JP7439837B2 - 電子デバイス封止層形成用のインク組成物及び電子デバイス封止層形成方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、前記特許文献1に記載の有機EL装置では、85℃85%RH100時間以上の高温高湿下において、第1の保護膜と第2の保護膜との界面密着が劣化することに起因する(と推定される)第1の保護膜と第2の保護膜との界面における水分透過の問題があり、封止性能が劣っていた。
また、前記第2の保護膜のパターニングとしてインクジェットを用いたときに、特許文献1に開示されている組成物にてインクジェット法を適用したところ、インクの吐出性やパターニング精度に問題があった。さらに、インクジェット印刷法により形成された第2の保護膜の粒界が発生して、前記界面における水分透過の問題が顕著であった。
さらに、特許文献3では、ポリシラザンを含有する塗布液であって、前記ポリシラザンと、前記ポリシラザンの一部に酸素原子が導入され、シリコン(Si)原子に対する酸素(O)原子の原子組成比(O/Si)が0.01~0.1の範囲内である酸化ポリシラザンと、を含有する塗布液が開示されている。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
ポリシラザンを含有し、
当該インク組成物が、20℃における蒸気圧が、8.0×102Pa以上の高乾燥性溶媒Aと、4.0×102Pa以下である低乾燥性溶媒Bとをそれぞれ少なくとも1種以上含有し、
溶媒全量に対する前記高乾燥性溶媒Aのモル分率をma1,ma2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bのモル分率をmb1,mb2,…とし、前記高乾燥性溶媒Aの蒸気圧をPa1,Pa2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bの蒸気圧をPb1,Pb2,…としたとき、下記式(i)で表されるPtotalが、0.5×102~3.6×102Paの範囲内である電子デバイス封止層形成用のインク組成物。
(式i)Ptotal=Pa1×ma1+Pa2×ma2+…、Pb1×mb1+Pb2×mb2+…
電子デバイス上に気相法により第1封止層を形成する工程と、
前記第1封止層上に前記電子デバイス封止層形成用のインク組成物を塗布することにより第2封止層を形成する工程と、を備える電子デバイス封止層形成方法。
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
ポリシラザンと、高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒Bを含有し、かつ、各溶媒のモル分率と各溶媒の蒸気圧の積の和を特定範囲に規定したインク組成物を封止層の形成に用いることにより、溶媒が乾燥する過程において高乾燥性溶媒Aと低乾燥性溶媒Bの乾燥速度に差異が生じる。高乾燥性溶媒Aと低乾燥性溶媒Bとの乾燥速度差により、高乾燥性溶媒Aが先に乾燥されることによりピニングされ、気相法により形成された下層(第1封止層)への安定な密着に寄与されるものと推定される。また、前記下層への密着により界面が強くなることで、界面の水分拡散が抑制され、界面を透過する水分による電子デバイスの劣化を防ぐことが推察される。
また、低乾燥性溶媒Bを含有することにより、インクジェット法を用いた場合にもインクの吐出性やパターニング精度に優れる。
(式i)Ptotal=Pa1×ma1+Pa2×ma2+…、Pb1×mb1+Pb2×mb2+…
この特徴は、下記各実施形態に共通又は対応する技術的特徴である。
これにより、前記インク組成物に含有される高乾燥性溶媒Aと低乾燥性溶媒Bとの乾燥速度差により、高乾燥性溶媒Aが先に乾燥されることによりピニングされ、気相法により形成された第1封止層と第2封止層との密着性に優れ、封止性能及び屈曲耐性に優れる。
また、第1封止層と第2封止層の密着により界面が強くなることで、界面の水分拡散が抑制され、界面を透過する水分による電子デバイスの劣化を抑制することができる。
前記第2封止層を形成する工程が、インクジェット法を用いることが、高精度に層形成できる点で好ましい。
これにより、欠陥領域と第1封止層との間の隙間に充填されたポリシラザン領域によって、第1封止層と第2封止層との密着性に優れ、封止性能及び屈曲耐性に優れる。また、第1封止層と第2封止層との密着により界面が強くなることで、界面の水分拡散が抑制され、界面を透過する水分による電子デバイスの劣化を抑制することができる。
本発明の電子デバイス封止層形成用のインク組成物(以下、単にインク組成物ともいう。)は、電子デバイス封止層形成用のインク組成物であって、ポリシラザンを含有し、当該インク組成物が、20℃における蒸気圧が、8.0×102Pa以上の高乾燥性溶媒Aと、4.0×102Pa以下である低乾燥性溶媒Bとをそれぞれ少なくとも1種以上含有し、溶媒全量に対する前記高乾燥性溶媒Aのモル分率をma1,ma2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bのモル分率をmb1,mb2,…とし、前記高乾燥性溶媒Aの蒸気圧をPa1,Pa2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bの蒸気圧をPb1,Pb2,…としたとき、下記式(i)で表されるPtotalが、0.5×102~3.6×102Paの範囲内である。
(式i)Ptotal=Pa1×ma1+Pa2×ma2+…、Pb1×mb1+Pb2×mb2+…
したがって、本発明のインク組成物は、前記した電子デバイスを封止するための封止層を形成するために用いられる。
本発明に係る高乾燥性溶媒Aは、20℃における蒸気圧が8.0×102Pa以上であり、上限値としては2.0×104Pa以下である。
本発明の課題を解決するために適切な乾燥速度を得るために8.0×102Pa以上である必要があり、また、インク吐出前やインク吐出時の自然乾燥による組成変化に対する安定性を得るために2.0×104Pa以下である必要がある。
本発明に係る低乾燥性溶媒Bは、20℃における蒸気圧が4.0×102Pa以下であり、下限値としては、1.0×10-1Pa以上である。
本発明の課題を解決するために適切な乾燥速度を得るために4.0×102Pa以下である必要があり、塗膜後に溶剤を除去するための乾燥性を得るために1.0×10-1Pa以上である必要がある。
低乾燥性溶媒Bの20℃における蒸気圧(Pa)の測定方法は、前記した高乾燥性溶媒Aの蒸気圧の測定方法と同様の方法を採用することができる。
(式i)Ptotal=Pa1×ma1+Pa2×ma2+…、Pb1×mb1+Pb2×mb2+…
本発明に用いられる「ポリシラザン」とは、構造内にケイ素-窒素結合を持つポリマーで、酸窒化ケイ素の前駆体となるポリマーであり、下記一般式(1)の構造を有するものが好ましく用いられる。
Mwが、3000以上のポリシラザンとしては、例えば、特許第5172867号公報に記載の方法を参考にして、重量平均分子量Mwが3000以上の高分子量成分のみを有するポリシラザンを得ることができる。
有機溶媒としては、ポリシラザンを溶解できるものであれば特に制限されないが、ポリシラザンと容易に反応してしまう水及び反応性基(例えば、ヒドロキシ基、又はアミン基等)を含まず、ポリシラザンに対して不活性の有機溶剤が好ましく、非プロトン性の有機溶剤がより好ましい。
具体的には、溶剤としては、非プロトン性溶剤;例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターペン等の、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒;塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類:例えば、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル、モノ-及びポリアルキレングリコールジアルキルエーテル(ジグライム類)などを挙げることができる。上記溶剤は、ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度等の目的にあわせて選択され、単独で使用されても又は2種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
また、ポリシラザンが有機溶媒に溶解したポリシラザン原溶液は、無触媒であってもよいし、触媒を含んでいてもよい。
触媒としては、塩基性触媒が好ましく、特に、N,N-ジエチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、3-モルホリノプロピルアミン、N,N,N',N'-テトラメチル-1,3-ジアミノプロパン、N,N,N',N'-テトラメチル-1,6-ジアミノヘキサン等のアミン触媒、Ptアセチルアセトナート等のPt化合物、プロピオン酸Pd等のPd化合物、Rhアセチルアセトナート等のRh化合物等の金属触媒、N-複素環式化合物が挙げられる。これらのうち、アミン触媒を用いることが好ましい。この際添加する触媒の濃度としては、ケイ素化合物を基準としたとき、好ましくは0.1~5質量%の範囲内、より好ましくは0.5~2質量%の範囲内である。触媒添加量をこの範囲とすることで、反応の急激な進行による過剰なシラノール形成及び膜密度の低下、膜欠陥の増大などを避けることができる。また、これらの触媒を添加することで、より微量の水分量でポリシラザンの酸化を進行する。
ポリシラザン溶液の市販品としては、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のNN120-20、NAX120-20、NL120-20などが挙げられる。
粘度の測定は、市販されている回転式や振動式の粘度計によって行うことができる。
揮発性増粘剤としては、インク組成物の膜形成を阻害しない程度の揮発性を有し、20℃における粘度が概ね1mPa・s以上の液状化合物、又は、混合することで1mPa・s以上の粘度となるような液状混合物であれば特に制限されないが、前述した高乾燥性溶媒A、低乾燥性溶媒B及びポリシラザンとの相溶性があり、ポリシラザンとの反応性を有さないような非プロトン性で、水の溶解度が低い非水溶性の揮発性オイルやグリコールエーテルが好ましい。
具体的には、揮発性オイルとしては、例えば、テレピン、ペトロール、ミネラルスピリット、α-ピネン、イソパラフィン、揮発性シリコーンオイルなど、グリコールエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジブチルエーテル(DEGDBE)、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルなどが挙げられ、中でも、ジエチレングリコールジブチルエーテルや、揮発性シリコーンオイルなどの適度な粘度と揮発性と非水溶性を有する化合物は、希釈溶剤と兼用することができる点で好ましい。
前記高乾燥性溶媒A、低乾燥性溶媒B及び揮発性増粘剤の添加中から添加後にかけて撹拌することが好ましく、さらに、加熱撹拌することが好ましい。加熱温度としては、前記高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒Bの沸点以下であることが好ましく、50~120℃の範囲内がより好ましい。加熱手段や撹拌手段としては特に制限はなく、溶液を加熱、撹拌するための一般的な方法を適用することができるが、加熱する場合は、間接的に溶液の入った容器や釜を温めることで液を加熱する方法が好ましい。また、撹拌の場合は、撹拌羽を取り付けたシャフトをモーターにより回転させる方法、液が少量であれば撹拌子とスターラーを用いて撹拌する方法などが適用できる。
また、塗布液を安定化(脱泡)させるために、加熱、撹拌又は超音波分散させることが好ましい。
溶存ガス量の測定方法は、例えば、インク組成物を加熱、撹拌又は超音波分散後に発生したガスを捕集し、GC/MS及び検出したいガスに適した検出器を組み合わせることで、ガスの同定及び定量が可能となる。また、ポリシラザンの酸化反応で発生し塗布液への溶存が懸念されるガスとしては、アンモニアガス、シランガスであることが分かっているため、対象となるガスに応じたガス検知管やガス検知器を用いて発生量を定量し、その総量を溶存ガス量として推算することも可能である。
本発明の電子デバイス封止層形成方法は、前記した本発明のインク組成物を用いて、封止層を形成する方法であって、電子デバイス上に気相法により第1封止層を形成する工程と、前記第1封止層上に前記インク組成物を塗布することにより第2封止層を形成する工程と、を備える。
また、前記第2封止層上に、気相法により第3封止層を形成する工程を備えることが、電子デバイスの封止性能をより高めることができる点で好ましい。
第1封止層形成工程は、電子デバイス上に気相法により第1封止層を形成する。
気相法としては、スパッタリング法(例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、二極AC平板マグネトロンスパッタリング、二極AC回転マグネトロンスパッタリングなど、反応性スパッタ法を含む。)、蒸着法(例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など)、熱CVD法、触媒化学気相成長法(Cat-CVD)、容量結合プラズマCVD法(CCP-CVD)、光CVD法、プラズマCVD法(PE-CVD)、エピタキシャル成長法、原子層成長法等の化学蒸着法等が挙げられる。中でも、CVD法により形成することが好ましい。
第1封止層は、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等)又は酸窒化ケイ素を含有する。
第1封止層の厚さは、例えば、10~1000nmの範囲内であることが好ましく、100~500nmの範囲内であることがより好ましい。
第2封止層形成工程は、前記第1封止層上に前記した本発明のインク組成物を塗布することにより第2封止層を形成する。
具体的には、前記第1封止層上に、前記インク組成物を塗布し(塗布工程)、得られた塗布膜を乾燥させる乾燥工程をさらに行うことが好ましく、また、乾燥工程後、得られた塗布膜に窒素雰囲気下にて真空紫外線照射して改質処理する工程を有してもよい。
インク組成物の塗布方法としては、任意の適切な方法を採用することができ、例えば、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。中でも、インクジェット法を用いることが有機EL素子などの電子デバイスを封止する際に求められる微細なパターニングをオンデマンドで行える点で好ましい。
インクジェット方式は、大別するとドロップオンデマンド方式とコンティニュアス方式二つに分けられ、どちらも使用することができる。ドロップオンデマンド方式としては、電気-機械変換方式(例えば、シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアーモード型、シェアードウォール型等)、電気-熱変換方式(例えば、サーマルインクジェット型、バブルジェット(登録商標)型等)、静電吸引方式(例えば、電界制御型、スリットジェット型等)及び放電方式(例えば、スパークジェット型等)等がある。インクジェットヘッドのコストや生産性の観点からは、電気-機械変換方式、又は電気-熱変換方式のヘッドを用いることが好ましい。なお、インクジェット方式により、液滴(例えば、塗布液)を滴下させる方法を「インクジェット法」と呼ぶ場合がある。
前記乾燥工程では、前記インク組成物と塗布して得られた塗布膜を乾燥することによって、塗布膜中に含有される溶媒(高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒B等を含む溶媒)を除去する。
乾燥工程も、窒素雰囲気下にて行うことが好ましい。乾燥方法については、従来公知である特開2014-151571号公報の段落「0058」~「0064」、特開2011-183773号公報の段落「0052」~「0056」等を参照して採用することができる。
前記改質処理工程では、乾燥工程後、得られた塗布膜に窒素雰囲気下にて真空紫外線照射して改質処理する工程を有してもよい。
改質処理とは、ポリシラザンの酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素への転化反応をいう。改質処理も、同様に、グローブボックス内といった窒素雰囲気下や減圧下で行う。
本発明における改質処理は、ポリシラザンの転化反応に基づく公知の方法を選ぶことができる。本発明においては、低温で転化反応が可能なプラズマやオゾンや紫外線を使う転化反応が好ましい。プラズマやオゾンは従来公知の方法を用いることができる。本発明においては、上記塗布膜を設け、波長200nm以下の真空紫外光(VUVともいう。)を照射して改質処理することにより、本発明の第2封止層を形成することが好ましい。
当該第2封止層のうち、層全体が改質された層であってもよいが、改質処理された改質層の厚さは、1~50nmの範囲内が好ましく、1~30nmの範囲内がさらに好ましい。
第3封止層形成工程は、前記第2封止層上に気相法により第3封止層を形成する。
気相法としては、第1封止層形成工程で用いた気相法と同様に、スパッタリング法(例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、二極AC平板マグネトロンスパッタリング、二極AC回転マグネトロンスパッタリングなど、反応性スパッタ法を含む。)、蒸着法(例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など)、熱CVD法、触媒化学気相成長法(Cat-CVD)、容量結合プラズマCVD法(CCP-CVD)、光CVD法、プラズマCVD法(PE-CVD)、エピタキシャル成長法、原子層成長法等の化学蒸着法等が挙げられる。中でも、CVD法により形成することが好ましい。
第3封止層は、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等)又は酸窒化ケイ素を含有する。
第3封止層の厚さは、例えば、10~1000nmの範囲内であることが好ましく、100~500nmの範囲内であることがより好ましい。
本発明に係る第2封止層においては、前駆体としてポリシラザン、特に好ましくはパーヒドロポリシラザンを用いて形成することが好ましい態様であるが、最終完成物である第2封止層が、ポリシラザンにより形成された層であることは、下記の方法により分析することにより実証することができる。
y=0.8-x/3、x≧0、y≧0、
元の組成がSiN0.8Hwの場合、パーヒドロポリシラザンから塗布形成された層の厚さ方向の組成分布をXPSにより分析した場合、厚さ方向の各測定点でのいずれの組成も上記式にあてはまることになる(数%の誤差は存在する)。
本発明の電子デバイス封止層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第1封止層と、前記第1封止層に混在する欠陥領域と、前記第1封止層に隣接して設けられ、ポリシラザンを含有する第2封止層と、前記欠陥領域と前記第1封止層との間の隙間に設けられ、ポリシラザンが充填されたポリシラザン領域と、を有する。
本発明の電子デバイス封止層は、前記電子デバイス封止層形成方法により形成される。すなわち、前記した本発明のインク組成物を用いて第2封止層及びポリシラザン領域が形成される。
また、本発明の電子デバイス封止層は、前記第2封止層上に、さらに気相法により形成される第3封止層を設けてもよい。
第1封止層は、電子デバイス上に前記した気相法により形成される層である。具体的には、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等)又は酸窒化ケイ素を含有する。
前記第1封止層には、欠陥領域が混在している。
本発明でいう「欠陥領域」とは、前記第1封止層を形成する際の気相法により、当該第1封止層中に混在する異物、及び、当該異物により前記気相法による成膜が異常成長した部分をいう。
具体的には、図1に示すように、異物4と、当該異物4の周囲の異常成長した部分5を含む領域を欠陥領域6という。また、このような欠陥領域6と前記第1封止層2との間には、隙間7が生じている。当該隙間7の間隔Pは、電子顕微鏡(例えば、JEOL社製のJEM-2010F)を用いて200k倍率(加速電圧200kV)で断面観察した際に15nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましい。
前記隙間7の間隔Pは、以下のとおりにして計測した。
まず、第1封止層2の厚さの下側から1/3の位置の水平線A1と、2/3の位置の水平線A2とをそれぞれ引く。次いで、第1封止層2において、前記1/3の位置の水平線A1と、前記2/3の位置の水平線A2との交差する点同士をそれぞれ結ぶ接線B1を引く。同様にして、異常成長した部分5においても、前記1/3の位置の水平線A1と、前記2/3の位置の水平線A2との交差する点同士をそれぞれ結ぶ接線B2を引く。そして、第1封止層2側の前記接線B1と、異常成長した部分5側の前記接線B2の中点同士の距離を計測する。
なお、図1中、符号1は電子デバイス、符号3は第2封止層を示す。
前記ポリシラザン領域は、前記第1封止層上に、ポリシラザン、高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒Bを含有した本発明のインク組成物を塗布すること(第2封止層形成工程)によって、前記隙間にインク組成物が塗布されて形成される。そのため、前記インク組成物を塗布した塗布膜を乾燥することによって、塗布膜中に含有される溶媒(高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒B等を含む溶媒)が除去されてポリシラザンを含有するポリシラザン領域が、前記隙間に形成されることになる。このようなポリシラザン領域により、第1封止層と欠陥領域との間の隙間が封止されるため、封止性能が向上する。
第2封止層は、前記第1封止層に隣接して設けられ、ポリシラザンを含有する層である。第2封止層は、前記第1封止層上に前記インク組成物を塗布することにより形成される。
したがって、第2封止層は、前記ポリシラザン領域と同様に、前記インク組成物を塗布した塗布膜を乾燥することによって、塗布膜中に含有される溶媒(高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒B等を含む溶媒)が除去されてポリシラザンを含有する層となる。
第3封止層は、前記第2封止層に隣接して設けられ、前記した気相法により形成される層である。具体的には、第1封止層と同様に窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等)又は酸窒化ケイ素を含有する。
本発明の電子デバイス封止層形成方法及び電子デバイス封止層において、封止される電子デバイスとしては、例えば、有機EL素子、液晶表示素子(LCD)、薄膜トランジスター、タッチパネル、電子ペーパー、太陽電池(PV)等を挙げることができる。本発明の効果がより効率的に得られるという観点から、有機EL素子又は太陽電池が好ましく、有機EL素子が特に好ましい。
本発明に係る電子デバイスとして採用される有機EL素子は、ボトムエミッション型、すなわち、透明基材側から光を取り出すようにしたものであってもよい。
ボトムエミッション型は、具体的には、透明基材上に、カソードとなる透明電極、発光機能層、アノードとなる対向電極をこの順で積層することにより構成されている。
また、本発明に係る有機EL素子は、トップエミッション型、すなわち、基材とは逆のカソードとなる透明電極側から光を取り出すようにしたものであってもよい。
トップエミッション型は、具体的には、基材側にアノードとなる対向電極を設け、この表面に発光機能層、カソードとなる透明電極を順に積層した構成である。
(i)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔注入輸送層/発光層/正孔阻止層/電子注入輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔注入輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子注入輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(v)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(vi)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極
さらに、有機EL素子は、非発光性の中間層を有していても良い。中間層は電荷発生層であっても良く、マルチフォトンユニット構成であっても良い。
本発明に適用可能な有機EL素子の概要については、例えば、特開2013-157634号公報、特開2013-168552号公報、特開2013-177361号公報、特開2013-187211号公報、特開2013-191644号公報、特開2013-191804号公報、特開2013-225678号公報、特開2013-235994号公報、特開2013-243234号公報、特開2013-243236号公報、特開2013-242366号公報、特開2013-243371号公報、特開2013-245179号公報、特開2014-003249号公報、特開2014-003299号公報、特開2014-013910号公報、特開2014-017493号公報、特開2014-017494号公報等に記載されている構成を挙げることができる。
前記有機EL素子に用いることのできる基材(以下、支持基板、基体、基板、支持体等ともいう。)としては、具体的には、ガラス又は樹脂フィルムの適用が好ましく、フレキシブル性を要求される場合は、樹脂フィルムであることが好ましい。
また、透明であっても不透明であってもよい。基材側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型の場合には、基材は透明であることが好ましい。
該基材は、電子部品用途、ディスプレイ用積層フィルムとしての必要条件を満たしている。すなわち、これらの用途に本発明の封止膜を用いる場合、基材は、150℃以上の工程に曝されることがある。この場合、基材の線膨張係数が100ppm/Kを超えると、前記のような温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張及び収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、又は熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなる。15ppm/K未満では、フィルムがガラスのように割れてしまいフレキシビリティが劣化する場合がある。
基材として用いることができる熱可塑性樹脂のより好ましい具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET:70℃)、ポリエチレンナフタレート(PEN:120℃)、ポリカーボネート(PC:140℃)、脂環式ポリオレフィン(例えば日本ゼオン株式会社製、ゼオノア(登録商標)1600:160℃)、ポリアリレート(PAr:210℃)、ポリエーテルスルホン(PES:220℃)、ポリスルホン(PSF:190℃)、シクロオレフィンコポリマー(COC:特開2001-150584号公報に記載の化合物:162℃)、ポリイミド(例えば三菱ガス化学株式会社製、ネオプリム(登録商標):260℃)、フルオレン環変性ポリカーボネート(BCF-PC:特開2000-227603号公報に記載の化合物:225℃)、脂環変性ポリカーボネート(IP-PC:特開2000-227603号公報に記載の化合物:205℃)、アクリロイル化合物(特開2002-80616号公報に記載の化合物:300℃以上)等が挙げられる(括弧内温度はTgを示す)。
パーヒドロポリシラザン(PHPS)20質量%のジブチルエーテル(DBE)溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を減圧乾燥機にて溶媒を除去した。
溶媒を除去したのち、パーヒドロポリシラザン濃度が10質量%になるように、高乾燥性溶媒A及び低乾燥性溶媒Bで希釈した。具体的には、窒素環境下にて高乾燥性溶媒AとしてDBEの全溶媒におけるモル分率が0.11、及び、低乾燥性溶媒BとしてDEGDBEの全溶媒におけるモル分率が0.89となるように、各溶媒を加え、十分に撹拌することでインク組成物1を得た。
なお、インク組成物1の調製において、GPC(Gel Permeation Chromatography ゲル浸透クロマトグラフィー)ポリスチレン換算から求めたポリシラザンの重量平均分子量(Mw)は、7000であった。ポリシラザンの分子量は、ポリシラザンの合成時に調整した。
得られたインク組成物1における各溶媒のモル分率、蒸気圧、及びPtotal等を下記表に示した。
前記インク組成物1の調製において、PHPSの重量平均分子量(Mw)、PHPS濃度(質量%)、高乾燥層性溶媒A及び低乾燥溶媒Bの種類、各溶媒におけるモル分率を下記表に示すように変更した以外は同様にして、インク組成物2~39を調製した。
(1)基板の準備
基板として、無アルカリガラス基板を準備した。
(2)第1電極の形成
前記ガラス基板の一方の面に、第1電極(金属層)として下記条件でAl膜を形成した。形成した第1電極の厚さは150nmであった。なお、第1電極の厚さは、接触式表面形状測定器(DECTAK)により測定した値である。
Al膜は、真空蒸着装置を用い、真空度1×10-4Paまで減圧した後、タングステン製の抵抗加熱用るつぼを使用して形成した。
まず、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、有機機能層の各層を構成する下記に示す材料を各々素子作製に最適の量で充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
真空度1×10-4Paまで減圧した後、下記化合物A-1の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で第1電極(金属層側)上に蒸着し、厚さ10nmの正孔注入層を形成した。
次に、下記化合物M-2の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で正孔注入層上に蒸着し、厚さ30nmの正孔輸送層を形成した。
次に、下記化合物BD-1及び下記化合物H-1を、化合物BD-1が7質量%の濃度になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、厚さ15nmの青色発光を呈する発光層(蛍光発光層)を形成した。
次に、下記化合物GD-1、下記化合物RD-1及び下記化合物H-2を、化合物GD-1が20質量%、RD-1が0.5質量%の濃度になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、厚さ15nmの黄色を呈する発光層(リン光発光層)を形成した。
その後、電子輸送材料として下記化合物T-1の入った加熱ボートを通電し、Alq3(トリス(8-キノリノール))よりなる電子輸送層を、発光層上に形成した。この際、蒸着速度を0.1~0.2nm/秒の範囲内とし、厚さを30nmとした。
次に、電子注入材料として下記化合物I-1の入った加熱ボートに通電して加熱し、Liqよりなる電子注入層を、電子輸送層上に形成した。この際、蒸着速度を0.01~0.02nm/秒の範囲内とし、厚さを2nmとした。なお、この電子注入層は金属親和性層の機能を果たす。
以上により、白色に発光する有機EL層を形成した。
さらに、Mg/Ag混合物(Mg:Ag=1:9(vol比))を厚さ10nmで蒸着して第2電極と、その取り出し電極を形成した。
その後、元の真空槽内に移送し、第2電極上に、α-NPD(4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)を蒸着速度0.1~0.2nm/秒の範囲内で厚さが40nmとなるまで蒸着し、光取り出し改良を目的とするキャッピング層を形成した。
次に、前記で作製した有機EL素子の発光部を覆う第1封止層として、プラズマCVD法により厚さ500nmの窒化珪素(SiN、ビッカース硬度HV900)を形成した。
次に、窒素環境下で、インクジェット装置のカートリッジ一体型ヘッドへ、前記で調製したインク組成物1を充填した。そして、前記第1封止層まで形成した有機EL素子を窒素環境下にてインクジェット法を用いてインク組成物1を塗布し、その後、ホットプレートへ素子を移動して100℃5分乾燥処理を行い、厚さ300nmの第2封止層を形成した。
次に、第2封止層上に第3封止層として、プラズマCVD法により厚さ500nmの窒化珪素(SiN、ビッカース硬度HV900)を形成し、第1~第3封止層が形成された評価用の有機EL素子1-1を得た。
前記有機EL素子1-1の作製において、前記第2封止層の形成におけるインク組成物1を下記表に示すとおりにそれぞれ変更した以外は同様にして、評価用の有機EL素子1-2~1-39を作製した。
評価用の各有機EL素子1-2~1-39を高温高湿下(温度85℃、相対湿度85%)の恒温恒湿槽に放置し加速劣化試験を行った。一定時間ごとに恒温恒湿槽から各有機EL素子を取り出して室温下で発光させ、85℃85%での加速劣化時のダークスポット(DS)の有無を確認した。発光領域内におけるダークスポット面積比率が0.5%に到達するまでの時間を寿命と定義し、寿命を評価した。寿命が長いほど、封止性能が高いことを示している。下記評価基準のランク3~5を合格とした。
(評価基準)
ランク1:寿命50時間未満
ランク2:寿命50時間以上100時間未満
ランク3:寿命100時間以上300時間未満
ランク4:寿命300時間以上500時間未満
ランク5:寿命500時間以上
前記有機EL素子1-1の作製において、前記無アルカリガラス基板の代わりに、15ミクロンのポリイミドフィルムに変更し、かつ、第1封止層及び第3封止層の厚さを1000nmに変更した以外は同様にして評価用の有機EL素子2-1を作製した。
また、有機EL素子2-1の作製において、前記第2封止層の形成におけるインク組成物1を下記表に示すとおりにそれぞれ変更した以外は同様にして、評価用の有機EL素子2-2~2-39を作製した。
評価用の各有機EL素子2-1~2-39を、直径10mmの金属製ローラーの周囲に巻き付かせて高温高湿下(温度60℃、相対湿度90%)の恒温恒湿槽に放置して加速劣化試験を行った。このとき、ポリイミドフィルムが金属製ローラーへ接するように巻き付かせている。1500時間後に恒温恒湿槽から各有機EL素子を取り出し室温下で顕微鏡確認及び発光状態(ダークスポット面積比率)を確認した。下記評価基準のランク3~5を合格とした。
(評価基準)
ランク1:封止層の剥離又は非発光
ランク2:ダークスポット面積比率が1%以上
ランク3:ダークスポット面積比率が0.5%以上1%未満
ランク4:ダークスポット面積比率が0.1%以上0.5%未満
ランク5:ダークスポット面積比率が0.1%未満
一方、比較例の有機EL素子では、ポリシラザン領域の代わりに空隙の領域が確認された。
2 第1封止層
3 第2封止層
4 異物
5 異常成長した部分
6 欠陥領域
7 隙間(ポリシラザン領域)
Claims (6)
- 電子デバイス封止層形成用のインク組成物であって、
ポリシラザンを含有し、
当該インク組成物が、20℃における蒸気圧が、8.0×102Pa以上の高乾燥性溶媒Aと、4.0×102Pa以下である低乾燥性溶媒Bとをそれぞれ少なくとも1種以上含有し、
溶媒全量に対する前記高乾燥性溶媒Aのモル分率をma1,ma2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bのモル分率をmb1,mb2,…とし、前記高乾燥性溶媒Aの蒸気圧をPa1,Pa2,…とし、前記低乾燥性溶媒Bの蒸気圧をPb1,Pb2,…としたとき、下記式(i)で表されるPtotalが、0.5×102~3.6×102Paの範囲内である電子デバイス封止層形成用のインク組成物。
(式i)Ptotal=Pa1×ma1+Pa2×ma2+…、Pb1×mb1+Pb2×mb2+… - 前記高乾燥性溶媒Aが、ジブチルエーテルである請求項1に記載の電子デバイス封止層形成用のインク組成物。
- 前記低乾燥性溶媒Bが、デカリンである請求項1又は請求項2に記載の電子デバイス封止層形成用のインク組成物。
- 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止層形成用のインク組成物を用いて、封止層を形成する方法であって、
電子デバイス上に気相法により第1封止層を形成する工程と、
前記第1封止層上に前記電子デバイス封止層形成用のインク組成物を塗布することにより第2封止層を形成する工程と、を備える電子デバイス封止層形成方法。 - 前記第2封止層上に、気相法により第3封止層を形成する工程を備える請求項4に記載の電子デバイス封止層形成方法。
- 前記第2封止層を形成する工程が、インクジェット法を用いる請求項4又は請求項5に記載の電子デバイス封止層形成方法。
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