JP7230653B2 - 薄膜キャパシタ及び薄膜キャパシタが埋め込まれた多層回路基板 - Google Patents

Description

本発明は薄膜キャパシタ及びその製造方法に関し、特に、低コストで作製可能な薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタが埋め込まれた多層回路基板に関する。

薄膜キャパシタは、主に電源電圧を安定化させるデカップリングコンデンサとして用いられる。例えば、特許文献１及び２には、インターポーザ型の薄膜キャパシタが開示されている。

特開２０１７－１３０６５３号公報 特開２０１７－１７３３８６号公報

しかしながら、特許文献１に記載された薄膜キャパシタはビルドアップ構造を有しているため、製造工程が複雑であるという問題があった。また、特許文献２に記載された薄膜キャパシタは、シリコンなどの絶縁体からなる支持基板上にキャパシタを形成していることから、インターポーザとして用いる場合、支持基板に貫通孔を設ける必要があり、製造工程が複雑になるという問題があった。

したがって、本発明は、低コストで作製可能な薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタが埋め込まれた多層回路基板を提供することを目的とする。

本発明による薄膜キャパシタは、第１及び第２の貫通孔を含む複数の貫通孔が設けられた容量絶縁膜と、容量絶縁膜の一方の表面に設けられた第１の金属膜と、容量絶縁膜の他方の表面に設けられ、第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜とを備え、第１の金属膜には、平面視で第１の貫通孔を囲むように設けられた第１のスペースが設けられ、これにより第１の金属膜は、第１のスペースの外側に位置する第１の領域と、第１のスペースの内側に位置する第２の領域に分離され、第２の金属膜には、平面視で第２の貫通孔を囲むように設けられた第２のスペースが設けられ、これにより第２の金属膜は、第２のスペースの外側に位置する第３の領域と、第２のスペースの内側に位置する第４の領域に分離され、第２の金属膜の第３の領域は、第１の貫通孔を貫通し、且つ、第１の金属膜に食い込むように設けられた第１の接続部を介して、第１の金属膜の第２の領域に接続され、第２の金属膜の第４の領域は、第２の貫通孔を貫通し、且つ、第１の金属膜に食い込むように設けられた第２の接続部を介して、第１の金属膜の第１の領域に接続されることを特徴とする。

また、本発明による多層回路基板は、上記の薄膜キャパシタが埋め込まれていることを特徴とする。

本発明によれば、絶縁体からなる支持基板を用いることなく、容量絶縁膜の表裏に第１及び第２の金属膜を配置し、容量絶縁膜に設けられた第１及び第２の貫通孔を介して両者を接続していることから、ビルドアップ構造や、支持基板に貫通孔を設ける構造に比べ、より低コストで作製可能となるとともに、全体の厚みをより薄くすることが可能となる。しかも、第２の金属膜の第１及び第２の接続部は、第１の金属膜に食い込むように設けられていることから、第１の金属膜と第２の金属膜の密着性も高められる。

本発明において、容量絶縁膜がセラミック材料からなるものであっても構わない。セラミック材料としては、例えばペロブスカイト構造を有するセラミック材料を用いることが可能である。

本発明において、第１の金属膜がＮｉからなり、第２の金属膜がＣｕからなるものであっても構わない。これによれば、第１の金属膜と容量絶縁膜を重ねた状態で、セラミック材料からなる容量絶縁膜を焼成することが可能となる。

本発明において、第１の接続部と第２の接続部は、第１の金属膜への食い込み深さが互いに異なっていても構わない。これによれば、温度差に起因して異種金属接合面で発生する電位差の発生位置が深さ方向にばらつくことから、電位差に起因するノイズ成分を緩和することが可能となる。

本発明において、容量絶縁膜の他方の表面には、容量絶縁膜形成プロセス由来の無機物もしくは有機物が局所的に存在し、第１及び第２の接続部の一方は、無機物もしくは有機物で覆われている部分を貫通して設けられ、第１及び第２の接続部の他方は、無機物もしくは有機物で覆われていない部分を貫通して設けられ、第１及び第２の接続部の一方は、第１及び第２の接続部の他方よりも、第１の金属膜への食い込み深さが浅くても構わない。容量絶縁膜形成プロセス由来の無機物もしくは有機物とは、具体的には工程から混入する介在物で必然的に存在してしまう無機物もしくは有機物である。これによれば、局所的な電界集中が軽減し、リーク電流を低減することが可能となる。

本発明において、第１の金属膜と第２の金属膜の界面にバリアメタルが設けられていても構わない。これによれば、第１の金属膜又は第２の金属膜のマイグレーションを防止することが可能となる。

本発明による薄膜キャパシタは、第１の金属膜に積層され、第１の金属膜と同じ平面形状を有する第３の金属膜をさらに備え、第２の金属膜と第３の金属膜が同じ金属材料からなるものであっても構わない。これによれば、表裏の方向性を無くすことが可能となる。

本発明による薄膜キャパシタの製造方法は、第１の金属膜の表面に容量絶縁膜を形成する第１の工程と、容量絶縁膜に第１及び第２の貫通孔を設けるとともに、第１及び第２の貫通孔から露出する第１の金属膜をオーバーエッチングすることにより、第１の金属膜に凹部を形成する第２の工程と、容量絶縁膜の表面、第１及び第２の貫通孔の内部、並びに、第１の金属膜の凹部に、第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜を形成する第３の工程と、第１の金属膜に平面視で第１の貫通孔を囲む第１のスペースを設けるとともに、第２の金属膜に平面視で第２の貫通孔を囲む第２のスペースを設ける第４の工程を備えることを特徴とする。

本発明によれば、容量絶縁膜に設けられた第１及び第２の貫通孔を介して第１の金属膜と第２の金属膜を接続するとともに、第１の貫通孔を囲む第１のスペースを第１の金属膜に設け、第２の貫通孔を囲む第２のスペースを第２の金属膜に設けていることから、簡単の工程によってインターポーザ型の薄膜キャパシタを作製することが可能となる。しかも、容量絶縁膜に第１及び第２の貫通孔を設ける際、第１の金属膜をオーバーエッチングしていることから、第２の金属膜を第１の金属膜に食い込ませることができ、これにより、第１の金属膜と第２の金属膜の密着性を高めることも可能となる。

このように、本発明によれば、低コストで作製可能な薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタが埋め込まれた多層回路基板を提供することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜キャパシタ１の構造を説明するための模式的な断面図である。 図２は、薄膜キャパシタ１を構成する各層の略平面図であり、（ａ）は第２の金属膜２０、（ｂ）は容量絶縁膜４０、（ｃ）は第１の金属膜１０の形状を示している。 図３は、薄膜キャパシタ１の製造方法を説明するための工程図である。 図４は、薄膜キャパシタ１の製造方法を説明するための工程図である。 図５は、オーバーエッチングの深さが貫通孔によって異なる理由を説明するための模式図である。 図６は、凹部５０の底面に段差５１が形成される理由を説明するための模式図である。 図７は、凹部５０の底面に突起５２が形成される理由を説明するための模式図である。 図８は、本発明の第２の実施形態による薄膜キャパシタ２の構造を説明するための模式的な断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態による薄膜キャパシタ３の構造を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１が埋め込まれた多層回路基板８０の構造を説明するための模式的な断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態による薄膜キャパシタ１の構造を説明するための模式的な断面図である。

図１に示すように、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１は、容量絶縁膜４０と、容量絶縁膜４０の表裏に形成された第１の金属膜１０及び第２の金属膜２０と、第１の金属膜１０と重なるように設けられた第３の金属膜３０とを備えている。図２は、薄膜キャパシタ１を構成する各層の略平面図であり、（ａ）は第２の金属膜２０、（ｂ）は容量絶縁膜４０、（ｃ）は第１の金属膜１０の形状を示している。また、図１は、図２に示すＡ－Ａ線に沿った断面を示している。

容量絶縁膜４０は、例えばチタン酸バリウムなどペロブスカイト構造を有するセラミック材料からなる。容量絶縁膜４０には、第１の貫通孔４１及び第２の貫通孔４２が形成されている。第１の貫通孔４１と第２の貫通孔４２は、交互に一方向に配列されている。

第１の金属膜１０は、例えばＮｉ（ニッケル）からなり、容量絶縁膜４０の一方の表面に形成されている。第１の金属膜１０には、平面視で第１の貫通孔４１を囲む位置に第１のスペースＣ１が設けられている。これにより、第１の金属膜１０は、第１のスペースＣ１の外側に位置する第１の領域１１と、第１のスペースＣ１の内側に位置する第２の領域１２に分離される。第１の領域１１と第２の領域１２は、第１のスペースＣ１によって絶縁され、その一方が薄膜キャパシタの正極、他方が薄膜キャパシタの負極として用いられる。第１の金属膜１０の材料として例えばＮｉ（ニッケル）を用いるのは、後述するように、容量絶縁膜４０を焼成する工程において第１の金属膜１０が容量絶縁膜４０の支持体として用いられるため、高温に耐える必要があるからである。

第２の金属膜２０は、例えばＣｕ（銅）からなり、容量絶縁膜４０の他方の表面に形成されている。第２の金属膜２０には、平面視で第２の貫通孔４２を囲む位置に第２のスペースＣ２が設けられている。これにより、第２の金属膜２０は、第２のスペースＣ２の外側に位置する第３の領域２３と、第２のスペースＣ２の内側に位置する第４の領域２４に分離される。第３の領域２３と第４の領域２４は、第２のスペースＣ２によって絶縁され、その一方が薄膜キャパシタの正極、他方が薄膜キャパシタの負極として用いられる。第２の金属膜２０の材料として例えばＣｕ（銅）を用いるのは、抵抗値が低く、且つ、電解メッキによる成膜が容易だからである。

第３の金属膜３０は、例えばＣｕ（銅）からなり、第１の金属膜１０に積層されている。第３の金属膜３０は、第１の金属膜１０と同じ平面形状を有している。

図１に示すように、第２の金属膜２０は、容量絶縁膜４０に設けられた貫通孔４１，４２を介して第１の金属膜１０に接続されている。より具体的には、第２の金属膜２０の第３の領域２３は、第１の貫通孔４１を貫通する第１の接続部２１を備え、第１の接続部２１を介して第１の金属膜１０の第２の領域１２に接続される。一方、第２の金属膜２０の第４の領域２４は、第２の貫通孔４２を貫通する第２の接続部２２を備え、第２の接続部２２を介して第１の金属膜１０の第１の領域１１に接続される。

これにより、第１の金属膜１０の第１の領域１１と第２の金属膜２０の第４の領域２４は、電気的に短絡される。同様に、第１の金属膜１０の第２の領域１２と第２の金属膜２０の第３の領域２３は、電気的に短絡される。そして、図１に示すように、第１の金属膜１０の第１の領域１１と、第２の金属膜２０の第３の領域２３は、容量絶縁膜４０を介して重なりを有していることから、この部分においてキャパシタンスが得られる。これにより、第１の金属膜１０の第１の領域１１（第２の金属膜２０の第４の領域２４）を正極及び負極の一方とし、第１の金属膜１０の第２の領域１２（第２の金属膜２０の第３の領域２３）を正極及び負極の他方とする薄膜キャパシタが構成される。

そして、本実施形態においては、薄膜キャパシタ１の表裏に正極及び負極の両方が現れることから、インターポーザとして用いることが可能となる。しかも、スペースＣ１，Ｃ２の位置が１ピッチずれている他は、表裏のパターン形状が一致していることから、表裏に方向性のないインターポーザとして用いることも可能である。

さらに、本実施形態においては、第２の金属膜２０の一部である第１及び第２の接続部２１，２２が第１の金属膜１０に食い込むように設けられていることから、第１の金属膜１０と第２の金属膜２０の密着性も高められている。具体的な食い込みの深さとしては、２μｍ以下とすることが好ましい。これは、２μｍを超える凹部を形成するとプロセス上の負荷が大きくなり、生産性が低下するからである。

特に限定されるものではないが、第１及び第２の接続部２１，２２の第１の金属膜１０への食い込み深さは、互いに異なっていても構わない。また、複数存在する第１の接続部２１のそれぞれについても、第１の金属膜１０への食い込み深さが互いに異なっていても構わないし、複数存在する第２の接続部２２のそれぞれについても、第１の金属膜１０への食い込み深さが互いに異なっていても構わない。

ここで、薄膜キャパシタ１にプロセッサなどのからの熱が与えられると、異種金属からなる第１の金属膜１０と第２の金属膜２０の接合面に電位差が発生する。このような電位差は、デカップリングコンデンサのノイズ成分となるおそれがあるが、第２の金属膜２０の食い込み深さにばらつきが存在すれば、異種金属接合面で発生する電位差の発生位置も深さ方向にばらつくことから、ノイズ成分を緩和することが可能となる。

次に、本実施形態による薄膜キャパシタ１の製造方法について説明する。

図３及び図４は、本実施形態による薄膜キャパシタ１の製造方法を説明するための工程図である。

まず、図３（ａ）に示すように、Ｎｉなどからなる第１の金属膜１０の表面にチタン酸バリウムなどからなる容量絶縁膜４０を形成し、焼成する。この時、第１の金属膜１０にも高温が加わるが、第１の金属膜１０の材料としてＮｉなどの高融点金属を用いることにより、焼成温度に耐えることが可能である。

次に、図３（ｂ）に示すように、容量絶縁膜４０をエッチングすることにより、第１及び第２の貫通孔４１，４２を設ける。この時、第１及び第２の貫通孔４１，４２が形成された後もオーバーエッチングすることにより、第１の金属膜１０に凹部５０を形成する。凹部５０の深さは、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物で覆われた部分に貫通孔４１，４２が形成されたか、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物で覆われていない部分に貫通孔４１，４２が形成されたかによって異なる。

つまり、図５（ａ）に示すように、容量絶縁膜４０のうち容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物で覆われていない部分に対してエッチングを行った場合、第１の金属膜１０のオーバーエッチングにより形成される凹部５０の深さＺ１は、設計通りの深さとなるのに対し、図５（ｂ）に示すように、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０で覆われた部分に対してエッチングを行った場合、第１の金属膜１０のオーバーエッチングにより形成される凹部５０の深さＺ２は、設計値よりも浅くなる（Ｚ１＞Ｚ２）。これは、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０が存在する分、エッチングの進行が遅くなるからである。また、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０の厚みにもばらつきが存在するため、凹部５０の深さにはばらつきが発生する。

また、図６（ａ）に示すように、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０のエッジ部分と重なる領域４３に対してエッチングが行われた場合、図６（ｂ）に示すように、凹部５０の底面には段差５１が形成される。さらには、図７（ａ）に示すように、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０の平面サイズが小さく、その全体を含む領域４４に対してエッチングが行われた場合、図７（ｂ）に示すように、凹部５０の底面には突起５２が形成される。このように、容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物６０の位置とエッチング領域の関係によっては、凹部５０の底面に段差５１や突起５２が形成されることもある。

次に、図３（ｃ）に示すように、スパッタリング法などを用いて全面にシード層２０ａを形成する。これにより、容量絶縁膜４０の表面だけでなく、貫通孔４１，４２の内壁及び凹部５０の内壁にもシード層２０ａが形成される。シード層２０ａは、ＮｉとＣｕの積層膜を用いることが好ましい。

次に、図４（ａ）に示すように、シード層２０ａを給電体とした電解めっきを行うことにより、Ｃｕからなる第２の金属膜２０を形成する。これにより、容量絶縁膜４０の表面、第１及び第２の貫通孔４１，４２の内部、並びに、第１の金属膜１０の凹部５０に第２の金属膜２０が形成される。その後、図４（ｂ）に示すように、第２の金属膜２０に第２のスペースＣ２を形成することにより、第３の領域２３と第４の領域２４に分離する。

そして、図４（ｃ）に示すように、第１の金属膜１０の裏面にＣｕからなる第３の金属膜３０を形成した後、第１及び第３の金属膜１０，３０に第１のスペースＣ１を形成することにより、第１の領域１１と第２の領域１２に分離すれば、図１に示した薄膜キャパシタ１が完成する。

以上説明したように、本実施形態による薄膜キャパシタ１は、絶縁基板などを用いることなく、容量絶縁膜４０の表裏に第１の金属膜１０と第２の金属膜２０を配置し、容量絶縁膜４０に形成された貫通孔４１，４２を介して両者を接続していることから、インターポーザに適した薄型構造を得ることが可能となる。しかも、第２の金属膜２０の一部である第１及び第２の接続部２１，２２が第１の金属膜１０に食い込むように設けられていることから、第１の金属膜１０と第２の金属膜２０の密着性も確保される。

図８は、本発明の第２の実施形態による薄膜キャパシタ２の構造を説明するための模式的な断面図である。

図８に示すように、第２の実施形態による薄膜キャパシタ２は、第２の金属膜２０の下地にバリアメタル７０が設けられている点において、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

バリアメタル７０は、第２の金属膜２０から第１の金属膜１０へのマイグレーションを防止するために設けられ、その材料としては、第２の金属膜２０よりも融点の高い材料、例えばタングステンなどを用いることができる。

図９は、本発明の第３の実施形態による薄膜キャパシタ３の構造を説明するための模式的な断面図である。

図９に示すように、第３の実施形態による薄膜キャパシタ３は、第３の金属膜３０が省略されている点において、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１と相違している。その他の構成は、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態が例示するように、本発明において第３の金属膜３０を設けることは必須でなく、Ｎｉなどからなる第１の金属膜１０をそのまま外部端子として用いても構わない。

図１０は、第１の実施形態による薄膜キャパシタ１が埋め込まれた多層回路基板８０の構造を説明するための模式的な断面図である。

図１０に示す例では、多層回路基板８０が配線層Ｌ１～Ｌ８を有し、隣接する配線層間には層間絶縁膜８１が設けられている。異なる配線層同士は、ビア導体８２を介して相互に接続されている。また、最上層の配線層Ｌ８には、複数のＩＣチップ９１～９３が実装されている。このような構成を有する多層回路基板８０に薄膜キャパシタ１を埋め込み、例えば電源電位が与えられるビア導体８２ａを第２の金属膜２０の第３の領域２３に接続し、グランド電位が与えられるビア導体８２ｂを第２の金属膜２０の第４の領域２４に接続すれば、薄膜キャパシタ１がデカップリングコンデンサとして機能する。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

１～３ 薄膜キャパシタ
１０ 第１の金属膜
１１ 第１の領域
１２ 第２の領域
２０ 第２の金属膜
２０ａ シード層
２１ 第１の接続部
２２ 第２の接続部
２３ 第３の領域
２４ 第４の領域
３０ 第３の金属膜
４０ 容量絶縁膜
４１ 第１の貫通孔
４２ 第２の貫通孔
４３，４４ エッチング領域
５０ 凹部
５１ 段差
５２ 突起
６０ 容量絶縁膜形成プロセス由来の絶縁物もしくは有機物
７０ バリアメタル
８０ 多層回路基板
８１ 層間絶縁膜
８２，８２ａ，８２ｂ ビア導体
９１～９３ ＩＣチップ
Ｃ１ 第１のスペース
Ｃ２ 第２のスペース

Claims (8)

1. 第１及び第２の貫通孔を含む複数の貫通孔が設けられた容量絶縁膜と、
   前記容量絶縁膜の一方の表面に設けられた第１の金属膜と、
   前記容量絶縁膜の他方の表面に設けられ、前記第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜と、
   前記第１の金属膜に積層され、前記第１の金属膜と同じ平面形状を有する第３の金属膜と、を備え、
   前記第２の金属膜と前記第３の金属膜が同じ金属材料からなり、
   前記第１の金属膜には、平面視で前記第１の貫通孔を囲むように設けられた第１のスペースが設けられ、これにより前記第１の金属膜は、前記第１のスペースの外側に位置する第１の領域と、前記第１のスペースの内側に位置する第２の領域に分離され、
   前記第２の金属膜には、平面視で前記第２の貫通孔を囲むように設けられた第２のスペースが設けられ、これにより前記第２の金属膜は、前記第２のスペースの外側に位置する第３の領域と、前記第２のスペースの内側に位置する第４の領域に分離され、
   前記第２の金属膜の前記第３の領域は、前記第１の貫通孔を貫通し、且つ、前記第１の金属膜に食い込むように設けられた第１の接続部を介して、前記第１の金属膜の前記第２の領域に接続され、
   前記第２の金属膜の前記第４の領域は、前記第２の貫通孔を貫通し、且つ、前記第１の金属膜に食い込むように設けられた第２の接続部を介して、前記第１の金属膜の前記第１の領域に接続されることを特徴とする薄膜キャパシタ。
2. 前記容量絶縁膜がペロブスカイト構造を有する誘電体材料からなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜キャパシタ。
3. 前記第１の金属膜がＮｉからなり、前記第２の金属膜がＣｕからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜キャパシタ。
4. 前記第１の接続部と前記第２の接続部は、前記第１の金属膜への食い込み深さが互いに異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
5. 前記容量絶縁膜の前記他方の表面には、容量絶縁膜形成プロセス由来の無機物もしくは有機物が局所的に存在し、
   前記第１及び第２の接続部の一方は、前記無機物もしくは有機物で覆われている部分を貫通して設けられ、
   前記第１及び第２の接続部の他方は、前記無機物もしくは有機物で覆われていない部分を貫通して設けられ、
   前記第１及び第２の接続部の前記一方は、前記第１及び第２の接続部の前記他方よりも、前記第１の金属膜への食い込み深さが浅いことを特徴とする請求項４に記載の薄膜キャパシタ。
6. 前記第１の金属膜と前記第２の金属膜の界面にバリアメタルが設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタ。
7. 第１及び第２の貫通孔を含む複数の貫通孔が設けられた容量絶縁膜と、
   前記容量絶縁膜の一方の表面に設けられた第１の金属膜と、
   前記容量絶縁膜の他方の表面に設けられ、前記第１の金属膜とは異なる金属材料からなる第２の金属膜と、を備え、
   前記第１の金属膜と前記第２の金属膜の界面にバリアメタルが設けられており、
   前記第１の金属膜には、平面視で前記第１の貫通孔を囲むように設けられた第１のスペースが設けられ、これにより前記第１の金属膜は、前記第１のスペースの外側に位置する第１の領域と、前記第１のスペースの内側に位置する第２の領域に分離され、
   前記第２の金属膜には、平面視で前記第２の貫通孔を囲むように設けられた第２のスペースが設けられ、これにより前記第２の金属膜は、前記第２のスペースの外側に位置する第３の領域と、前記第２のスペースの内側に位置する第４の領域に分離され、
   前記第２の金属膜の前記第３の領域は、前記第１の貫通孔を貫通し、且つ、前記第１の金属膜に食い込むように設けられた第１の接続部を介して、前記第１の金属膜の前記第２の領域に接続され、
   前記第２の金属膜の前記第４の領域は、前記第２の貫通孔を貫通し、且つ、前記第１の金属膜に食い込むように設けられた第２の接続部を介して、前記第１の金属膜の前記第１の領域に接続されることを特徴とする薄膜キャパシタ。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタが埋め込まれた多層回路基板。

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