JP7439465B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
12 :半導体基板
14 :上部電極
16 :下部電極
20 :IGBT領域
22 :エミッタ領域
23 :ボディコンタクト領域
24 :ボディ領域
25 :バリア領域
26 :ドリフト領域
28 :バッファ領域
30 :コレクタ領域
32 :ゲート絶縁膜
34 :ゲート電極
36 :層間絶縁膜
38 :境界
40 :ダイオード領域
41 :アノードコンタクト領域
42 :アノード領域
48 :カソード領域
50 :トレンチ
52 :絶縁膜
54 :制御電極
56 :層間絶縁膜
Claims (1)
- IGBT領域とダイオード領域に区画された半導体基板を備え、前記IGBT領域と前記ダイオード領域が前記半導体基板の主面に平行な一方向に交互に繰り返し配置されている半導体装置であって、
前記IGBT領域に対応した前記半導体基板の一方の主面に露出する位置に設けられたp型のコレクタ領域と、
前記ダイオード領域に対応した前記半導体基板の前記一方の主面に露出する位置に設けられたn型のカソード領域と、を備えており、
前記カソード領域は、前記半導体基板のうち前記ダイオード領域に対応した全範囲に設けられており、
前記カソード領域は、前記半導体基板の前記一方の主面に設けられた下部電極にオーミック接触しており、
前記コレクタ領域のp型不純物の濃度が、前記半導体基板をその厚み方向に沿って平面視したときに、前記IGBT領域の周辺部及び中央部がそれらの間の部分よりも薄い、及び/又は、前記カソード領域のn型不純物の濃度が、前記半導体基板をその厚み方向に沿って平面視したときに、前記ダイオード領域の周辺部及び中央部がそれらの間の部分よりも薄く、
前記IGBT領域と前記ダイオード領域が繰り返す方向における前記カソード領域のn型不純物の濃度分布は、極大値となるピークが2つのみである、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019205018A JP7439465B2 (ja) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019205018A JP7439465B2 (ja) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021077813A JP2021077813A (ja) | 2021-05-20 |
JP7439465B2 true JP7439465B2 (ja) | 2024-02-28 |
Family
ID=75899830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019205018A Active JP7439465B2 (ja) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7439465B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7410900B2 (ja) * | 2021-03-17 | 2024-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008778A (ja) | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | ダイオード |
JP2014103376A (ja) | 2012-09-24 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2019161188A (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2019
- 2019-11-12 JP JP2019205018A patent/JP7439465B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008778A (ja) | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Toyota Central R&D Labs Inc | ダイオード |
JP2014103376A (ja) | 2012-09-24 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2019161188A (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021077813A (ja) | 2021-05-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230426 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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