく使用され得る。このようなステップは、材料の付着の強化および／または改善を含む様々な目的のために実施され得る。例えばめっきステップを実施した後に、加熱（または焼きなまし）ステップが使用され得る。このような加熱は、焼付け、レーザサブジェクション、ＵＶ露光、マイクロ波露出、アーク溶接、等々によって実施され得る。
[0081]本明細書において示されているように、外部端子は少なくとも１つのめっき層を含むことができる。一実施形態では、外部端子は１つのめっき層のみを備えることができる。しかしながら外部端子は複数のめっき層を備えることができることを理解されたい。例えば外部端子は、第１のめっき層および第２のめっき層を備えることができる。さらに、外部端子は第３のめっき層を同じく備えることができる。これらのめっき層の材料は、上で言及した、当技術分野で広く知られている任意の材料であってもよい。
[0082]例えば第１のめっき層などの１つのめっき層は、銅またはその合金を含むことができる。第２のめっき層などの別のめっき層は、ニッケルまたはその合金を含むことができる。第３のめっき層などの別のめっき層は、スズ、鉛、金、または合金などの組合せを含むことができる。別法としては、初期めっき層がニッケルを含み、スズまたは金のめっき層がそれに続いてもよい。別の実施形態では、銅の初期めっき層が形成され、次にニッケル層が形成され得る。
[0083]一実施形態では、初期すなわち第１のめっき層は、導電性金属（例えば銅）であってもよい。この領域は、次に、密閉のために抵抗体高分子材料を含む第２の層で被覆され得る。この領域は、次に、抵抗性高分子材料を選択的に除去するために研磨され、次に、導電性金属材料（例えば銅）を含む第３の層で再びめっきされ得る。
[0084]初期めっき層の上方の上記第２の層は、はんだバリア層、例えばニッケル－はんだバリア層に対応し得る。いくつかの実施形態では、上記層は、初期無電解または電解めっき層（例えばめっき銅）の頂部に金属（例えばニッケル）の追加層を電気めっきすることによって形成され得る。上記はんだバリア層のための他の例示的材料は、ニッケル－リン、金および銀を含む。上記はんだバリア層の上の第３の層は、いくつかの実施形態では、めっきされたＮｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ／Ｓｎ、または他の適切なめっきされたはんだなどの導電性層に対応し得る。
[0085]さらに、抵抗性合金被覆またはより高い抵抗金属合金被覆、例えば無電解Ｎｉ－Ｐ合金をこのような金属めっきの上に提供するために、電気めっきステップが後続する金属めっきの層が形成され得る。しかしながら本明細書における完全な開示から当業者が理解することになるように、任意の金属被覆を含むことも可能であることを理解されたい。
[0086]上記ステップは、すべて、バレルめっき、流動床めっきおよび／またはフロースルーめっき終端プロセスなどのバルクプロセスとして生じてもよく、それらのすべては当技術分野で広く知られていることを認識されたい。このようなバルクプロセスによれば、複数の構成要素を一度に処理することができ、有効で、かつ、迅速な終端プロセスを提供する。これは、個々の構成要素の処理を必要とする厚膜終端の印刷などの従来の終端方法に関してとりわけ有利である。
[0087]本明細書において説明されているように、外部端子の形成は、概して、電極層のリードタブの露出された前縁の位置によって案内される。このような現象は、コンデンサ上の選択された周辺位置における電極層の露出された導電性金属の構成によって外部めっき端子の形成が決定されるため、「自己決定（ｓｅｌｆ－ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ）」と呼ばれ得る。いくつかの実施形態では、コンデンサは、他の電極（例えば、作用電極または遮蔽電極）を含んでいないコンデンサのモノリシックボディの部分に沿って、露出した導電性金属を設ける、「ダミータブ」を含むことができる。
[0088]また、コンデンサの端子を形成するための追加の技術も同じく本技術の範囲内であり得ることを認識されたい。例示的代替は、それらに限定されないが、厚膜導電性層または薄膜導電性層の両方を形成するための、めっき、磁性、マスキング、電気泳動／静電、スパッタリング、真空蒸着、印刷または他の技法による終端の形成を含む。
[0089]図２Ａは、コンデンサ１００のモノリシックボディ内の、遮蔽電極領域１６（図１Ｃに示されている）内に含まれ得る、遮蔽電極層２６を示している。上記で示されたように、第１の遮蔽電極２２は、長手方向１３２に平行（例えば、図１Ｅに示されている上面および下面１８、２０と平行）であり得る。第１の遮蔽電極２２は、横方向１３４に揃えられ、第１の外部端子１１８（図１Ｅに示されている）および第１の端部１１９とは反対側に面する第１の長手方向の縁２８を有することができる。第１の遮蔽電極２２は、横方向１３４と揃えられ、第１の外部端子（図１Ｅに示されている）および第１の端部１１９とは反対側に面する第２の長手方向の縁３０を有することができる。第２の長手方向の縁３０は、第１の長手方向の縁２８から長手方向１３２に、遮蔽電極オフセット距離３２だけオフセットされ得る。
[0090]第２の遮蔽電極２４は、第２の外部端子１２０（図１Ｅに示されている）および第２の端部１２１に接続され得る。第２の遮蔽電極２４は、Ｚ方向１３６に、第１の遮蔽電極２２とほぼ揃えられ得る（図１Ｅに示されている）。第２の遮蔽電極２４は、第１の遮蔽電極２２と同様の構成を有することができる。例えば、第２の遮蔽電極２４は、横方向１３４に揃えられ、第２の外部端子１２０（図１Ｅに示されている）および第２の端部１２１とは反対側に面する第１の長手方向の縁２８を有することができる。第２の遮蔽電極２４は、横方向１３４に揃えられ、第２の外部端子１２０（図１Ｅに示されている）および第２の端部１２１とは反対側に面する第２の長手方向の縁３０を有することができる。第２の遮蔽電極２４の第２の長手方向の縁３０は、第２の遮蔽電極２４の第１の長手方向の縁２８から長手方向１３２に、遮蔽電極オフセット距離３２だけオフセットされ得る。
[0091]第１の遮蔽容量性領域３４は、第１および第２の遮蔽電極１１９、１２１の第１の長手方向の縁２８間に形成され得る。第２の遮蔽容量性領域３６は、第１および第２の遮蔽電極１１９、１２１の第２の長手方向の縁３０間に形成され得る。いくつかの実施形態では、第１の長手方向の縁２８の横方向１３４の幅３８は、第１の遮蔽電極２２の横方向１３４の幅４０より短くてもよい。
[0092]第１の遮蔽ギャップ距離４２は、長手方向１３２における、第１の遮蔽電極２２の第１の長手方向の縁２８と第２の遮蔽電極２４の第１の長手方向の縁２８との間に形成され得る。第２の遮蔽ギャップ距離４４は、長手方向１３２における、第１の遮蔽電極２２の第２の横方向の縁３０と第２の遮蔽電極２２の第２の横方向の縁３０との間に形成され得る。
[0093]いくつかの実施形態では、第３の遮蔽ギャップ距離４６は、第１の遮蔽電極２２の第３の長手方向の縁４８と第２の遮蔽電極２４の第３の長手方向の縁４８との間に形成され得る。第３の遮蔽容量性領域５１は、第１および第２の遮蔽電極１１９、１２１の第３の長手方向の縁４８間に形成され得る。いくつかの実施形態では、第３の遮蔽ギャップ距離４６が、第２の遮蔽ギャップ距離４４にほぼ等しくてもよく、その結果第３の遮蔽容量性領域５１は、第２の遮蔽容量性領域３６とサイズおよび形状が実質的に類似し得る。例えば、いくつかの実施形態では、第１の遮蔽電極２２および／または第２の遮蔽電極２４は、長手方向１３２に延びる長手方向の中心線５０に関して対称であり得る。
[0094]しかしながら、他の実施形態では、第３の容量性領域５１が、第２の容量性領域３６とは異なるサイズおよび／または形状であり、第２の容量性領域とは異なる静電容量を生成するように、第３の遮蔽ギャップ距離４６は、第２の遮蔽ギャップ距離４４より長くてもよく、または短くてもよい。
[0095]いくつかの実施形態では、１つまたは複数の遮蔽電極２２、２４は、長方形であってもよいことを理解されたい。言い換えれば、遮蔽電極オフセット距離３２が、ゼロまたはほぼゼロであってもよく、その結果、第１の長手方向の縁２８および第２の長手方向の縁３０は、揃えられるか、またはほぼ揃えられる。
[0096]図２Ｂは、遮蔽電極層２００の別の実施形態を示している。コンデンサ１００のモノリシックボディ内の、遮蔽電極領域１６（図１Ｃに示されている）内に備えられていてもよい、遮蔽電極層２００。第１の遮蔽電極２２２は、長手方向１３２と平行（例えば、図１Ｅで示された上面１８および底面２０と平行）であってもよい。第１の遮蔽電極２２２は、概ね、正方形または長方形の形状を有してもよい。第２の遮蔽電極２２４は、第２の外部端子１２０（図１Ｃおよび図１Ｄに示されている）および第２の端部１２１に接続されていてもよい。第２の遮蔽電極２２４は、Ｚ方向１３６において、第１の遮蔽電極２２２とほぼ揃えられていてもよい（図１Ｃおよび図１Ｄに示されている）。第２の遮蔽電極２２４は、第１の遮蔽電極２２と同様の構成を有してもよい。単一の遮蔽容量性領域２３４は、第１の遮蔽電極２２２と第２の遮蔽電極２２４との間に形成されてもよい。
[0097]加えて、図２Ｃは、本開示の態様による、作用電極１０４の構成の別の実施形態を示している。作用電極１０４は、主部分１２８および階段部分１３０を含む、電極アーム１１０を含んでもよい。より具体的には、第１の作用電極１０６の電極アーム１１０は、横方向１３４に延在し、階段部分１３０の縁を画定し得る、第１の長手方向の縁６０を含むことができる。第２の長手方向の縁６２は、横方向１３４に延在することができ、アーム１１０の主部分１２８の縁を画定することができる。第１の長手方向の縁６０は、第２の長手方向の縁６２から長手方向１３２に、アームのオフセット距離６４だけオフセットされ得る。第１の作用電極１０６および／または第２の電極１０８の一方または両方の電極アーム１１０は、それぞれの主および階段部分１２８、１３０を含むことができる。例えば、両方の電極１０６、１０８の両方のアーム１１０は、例えば図２Ａに示されるように、それぞれの主部分１２８および階段部分１３０を含むことができる。主アームギャップ２４０は、揃えられたアーム１１０の階段部分１３０間に形成され得る。階段アームギャップ２４２は、揃えられたアーム１１０の主部分１２８間に形成され得る。
[0098]図２Ｄは、図２Ｃの電極パターンの第１の作用電極１０６と第２の電極１０８との間に形成され得る複数の容量性領域を示している。例えば、いくつかの実施形態では、中央容量性領域１２２が、第１の作用電極１０６の中央部分１１２と、第２の電極１０８のベース部分１１４および／またはアーム１１０との間に形成され得る。いくつかの実施形態では、主アームギャップ容量性領域１２５は、主アームギャップ２４０内に形成され得、階段ギャップ容量性領域１２６は、階段アームギャップ２４２内に形成され得る。
[0099]図３Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１１５には、コンデンサ１００の第１の端部１１９または第２の端部１２０から、コンデンサ１００の長さ２１の２５％より長く延びる電極層がなくてもよい（ボックス１７によって概略的に示されている）。かかる実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１１５は、例えば、１つまたは複数のフローティング電極および／またはダミー電極タブを備えてもよい。しかし、他の実施形態では、誘電体領域１２および／または追加の誘電体領域１１５には、例えば図１Ｃおよび図１Ｄを参照して上記で説明されたように、一切の電極層がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、複数の作用電極層１０２、１０４より上に遮蔽電極２２、２４がなくてもよい。いくつかの実施形態では、広帯域積層セラミックコンデンサ１００は、Ｚ方向１３６において、複数の作用電極層１０２、１０４のうちの最も下の電極層１９より上に、遮蔽電極２２、２４がなくてもよい。ダミータブ電極５２、５４、５５、５７は、例えば微細銅終端プロセスを使用した端子１１８、１２０の堆積および／または形成の、助けとなる可能性がある。ダミータブ電極５２、５４、５５、５７は、第１の端部１１９または第２の端部１２１から、コンデンサの長さ２１の２５％未満しか延在しなくてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、遮蔽電極領域１６と作用電極領域１４との間の領域１１５は、ダミータブ電極５５、５７を備えていてもよい。
[00100]いくつかの実施形態では、コンデンサ１００は、１つまたは複数のフローティング電極を含むことができる。フローティング電極１１１は、誘電体領域１２内に配置され得る。しかしながら、他の実施形態では、フローティング電極１１１は、作用電極領域１４内に配置され得る。一般に、このような浮動電極１１１は、外部端子１１８、１２０に直接接続されていない。フローティング電極は、当技術分野で知られている任意の方法に従って配置され、かつ、構成され得る。例えばフローティング電極は、作用電極層の第１の作用電極および／または第２の作用電極の中央部分など、少なくとも一部と重畳するように設けられ得る。これに関して、フローティング電極層は、第１の電極層および第２の内部電極層と交互に層状にされ、配置され得る。これに関して、このような層は誘電層によって分離され得る。さらに、このようなフローティング電極は、当技術分野で広く知られている任意の形状を有することができる。例えば、一実施形態では、フローティング電極層は、ダガー様構成を有する少なくとも１つのフローティング電極を含むことができる。例えばこのような構成は、本明細書において説明されている第１の電極の構成および形状に類似していてもよい。しかしながらこのような第１の電極は、階段部分を有する電極アームを含んでいても、または含んでいなくてもよいことを理解されたい。
[00101]図３Ｂは、本開示の態様による、コンデンサ１６０の別の例示的な実施形態を示している。コンデンサ１６０は、図３Ｂのコンデンサ１６０が、追加の遮蔽電極領域１６６を含んでもよいことを除いて、図１Ｄのコンデンサ１００と概ね同様であってもよい。コンデンサ１６０は、概ね、長手方向の中心線１６５に関して対称であってもよい。追加の遮蔽電極領域１６６は、概ね、遮蔽電極領域１６と同じように構成されてもよい。作用電極領域１４と追加の遮蔽電極領域１６６との間の誘電体領域１６８は、概して、電極層がないか、またはコンデンサ１６０の長さ２１の２５％より長く延びる電極層がなくてもよい（領域１６８は、例えば、いくつかの実施形態では、ダミー電極を備えてもよい）。コンデンサ１６０は、図３Ｂに示されているように取り付けられてもよく、長手方向の中心線１６５の周りに１８０度回転した向きで、取り付けられてもよい。
[00102]図４Ａは、図１Ｃの電極パターンの３つの容量性素子、すなわち隣り合う電極層間の１次容量性素子１１２’、中央容量性素子１２２’、およびアームギャップ容量性要素１２４’を、概略的に示している。容量性素子１１２’、１２２’、および１２４’は、それぞれ、図１Ｂの中央領域１１２、中央容量性領域１２２、およびアームギャップ容量性領域１２４に対応する。さらに、図４において、外部端子は１１８および１２８として示されている。
[00103]図４Ｂは、図２Ｂの電極構成の４つの容量性素子を概略的に示しており、容量性素子１１２’、１２２’および１２５’、ならびに１２６’が、それぞれ、図２Ｂの中央領域１１２、容量性領域１２２、主アームギャップ容量性領域１２５、および階段ギャップ容量性領域１２６に対応する。様々なギャップの寸法は、図４Ａおよび図４Ｂに示される容量性素子のそれぞれの所望の静電容量値を達成するように選択的に設計され得ることを理解されたい。より具体的には、コンデンサの構成、および電極層の数、電極対の重畳している中央部分の表面積、電極を分離している距離、誘電体材料の誘電率、等々などの様々なパラメータが、所望の静電容量値を達成するように選択され得る。それにもかかわらず、本明細書において開示されているコンデンサは、有効な広帯域性能を提供するために、直列および並列に組み合わされたコンデンサのアレイを含むことができる。
[00104]一例示的超広帯域コンデンサの実施形態では、１次コンデンサ１１２’は、通常、約数キロヘルツ（ｋＨｚ）から約２００メガヘルツ（ＭＨｚ）程度などの概ねより低い周波数範囲で動作するよう適合される、比較的大きい静電容量に対応し、一方、２次コンデンサ１２２’、１２４’、１２５’および／または１２６’は、通常、約２００メガヘルツ（ＭＨｚ）から数ギガヘルツ（ＧＨｚ）程度などの比較的より高い周波数範囲で動作するよう構成される、比較的より小さい値のコンデンサに対応し得る。
[00105]図５は、作用電極層１０２、１０４、および遮蔽電極層１５の電極パターン１５０の、別の実施形態を示している。層の電極パターン１５０は、概ね、図１Ａを参照して上記で説明された電極層と同様であってもよい。しかし、中央部分１１２が、中央部分１１２の一部分にわたって、横方向に拡大されていてもよい。中央縁ギャップ距離２３は、横方向１３４における、第１の電極の中央部分１２２と第２の電極アーム１１０との間で定義されてもよい。中央端部ギャップ距離２５は、長手方向１３２における、第１の作用電極１０６の中央部分１２２と第２の作用電極１０８のベース部分１１４との間で定義されてもよい。いくつかの実施形態では、中央縁ギャップ距離２３は、中央端部ギャップ距離２５とほぼ等しくてもよい。
[00106]第１の作用電極１０６の中央部分１１２は、第１の位置に第１の幅２７を有し、第２の位置に第１の幅２７よりも長い第２の幅２９を有してもよい。第１の幅２７の第１の位置は、長手方向１３２において、第２の幅の第２の位置からオフセットされてもよい。かかる構成は、中央縁ギャップ距離２３を変更することなく、Ｚ方向１３６に隣接する電極の中央部分１１２間の、重畳する面積を調整できるようにする可能性がある。
[00107]図６Ａから図６Ｄは、作用電極層１０２、１０４および遮蔽電極層１５の電極パターンの、追加の実施形態を示している。例えば、図６Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、第１の電極１０６および第２の電極１０８のそれぞれが、図２に関して上記で説明された一対のアーム１１０、２０２の代わりに、単一のアーム１１０を備えてもよい。これに関して、このような電極は、ベースから延在する中央部分を含む１つの電極と、やはりベース部分から延在する１つの電極アームとを含むことができる。一方、対向電極は、ベース部分と、このような第２の電極のベース部分から延在するただ１つの電極アームとを含むことができる。
[00108]図６Ｂを参照すると、いくつかの実施形態では、第１の電極１０６および第２の電極１０８のそれぞれは、中央部分１１２を含むことができる。例えば、各電極１０６、１０８は、それぞれのベース部分から延在する２つの電極アーム１１０、２０２など、少なくとも１つの電極アーム１１０、２０２に加えて、それぞれのベース部分から延在する中央部分１１２を含むことができる。
[00109]図６Ｃを参照すると、いくつかの実施形態では、電極１０６、１０８の電極アーム１１０、２０２は、電極アームの主部分の内側横方向の縁３２４から外方へ、電極層の電極１０６、１０８のうちの少なくとも一方の横方向中心線２３６から離れる方向にオフセットされた、階段部分１３０を有することができる。最後に、図６Ｄを参照すると、いくつかの実施形態では、電極１０６、１０８の電極アーム１１０は、電極アーム１１０、２０２の外側横方向の縁３２２および内側横方向の縁３２４の両方からオフセットされた階段部分１３０を有することができる。作用電極層および遮蔽電極層の電極パターンは、本明細書で例示され、説明された実施形態に加えて、当技術分野で知られているどんな好適な構成を有してもよい。
ＩＩ．試験方法
[00110]試験アセンブリが、本開示の態様によるコンデンサの挿入損および反射損などの性能特性を試験するために、使用され得る。例えば、コンデンサが、試験基板に取り付けられ得る。入力ラインおよび出力ラインはそれぞれ、試験基板に接続され得る。試験基板は、入力ラインおよび出力ラインをコンデンサのそれぞれの外部終端に電気的に接続する、マイクロストリップラインを含むことができる。
[00110]試験アセンブリが、本開示の態様によるコンデンサの挿入損および反射損などの性能特性を試験するために、使用され得る。例えば、コンデンサが、試験基板に取り付けられ得る。入力ラインおよび出力ラインはそれぞれ、試験基板に接続され得る。試験基板は、入力ラインおよび出力ラインをコンデンサのそれぞれの外部終端に電気的に接続する、マイクロストリップラインを含むことができる。
[00111]入力信号は、ソース信号発生器（例えば、１８０６ Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００シリーズソースメジャーユニット（ＳＭＵ）、例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４１０－Ｃ ＳＭＵ）を使用して入力ラインに供給され得、その結果得られるコンデンサの出力信号は、出力ラインで測定され得る（例えば、ソース信号発生器を使用して）。これは、コンデンサの様々な構成に対して繰り返された。
[00112]本発明のこれらおよび他の修正および変更は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者によって実践され得る。さらに、様々な実施形態の態様は、全体または部分の両方において相互に交換され得ることを理解されたい。さらに、当業者は、以上の説明は単なる例にすぎず、添付の特許請求の範囲においてさらに説明されている本発明を制限することは意図されていないことを認識するであろう。
Claims (18)
- 広帯域積層セラミックコンデンサであって、
Ｚ方向に積み重ねられた複数の誘電層を備える、モノリシックボディと、
コンデンサの第１の端部に沿って配置された第１の外部端子であり、前記第１の外部端子が、前記コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含む、第１の外部端子と、
長手方向において前記第１の端部と反対側にある、前記コンデンサの第２の端部に沿って配置された第２の外部端子であり、前記第２の外部端子が、前記コンデンサの前記底面に沿って延在する底部分を含み、前記第１の外部端子の前記底部分および前記第２の外部端子の前記底部分が、長手方向に、底部外部端子間隔距離だけ離間されている、第２の外部端子と、
複数の作用電極層と、を備え、
前記複数の作用電極層のうちの第１の作用電極層が、前記第１の外部端子に接続された第１の作用電極と、前記第２の外部端子に接続された第２の作用電極とを備え、前記第２の作用電極が、前記第１の作用電極と同一平面上にあり、前記複数の作用電極層のうちの第２の作用電極層が、前記第１の外部端子に接続された第３の作用電極と、前記第２の外部端子に接続された第４の作用電極とを備え、前記第３の作用電極が、前記第４の作用電極と同一平面上にあり、前記第１の作用電極が、前記第４の作用電極と、前記長手方向に重畳し、
前記コンデンサが、前記長手方向における、前記第１の端部と前記第２の端部との間に、コンデンサの長さを有し、前記コンデンサの長さの、前記底部外部端子間隙距離に対する比が、４よりも大きい、広帯域積層セラミックコンデンサ。 - 前記底部外部端子間隙距離が、２５０ミクロンより短い、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記第１の作用電極が、前記第１の作用電極のベース部分から、長手方向に離れる方へ延びる、中央部分を有し、前記第２の作用電極が、ベース部分と、前記第１の端部に向かって前記長手方向に延び、前記長手方向に、前記第１の作用電極の前記中央部分と重畳する、少なくとも１本のアームとを備える、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 中央端部ギャップ距離が、前記長手方向における、前記第１の作用電極の前記中央部分と前記第２の作用電極の前記ベース部分との間に形成され、前記中央端部ギャップ距離の、前記底部外部端子間隔距離に対する比が、０．５から２の範囲である、請求項３に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 中央端部ギャップ距離が、前記長手方向における、前記第１の作用電極の前記中央部分と前記第２の作用電極の前記ベース部分との間に形成され、前記中央端部ギャップ距離が、２５０ミクロン未満である、請求項３に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 中央縁ギャップ距離が、横方向における、前記第１の作用電極の前記中央部分と前記第２の作用電極の前記少なくとも１本のアームとの間に形成され、前記中央縁ギャップ距離の、前記底部外部端子間隔距離に対する比が、０．５から２の範囲である、請求項３に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 中央縁ギャップ距離が、横方向における、前記第１の作用電極の前記中央部分と前記第２の作用電極の前記少なくとも１本のアームとの間に形成され、前記中央縁ギャップ距離が、２５０ミクロン未満である、請求項３に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記第１の作用電極が、重畳距離にわたって、前記第４の作用電極と前記長手方向に重畳し、前記重畳距離の、前記コンデンサの長さに対する比が、０．４より大きい、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記第１の外部端子に接続された第１の遮蔽電極と、前記第２の外部端子に接続された第２の遮蔽電極とを備える、少なくとも１層の遮蔽電極層をさらに具備する、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 遮蔽電極ギャップ距離が、前記長手方向における、前記第１の遮蔽電極と前記第２の遮蔽電極との間に形成され、前記遮蔽電極ギャップ距離の、前記底部外部端子間隔距離に対する比が、０．５から２の範囲である、請求項９に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記少なくとも１層の遮蔽電極層が、前記コンデンサの前記底面から、最下の遮蔽部から底部までの距離だけ離間され、前記最下の遮蔽部から底部までの距離が、８ミクロンから１００ミクロンの範囲である、請求項９に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記Ｚ方向における、作用電極領域と前記コンデンサの上面との間に位置する、誘電体領域をさらに含む、請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記広帯域積層セラミックコンデンサが、前記Ｚ方向における、前記上面と前記底面との間に、コンデンサの厚さを有し、前記誘電体領域が、前記Ｚ方向に、誘電体領域の厚さを有し、前記コンデンサの厚さの、前記誘電体領域の厚さに対する比が、２０未満である、請求項１２に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記広帯域積層セラミックコンデンサが、前記長手方向における、前記第１の端部と前記第２の端部との間に、コンデンサの長さを有し、前記誘電体領域には、前記第１の端部または前記第２の端部から、前記コンデンサの長さの２５％より長く延びる電極層がない、請求項１２に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体領域が、前記第１の外部端子に接続された第１の複数のダミー電極タブと、前記第２の外部端子に接続された第２の複数のダミー電極タブとを備える、請求項１２に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体領域には電極層がない、請求項１２に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 少なくとも１つの遮蔽電極と前記複数の作用電極層との間の、遮蔽部から作用部までの距離が、５ミクロンより長い、請求項１２に記載の広帯域積層セラミックコンデンサ。
- 請求項１に記載の広帯域積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、前記方法が、
複数の作用電極層に複数の作用電極を形成するステップであり、前記複数の作用電極層のうちの少なくとも１層の作用電極層が、第１の作用電極および第２の作用電極を備え、前記第２の作用電極が、前記第１の作用電極と同一平面上にあり、前記複数の作用電極層のうちの第２の作用電極層が、第３の作用電極および第４の作用電極を備え、前記第３の作用電極が、前記第４の作用電極と同一平面上にあり、前記第１の作用電極が、前記第４の作用電極と、長手方向に重畳する、複数の作用電極を形成するステップと、
モノリシックボディを形成するために、前記複数の作用電極層を複数の誘電層と積み重ねるステップと、
前記コンデンサの第１の端部に沿って、第１の外部端子を堆積するステップであり、前記第１の外部端子が、前記第１の作用電極および前記第３の作用電極に接続され、前記第１の外部端子が、前記コンデンサの底面に沿って延在する底部分を含む、第１の外部端子を堆積するステップと、
前記コンデンサの、前記第１の端部と反対側にある、第２の端部に沿って第２の外部端子を堆積するステップであり、前記第２の外部端子が、前記第２の作用電極および前記第４の作用電極につながり、前記第２の外部端子が、前記コンデンサの前記底面に沿って延在する底部分を含み、前記第１の外部端子の前記底部分および記第２の外部端子の前記底部分が、長手方向に、底部外部端子間隙距離だけ離間されており、前記コンデンサが、前記長手方向における、前記第１の端部と前記第２の端部との間に、コンデンサの長さを有し、前記コンデンサの長さの、前記底部外部端子間隙距離に対する比が、４よりも小さい、第２の外部端子を堆積するステップと
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163134620P | 2021-01-07 | 2021-01-07 | |
| US63/134,620 | 2021-01-07 | ||
| PCT/US2022/011068 WO2022150275A1 (en) | 2021-01-07 | 2022-01-04 | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023551592A JP2023551592A (ja) | 2023-12-08 |
| JP7462846B2 true JP7462846B2 (ja) | 2024-04-05 |
Family
ID=82218972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023541623A Active JP7462846B2 (ja) | 2021-01-07 | 2022-01-04 | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7462846B2 (ja) |
| CN (1) | CN116635960B (ja) |
| DE (1) | DE112022000532T5 (ja) |
| WO (1) | WO2022150275A1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045372A (ja) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Avx Corp | 超広帯域キャパシタ |
| WO2020159813A1 (en) | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101525666B1 (ko) * | 2013-07-11 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| JP6860995B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2021-04-21 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2019005778A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | Vishay Israel Ltd. | BROADBAND COUPLING CAPACITOR |
| CN114709075A (zh) * | 2018-03-06 | 2022-07-05 | 京瓷Avx元器件公司 | 具有超宽带性能的多层陶瓷电容器 |
-
2022
- 2022-01-04 DE DE112022000532.7T patent/DE112022000532T5/de active Pending
- 2022-01-04 CN CN202280008948.4A patent/CN116635960B/zh active Active
- 2022-01-04 JP JP2023541623A patent/JP7462846B2/ja active Active
- 2022-01-04 WO PCT/US2022/011068 patent/WO2022150275A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045372A (ja) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Avx Corp | 超広帯域キャパシタ |
| WO2020159813A1 (en) | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Avx Corporation | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance |
| JP2022523497A (ja) | 2019-01-28 | 2022-04-25 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116635960A (zh) | 2023-08-22 |
| DE112022000532T5 (de) | 2023-10-26 |
| US20220216011A1 (en) | 2022-07-07 |
| WO2022150275A1 (en) | 2022-07-14 |
| JP2023551592A (ja) | 2023-12-08 |
| CN116635960B (zh) | 2024-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7252357B2 (ja) | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ | |
| JP7446318B2 (ja) | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ | |
| JP7319379B2 (ja) | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ | |
| US11984268B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance | |
| US11984262B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance | |
| US20240029956A1 (en) | Multilayer Ceramic Capacitor Having Ultra-Broadband Performance | |
| JP7462846B2 (ja) | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ | |
| US12033801B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance | |
| US20230368977A1 (en) | Multilayer Ceramic Capacitor Having Ultra-Broadband Performance | |
| TWI845602B (zh) | 具有超寬頻效能的多層陶瓷電容器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231020 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20231020 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240307 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240326 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7462846 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |