JP7362334B2 - 加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る加工方法を実施する加工装置の構成例を示す斜視図である。図2は、図1に示された加工装置のテーブルユニットの斜視図である。図3は、図2に示された加工装置の制御ユニットの正常画像記憶部に記憶された正常画像の一例を示す図である。図4は、実施形態1に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係る加工方法は、図1に示す加工装置1が被加工物200を切削加工(加工に相当)する方法である。実施形態1では、被加工物200は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを基板204とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハである。被加工物200は、基板204の表面201に格子状に形成された複数の分割予定ライン202によって格子状に区画された領域にデバイス203が形成されている。
実施形態1に係る加工方法は、加工装置1が被加工物200を切削加工する加工動作である。加工方法は、オペレータが、加工内容情報を制御ユニット100に登録し、切削加工前の被加工物200を複数収容したカセットをカセットエレベータ40の上面に設置し、試験片用チャックテーブル60の上方を向いた上面61に試験片70を載置し、オペレータから加工動作の開始指示を受け付けると加工装置1が実施する。加工動作を開始すると、加工装置1は、試験片70を試験片用チャックテーブル60の上面61に吸引保持する。
図5は、図4に示された加工方法の切削ステップを模式的に示す断面図である。切削ステップST1は、切削ブレード21で被加工物200を切削するステップである。切削ステップST1では、加工装置1は、搬送ユニットがカセット内から被加工物200を搬入出領域のチャックテーブル10に搬送し、粘着テープ210を介して裏面205側をチャックテーブル10の保持面11に吸引保持する。
図6は、図4に示された加工方法の切削溝形成ステップを模式的に示す断面図である。図7は、図4に示された加工方法の切削溝形成ステップ後の試験片の平面図である。切削溝形成ステップST4は、試験片70を切削ブレード21でX軸方向の一端71から他端72まで切削して切削溝80-1を形成するステップである。
図8は、図4に示された加工方法の撮像ステップを模式的に示す断面図である。図9は、図4に示された加工方法の撮像ステップで得た撮像画像の一例を示す図である。撮像ステップST5は、切削溝形成ステップST4を実施した後、試験片70の一端71側または他端72側の側面711,721を撮像して切削溝80-1を含む撮像画像400を形成するステップである。
図10は、図4に示された加工方法の判定ステップの一例を示す図である。判定ステップST6は、撮像画像400から検出した切削溝80-1の内面81-1の傾斜に基づいて切削ブレード21の交換の要否を判定するステップである。
本発明の実施形態1の変形例に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態1の変形例に係る加工方法の撮像ステップを模式的に示す断面図である。なお、図11は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
70 試験片
71 一端
72 他端
80,80-1 切削溝
81,81-1 内面(側壁)
400 撮像画像
711,721 側面
200 被加工物
ST1 切削ステップ
ST4 切削溝形成ステップ
ST5 撮像ステップ
ST6 判定ステップ
Claims (1)
- 被加工物の加工方法であって、
切削ブレードで被加工物を切削する切削ステップと、
試験片を該切削ブレードで一端から他端まで切削して切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップを実施した後、該試験片の該一端側または該他端側の側面を撮像して該切削溝を含む撮像画像を形成する撮像ステップと、
該撮像画像から検出した該切削溝の側壁の傾斜に基づいて該切削ブレードの交換要否を判定する判定ステップと、を備え、
該判定ステップでは、該撮像画像の該切削溝の上端に、該切削溝の側壁が該試験片の表面に対して直交している正常画像の該切削溝の上端を重ね、該試験片の表面から所定の距離の判定位置の該撮像画像の該切削溝の該側壁と該正常画像の該切削溝の該側壁との距離が予め定められた許容値以下であると判定すると、該切削ブレードの交換を不要と判定し、許容値を超えていると判定すると、該切削ブレードの交換を必要と判定する加工方法。
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