JP7440607B2 - ハードコート積層体 - Google Patents
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Description
[1] 基板、および、基板の一方の主面側に配置される下地層を有し、
下地層は無機ナノ粒子を含み、
下地層は、酸素原子、炭素原子、および、ケイ素原子を含み、
下地層は、基板とは反対側の表面側に、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が、基板から離間するにしたがって減少している第1領域を有し、
下地層の第1領域以外の領域において、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が5原子%~40原子%であり、
第1領域の表面での炭素原子の組成比が1原子%以下であるハードコート積層体。
[2] 第1領域において、全元素に対する水素原子の組成比が、基板から離間するにしたがって減少しており、表面での水素原子の組成比が18原子%以下である[1]に記載のハードコート積層体。
[3] 無機ナノ粒子は、Si、Ti、ZrおよびAlのいずれかの酸化物粒子の少なくとも1つである[1]または[2]に記載のハードコート積層体。
[4] 下地層の第1領域側の表面に配置される、無機酸化物を主成分とするオーバーコート層を有する[1]~[3]のいずれかに記載のハードコート積層体。
[5] オーバーコート層の厚みが10nm~250nmである[4]に記載のハードコート積層体。
[6] オーバーコート層に含まれる無機酸化物は、Si、Ti、ZrおよびAlの少なくとも1つの酸化物である[4]または[5]に記載のハードコート積層体。
[7] 下地層は、シリコン原子、酸素原子、炭素原子を含む塗布液に無機ナノ粒子を添加した塗布組成物から形成されたものである[1]~[6]のいずれかに記載のハードコート積層体。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。本明細書の図面において、視認しやすくするために各部の縮尺を適宜変更して示している。
なお、本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明のハードコート積層体は、
基板、および、基板の一方の主面側に配置される下地層を有し、
下地層は無機ナノ粒子を含み、
下地層は、酸素原子、炭素原子、および、無機ナノ粒子に起因するケイ素原子を含み、
下地層は、基板とは反対側の表面側に、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が、基板から離間するにしたがって減少している第1領域を有し、
下地層の第1領域以外の領域において、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が5原子%~40原子%であり、
第1領域の表面での炭素原子の組成比が1原子%以下であるハードコート積層体である。
図1は、本発明のハードコート積層体を主面の面方向から見た概念図、すなわち、側面図である。主面とは、シート状物(フィルム、板状物)の最大面である。
なお、以下の説明では、ハードコート積層体10の基板12側を『下』、下地層14を『上』とも言う。
・測定装置:VGサイエンティフィックス社製ESCALab200-R
・アノード:Mg(600W)
・走査範囲:600-0ev3回
・PE:150ev
・TOA:90度
・スリット:A3
・アイリス:13
(エッチング条件)
・イオン種:Ar
・加速電圧:3kV
・電流:3μA
・エッチング時間:50秒/レベル
なお、XPSによる測定は、下地層14の第2領域18まで行なうが、下地層14の第2領域18において、XPSによる測定値が一定になったら、それ以上は、測定を行わなくてもよい。
液体窒素に浸したサンプル片を割り、断面をSEM(走査電子顕微鏡)を用いて撮像する。下地層14および第1領域16には無機ナノ粒子が含まれているが、オーバーコート層20には含まれていない場合には、SEM画像によりオーバーコート層20を下地層14と区別可能である。よって、オーバーコート層20と下地層14との界面Aをこの方法により定めてもよい。
・National Electrostatics Corporation製 Pelletron 3SDH
・入射イオン4He++
・入射エネルギー2300kV
・入射角75deg
・散乱角160deg
解析には、9点分の積算データを用いる。
H/Siのシグナル量を求めることにより、Siに対してのHの比率を求めることができる。ただし、測定中にイオン照射によってHの脱離が発生するので、イオン照射量を0.1~1μCの間で5点とり、それぞれで求めたH/Siのシグナルの量を外挿することにより、イオン照射開始時のH/Siを求め、それを真のH/Siの値とする。
・入射イオン4He++
・入射エネルギー2300kV
・入射角-30deg
・散乱角160deg
・照射量1μC×42点をとり平均を求める
基板12は、各種のハードコート積層体および各種の積層型の機能性フィルムなどにおいて基板(支持体)として利用される、公知のシート状物(フィルム、板状物)を用いることができる。
基板12の材料としては、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリアミド(PA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリアクリトニトリル(PAN)、ポリイミド(PI)、透明ポリイミド、ポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体(ABS)、シクロオレフィン共重合体(COC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、トリアセチルセルロース(TAC)、および、エチレン-ビニルアルコール共重合体(EVOH)等が挙げられる。
基板12の厚さには、制限はないが、ハードコート積層体10の機械的強度を十分に確保できる、可撓性(フレキシブル性)の良好なハードコート積層体が得られる、ハードコート積層体10の軽量化および薄手化を図れる、可撓性の良好なハードコート積層体10が得られる等の点で、5μm~25mmが好ましく、0.05mm~25mmがより好ましい。例えば、自動車のウィンドウに用いられる樹脂基材を基板とする場合には、5mm~25mmが好ましい。一方、ハードコート積層体をハードコート単体として、他の部材に貼着して用いる場合には、0.05mm~0.5mmが好ましい。
下地層14は、無機ナノ粒子を含有する薄膜であり、基板12の表面に形成される。下地層14は、ケイ素原子、酸素原子、炭素原子を含む塗布物を加水分解縮合したものをバインダーとして、無機ナノ粒子を含有している。
無機ナノ粒子としては、酸化ケイ素粒子(シリカ粒子)、酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、および、酸化アルミニウム粒子が挙げられる。
バインダーとしては、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン等のオルガノシロキサンを加水分解縮合させた縮合物を用いる。
(但し、式中R3は炭素数1~4のアルキル基、ビニル基、またはメタクリロキシ基、アミノ基、グリシドキシ基、3,4-エポキシシクロヘキシル基からなる群から選ばれる1以上の基で置換された炭素数1~3のアルキル基であり、R4は炭素数1~4のアルキル基である。)
オーバーコート層20は、下地層14の硬さを増強する、もしくは防汚性を付与するための層である。
特に、透明性が高く、柔軟性があり、様々な材料や成膜方法が使用できる点で、酸化ケイ素膜が好適に例示される。
例えば、有機保護層は、上述した有機保護層を形成するための組成物を塗布して、組成物を乾燥させる、塗布法で形成できる。塗布法による有機保護層の形成では、必要に応じて、さらに、乾燥した有機保護層を形成するための組成物に、紫外線を照射することにより、組成物中の有機化合物を重合(架橋)させる。
以下、本発明のハードコート積層体10の製造方法の一例を説明する。
まず、下地層14となる塗布組成物を調製する。塗布組成物の調製は、沈殿の生成がなく、より耐摩耗性に優れた下地層を得る観点から、以下のようにして行なうことが好ましい。
以上のようにして調製された塗布組成物を、基板上に塗布し、加熱硬化することで硬化層を形成する。
このようにして基板上にゾルゲルによる硬化膜を形成した後に、硬化膜の表面にプラズマ処理を行う。プラズマ処理を行うことで、炭素原子の組成比が、基板から離間するにしたがって減少している第1領域を形成することができる。
図6に示すプラズマ処理装置50は、第1電極54および第2電極55からなる一対の電極対、第1電極54に結合された誘電体52、第1電極54および第2電極55に接続されるAC(Alternating Current)電源58を有する。第2電極55はグランド59に接続されている。
例えば、図7に示す例は、基板12と下地層14との間に紫外線吸収層22を有する本発明のハードコート積層体の例である。
基板として、厚み0.5mmのポリカーボネートフィルム(帝人化成社製、パンライト)を用意した。
無機ナノ粒子である粒子径12nmのシリカ粒子を含有する水分散型コロイダルシリカ分散液(日産化学株式会社製 スノーテックス30 固形分濃度30重量%)を用意した。
基板であるポリカーボネートフィルムの一方の表面に、上記調製した塗布組成物を、ワイヤーバーで塗布し、25℃で20分間静置後、熱風循環式オーブンを用いて湿度16g/Kg、温度120℃の雰囲気で1時間加熱乾燥硬化させ硬化層を形成した。厚みは5μmであった。
図6に示すようなプラズマ処理装置を用いて、上記で形成した硬化層の表面にプラズマ処理を施した。
以上により、炭素原子の組成比が基板から離間するにしたがって減少している第1領域を有する下地層を形成した。
さらに以下のようにして、下地層の上にオーバーコート層を形成した以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。
実施例1で用いたプラズマ処理装置を用い下地層の上にオーバーコート層を形成した。TEOS(tetraethoxysilane)を0.15g/hrのレートで気化器に導入し、窒素ガス2L/minと混合させ気化器を60℃の温度に設定して気化する。そのガスをN2:38L/min、O2:0.06L/minのレートで供給されたガスと混合し、放電空間に導入する。実施例1のプラズマ処理の際と同じ搬送速度、テンションで搬送し、同じパワー、周波数、電圧を印加してプラズマを生成し、シリカ膜(オーバーコート層)を成膜した。これを30回繰り返すことにより、150nmの厚みのシリカ膜を形成した。
プラズマ処理時の基板の搬送速度を3m/minとし、処理回数を5回とした以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は0%であった。第2領域の炭素原子の組成比は11原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は18原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は32%であった。
塗布組成物の調製において、メチルトリエトキシシラン130質量部に代えて、メチルトリエトキシシラン50質量部とジメチルジメトキシシラン80質量部の混合液を使用した以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は0%であった。第2領域の炭素原子の組成比は40原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は8原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は40%であった。
塗布組成物の調製において、メチルトリエトキシシラン130質量部に代えて、メチルトリエトキシシラン80質量部とTEOS50質量部の混合液を使用した以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は0%であった。また、実施例1と同様に水素原子の組成比を測定したところ、第2領域の炭素原子の組成比は5原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は5原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は20%であった。
オーバーコート層の形成時の処理回数を30回から2回に変更した以外は実施例2と同様にしてハードコート積層体を作製した。
オーバーコート層の形成時の処理回数を30回から50回に変更した以外は実施例2と同様にしてハードコート積層体を作製した。
プラズマ処理時の基板の搬送速度を3m/minとし、処理回数を3回とした以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は0%であった。第2領域の炭素原子の組成比は11原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は20原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は32%であった。
プラズマ処理を行わなかった以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていないことを確認した。下地層における炭素原子の組成比は11%で一定であった。下地層における水素原子の組成比は32原子%で一定であった。
塗布組成物の調製において、メチルトリエトキシシラン130質量部に代えて、メチルトリエトキシシラン30質量部とTEOS100質量部の混合液を使用した以外は比較例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていないことを確認した。下地層における炭素原子の組成比は3%で一定であった。下地層における水素原子の組成比は15原子%で一定であった。
プラズマ処理時の基板の搬送速度を5m/minとし、処理回数を1回とした以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は2%であった。第2領域の炭素原子の組成比は11原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は28原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は32%であった。
塗布組成物の調製において、メチルトリエトキシシラン130質量部に代えて、メチルトリエトキシシラン40質量部とジメチルジメトキシシラン90質量部の混合液を使用した以外は実施例1と同様にしてハードコート積層体を作製した。実施例1と同様に炭素原子の組成比および水素原子の組成比をそれぞれ測定した。炭素原子の組成比から、第1領域が形成されていることを確認した。第1領域の表面における炭素原子の組成比は0%であった。第2領域の炭素原子の組成比は45原子%であった。第1領域の厚さは60nmであった。第1領域の表面における水素原子の組成比は8原子%であった。第2領域における水素原子の組成比は45%であった。
作製した実施例および比較例のハードコート積層体の耐摩耗性および耐熱性を評価した。
下地層の表面をCalibrase社製CS-10Fの摩耗輪を用い、試験前にCalibrase社製S-11研磨紙で25回転摩耗輪表面を研磨して、荷重500gで1000回転テーバー摩耗試験を行い、テーバー摩耗試験後のヘーズとテーバー摩耗試験前のヘーズとの差△Hを測定して評価した(ASTMD1044に準拠)。(ヘーズ=Td/Tt×100、Td:散乱光線透過率、Tt:全光線透過率)
室温(20℃)2時間、110度2時間のサイクルを10回繰り返して割れ、剥がれなどないかの目視およびSEM画像観察を行った。剥がれない場合をA、ある場合をBとする。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
12 基板
14 下地層
16 第1領域
18 第2領域
20 オーバーコート層
22 紫外線吸収層
50 プラズマ処理装置
52 誘電体
54 第1電極
55 第2電極
56 ガス流
58 AC電源
59 グランド
60 放電空間
Claims (7)
- 基板、および、前記基板の一方の主面側に配置される下地層を有し、
前記下地層は無機ナノ粒子を含み、
前記下地層は、酸素原子、炭素原子、および、ケイ素原子を含み、
前記下地層は、前記基板とは反対側の表面側に、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が、前記基板から離間するにしたがって減少している第1領域を有し、
前記下地層の前記第1領域以外の領域において、水素を除いた全元素に対する炭素原子の組成比が5原子%~40原子%であり、
前記第1領域の表面での炭素原子の組成比が1原子%以下であり、
前記第1領域において、全元素に対する水素原子の組成比が、前記基板から離間するにしたがって減少しており、表面での水素原子の組成比が18原子%以下であるハードコート積層体。 - 前記無機ナノ粒子は、Si、Ti、ZrおよびAlのいずれかの酸化物粒子の少なくとも1つである請求項1に記載のハードコート積層体。
- 前記下地層の前記第1領域側の表面に配置される、無機酸化物を主成分とするオーバーコート層を有する請求項1または2に記載のハードコート積層体。
- 前記オーバーコート層の厚みが10nm~250nmである請求項3に記載のハードコート積層体。
- 前記オーバーコート層に含まれる無機酸化物は、Si、Ti、ZrおよびAlの少なくとも1つの酸化物である請求項3または4に記載のハードコート積層体。
- 前記下地層は、シリコン原子、酸素原子、炭素原子を含む塗布液に無機ナノ粒子を添加した塗布組成物から形成されたものである請求項1~5のいずれか一項に記載のハードコート積層体。
- 前記下地層の厚さは、3μm~10μmであり、前記第1領域の厚さは、0.03μm~0.2μmである請求項1~6のいずれか一項に記載のハードコート積層体。
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