JP7370342B2 - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド Download PDF

Info

Publication number
JP7370342B2
JP7370342B2 JP2020563359A JP2020563359A JP7370342B2 JP 7370342 B2 JP7370342 B2 JP 7370342B2 JP 2020563359 A JP2020563359 A JP 2020563359A JP 2020563359 A JP2020563359 A JP 2020563359A JP 7370342 B2 JP7370342 B2 JP 7370342B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
poly
porous
polishing
adipate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020563359A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020138198A1 (ja
Inventor
和正 服部
晋哉 加藤
知大 岡本
信夫 高岡
浩一 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kuraray Co Ltd
Original Assignee
Kuraray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kuraray Co Ltd filed Critical Kuraray Co Ltd
Publication of JPWO2020138198A1 publication Critical patent/JPWO2020138198A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7370342B2 publication Critical patent/JP7370342B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32—Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40—High-molecular-weight compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/75—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic cycloaliphatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/76—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • C08J5/06—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material using pretreated fibrous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハ、シリコンウェハ、半導体デバイス、液晶ディスプレイ、ハードディスク、ガラスレンズ、金属等を研磨するために有用な研磨パッドに関する。
集積回路を形成するための基材として使用される半導体ウェハの鏡面加工として、化学的機械的研磨（Chemica Mechanical Polishing；CMP）が知られている。ＣＭＰに用いられる研磨パッドとしては、不織布に湿式凝固させたポリウレタンを含浸付与させた不織布タイプのシートや、フィルムや繊維構造体の上層に湿式凝固させたポリウレタン樹脂を表面層に配した湿式ポリウレタン（ＰＵ）スポンジタイプのシートや、独立気泡構造を有するポリウレタン等の高分子弾性体の成形シートが用いられている。不織布タイプのシートや湿式ＰＵスポンジタイプは圧縮変形しやすいために比較的柔らかく、一方、高分子弾性体の成形シートは剛性が高い。
近年、半導体ウェハや半導体デバイスには、高集積化や多層配線化に伴い、より一層の高平坦化等の品質向上や低価格化の要求が増々高まっている。配線材料としては、従来のアルミニウム合金に替わって銅合金が、絶縁材料としては、従来のＳｉＯ２に替わって低誘電率材料の利用が試みられている。このような材料の変化に伴い、研磨パッドに対しても、従来以上の平坦化を可能にし、ウェハ表面のスクラッチを低減し、研磨レートを高め、研磨での安定性を向上させ、長時間使用可能であること、等のさらなる高機能化が要求されている。また、シリコンウェハ、液晶ディスプレイ、ハードディスク、ガラスレンズ等においても、高集積化や高精度化が進められているために、研磨パッドに対しても、従来以上の平坦化を可能にし、表面のスクラッチを低減し、研磨レートを高め、研磨での安定性を向上させ、更には、長時間使用可能であること、等のさらなる高機能化が要求されている。
成形シートの研磨パッドに用いられる発泡ポリウレタンは、一般に、２液硬化型ポリウレタンを用いて注型発泡硬化することによって製造されている（例えば、特許文献１～４を参照。）。しかしながら、これらの方法では反応・発泡の均一化が困難である上、得られる発泡ポリウレタンの高硬度化にも限界があることから、被研磨面の平坦性や平坦化効率等の研磨特性が変動しやすいこと、更には、発泡構造が独立孔であるために研磨工程において使用される研磨スラリーや研磨屑がその空隙に侵入して目詰まりしやすく、研磨レート（研磨速度）が低下したり、パッド寿命が短い等の問題があった。このようなことから、上述したような要求性能（更なる平坦化効率の向上、ウェハ表面のスクラッチ低減、研磨レート向上、研磨での安定性や研磨パッドの寿命の向上等）を充分に満足する発泡ポリウレタン製の成形シートを用いた研磨パッドは得られていない。
そのために、特に、銅配線や低誘電率材料等の傷が付き易い材料や界面の接着性が弱い材料等では、傷や界面剥離がいっそう起こりやすくなって、これらに対応できる新たな研磨パッドの開発が求められている。
一方、不織布タイプの研磨パッドは一般に、繊維に起因した凹凸構造を表面に形成したり、不織布の構造に起因した空隙や連通孔構造を有する。そのため、研磨時のスラリーの液溜まり性（以下、スラリー保持性と言うこともある）が良く研磨レートを高めやすいことや、クッション性が良く柔軟でウェハとの接触性が良好なこと等の特徴を有しており、多様な研磨分野に用いられている。しかし従来の不織布タイプの研磨パッドでは、その空隙の多さや柔軟性のために平坦化する能力が充分でなく、また、研磨での安定性や研磨パッドの寿命等も充分ではなかった。そのために、高性能化に向けた様々な検討がなされている（例えば、特許文献６～１４を参照。）。
しかしながら、何れの場合においても、以下のような課題があった。すなわち、（１）繊維の直径が数十μｍ程度と繊維に起因する研磨パッド表面の凹凸がウェハの段差に対して相対的に巨大なため、平坦性の向上に限界があることや繊維に砥粒が凝集した場合にスクラッチの原因となりやすい。また、極細繊維を用いた場合には、極細繊維からなるシートは非常に柔らかい特性を持つために硬度が不足する、又は非常に硬い高分子弾性体を用いて硬度を高めた場合には、高分子弾性体の硬さや脆さが原因となってウェハに傷が付きやすくなる。（２）不織布の繊維の密度が低いことから、繊維による表面の立毛数（凹凸構造の密度）が少なく、繊維を高分子弾性体と複合する効果が充分では無い。（３）シートの密度が低く空隙が多いことから、硬度の高いシートを得難いこと、及び不均質な数百μｍオーダーの巨大な不織布空隙が表面に存在するため、平坦性の向上に限界の有ること、更には、研磨時に硬度等の性能が経時的に変化しやすく、研磨の安定性や研磨パッドの寿命に問題を抱えている。（４）高分子弾性体を完全に充填させて不織布の空隙を無くした場合には、繊維に起因した表面の凹凸形成や不織布構造の空隙や連通孔構造に起因した特徴が失われてしまう。
このようなことから、市場からの要求性能（更なる、平坦化効率の向上、ウェハ表面のスクラッチ低減、研磨レート向上、研磨での安定性や研磨パッドの寿命の向上等）を充分に満足する不織布タイプの研磨パッドは未だ見出されていなかった。
特開２０００－１７８３７４号公報 特開２０００－２４８０３４号公報 特開２００１－８９５４８号公報 特開平１１－３２２８７８号公報 特開２００２－９０２６号公報 特開平１１－９９４７９号公報 特開２００５－２１２０５５号公報 特開平３－２３４４７５号公報 特開平１０－１２８７９７号公報 特開２００４－３１１７３１号公報 特開平１０－２２５８６４号公報 特表２００５－５１８２８６号公報 特開２００３－２０１６７６号公報 特開２００５－３３４９９７号公報
本発明は、研磨安定性及び研磨対象物の平滑性に優れた研磨性能を有し、長時間研磨を続けても研磨性能の変化が小さい特徴を有する不織布タイプの研磨パッドにおいて、研磨レートの高い研磨パッドを提供することを目的とする。
本発明の一局面は、不織布に無孔質高分子弾性体と多孔質高分子弾性体とを含浸させた研磨パッドであり、前記多孔質高分子弾性体は熱可塑性ポリウレタンを含み、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が０．４９以下であることを特徴とする研磨パッドである。
また、前記多孔質高分子弾性体の平均孔面積が１０～１００μｍ２である多孔構造を有する研磨パッドが好ましい。さらに、前記多孔質高分子弾性体に含まれる熱可塑性ポリウレタンを形成する高分子ジオールの凝固速度が０．１～１．５ｍｏｌである研磨パッドが好ましく、前記多孔質高分子弾性体に含まれる熱可塑性ポリウレタンのＤ硬度が３５～８５である研磨パッドが好ましい。
また、不織布を構成する繊維がポリエステル繊維であり、その平均単繊維径が１～１０μｍである研磨パッドが好ましい。
このような構成によれば、研磨安定性及び研磨対象物の平滑性に優れた研磨性能を有し、長時間研磨を続けても研磨性能の変化が小さい特徴を有する不織布タイプの研磨パッドにおいて、研磨レートの高い研磨パッドが得られる。
また、多孔質熱可塑性ポリウレタンが、高分子ジオール、有機ジイソシアネート、及び.鎖伸長剤を反応させて得られた熱可塑性ポリウレタンを含み、高分子ジオールが、ポリ（エチレンアジペート）、ポリ（ブチレンアジペート）、ポリ（カプロラクトンジオール）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンテレフタレート）、ポリ（ジエチレングリコールアジペート）、ポリ（ノナメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレン－ｃｏ－ノナメチレンアジペート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（ジエチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、有機ジイソシアネートが、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２,４－トリレンジイソシアネート、２,６－トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、鎖伸長剤が、エチレングリコール、１,３－プロパンジオール、１,４－ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１,５－ペンタンジオール、１,６－ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
また、上記研磨パッドの見掛け密度は、０．５０～０．９０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
また、上記研磨パッドは、Ｃ硬度が８０以上であることが好ましい。
さらに、本発明は、極細繊維発生型繊維からなる不織布に水系の無孔質高分子弾性体を付与する工程、極細繊維発生型繊維を極細繊維化して極細繊維不織布とする工程、溶剤系の高分子弾性体を含浸湿式凝固し、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が、０．４９以下となるように多孔質高分子弾性体を付与する工程を順次、行うことを特徴とする研磨パッドの製造方法である。
本発明によれば、不織布タイプの研磨パッドにおいて、研磨レートの高い研磨パッドが得られる。
以下、本発明の研磨パッドの一実施形態について詳細に説明する。
本実施形態の研磨パッドは、不織布に無孔質高分子弾性体と多孔質高分子弾性体とを含浸させた研磨パッドであり、前記多孔質高分子弾性体は熱可塑性ポリウレタンを含み、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が０．４９以下であることを特徴とする研磨パッドである。
本発明においては、不織布に無孔質高分子弾性体と多孔質高分子弾性体とを含浸させ、更に前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比を０．４９以下に調整しているため、長時間研磨を続けても研磨性能の変化が小さく、且つ研磨レートを高くすることが可能になる。
なお、本発明において、無孔質高分子弾性体とは実質的に孔がないもの、具体的には後述する平均孔面積の測定において１０μｍ２未満のものを指し、多孔質高分子弾性体とは、後述する平均孔面積の測定において１０μｍ２以上のものを指す。
不織布は、ナイロン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のようなポリエステル系樹脂を主成分とする繊維の不織布であれば特に限定なく用いられる。特には、不織布がポリエステル系繊維で形成されている場合には、研磨中に吸水しにくいために貯蔵弾性率Ｅ’が変動しにくく研磨効率が安定する。例えば、ナイロン繊維のような吸水性の高い繊維の場合には、研磨中に吸水率が高くなることにより、貯蔵弾性率Ｅ’が変動し、研磨パッドが変形しやすくなって研磨効率が低下しやすくなる。
また、ポリエステル繊維の繊維径としては、平均単繊維径が１～１０μｍであることが好ましく、さらには、１．５～８．５μｍであることがより好ましい。平均単繊維径が１μｍ以上であるとドレス時に繊維が切れにくくなるため好ましい。また、平均単繊維径が１０μｍ以下であると研磨対象への負荷を低く抑えることができるため、スクラッチの発生を低減することができる。
また、上記平均単繊維径の極細繊維を得る方法としては、極細繊維発生型繊維から極細繊維化する公知の方法が用いられる。極細繊維発生型繊維は、環境対応の観点から特に水溶性高分子成分と水難溶性高分子成分から構成されていることが好ましい。この水溶性高分子成分とは、該成分が水溶液により抽出除去される成分を示し、水難溶性高分子成分とは、該成分が水溶液により抽出除去されにくい成分、すなわち、前述したナイロンで代表されるポリアミド系樹脂やポリエチレンテレフタレートで代表されるポリエステル系樹脂を示す。そして、水溶性高分子成分と水難溶性高分子成分からなる極細繊維発生型繊維は少なくとも１成分が水溶液による抽出処理で抽出除去されるものであれば、海島型複合繊維、混合紡糸型繊維などの多成分系複合繊維のいずれを使用してもよい。
なお、本発明で用いられる水溶性高分子成分としては、水溶液で抽出処理できるポリマーであれば、公知のポリマーが使用できるが、水溶液で溶解可能なポリビニルアルコール共重合体類（以下「ＰＶＡ」と略することもある）を用いることが好ましい。ＰＶＡは容易に熱水で溶解除去が可能であり、水系溶剤で抽出除去する際の収縮挙動によって極細繊維成分の極細繊維発生型繊維に構造捲縮が発現し、不織布が嵩高く緻密なものとなる点、および抽出処理する際に極細繊維成分や高分子弾性体成分の分解反応が実質的に起こらないため極細繊維成分に用いる熱可塑性樹脂および高分子弾性体成分の限定が無い点、更には環境に配慮した点等から好適に用いられる。
本実施形態の研磨パッドは、ポリエステル繊維の不織布に含浸付与された、無孔質高分子弾性体と、Ｄ硬度が３５～８５である多孔質熱可塑性ポリウレタンとを含むことが好ましい。
無孔質高分子弾性体は主として不織布の製造工程において形態安定性を保つために用いられる。また、Ｄ硬度が３５～８５である多孔質熱可塑性ポリウレタンは、研磨パッドの硬度を調整するとともに、微細な気泡を表層に付与することにより、ＣＭＰ研磨の際に研磨スラリーの保持性を向上させることに寄与する。無孔質高分子弾性体は、例えば、不織布に無孔性の高分子弾性体のエマルジョンを含浸させ乾燥させることにより付与することができる。また、多孔質熱可塑性ポリウレタンは不織布に多孔性の熱可塑性ポリウレタンを形成する熱可塑性ポリウレタンの溶液を含浸させ、湿式凝固させることにより付与することができる。
無孔質高分子弾性体の具体例としては、無孔質の高分子弾性体、例えば、ポリウレタン、アクリロニトリルエラストマー、オレフィンエラストマー、ポリエステルエラストマー、ポリアミドエラストマー、アクリルエラストマー等が挙げられる。これらの中では、ポリウレタンが好ましい。
無孔質高分子弾性体は、水系の無孔質高分子弾性を用いることが好ましく、例えば無孔質のポリウレタンは、水系エマルジョンを用いて形成されることが好ましい。ポリウレタンの水系エマルジョンの具体例としては、例えば、ポリカーボネート系ポリウレタン、ポリエステル系ポリウレタン、ポリエーテル系ポリウレタン、ポリカーボネート／エーテル系ポリウレタンの水系エマルジョンが挙げられる。
無孔質高分子弾性体としては、－１０℃以下のガラス転移温度を有し、２３℃及び５０℃における貯蔵弾性率が好ましくは１～４０ＭＰａ、より好ましくは１～３５ＭＰａであり、５０℃で飽和吸水させたときの吸水率が０．２～５質量％のポリウレタンが好ましい。２３℃及び５０℃における貯蔵弾性率が前記下限値以上であると、研磨パッドが変形しにくくなり好ましい。また、貯蔵弾性率が前記上限値以下であると硬くなりすぎないためスクラッチの発生を抑制することができる。また、吸水率が低すぎる場合には、研磨時のスラリー保持量が少なくなって、研磨均一性が低下しやすくなる傾向がある。また、吸水率が高すぎる場合には、研磨中に硬度等の特性が変化しやすくなって研磨安定性が低下しやすくなる傾向がある。
上記研磨パッドに含まれる多孔質高分子弾性体が、熱可塑性ポリウレタンの場合、熱可塑性ポリウレタンは、凝固速度が好ましくは０．１～１．５ｍｏｌ、より好ましくは０．３～１．２ｍｏｌ、更に好ましくは０．４～１．０ｍｏｌ、より更に好ましくは０．５～０．９ｍｏｌである高分子ジオールを用いることが好ましい。高分子ジオールの凝固速度を制御することで多孔質ポリウレタンの平均孔面積を１０～１００μｍ2に制御することができ、研磨スラリーの保持性を向上させることができ、研磨安定性に優れた研磨パッドが得られる。
なお、本発明において、高分子ジオールの凝固速度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
また、多孔質熱可塑性ポリウレタンは、Ｄ硬度が好ましくは３５～９０、より好ましくは３５～８５、更に好ましくは３５～８０、より更に好ましくは４０～８０の熱可塑性ポリウレタンの多孔体であることが好ましい。
なお、本発明において、多孔質熱可塑性ポリウレタンのＤ硬度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
多孔質熱可塑性ポリウレタンのＤ硬度は、好ましくは３５～９０である。これにより高い耐久性を維持できるとともに適度なパッド追従性を維持する。また、凝固速度が好ましくは０．１～１．５ｍｏｌ、より好ましくは０．６～１．０ｍｏｌである高分子ジオールからなりＤ硬度が好ましくは３５～８０である多孔質熱可塑性ポリウレタンは、研磨パッドの硬度を調整するとともに、微細な気泡を表層に付与することにより、研磨スラリーの保持性を向上させることに寄与する。それにより、研磨中に形成された気孔が消失しにくくなり、その結果、研磨パッドのスラリー保持力が向上して研磨レートが高くなる。熱可塑性ポリウレタンのＤ硬度が３５以上である場合は、耐久性が向上し、形成された気泡が研磨中に溶融して消滅することが抑制される。それにより研磨パッドのスラリー保持力が向上して研磨レートが高くなる。またＤ硬度が９０以下であると、研磨中の貯蔵弾性率が高くなりすぎることがなく、パッド追従性が良好になり、研磨レートが向上する。
多孔質熱可塑性ポリウレタンを用いて形成する多孔構造の平均孔面積は１０～１００μｍ２であることがスラリー保持力を向上させて研磨レートを高く維持することができる点から好ましい。この観点から、前記多孔構造の平均孔面積は、好ましくは１５～９０μｍ２、より好ましくは２０～９０μｍ２、更に好ましくは２５～７０μｍ２、より更に好ましくは２５～５０μｍ２である。平均孔面積が１０μｍ２以上であるとドレス時に研磨パッド表層の多孔構造が損傷しにくくなり、研磨中のスラリー保持量を維持することができるため研磨レートが低下せず、研磨均一性を維持しやすくなる。一方、１００μｍ２以下であると研磨屑が滞留しにくくなるためスクラッチ性が向上する。
なお、本発明において、平均孔面積は実施例に記載の方法により測定することができる。
多孔質熱可塑性ポリウレタンを形成する熱可塑性ポリウレタン（以下、単に「ポリウレタン」とも称する場合もある。）について、詳しく説明する。ポリウレタンの製造方法は特に限定されず、例えば、高分子ジオール、有機ジイソシアネート及び鎖伸長剤を所定の比率で良溶媒中で反応させる方法や、実質的に溶剤の不存在下で溶融重合させる方法や、公知のウレタン化反応を利用したプレポリマー法又はワンショット法が用いられる。これらの中では、不織布に含浸して研磨パッドを製造の点から溶液重合させる方法が特に好ましく用いられる。溶液重合は、高分子ジオール、有機ジイソシアネート及び鎖伸長剤、及び必要に応じて配合される添加剤を所定の比率で配合し、反応槽を用いて一定量、反応させる方法である。
ポリウレタンの重合の原料となる、高分子ジオール、有機ジイソシアネート及び鎖伸長剤について詳しく説明する。
高分子ジオールの具体例としては、例えば、ポリ（エチレンアジペート）、ポリ（ブチレンアジペート）、ポリ（カプロラクトンジオール）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンテレフタレート）、ポリ（ジエチレングリコールアジペート）、ポリ（ノナメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレン－ｃｏ－ノナメチレンアジペート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（ジエチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、これらの中でも、ポリ（ブチレンアジペート）、ポリ（カプロラクトンジオール）、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）が好ましい。さらにはポリ（カプロラクトンジオール）、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）が多孔構造の形成の点で好ましい。
有機ジイソシアネートとしては、通常の熱可塑性ポリウレタンの製造に従来から用いられている有機ジイソシアネートのいずれを使用してもよく、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネートが、得られる研磨パッドの耐摩耗性等の点から好ましい。
鎖伸長剤としては、通常のポリウレタンの製造に従来から使用されている鎖伸長剤のいずれを使用してもよい。鎖伸長剤としては、イソシアネート基と反応し得る活性水素原子を分子中に２個以上有する分子量３００以下の低分子化合物を使用することが好ましく、エチレングリコール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種の鎖伸長剤を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の研磨パッドは、不織布に含浸付与された無孔質高分子弾性体とＤ硬度が３５～９０である多孔質熱可塑性ポリウレタンとを含むことが好ましい。多孔質熱可塑性ポリウレタンの孔の形状は多孔構造であることがスラリーの保持性、目詰まり抑制の点で好ましい。
また、本実施形態の研磨パッドは、前記多孔質高分子弾性体の質量（多孔質熱可塑性ポリウレタンの質量）に対する無孔質高分子弾性体の質量の比が０．４９以下である。前記多孔質高分子弾性体の質量（多孔質熱可塑性ポリウレタンの質量）に対する無孔質高分子弾性体の質量の比が０．４９を超える場合は、研磨パッド中の多孔質熱可塑性ポリウレタンが少なくなり、研磨中のスラリー保持性が低下して研磨レートが低くなる。また、研磨パッドの硬度も低くなり、研磨均一性が低下する傾向にある。また、多孔質熱可塑性ポリウレタンの含有量に対する無孔質高分子弾性体の含有量の質量比の下限は０．３０以上であることが、研磨パッドの高硬度化の点で好ましい。
これらの観点から前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比は、０．３５以上であることが好ましく、０．３８以上であることがより好ましく、そして、０．４７以下であることが好ましく、０．４６以下であることがより好ましい。
本実施形態の研磨パッドは、見掛け密度が０．５０～０．９０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。見掛け密度の範囲が前記範囲内であると剛性及び連通孔の容積が適度になるために、スクラッチを抑制しながら高い研磨レートが得られる点から好ましい。この観点から、さらには０．５５～０．８５ｇ／ｃｍ３であることが好ましく、０．５８～０．８０ｇ／ｃｍ３であることがより好ましく、０．６０～０．７５ｇ／ｃｍ３であることが更に好ましい。見掛け密度が低すぎる場合には剛性が低くなることにより研磨レートが低くなる傾向があり、見掛け密度が高すぎる場合には多孔の容積が減少することにより研磨屑や研磨スラリーの砥粒が排出されにくくなって被研磨面に対するスクラッチの抑制効果が低下する傾向がある。
なお、本発明において、研磨パッドの見掛け密度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
本実施形態の研磨パッドのＣ硬度は８０以上が好ましく、より好ましくは８５以上であることが好ましい。パッド硬度が低すぎる場合には研磨パッドが柔らかくなりすぎて研磨レート及び平坦化性能が低下する。また、パッド硬度が高すぎる場合には硬くなりすぎて被研磨面への追従性が低下することにより、研磨レートが低下し、また、被研磨面にスクラッチが発生しやすくなる傾向があるため、研磨パッドのＣ硬度の上限は９５以下が好ましい。
なお、本発明において、研磨パッドのＣ硬度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
また、本実施形態の研磨パッドの製造方法は、極細繊維発生型繊維からなる不織布に無孔質高分子弾性体を付与する工程、極細繊維発生型繊維を極細繊維化して極細繊維不織布とする工程、溶剤系の高分子弾性体を含浸、湿式凝固し、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が、０．４９以下となるように多孔質高分子弾性体を付与する工程を順次、行うことを特徴とする研磨パッドの製造方法である。極細繊維発生型繊維からなる不織布に最初に無孔質高分子弾性体を多孔質高分子弾性体よりも少量付与することで低密度で次工程以降の形状維持が容易となり、更には多孔質熱可塑性ポリウレタンの含浸性が向上し、更には多孔構造の形成が容易となる。
本実施形態の研磨パッドは、単層の研磨パッドとしても、研磨面に対して反対側の面にクッション性を付与するために、発泡構造又は無発泡構造を有するエラストマーシートやエラストマーを含浸させた不織布等からなる公知のクッション層を積層したような複層構造の研磨パッドとして用いてもよい。クッション層は、粘着剤や接着剤を用いてシートに積層される。
研磨パッドの厚さは特に限定されないが、０．８～３．５ｍｍであることが好ましく、１．０～３．０ｍｍであることがより好ましく、１．２～２．５ｍｍであることが研磨性能とパッド寿命の観点から好ましい。
研磨パッドを構成する不織布の質量をＷａとし、無孔質高分子弾性体の質量をＷｂとし、多孔質高分子弾性体の質量をＷｃとした場合において、全研磨パッドの質量（Ｗａ＋Ｗｂ＋Ｗｃ）に対する研磨パッドを構成する不織布の質量（Ｗａ）の比は、０．６００以上が好ましい。前記質量の比が０．６００以上であると、研磨パッドの硬度を向上させることができる。この観点から前記質量の比は、０．６３０以上が好ましく、０．６４０以上がより好ましく、０．７００以下が好ましい。
また、研磨パッドの研磨面には、必要に応じて研削、レーザー加工、エンボス加工等により、水性スラリーを保持させるための溝や穴を形成することが好ましい。
研磨パッドの研磨対象は特に制限されないが、例えば、シリコンウェハ等の半導体基板やガラス基板、半導体デバイスや液晶ディスプレイ等が挙げられる。研磨方法としては、化学機械研磨装置（ＣＭＰ装置）と水性スラリーを用いた化学機械研磨法（ＣＭＰ）が好ましく用いられる。ＣＭＰとしては、例えば、ＣＭＰ装置の研磨定盤に研磨パッドを貼り付け、研磨面に水性スラリーを供給しながら、研磨パッドに被研磨物を押し当てながら加圧し、研磨定盤と被研磨物をともに回転させることにより被研磨物の表面を研磨する方法が挙げられる。なお、研磨前や研磨中には、必要に応じて、ダイヤモンドドレッサーやナイロンブラシ等のドレッサーを使用して研磨面をコンディショニングして整えることが好ましい。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
はじめに、本実施例において用いた評価方法を以下にまとめて説明する。
［ポリエステル繊維の不織布の質量比、無孔質高分子弾性体の質量比］
研磨パッドの製造工程における質量変化に基づき、ポリエステル繊維の不織布の質量（Ｗａ）、含浸された無孔質高分子弾性体（無孔質ポリウレタン）の質量（Ｗｂ）、含浸された多孔性の熱可塑性ポリウレタンの質量（Ｗｃ）を求め、Ｗａ／（Ｗａ＋Ｗｂ＋Ｗｃ）の式から研磨パッド中のポリエステル繊維の不織布の質量比を求めた。また、Ｗｂ／Ｗｃから、前記多孔質高分子弾性体の質量（多孔質熱可塑性ポリウレタンの質量）に対する無孔質高分子弾性体の質量の比を求めた。
［高分子ジオールの凝固速度測定］
高分子ジオールをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に溶解して１０質量％濃度ＤＭＦ溶液を作製し、３０℃に加温した。加温したＤＭＦ溶液にＤＭＦ１０質量％濃度水溶液を滴下して白濁させた。白濁の始まった状態を始点、完全に白濁した状態を終点として始点、終点のＤＭＦ１０質量％濃度水溶液の滴下量の和より算出した平均値（同様の操作を３回行った平均値）より凝固速度を求めた。
［多孔質熱可塑性ポリウレタンの平均孔面積］
得られた研磨パッドの厚み方向の任意の断面を５００倍の倍率で走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した。そして得られたＳＥＭ写真から熱可塑性ポリウレタンの多孔断面積を画像処理によって二値化し、平均孔面積を算出した。
［硬度測定］
硬度測定はＪＩＳ Ｋ ７３１１：１９９５に準じて行った。具体的には熱プレス成形より得られた熱可塑性ポリウレタンシートを厚み６ｍｍ以上になるように積み重ねて測定した１０点の平均値からＤ硬度を求め、研磨パッドを厚み６ｍｍ以上になるように積み重ねて測定した１０点の平均値からＣ硬度を求めた。
［単繊維直径］
研磨パッドの繊維を含む厚さ方向に垂直な断面を、走査型電子顕微鏡を用いて１０００倍で観察し、測定結果を単繊維直径とした。
［見掛け密度］
ＪＩＳ Ｋ ７３１１：１９９５に準じて研磨パッドの見掛け密度を求めた。
［研磨レート（研磨速度）］
得られた研磨パッドの研磨レートを次の方法により評価した。
得られた研磨パッドをＣＭＰ研磨装置（（株）エム・エー・ティ製の「ＭＡＴ－ＢＣ１５」）に設置した。そして、プラテン回転数１００ｒｐｍ、ヘッド回転数９９ｒｐｍ、研磨圧力５７ｋＰａの条件で、研磨スラリーを２００ｍＬ／分の割合で供給しながら直径４インチのベアシリコンウェハを１０分間研磨した。なお、研磨スラリーとしては、（株）フジミインコーポレーテッド製「Ｇｌａｎｚｏｘ１３０２」を２０倍希釈に調製したものを用いた。その後、ベアシリコンウェハを交換して同様に研磨を繰り返し、計５枚のベアシリコンウェハを研磨した。そして、研磨した５枚のベアシリコンウェハの研磨前、研磨後の質量差より研磨レートを算出した。そして５枚のベアシリコンウェハの研磨レートの平均値を算出した。
［実施例１］
島成分としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、海成分として水溶性熱可塑性ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を含み、海成分／島成分の質量比２５／７５である島数２５島の海島型複合繊維のストランドを２６５℃で溶融複合紡糸用口金から吐出し延伸して細化しながら冷却することにより海島型複合繊維を紡糸した。そして、連続的に捕集しプレスすることにより長繊維ウェブを得た。次に２枚の長繊維ウェブを重ね合わせ、両面に交互にニードルパンチ処理を行い長繊維ウェブ同士を絡合し三次元絡合体を得た。
次に、無孔質高分子弾性体として、ポリカーボネート系ポリウレタン（Ｔｇ：－２７℃、貯蔵弾性率（２３℃）：３２．６ＭＰａ、貯蔵弾性率（５０℃）：１９．５ＭＰａ）の水系エマルジョンを三次元絡合体にディップニップすることで含浸付与し乾燥処理を行った。なお、この処理は本発明の製造方法における「極細繊維発生型繊維からなる不織布に水系の無孔質高分子弾性体を付与する工程」に該当する。
そして三次元絡合体を熱水中でディップニップすることにより海島型複合繊維から島成分の水溶性熱可塑性ＰＶＡを溶解除去させ、乾燥することにより、平均単繊維繊度０．０５ｄｔｅｘの２５束のＰＥＴ繊維からなる不織布とその内部に無孔質ポリウレタンが付与された厚さ１．８ｍｍのシートを得た。なお、この処理は本発明の製造方法における「極細繊維発生型繊維を極細繊維化して極細繊維不織布とする工程」に該当する。得られた不織布の平均単繊維径は３．０μｍであった。
［多孔質熱可塑性ポリウレタンの合成］
２Ｌのガラス製フラスコに高分子ジオールであるポリカプロラクトンジオール（(株)ダイセル製のプラクセル２１０）を仕込み、８０℃下で脱気した。脱気後、鎖伸長剤である１，４－ブタンジオール（東京化成工業(株)製）を仕込み、更にジメチルホルムアミド（富士フイルム和光純薬(株)製）を仕込み撹拌した。撹拌後、イソシアネートであるジフェニルメタンジイソシアネート（東ソー(株)製のＭＩＬＬＩＯＮＡＴＥ ＭＴ）を仕込みながら加温、撹拌して粘度上昇を確認しながら反応させた。液粘度が５００ｍＰａ・ｓから１５００ｍＰａ・ｓになるように逐次、ジフェニルメタンジイソシアネートを仕込み、撹拌した。液粘度測定後、常温下で冷却して熱可塑性ポリウレタンを得た。なお、表１に熱可塑性ポリウレタンの組成及び硬度を示している。
［多孔質熱可塑性ポリウレタンの含浸付与］
得られたＰＥＴ不織布と無孔質ポリウレタンとを含むシートを３８０ｍｍ×３８０ｍｍに切り出した。そして切り出されたシートに、Ｄ硬度８０の多孔質熱可塑性ポリウレタンを含浸付与した。なお、表１に、多孔質熱可塑性ポリウレタンの組成及び硬度を示している。
含浸付与は、次のようにして行った。熱可塑性ポリウレタン濃度２５％ＤＭＦ溶液を３０℃に加温した。その上に上記シートを１０分間静置してＤＭＦ溶液を浸透させた。さらに５分間、ＤＭＦ溶液中に沈下した。次にシートを取り出してガラス板上に乗せ、シート表面をドクターナイフでなぞるようにして付着したＤＭＦ溶液を取り除いた。裏面についても同様の操作を行った。
次に、ＤＭＦ溶液を浸透させた原反を３０℃に維持したＤＭＦ濃度１０％水溶液に浸漬し、３０分間放置することにより、多孔質熱可塑性ポリウレタンを凝固させた。そして、多孔質熱可塑性ポリウレタンを凝固させて含浸付与させたシートを７０～９５℃の熱水に浸漬し、金属ロールで挟み、水を搾り出した後、再び熱水に浸漬させるようにして水洗した。そして、水洗された原反を熱風乾燥機（装置名：セーフティーオーブンＳＰＨ－２０２／エスペック株式会社）に入れ、１００℃で４０分間乾燥した。このようにして研磨パッドの原反（パッド原反中間体と称する）が得られた。なお、この処理は本発明の製造方法における「溶剤系の高分子弾性体を含浸湿式凝固し、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が、０．４９以下となるように多孔質高分子弾性体を付与する工程」に該当する。
［パッド原反中間体の平坦化及び溝加工］
パッド原反中間体の表面をサンドペーパー（番手＃１８０）でバフィングして厚み斑を無くして平坦にすることにより研磨パッドを作製した。そして、被研磨面に粘着テープを貼った。そして、平坦化溝加工機により研磨パッドの研磨面に溝幅２．０ｍｍ、溝深さ０．５ｍｍ、ピッチ１５ｍｍの格子溝を形成した。そして、格子溝を形成した研磨パッドを直径３７０ｍｍの円形に切り出した溝付研磨パッドを得た。そして、上記のような評価方法により評価した。結果を表１に示す。
［実施例２］
実施例１の［多孔質熱可塑性ポリウレタンの合成］において、ポリカプロラクトンジオールをポリヘキサメチレンアジペートに変更したこと以外は実施例１と同様に溝付研磨パッドを製造し、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表１に示す。
Figure 0007370342000001
［比較例１］
実施例１に記載した熱可塑性ポリウレタンと同様に、高分子ジオールとしてポリカプロラクトンジオール（(株)ダイセル製のプラクセル２１０）、鎖伸長剤として１，４－ブタンジオール（東京化成工業(株)製）、イソシアネートとしてジフェニルメタンジイソシアネート（東ソー(株)製のＭＩＬＬＩＯＮＡＴＥ ＭＴ）を用いて製造した熱可塑性ポリウレタン、更には含浸付与において熱可塑性ポリウレタン濃度２５％ＤＭＦ溶液を用いて溝付研磨パッドを得た。そして、上記のような評価方法により評価した。結果を表１に示す。
表１に示すとおり、実施例１の研磨パッドは無孔質高分子弾性体、多孔質高分子弾性体の各成分の質量比を制御すること、つまり、多孔質高分子弾性体を多くすることにより研磨速度が高くなる。一方、比較例１の場合は研磨パッドの多孔質高分子弾性体が少ないことにより研磨中に溝形状の損傷が発生し、研磨レートが低くなる。
本発明に係る研磨パッドは、例えば、各種半導体装置、ベアシリコン、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、ＳｉＣ半導体等の製造プロセスの研磨に適応することができる。

Claims (9)

  1. 不織布に無孔質高分子弾性体と多孔質高分子弾性体とを含浸させた研磨パッドであり、前記多孔質高分子弾性体は熱可塑性ポリウレタンを含み、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が０．４９以下であり、
    前記無孔質高分子弾性体が、２３℃及び５０℃における貯蔵弾性率が１～４０ＭＰａであるポリウレタンであることを特徴とする、研磨パッド。
  2. 前記多孔質高分子弾性体の平均孔面積が１０～１００μｍ２である多孔構造を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
  3. 前記多孔質高分子弾性体に含まれる熱可塑性ポリウレタンを形成する高分子ジオールの凝固速度が０．１～１．５ｍｏｌである、請求項１又は２に記載の研磨パッド。
  4. 前記多孔質高分子弾性体に含まれる熱可塑性ポリウレタンのＤ硬度が３５～８５である、請求項１～３のいずれかに記載の研磨パッド。
  5. 前記不織布を構成する繊維がポリエステル繊維であり、その平均単繊維径が１～１０μｍである、請求項１～４のいずれかに記載の研磨パッド。
  6. 前記多孔質高分子弾性体に含まれる熱可塑性ポリウレタンが、高分子ジオール、有機ジイソシアネート、及び鎖伸長剤を反応させて得られた熱可塑性ポリウレタンを含み、
    前記高分子ジオールが、ポリ（エチレンアジペート）、ポリ（ブチレンアジペート）、ポリ（カプロラクトンジオール）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（３－メチル－１,５－ペンタメチレンテレフタレート）、ポリ（ジエチレングリコールアジペート）、ポリ（ノナメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレンアジペート）、ポリ（２－メチル－１，８－オクタメチレン－ｃｏ－ノナメチレンアジペート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリ（ジエチレングリコール）、ポリ（テトラメチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
    前記有機ジイソシアネートが、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、２,４－トリレンジイソシアネート、２,６－トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
    前記鎖伸長剤が、エチレングリコール、１,３－プロパンジオール、１,４－ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１,５－ペンタンジオール、１,６－ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１～５のいずれかに記載の研磨パッド。
  7. 前記研磨パッドの見掛け密度が０．５０～０．９０ｇ／ｃｍ３である、請求項１～６のいずれかに記載の研磨パッド。
  8. 前記研磨パッドのＣ硬度が８０以上である、請求項１～７のいずれかに記載の研磨パッド。
  9. 極細繊維発生型繊維からなる不織布に水系の無孔質高分子弾性体を付与する工程、極細繊維発生型繊維を極細繊維化して極細繊維不織布とする工程、溶剤系の高分子弾性体を含浸湿式凝固し、前記多孔質高分子弾性体の質量に対する前記無孔質高分子弾性体の質量の比が、０．４９以下となるように多孔質高分子弾性体を付与する工程を順次、行うことを特徴とし、
    前記無孔質高分子弾性体が、２３℃及び５０℃における貯蔵弾性率が１～４０ＭＰａであるポリウレタンである研磨パッドの製造方法。
JP2020563359A 2018-12-27 2019-12-25 研磨パッド Active JP7370342B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018244075 2018-12-27
JP2018244075 2018-12-27
PCT/JP2019/050894 WO2020138198A1 (ja) 2018-12-27 2019-12-25 研磨パッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020138198A1 JPWO2020138198A1 (ja) 2021-11-18
JP7370342B2 true JP7370342B2 (ja) 2023-10-27

Family

ID=71127226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020563359A Active JP7370342B2 (ja) 2018-12-27 2019-12-25 研磨パッド

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7370342B2 (ja)
KR (1) KR20210106436A (ja)
CN (1) CN113226642B (ja)
TW (1) TWI827778B (ja)
WO (1) WO2020138198A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115594823A (zh) * 2022-10-12 2023-01-13 中环领先半导体材料有限公司（Cn） 一种notch抛光垫的新型配方

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012071415A (ja) 2010-08-31 2012-04-12 Toray Ind Inc 研磨布およびその製造方法
US20150099439A1 (en) 2013-10-03 2015-04-09 San Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad and method for making the same
JP2017013149A (ja) 2015-06-29 2017-01-19 株式会社クラレ 研磨パッド
WO2018092630A1 (ja) 2016-11-16 2018-05-24 帝人フロンティア株式会社 研磨パッドおよびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03234475A (ja) 1990-02-08 1991-10-18 Kanebo Ltd 研磨布
JP3221333B2 (ja) 1996-11-05 2001-10-22 株式会社新潟鉄工所 竪型射出成形機の型厚調整装置
JPH10225864A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Sony Corp 研磨パッドとその製造方法並びにその研磨パッドを用いたウエハの研磨方法
JPH1199479A (ja) 1997-09-30 1999-04-13 Teijin Ltd 研磨パッド
JPH11322878A (ja) 1998-05-13 1999-11-26 Dainippon Ink & Chem Inc 泡含有ポリウレタン成形物の製造方法、泡含有成形物用ウレタン樹脂組成物及びそれを用いた研磨パッド
JP3516874B2 (ja) 1998-12-15 2004-04-05 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法及び研磨シート
JP2000248034A (ja) 1999-03-02 2000-09-12 Mitsubishi Chemicals Corp 研磨材用ポリウレタン系樹脂組成物及びその発泡体
JP3558273B2 (ja) 1999-09-22 2004-08-25 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法及び研磨シート
JP2002009026A (ja) 2000-06-21 2002-01-11 Toray Ind Inc 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置及び研磨方法
US20030100250A1 (en) 2001-10-29 2003-05-29 West Thomas E. Pads for CMP and polishing substrates
JP3921085B2 (ja) 2001-12-28 2007-05-30 大日精化工業株式会社 研磨用基材の製造方法
JP2004311731A (ja) 2003-04-08 2004-11-04 Hitachi Chem Co Ltd 研磨用パッド及びそれを用いた被研磨物の研磨方法
JP2005212055A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Kanebo Ltd 不織布ベースの研磨布及びその製造方法
JP4455161B2 (ja) 2004-05-25 2010-04-21 旭化成せんい株式会社 研磨パッド用不織布および研磨パッド

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012071415A (ja) 2010-08-31 2012-04-12 Toray Ind Inc 研磨布およびその製造方法
US20150099439A1 (en) 2013-10-03 2015-04-09 San Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad and method for making the same
JP2017013149A (ja) 2015-06-29 2017-01-19 株式会社クラレ 研磨パッド
WO2018092630A1 (ja) 2016-11-16 2018-05-24 帝人フロンティア株式会社 研磨パッドおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113226642A (zh) 2021-08-06
TW202035534A (zh) 2020-10-01
CN113226642B (zh) 2024-03-15
WO2020138198A1 (ja) 2020-07-02
KR20210106436A (ko) 2021-08-30
TWI827778B (zh) 2024-01-01
JPWO2020138198A1 (ja) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8647179B2 (en) Polishing pad, and method for manufacturing polishing pad
JP5289787B2 (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
TWI572671B (zh) 硏磨層用非多孔性成形體、硏磨墊及硏磨方法
JP5629266B2 (ja) 研磨パッド及びケミカルメカニカル研磨方法
KR20140034144A (ko) 연마 패드
KR102398128B1 (ko) 연마층용 성형체 및 연마 패드
JP2008207323A (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
JP6220378B2 (ja) 硬質シート及び硬質シートの製造方法
JP6446337B2 (ja) 研磨パッド
JP2010064153A (ja) 研磨パッド
JP7370342B2 (ja) 研磨パッド
JP7097171B2 (ja) 研磨パッド
JP2010135493A (ja) 研磨パッド及び研磨方法
WO2021117834A1 (ja) ポリウレタン、研磨層、研磨パッド及び研磨方法
US20220226962A1 (en) Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
JP2012210683A (ja) 研磨パッド
JP2010058170A (ja) 研磨パッド
JP5415700B2 (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230425

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230626

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7370342

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150