JP7419738B2 - 薄膜コンデンサ及びこれを内蔵する回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜コンデンサ及びこれを内蔵する回路基板に関し、特に、回路基板に埋め込んで使用することが可能な薄膜コンデンサ及びこれを内蔵する回路基板に関する。

ＩＣが搭載される回路基板には、通常、ＩＣに供給する電源の電位を安定させるためにデカップリングコンデンサが搭載される。デカップリングコンデンサとしては、一般的に積層セラミックチップコンデンサが用いられ、多数の積層セラミックチップコンデンサを回路基板の表面に搭載することにより必要なデカップリング容量を確保している。

しかしながら、近年においては、多数の積層セラミックチップコンデンサを搭載する回路基板上のスペースが不足することが多い。このため、積層セラミックチップコンデンサの代わりに薄膜コンデンサを用い、これを回路基板に埋め込む方法が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００５－１９１５５９号公報

薄膜コンデンサを回路基板に埋め込み可能とするためには、薄膜コンデンサの全体の厚みをできる限り薄くする必要があるが、薄膜コンデンサの厚みを薄くすると、薄膜コンデンサが反りやすくなるという問題があった。薄膜コンデンサの反りを防止するためには、容量絶縁膜の表裏に形成する金属膜の厚みや材料を互いに同じとすれば良いが、両者の厚みや材料を同じとすることは現実的ではない。

したがって、本発明は、容量絶縁膜の表裏に形成する金属膜の厚みや材料を互いに同じとすることなく、反りが抑えられた薄膜コンデンサ及びこれを内蔵する回路基板を提供することを目的とする。

本発明による薄膜コンデンサは、容量絶縁膜と、容量絶縁膜の一方の表面に設けられた第１の金属膜と、容量絶縁膜の他方の表面に設けられ、第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜とを備え、容量絶縁膜、第１の金属膜及び第２の金属膜を貫通する開口部を有する薄膜コンデンサであって、第２の金属膜は第１の金属膜よりも厚く、開口部の第１の金属膜を貫通する部分のサイズを第１のサイズとし、開口部の第２の金属膜を貫通する部分のサイズを第２のサイズとした場合、第１の径は第２のサイズよりも大きいことを特徴とする。

また、本発明による回路基板は、上記の薄膜コンデンサが埋め込まれた回路基板であって、第１及び第２の金属膜と接することなく開口部を通過するビア導体を備えることを特徴とする。

本発明によれば、容量絶縁膜、第１の金属膜及び第２の金属膜を貫通する開口部を設けていることから、第１及び第２の金属膜の厚みの違いや金属材料の違いに起因する応力が開口部によって解放される。しかも、第２の金属膜を第１の金属膜よりも厚くし、且つ、第１のサイズを第２のサイズよりも大きくしていることから、厚みの大きい第２の金属膜によって剛性が確保されるため、大幅に反りが抑えられる。このため、回路基板に埋め込む際に、薄膜コンデンサに発生する反りを最小限に抑えることが可能となる。

本発明による薄膜コンデンサは開口部を複数有し、平面視で、容量絶縁膜が第１及び第２の金属膜によって挟まれた領域を容量領域とし、容量絶縁膜が存在しない領域及び容量絶縁膜が第１及び第２の金属膜によって挟まれていない領域を非容量領域とした場合、容量領域と非容量領域の和に対する容量領域の比が８０％以下であっても構わない。これによれば、薄膜コンデンサに生じる反りをより抑えることが可能となる。

本発明において、開口部の容量絶縁膜を貫通する部分のサイズの第３のサイズとした場合、第３のサイズは第１のサイズよりも小さくても構わない。また、開口部の第２の金属膜を貫通する部分であって、容量絶縁膜と接する部分のサイズを第４のサイズとした場合、第３のサイズは第４のサイズよりも小さくても構わない。これによれば、開口部内における第１の金属膜と第２の金属膜の沿面距離が増大することから、耐圧を高めることが可能となる。

本発明において、開口部は絶縁材料によって埋め込まれていても構わない。これによれば、製品の信頼性を高めることが可能となる。

このように、本発明によれば、容量絶縁膜の表裏に形成する金属膜の厚みや材料を互いに同じとすることなく、反りが抑えられた薄膜コンデンサ及びこれを内蔵する回路基板を提供することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜コンデンサ１の構成を説明するための模式的な断面図である。 図２は薄膜コンデンサ１の部分的な平面図であり、（ａ）は第１の例を示し、（ｂ）は第２の例を示している。 図３は、薄膜コンデンサ１が埋め込まれた回路基板１００の構成を説明するための模式的な断面図である。 図４は、薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。 図５は、薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。 図６は、薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。 図７は、薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。 図８は、薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。 図９は、個片化された薄膜コンデンサ１のエッジのうち、ダミーの開口部４０が設けられていた部分を示す略断面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態による薄膜コンデンサ２の構成を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、薄膜コンデンサ２の製造方法を示すプロセス図である。 図１２は、薄膜コンデンサ２の製造方法を示すプロセス図である。 図１３は、薄膜コンデンサ２の製造方法を示すプロセス図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態による薄膜コンデンサ３の構成を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、薄膜コンデンサ３の製造方法を示すプロセス図である。 図１６は、薄膜コンデンサ３の製造方法を示すプロセス図である。 図１７は、薄膜コンデンサ３の製造方法を示すプロセス図である。 図１８は、薄膜コンデンサ３の製造方法を示すプロセス図である。 図１９は、本発明の第４の実施形態による薄膜コンデンサ４の構成を説明するための模式的な断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜コンデンサ１の構成を説明するための模式的な断面図である。また、図２は薄膜コンデンサ１の部分的な平面図であり、（ａ）は第１の例を示し、（ｂ）は第２の例を示している。図１は、図２に示すＡ－Ａ線に沿った断面に相当する。

図１及び図２に示すように、本実施形態による薄膜コンデンサ１は、容量絶縁膜１０と、容量絶縁膜１０の一方の表面１１に設けられた第１の金属膜２０と、容量絶縁膜１０の他方の表面１２に設けられた第２の金属膜３０とを備えている。容量絶縁膜１０は、例えばチタン酸バリウムなどペロブスカイト構造を有するセラミック材料からなる。金属膜２０は、シード層２１とメッキ膜２２が積層された構造を有している。シード層２１は例えばニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）の積層膜からなり、メッキ膜２２は銅（Ｃｕ）からなる。金属膜３０は、本実施形態による薄膜コンデンサ１の基材となる部分であり、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる。

本実施形態において、金属膜２０の厚みをＴ１とし、金属膜３０の厚みをＴ２とし、容量絶縁膜１０の厚みをＴ３とした場合、
Ｔ２＞Ｔ１＞Ｔ３
の関係を有している。Ｔ１は５～２０μｍ、例えば１０μｍ程度であり、Ｔ２は８～５０μｍ、例えば１５μｍ程度である。Ｔ３は３μｍ程度である。

このように、本実施形態による薄膜コンデンサ１は全体の厚みが非常に薄く、しかも、容量絶縁膜１０の表裏に形成された金属膜２０，３０の厚みが異なるとともに、金属膜２０，３０の材料も異なっていることから、そのままでは非常に反りやすい状態である。本実施形態においては、このような反り応力の一部が容量絶縁膜１０及び金属膜２０，３０を貫通する開口部４０によって解放される。図２に示すように、開口部４０は複数設けられる。図２（ａ）に示す例では開口部４０の平面形状がＬ字型であり、図２（ｂ）に示す例では開口部４０の平面形状が円形である。このように、開口部４０の平面形状については特に限定されない。

開口部４０の形成密度は、高ければ高いほど応力が解放されて反りが低減する一方、得られる容量値が減少する。薄膜コンデンサ１の反りを十分に低減するためには、コンデンサとして機能する領域、つまり、平面視で金属膜２０，３０によって容量絶縁膜１０が挟まれた領域を容量領域Ｃ１とし、コンデンサとして機能しない領域、つまり、容量絶縁膜１０が存在しない領域及び容量絶縁膜１０が金属膜２０，３０によって挟まれていない領域を非容量領域Ｃ２とした場合、容量領域Ｃ１と非容量領域Ｃ２の和に対する容量領域Ｃ１の比（＝Ｃ１／Ｃ１＋Ｃ２）を８０％以下とすることが好ましい。但し、この場合、開口部４０を設けない場合と比べて容量値が２０％以上低下する。

また、開口部４０のうち、金属膜２０を貫通する部分のサイズをφ１、金属膜３０を貫通する部分のサイズをφ２、容量絶縁膜１０を貫通する部分のサイズをφ３とした場合、本実施形態においては、
φ１＞φ３＞φ２
の関係を有している。また、開口部４０のうち、金属膜３０を貫通する部分であって、容量絶縁膜１０と接する部分のサイズをφ２ａとした場合、
φ１＞φ２ａ＞φ３
の関係を有している。図２（ａ）に示すように、開口部４０が平面視で細長い形状を有している場合、サイズφ１～φ３は短辺方向における幅によって定義され、図２（ｂ）に示すように、開口部４０が平面視で円形である場合、サイズφ１～φ３はその径によって定義される。また、容量絶縁膜１０又は金属膜２０，３０のサイズが深さ方向に一定でない場合は、最も狭い部分によってそれぞれのサイズφ１～φ３が定義される。サイズφ１は１５０～２５０μｍ程度であり、サイズφ２，φ３は１００～２００μｍ程度である。

このように、本実施形態による薄膜コンデンサ１は、厚さの薄い金属膜２０における開口部４０のサイズφ１よりも、厚さの厚い金属膜３０における開口部４０のサイズφ２の方が小さいことから、厚さの厚い金属膜３０によって剛性が確保され、薄膜コンデンサ１に生じる反りが抑制される。しかも、本実施形態においては、容量絶縁膜１０における開口部４０のサイズφ３がφ１及びφ２ａよりも小さいことから、図１に示すように、開口部４０の内部で容量絶縁膜１０が突出した状態となる。これにより、開口部４０の内部における金属膜２０と金属膜３０の間の沿面距離が拡大されることから、開口部４０に起因する耐圧の低下も防止される。

図３は、本実施形態による薄膜コンデンサ１が埋め込まれた回路基板１００の構成を説明するための模式的な断面図である。

図３に示す回路基板１００は、６つの配線層Ｌ１～Ｌ６と、配線層Ｌ１～Ｌ６を互いに絶縁する樹脂層１１０と、異なる配線層間を接続するビア導体１２０とを有する。配線層Ｌ１に形成された導体パターンの一部及び配線層Ｌ６に形成された導体パターンの一部は、ランドパターンを構成する。配線層Ｌ６によって構成されるランドパターンには、ＩＣチップ２００及び積層セラミックチップコンデンサ３００が搭載されている。

このような構成を有する回路基板１００において、配線層Ｌ５と配線層Ｌ６の間に本実施形態による薄膜コンデンサ１が埋め込まれている。図３に示すように、ＩＣチップ２００には、電源電位を供給するためのバンプ電極ＢＶ、グランド電位を供給するためのバンプ電極ＢＧ、信号を送受信するためのバンプ電極ＢＳが設けられている。電源電位を供給するためのバンプ電極ＢＶは薄膜コンデンサ１の金属膜３０に接続され、グランド電位を供給するためのバンプ電極ＢＧは薄膜コンデンサ１の金属膜２０に接続される。これにより、バンプ電極ＢＶとバンプ電極ＢＧとの間に薄膜コンデンサ１からなるデカップリング容量が接続されるため、ＩＣチップ２００に供給する電源電位及びグランド電位を安定化させることが可能となる。薄膜コンデンサ１の金属膜２０，３０は、それぞれ積層セラミックチップコンデンサ３００の端子電極３０１，３０２にも接続される。

また、信号を送受信するためのバンプ電極ＢＳは、開口部４０を通過するビア導体１３０を介して下層の配線層Ｌ５に接続されている。このように、本実施形態による薄膜コンデンサ１は、複数の開口部４０を備えていることから、金属膜２０，３０と接することなく開口部４０を通過するビア導体１３０を設けることによって、信号配線を引き回すことなく、最短距離でバンプ電極ＢＳを下層の導体パターンに接続することができる。

但し、開口部４０を通過するビア導体が全て信号配線である必要はなく、一部のビア導体については、電源配線又はグランド配線であっても構わない。

このように、本実施形態による薄膜コンデンサ１は、複数の開口部４０を有していることから、開口部４０を通過するビア導体を回路基板１００に設けることが可能である。

次に、本実施形態による薄膜コンデンサ１の製造方法について説明する。

図４～図８は、本実施形態による薄膜コンデンサ１の製造方法を示すプロセス図である。

まず、図４に示すように、ニッケル（Ｎｉ）などからなる厚さＴ２の金属膜３０を用意し、その表面に厚さＴ３の容量絶縁膜１０を形成し、焼成する。焼成時においては、金属膜３０にも高温が加わるが、金属膜３０の材料としてニッケル（Ｎｉ）などの高融点金属を用いることにより、焼成温度に耐えることが可能である。

次に、図５に示すように、容量絶縁膜１０をパターニングすることにより、容量絶縁膜１０に開口部１４を形成する。開口部１４は、その後の工程によって開口部４０となる部分であり、そのサイズはφ３である。

次に、図６に示すように、容量絶縁膜１０の表面１１にシード層２１及びメッキ膜２２からなる金属膜２０を形成する。シード層２１は、例えばニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）の積層膜からなり、スパッタリング法などの薄膜プロセスによって形成される。一方、メッキ膜２２は例えば銅（Ｃｕ）の電解メッキによって形成される。金属膜２０は、容量絶縁膜１０の表面１１だけでなく開口部１４にも形成されるため、この部分において金属膜２０と金属膜３０が接触する。

次に、図７に示すように、金属膜３０側にサポートパネルＳ１を貼り付けた後、パターニングによって金属膜２０に開口部４０ａを形成する。開口部４０ａは、開口部１４と重なる位置に設けられ、そのサイズはφ１とされる。金属膜２０をパターニングすると深さ方向にサイズφ１が小さくなる傾向があるため、底部におけるサイズφ１が開口部１４のサイズφ３よりも大きくなるようパターニングを行うことが好ましい。開口部４０ａは、開口部１４と重なっていることから、この部分において金属膜３０がオーバーエッチングされる。

次に、図８に示すように、サポートパネルＳ１を剥離し、金属膜２０側に別のサポートパネルＳ２を貼り付けた後、裏面側から金属膜３０をパターニングすることにより、開口部４０ｂを形成する。開口部４０ｂは開口部４０ａと重なる位置に設けられ、これにより、開口部４０ａ，４０ｂからなる開口部４０が形成される。金属膜３０をパターニングすると深さ方向にサイズφ２が小さくなる傾向があるため、底部におけるサイズφ２がサイズφ１よりも小さくなるようパターニングを行うことが好ましい。

そして、サポートパネルＳ２を剥離した後、所定の位置でダイシングを行えば、図１に示した薄膜コンデンサ１が完成する。ダイシングされる位置には、あらかじめダミーの開口部４０を設けておいても構わない。これによれば、ダイシング作業が容易となる。この場合、個片化された薄膜コンデンサ１のエッジのうち、ダミーの開口部４０が設けられていた部分は、図９に示すように開口部４０の断面と同じ形状となる。

このように、本実施形態においては、サイズφ２がサイズφ１よりも小さくなるよう金属膜３０をパターニングしていることから、金属膜３０の剛性を確保することが可能となる。しかも、金属膜２０をパターニングする際、金属膜３０をオーバーエッチングしていることから、開口部４０の内部に容量絶縁膜１０を突出させることが可能となる。これにより、開口部４０の内部における金属膜２０と金属膜３０の間の沿面距離が拡大されることから、耐圧の低下を防止することが可能となる。

＜第２の実施形態＞
図１０は、本発明の第２の実施形態による薄膜コンデンサ２の構成を説明するための模式的な断面図である。本実施形態による薄膜コンデンサ２の平面形状は、図２（ａ），（ｂ）に示したとおりである。

図１０に示すように、第２の実施形態による薄膜コンデンサ２は、開口部４０の内部が絶縁樹脂５０で埋め込まれている点において、第１の実施形態による薄膜コンデンサ１と相違している。その他の基本的な構成は第１の実施形態による薄膜コンデンサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

次に、本実施形態による薄膜コンデンサ２の製造方法について説明する。

図１１～図１３は、本実施形態による薄膜コンデンサ２の製造方法を示すプロセス図である。

まず、図４～図７に示した工程を行った後、図１１に示すように、開口部４０ａが埋め込まれるよう、金属膜２０の上面の全面を絶縁樹脂５０で覆い、その後、金属膜２０の上面が露出するよう、不要な絶縁樹脂５０を除去する。これにより、開口部４０ａが絶縁樹脂５０で埋め込まれた状態となる。

次に、図１２に示すように、サポートパネルＳ１を剥離し、金属膜２０側に別のサポートパネルＳ２を貼り付けた後、裏面側から金属膜３０をパターニングすることにより、開口部４０ｂを形成する。開口部４０ｂは開口部４０ａと重なる位置に設けられ、これにより、開口部４０ａ，４０ｂからなる貫通孔４０が形成される。

次に、図１３に示すように、開口部４０ｂが埋め込まれるよう、金属膜３０の下面の全面を絶縁樹脂５０で覆う。これにより、貫通孔４０が絶縁樹脂５０で埋め込まれた状態となる。そして、サポートパネルＳ２を剥離した後、ダイアタッチフィルム６０を介して絶縁樹脂５０をダイシングテープ７０に貼り付け、所定の位置でダイシングを行えば、図１０に示した薄膜コンデンサ２が完成する。

このように、第２の実施形態による薄膜コンデンサ２は、開口部４０の内部が絶縁樹脂５０で埋め込まれていることから、回路基板に埋め込まれる前の出荷状態における製品の信頼性を高めることが可能となる。

＜第３の実施形態＞
図１４は、本発明の第３の実施形態による薄膜コンデンサ３の構成を説明するための模式的な断面図である。本実施形態による薄膜コンデンサ３の平面形状は、図２（ａ），（ｂ）に示したとおりである。

図１４に示すように、第３の実施形態による薄膜コンデンサ３の基本的な構成は、第１の実施形態による薄膜コンデンサ１と同じである。つまり、容量絶縁膜１０の一方の表面１１に形成された金属膜２０の厚みＴ１よりも、容量絶縁膜１０の他方の表面１２に形成された金属膜３０の厚みＴ２の方が厚く、且つ、金属膜３０における開口部４０のサイズφ２よりも、金属膜２０における開口部４０のサイズφ１の方が大きい。しかしながら、本実施形態による薄膜コンデンサ３は、金属膜３０に設けられた開口部４０のテーパー形状が第１の実施形態による薄膜コンデンサ１とは逆である。

このような構成であっても、第１の実施形態による薄膜コンデンサ１と同様、反りを抑制することが可能となる。また、開口部４０の内部において容量絶縁膜１０が突出していることから、耐圧の低下を防止することが可能となる。

次に、本実施形態による薄膜コンデンサ３の製造方法について説明する。

図１５～図１８は、本実施形態による薄膜コンデンサ３の製造方法を示すプロセス図である。

まず、図４～図６に示した工程を経た後、図１５に示すように、金属膜２０側にサポートパネルＳ３を貼り付け、この状態で金属膜３０の裏面３１側からエッチング又は研磨等を行うことにより、金属膜３０の厚みを薄くする。その後、図１６に示すように、サポートパネルＳ３を剥離し、金属膜３０の裏面３１に絶縁樹脂５０を形成する。

次に、図１７に示すように、サポートパネルＳ３を剥離し、絶縁樹脂５０側に別のサポートパネルＳ４を貼り付けた後、パターニングによって金属膜２０に開口部４０ａを形成する。開口部４０ａは、開口部１４と重なる位置に設けられ、そのサイズはφ１とされる。本実施形態においても、開口部１４と重なる部分において、金属膜３０がオーバーエッチングされる。

次に、図１８に示すように、開口部４０ａに露出する金属膜３０をパターニングによって除去することにより、開口部４０を形成する。このとき、メッキ膜２２を構成する金属材料（例えばＣｕ）と金属膜３０を構成する金属材料（例えばＮｉ）のエッチング比ができるだけ高い条件でパターニングを行うことにより、メッキ膜２２に加わるダメージを抑えることが可能となる。そして、サポートパネルＳ４を剥離し、ダイシングテープ７０に貼り付けた後、所定の位置でダイシングを行えば、図１４に示した薄膜コンデンサ３が完成する。

本実施形態が例示するように、本発明において、金属膜２０，３０を同一方向からパターニングしても構わない。

＜第４の実施形態＞
図１９は、本発明の第４の実施形態による薄膜コンデンサ４の構成を説明するための模式的な断面図である。本実施形態による薄膜コンデンサ４の平面形状は、図２（ａ），（ｂ）に示したとおりである。

図１９に示すように、第４の実施形態による薄膜コンデンサ４は、開口部４０の内部に露出する容量絶縁膜１０の下端エッジと金属膜３０の上端エッジの界面８０が段差を有していない点において、第３の実施形態による薄膜コンデンサ３と相違している。つまり、界面８０における容量絶縁膜１０のサイズと、界面８０における金属膜３０のサイズが同じである。その他の構成は、第３の実施形態による薄膜コンデンサ３と同じである。

本実施形態が例示するように、本発明において、開口部４０の内部で容量絶縁膜１０が金属膜２０，３０の両方から突出している点は必須でない。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

図１に示した薄膜コンデンサ１と同様の構成を有し、平面形状が円形である開口部４０が２０００個形成された１５ｍｍ角の薄膜コンデンサを実際に作成し、反り量を測定した。容量絶縁膜１０としては厚さＴ３が３μｍのチタン酸バリウムを用いた。金属膜２０を構成するメッキ膜２２としては銅（Ｃｕ）を用い、金属膜３０としてはニッケル（Ｎｉ）を用いた。金属膜２０，３０の厚みＴ１，Ｔ２、並びに、開口部４０のうち金属膜２０，３０を貫通する部分のサイズ（径）φ１，φ２については、サンプル毎に異なる組み合わせとした。

結果を表１に示す。尚、表１に示す容量（％）は、開口部４０を設けないサンプル１における容量を１００とした場合の割合を示している。

表１に示すように、開口部４０を設けないサンプル１においては反り量が５５μｍであった。これに対し、Ｔ１＜Ｔ２を満たし、且つ、φ１＞φ２を満たすサンプル４～７，９～１１，１５～２０，２３～２５においては反り量が２０μｍ未満であり、反りが大幅に抑制されることが確認された。一方、上記の条件を満たさないサンプル２，３，８，１２～１４，２１，２２においては反り量が３０μｍ以上であり、多数の開口部４０を設けているにもかかわらず、反りを十分に抑制することはできなかった。

１～４ 薄膜コンデンサ
１０ 容量絶縁膜
１１ 一方の表面
１２ 他方の表面
１４ 開口部
２０ 第１の金属膜
２１ シード層
２２ メッキ膜
３０ 第２の金属膜
３１ 裏面
４０ 開口部
４０ａ，４０ｂ 開口部
５０ 絶縁樹脂
６０ ダイアタッチフィルム
７０ ダイシングテープ
８０ 界面
１００ 回路基板
１１０ 樹脂層
１２０，１３０ ビア導体
２００ ＩＣチップ
３００ 積層セラミックチップコンデンサ
３０１，３０２ 端子電極
ＢＶ，ＢＧ，ＢＳ バンプ電極
Ｌ１～Ｌ６ 配線層
Ｓ１～Ｓ４ サポートパネル
Ｔ１，Ｔ２ 厚み
φ１～φ３，φ２ａ サイズ

Claims (4)

1. 容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の一方の表面に設けられた第１の金属膜と、前記容量絶縁膜の他方の表面に設けられ、前記第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜とを備え、前記容量絶縁膜、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を貫通する開口部を有する薄膜コンデンサであって、
   前記第２の金属膜は、前記第１の金属膜よりも厚く、
   前記開口部の前記第１の金属膜を貫通する部分のサイズを第１のサイズとし、前記開口部の前記第２の金属膜を貫通する部分のサイズを第２のサイズとした場合、前記第１のサイズは前記第２のサイズよりも大きく、
   前記開口部の前記容量絶縁膜を貫通する部分のサイズを第３のサイズとした場合、前記第３のサイズは前記第１のサイズよりも小さく、
   前記開口部の前記第２の金属膜を貫通する部分であって、前記容量絶縁膜と接する部分のサイズを第４のサイズとした場合、前記第３のサイズは前記第４のサイズよりも小さいことを特徴とする薄膜コンデンサ。
2. 前記開口部を複数有し、
   平面視で、前記容量絶縁膜が前記第１及び第２の金属膜によって挟まれた領域を容量領域とし、前記容量絶縁膜が存在しない領域及び前記容量絶縁膜が前記第１及び第２の金属膜によって挟まれていない領域を非容量領域とした場合、前記容量領域と前記非容量領域の和に対する前記容量領域の比が８０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コンデンサ。
3. 前記開口部が絶縁材料によって埋め込まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜コンデンサ。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜コンデンサが埋め込まれた回路基板であって、前記第１及び第２の金属膜と接することなく前記開口部を通過するビア導体を備えることを特徴とする回路基板。

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