JP7349985B2 - 製品を洗浄するまたはすすぐための、第一の界面活性剤および第二の界面活性剤を含む組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 240
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 title claims description 57
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 88
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 28
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 11
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical group CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000000047 product Substances 0.000 description 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 35
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 17
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 6
- -1 perfluoroalkyl carboxylic acids Chemical class 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PGNVUJSDMSFWEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(2-phenylethenyl)-4-[2,3,4-tris(2-phenylethenyl)phenoxy]benzene Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C=CC=CC=2)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C(C=CC=2C=CC=CC=2)C=1OC(C(=C1C=CC=2C=CC=CC=2)C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 PGNVUJSDMSFWEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- MTPIZGPBYCHTGQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(2-prop-2-enoyloxyethoxymethyl)butoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCC(CC)(COCCOC(=O)C=C)COCCOC(=O)C=C MTPIZGPBYCHTGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241001340526 Chrysoclista linneella Species 0.000 description 1
- 239000004435 Oxo alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 231100000693 bioaccumulation Toxicity 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004001 molecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- JSPLKZUTYZBBKA-UHFFFAOYSA-N trioxidane Chemical compound OOO JSPLKZUTYZBBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/83—Mixtures of non-ionic with anionic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/004—Surface-active compounds containing F
- C11D1/006—Surface-active compounds containing fluorine and phosphorus
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Description
1)ウエハの洗浄、2)製造、3)フォトレジスト適用、4)曝露および曝露後のベーク、5)現像およびすすぎ、6)ハードベーク、および7)追加プロセス、例えばプラズマエッチング。
(A)第一の界面活性剤として、式(I)
Xは、カチオンであり、好ましくは金属を含まない一価カチオンであり、より好ましくは、
プロトン、
および
基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐(すなわち、直鎖)のC1~6-アルキル基(すなわち、1、2、3、4、5、または6個の炭素原子を有するアルキル基)からなる群から独立して選択される)
からなる群から選択され、
Y1およびY2のうちの一方はアニオン性極性基であり、もう一方は水素であり、
各基Z1、Z2、およびZ3は、互いに独立して、
- 分岐または非分岐のC1~10-アルキル基(すなわち、1、2、3、4、5、6、7、8、9、または10個の炭素原子を有するアルキル基)、
または(好ましくは)
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}eの基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基(すなわち、1、2、3または4個の炭素原子を有するアルキル基)であり、
Riは、分岐または非分岐のC1~10-フルオロアルキル基(すなわち、1、2、3、4、5、6、7、8、9、または10個の炭素原子を有し、1個以上の水素原子がフッ素原子で置換されているアルキル基)であり、
Aは、酸素、硫黄および/または(好ましくは、または)-N(H)-、より好ましくは酸素(1個を超えるAが存在する場合、各Aの意味はいずれの他のAの意味からも独立している)であり、
cは、0~10の範囲の整数であり、
dは、0~10の範囲の整数であり、
eは、1~5の範囲の整数であり、
且つ、cおよびdが同時に0ではない(すなわち、c+d>0)ことが条件である)であり、
基Z1、Z2またはZ3のうちの少なくとも1つは、構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}eの基である)のイオン性化合物、
および、
(B)第二の界面活性剤として、1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基を含む少なくとも1種の非イオン性化合物、
を含む組成物によって、達成されることが見出された。
(A)第一の界面活性剤として、式(I)のイオン性化合物(または上記で定義されている好ましい式(I)の化合物)、
および
(B)第二の界面活性剤として、以下からなる群から選択される、1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基を含む少なくとも1種の非イオン性化合物、
(B1)式(II)
R5-[O-R6]l-OR18 (II)
(式中、
R5は、分岐または非分岐、好ましくは分岐のC6~12-フルオロアルキル基、または好ましくは1または2個の二重結合を含有し、且つ、好ましくは合計12~20個のフッ素原子を含有する分岐または非分岐の、好ましくは分岐のC6~12-フルオロアルケニル基であり、
R6は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基、好ましくは分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、より好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
R18は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはメチルであり、
および
lは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数である)の化合物、
(B2)式(III)
H3C-(CH2)m-CH2-[O-R7]n-OR19 (III)
(式中、
R7は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基、好ましくは分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、より好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
R19は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはメチルであり、
mは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数であり、
および
nは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数である)の化合物、
(B3)式(IV)
R17は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基、好ましくは分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、より好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
および
oは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数である)の化合物、
(B4)式(V)
R8、R13およびR14は、それぞれ互いに独立して、水素またはメチルであり、好ましくはR8、R13およびR14はすべて水素であり、
R9、R11およびR12は、それぞれ互いに独立して、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基、好ましくは分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、より好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
R10は、分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはエチルであり、
および
p、qおよびrは、それぞれ互いに独立して、2~25の範囲の整数である)の化合物、
および
(B5)式(VI)
(H3C)3Si-O-R15-O-Si(CH3)3 (VI)
(式中、
R15は、
1~100個の範囲、好ましくは1~50個の範囲の数の、式(VII)
-[Si(CH3)2-O]- (VII)
の繰り返し単位、
および
1~100個の範囲、好ましくは1~50個の範囲の数の、式(VIII)
-[Si(CH3)(R16)-O]- (VIII)
(式中、R16は、1個以上のエチレングリコール(すなわち1,2-エチレンジオキシ)基および/または1個以上のプロピレングリコール(すなわち1,3-プロピレンジオキシ)基を含む基である)
の繰り返し単位からなり、
式(VII)の繰り返し単位および式(VIII)の繰り返し単位が、
- 無作為に、または
- 各場合ともブロックごとに2個以上の式(VII)または式(VIII)の繰り返し単位を含むブロックが無作為に交互に、配置されている)の化合物
を含む。
Ra-(C2H4O)s(C3H6O)t-Rb (IX)
のポリアルキレンオキシ基を置換基R16として含む。
(式中、各基Z1、Z2およびZ3は、互いに独立して、構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基であり、式中、Ri、A、R1、R2、R3、R4、c、dおよびeは、上で定義されている意味または好ましい意味を有する)、
および/または(好ましくは、および)
(B)第二の界面活性剤として、上で定義されている式(II)の少なくとも1種の非イオン性化合物
を含む、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
好ましくは
- 総数4~50個の、より好ましくは5~20個の、さらにより好ましくは6~10個の炭素原子を有し
および
- 総数2~15個の、より好ましくは3~10個のフッ素原子を有し、
および/または、好ましくは
- 自らのアルキル基を介して、カルボキシル基のまたは式Iの化合物の基の隣接する酸素原子に結合している、
アルキル-フルオロアルキルエーテル基である、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
Xが、金属を含まない一価カチオンであり、好ましくは、
- プロトン
および
- 基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~6-アルキル基からなる群から独立して選択され、好ましくは分岐または非分岐のC1~4-アルキル基である)からなる群から選択され、
Y1およびY2のうちの1つが、-COO-、-SO3 -、-(O)SO3 -、-PO3 2-および-(O)PO3 2-からなる群から選択されるアニオン性極性基であり、好ましくはスルホネート-SO3 -であり、もう一方は水素であり、好ましくはY1がアニオン性極性基でありY2が水素であり、
および
各基Z1、Z2、およびZ3が、互いに独立して、
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
Riは、分岐または非分岐のC1~10-フルオロアルキル基であり、
cは、1~10の範囲の整数であり、
dは、1~10の範囲の整数であり、
および
eは、1~5の範囲の整数である)である、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
Xが、
- プロトン
および
- 基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~6-アルキル基からなる群から独立して選択され、好ましくは分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、より好ましくは基NR4 +はNH4 +である)からなる群から選択され、
Y1およびY2のうちの1つがスルホネート-SO3 -であり、もう一方は水素であり、好ましくはY1がスルホネートでありY2が水素であり、
各基Z1、Z2およびZ3が、互いに独立して、
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはC1~2-アルキル基であり、
aは0~2の範囲の整数であり、好ましくはaは1または2であり、
bは1~6の範囲の整数であり、好ましくはbは1または2であり、
cは1~10の範囲の整数であり、好ましくはcは1または2であり、
dは1~10の範囲の整数であり、好ましくはdは1または2であり、
および
eは1~5の範囲の整数であり、好ましくはeは1である)であり、
および好ましくは基Z1、Z2およびZ3のすべては、同じ構造を有する、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
Xが、
- プロトン
および
- 基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~6-アルキル基からなる群から独立して選択され、好ましくは分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、より好ましくは基NR4 +はNH4 +である)からなる群から選択され、
Y1が、スルホネート、-SO3 -であり、
Y2が、水素であり、
および基Z1、Z2およびZ3は、同じ構造を有し、各場合とも式F3C-CF2-CH2-O-CH2-CH(C2H5)-の基である、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
の化合物である、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)も、特に好ましい。
- 式(IIa)
R6、R18およびlは、上記の意味または好ましい意味(式(II)について上で定義されている通り)を有する)の化合物、
- 式(IIb)
R6、R18およびlは、上記の意味または好ましい意味(式(II)について上で定義されている通り)を有する)の化合物、
および
- それらの混合物
からなる群から選択される、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
(C) 水、好ましくは脱イオン水
を含む、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
および/または
- 組成物中に存在する、
- 式(I)の化合物の総量および
- 式(II)の化合物の総量
の合計が、組成物の総質量に基づいて、0.01質量%~0.5質量%の範囲、好ましくは0.02質量%~0.25質量%の範囲、より好ましくは0.05質量%~0.12質量%の範囲にある、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)、好ましくは第二の界面活性剤として、少なくとも1種の式(II)の非イオン性化合物を含む組成物も、好ましい。
および/または
- 組成物のpHが、4.0~11.0の範囲、好ましくは7.0~11.0の範囲、より好ましくは8.0~10.0の範囲、さらにより好ましくは8.0~9.6の範囲にある、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)、好ましくは第二の界面活性剤として、式(II)の少なくとも1種の非イオン性界面活性剤を含む、好ましくは水性組成物も、好ましい。
(B)第二の界面活性剤として、1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基(上で定義されている、または上で定義されている1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基を含む好ましい非イオン性化合物)を含む少なくとも1種の非イオン性化合物、好ましくは、(上で定義されている)少なくとも1種の式(II)の化合物、
(C)(上で定義されている)水、
および
(D)1種以上の可溶化剤、好ましくは、総数3~6個の炭素原子を含み、総数1~4個の炭素原子を含むアルキル基を有するアルキレングリコール(アルカンジオール)の1種以上の部分エーテル(すなわち、このような部分エーテルの少なくとも1個のヒドロキシル基は遊離ヒドロキシル基である)、より好ましくはエチレングリコールまたはプロピレングリコール(各場合とも、アルキル基は総数1~4個の炭素原子を含む)の1種以上の部分エーテル、さらにより好ましくは、1-メトキシ-2-プロパノールである可溶化剤
を含む、またはこれらからなる本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)も好ましい。
- 式(I)の化合物(成分(A))の総量、および
- 1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基を含む少なくとも1種の非イオン性化合物、好ましくは式(II)の少なくとも1種の化合物(成分(B))の総量
の合計は、組成物の総質量に基づいて、0.01質量%~0.5質量%の範囲、好ましくは0.02質量%~0.25質量%の範囲、より好ましくは0.05質量%~0.1質量%の範囲であり、
および
組成物中に存在する1種以上の可溶化剤(成分(D))の総量は、組成物の総質量に基づいて、0.01質量%~0.5質量%の範囲、好ましくは0.02質量%~0.25質量%の範囲、より好ましくは0.05質量%~0.1質量%の範囲にある。
および/または
- 組成物のpHが、7.0~11.0の範囲、好ましくは8.0~10.0の範囲、より好ましくは8.0~9.6の範囲にある、
本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
(式中、
Xは、プロトンおよび基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~6-アルキル基からなる群から独立して選択され、好ましくは分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、より好ましくは基NR4 +はNH4 +である)からなる群から選択され、
Y1が、スルホネート、-SO3 -であり、
Y2が、水素であり、
および
基Z1、Z2およびZ3は、同じ構造を有し、各場合とも式F3C-CF2-CH2-O-CH2-CH(C2H5)-の基である)のイオン性化合物、
および
(B)第二の界面活性剤として、少なくとも1種の式(IIa)
R6は、分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
R18は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはメチルであり、
および
lは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数である)の非イオン性化合物、
および/または(すなわち、少なくとも1種の式(IIa)の化合物と少なくとも1種の式(IIb)の化合物との混合物を含む)、
少なくとも1種の式(IIb)
R6は、分岐または非分岐のC2~4-アルキレン基、好ましくは非分岐のC2~3-アルキレン基であり、
R18は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基、好ましくはメチルであり、
および
lは、5~30の範囲、好ましくは6~25の範囲の整数である)の化合物、
および
(C)水、
を含む組成物であって、組成物のpHが、7.0~11.0の範囲、好ましくは8.0~10.0の範囲、より好ましくは8.0~9.6の範囲にあり、
および好ましくは
組成物中に存在する
- 式(I)の化合物の総量、および
- 式(II)の化合物の総量
の合計が、組成物の総質量に基づいて、0.01質量%~0.5質量%の範囲、好ましくは0.02質量%~0.25質量%の範囲、より好ましくは0.05質量%~0.1質量%の範囲にある、本明細書で定義する本発明による組成物(または好ましいものとして上または下で記載するような本発明による組成物)が好ましい。
- パターン崩壊を予防または低減し、
- ラインエッジラフネスを低減し、
- ウォーターマーク欠陥を予防または除去し、
- フォトレジスト膨張を予防または低減し、
- Blob欠陥を予防または低減し、
および/または
- 粒子を除去する
ために、製品、好ましくは、基板およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料を含む製品の洗浄またはすすぎに、本明細書で定義する本発明による組成物を使用する方法(または本明細書で好ましいと記載する本発明による組成物を使用する方法)に関する。
- 前記洗浄またはすすぎが、集積回路デバイス、光学デバイス、マイクロマシン、または機械的精密デバイスを作るプロセスの一部であり、
および/または
- 前記基板が半導体基板、好ましくは半導体ウエハである、
本明細書で定義する本発明による組成物の使用方法(または本明細書で好ましいと記載する本発明による使用方法)が好ましい。
および/または
- フォトレジスト構造および/またはパターン化多積層ライン/スペース構造の場合、パターン化材料層のアスペクト比が2より大きく、好ましくは3より大きく、
および/または
- パターン化材料が、32nm以下、好ましくは22nm以下のライン幅のライン-スペース構造を有する、
本明細書で定義する本発明による組成物の使用方法(または本明細書で好ましいと記載する本発明による使用方法)も好ましい。
以下の工程:
- 基板、およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料層を含む製品を用意する、または提供する工程、
- 上で定義されている本発明による組成物(または上記で好ましいと定義されている本発明による組成物)を用意する、または提供する工程、
および
- 洗浄した、またはすすいだ製品を得るために、前記組成物を用いて前記製品を洗浄する、またはすすぐ工程
を含む方法にも関する。
- 液浸フォトレジスト層、EUVフォトレジスト層または電子ビームフォトレジスト層を有する基板を提供する工程、
- 浸漬液の有無に関わらず、マスクを通してフォトレジスト層を化学線に曝露する工程、
- 基板、およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料層を含む製品が得られるように、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターンを得るため、曝露したフォトレジスト層を現像液で現像する工程、
- 洗浄した、またはすすいだ製品を得るために、前記組成物を用いて前記製品を洗浄する、またはすすぐ工程
および任意に
- 前記洗浄した、またはすすいだ製品を、好ましくは脱水機にかけることにより、または乾燥プロセスにより乾燥させる工程
をさらに含む、本明細書で定義した本発明による方法が、好ましい。
以下の本発明による組成物I1、I1aおよびI2、および本発明によらない比較組成物としての組成物C1およびC2(本明細書ではまとめて「試験組成物」と称する)を、表1aに示す成分の従来の混合によって調製した。混合後、必要に応じて、希釈したアンモニア水溶液を添加し、組成物のpHを調整した。表1aおよび1bに示す組成物において、そこで使用した式(I)の化合物は、XがNH4 +であり、Y1がスルホネート、-SO3 -であり、Y2が水素であり、基Z1、Z2およびZ3は同じ構造を有し、各場合とも式F3C-CF2-CH2-O-CH2-CH(C2H5)-の基である式(I)の化合物であった。
CMCは、プレート方法によってKruess張力計K100を用いて、異なる濃度を有する、一連の界面活性剤水溶液の平衡表面張力を測定することによって、測定した。得られたグラフは、通常、2つの独特な領域を有する。CMCを下回る平衡表面張力は、広い範囲で、界面活性剤濃度の対数に線形従属である。CMCを上回る平衡表面張力は、界面活性剤の濃度とは、ほぼ無関係である。両方の領域のデータポイントは、単回帰によって統計学的に当てはめることができる。CMCは、これらの領域における、データに当てはめた2つの線形回帰直線の間における交点である。
界面活性剤水溶液の平衡表面張力を、DIN53914:1997-07に従って、プレート方法によりKruess張力計K100を用いて25℃で測定した。
上記の実施例1で説明したように試験組成物を調製し、25℃および40%の相対湿度で9週間保存した。この貯蔵期間の前(すなわち、組成物の調製直後)および後に、各場合とも上の実施例2に記載の表面張力測定によって、試験組成物のCMC曲線について分析した。平衡表面張力は、各場合とも、(脱イオン水を用いた)100倍希釈までのさまざまな濃度を有する一連の(すなわち、10を超える)界面活性剤水溶液について測定した。この試験の結果を下の表2に示す。
Si半導体試験ウエハを標準のポジティブフォトレジストでコーティングした後、当技術分野で一般に知られているように、標準的一連のプロセス工程(フォトレジストのベーク、化学線への曝露、水性現像液(2.38質量%のTMAHを含有する)によるポジティブレジストの現像)を行い、ウエハの表面上に40nm/70nmのライン幅/ビアホール(via-hole)直径を有するラインスペース/ビアホール構造を作成した。
組成物I1(本発明による)およびC1(比較組成物)を、上記の実施例1で説明したように調製した。両方の組成物を、HDPE(高密度ポリエチレン)フィルター(孔径0.02μm、Entegris社)で24時間ろ過した。ろ過後、両方の組成物の液体粒子含有量を、Rion KL27パーティクルカウンター(Rion Co.、Ltd.日本)を使用して、光散乱によって測定した。方法については、K.Kondoらの「光散乱法による液体材料中粒子の測定」、「界面ナノ電子化学、2013年3月」の講演録を参照されたい。
本発明による組成物、組成物「I1b」(実施例1の組成物I1と類似しているが、組成物の総質量に対し、式(I)の化合物および式(II)の化合物の総濃度が0.05質量%低い)および比較組成物C1(本発明によらない)を、上記の実施例1で説明したように調製した。
Si半導体試験ウエハを標準のポジティブフォトレジストでコーティングした後、当技術分野で一般に知られているように、プロセス工程の標準的な連続(フォトレジストのベーク、化学線への曝露、水性現像液(2.38質量%のTMAHを含有する)によるポジティブレジストの現像)を行い、ウエハの表面上に40nm/70nmのライン幅/ビアホール直径を有するラインスペース/ビアホール構造を作成した。
Claims (14)
- 製品を洗浄するまたはすすぐための組成物であって、
(A)第一の界面活性剤として、式(I)
Xは、カチオンであり、
Y1およびY2のうちの一方はアニオン性極性基であり、もう一方は水素であり、
各基Z1、Z2、およびZ3は、互いに独立して、
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
Riは、分岐または非分岐のC1~10-フルオロアルキル基であり、
Aは、酸素、硫黄および/または-N(H)-であり、
cは、0~10の範囲の整数であり、
dは、0~10の範囲の整数であり、
eは、1~5の範囲の整数であり、
cおよびdが同時に0ではないことが条件である)であり、および、
(B)第二の界面活性剤として、以下からなる群から選択される、1個以上のポリアルキルオキシ基および/またはポリアルキレンオキシ基を含む少なくとも1種の非イオン性化合物、
(B1)式(II)
R5-[O-R6]l-OR18 (II)
(式中、
R5は、分岐または非分岐のC6~12-フルオロアルキル基、または1または2個の二重結合を含有する分岐または非分岐のC6~12-フルオロアルケニル基であり、
R6は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基であり、
R18は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
および
lは、5~30の範囲の整数である)の化合物、
(B2)式(III)
H3C-(CH2)m-CH2-[O-R7]n-OR19 (III)
(式中、
R7は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基であり、
R19は、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
mは、5~30の範囲の整数であり、
および
nは、5~30の範囲の整数である)の化合物、
(B3)式(IV)
R17は、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基であり、
および
oは、5~30の範囲の整数である)の化合物、
(B4)式(V)
R8、R13およびR14は、それぞれ互いに独立して、水素またはメチルであり、
R9、R11およびR12は、それぞれ互いに独立して、分岐または非分岐のC2~6-アルキレン基であり、
R10は、分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
および
p、qおよびrは、それぞれ互いに独立して、2~25の範囲の整数である)の化合物、
および
(B5)式(VI)
(H3C)3Si-O-R15-O-Si(CH3)3 (VI)
(式中、
R15は、
1~100個の範囲の数の、式(VII)
-[Si(CH3)2-O]- (VII)
の繰り返し単位、
および
1~100個の範囲の数の、式(VIII)
-[Si(CH3)(R16)-O]- (VIII)
(式中、R16は、1個以上のエチレングリコール基および/または1個以上のプロピレングリコール基を含む基である)
の繰り返し単位からなり、
式(VII)の繰り返し単位および式(VIII)の繰り返し単位が、
- 無作為に、または
- 各場合ともブロックごとに2個以上の式(VII)または式(VIII)の繰り返し単位を含むブロックが無作為に交互に、配置されている)の化合物
を含む、組成物。 - (B1)第二の界面活性剤として、式(II)の少なくとも1種の非イオン性化合物
を含む、請求項1に記載の組成物。 - 式(I)の化合物において、
Xが、金属を含まない一価カチオンであり、
- プロトン
および
- 基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~6-アルキル基からなる群から独立して選択される)からなる群から選択され、
Y1およびY2のうちの1つが、-COO-、-SO3 -、-(O)SO3 -、-PO3 2-および-(O)PO3 2-からなる群から選択されるアニオン性極性基であり、もう一方は水素であり、
および
各基Z1、Z2、およびZ3が、互いに独立して、
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
Riは、分岐または非分岐のC1~10-フルオロアルキル基であり、
cは、1~10の範囲の整数であり、
dは、1~10の範囲の整数であり、
および
eは、1~5の範囲の整数である)である、
請求項1又は2に記載の組成物。 - 式(I)の化合物において、
Xが、
- プロトン
および
- 基NR4 +(式中、各Rは、Hおよび分岐または非分岐のC1~4-アルキル基である)からなる群から選択され、
Y1およびY2のうちの1つがスルホネート-SO3 -であり、もう一方は水素であり、
各基Z1、Z2およびZ3が、互いに独立して、
- 構造Ri-{A[-C(R1)(R2)-]c[-C(R3)(R4)-]d}e-の基(式中、
R1、R2、R3およびR4は、互いに独立して、水素、または分岐または非分岐のC1~4-アルキル基であり、
aは0~2の範囲の整数であり、
bは1または2であり、
cは1または2であり、
dは1または2であり、
および
eは1である)であり、
および基Z1、Z2およびZ3のすべては、同じ構造を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の組成物。 - さらなる成分として、
(C)水
を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の組成物。 - 式(II)の化合物が前記組成物中に存在し、
- 前記組成物中に存在する式(II)の化合物に対する式(I)の化合物の質量比が、1:4~1:1の範囲にあり、
および/または
- 前記組成物中に存在する、
- 式(I)の化合物の総量、および
- 式(II)の化合物の総量
の合計が、前記組成物の総質量に基づいて、0.01質量%~0.5質量%の範囲にある、請求項1から6のいずれか一項に記載の組成物。 - - 前記組成物の平衡表面張力が、標準DIN53914:1997-07に従って、プレート法によりKruess張力計K100を用いて25℃で測定して、35mN/m未満であり、
および/または
- 前記組成物のpHが、7.0~11.0の範囲にある、請求項1から7のいずれか一項に記載の組成物。 - 基板およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料を含む製品を洗浄するまたはすすぐための、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物の使用方法。
- - 前記洗浄またはすすぎが、集積回路デバイス、光学デバイス、マイクロマシン、または機械的精密デバイスを作るプロセスの一部であり、
および/または
- 前記基板が半導体基板である、
請求項9に記載の使用方法。 - - パターン崩壊を予防または低減し、
- ラインエッジラフネスを低減し、
- ウォーターマーク欠陥を予防または除去し、
- フォトレジスト膨張を予防または低減し、
- Blob欠陥を予防または低減し、
および/または
- 粒子を除去する
ために、前記組成物を洗浄またはすすぎに使用する、請求項9または10に記載の使用方法。 - - ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有する前記パターン化材料が、現像されたパターン化フォトレジスト層、パターン化バリア材料層、パターン化多積層材料層およびパターン化誘電体材料層からなる群から選択され、
および/または
- フォトレジスト構造および/またはパターン化多積層ライン/スペース構造の場合、前記パターン化材料層のアスペクト比が2より大きく、
および/または
- 前記パターン化材料が、32nm以下のライン幅のライン-スペース構造を有する、
請求項9から11のいずれか一項に記載の使用方法。 - 基板、およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料層を含む洗浄した、またはすすいだ製品を作る方法であって、
以下の工程、
- 基板、およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料層を含む製品を用意する、または提供する工程、
- 請求項1から8のいずれか一項に定義されている組成物を用意する、または提供する工程、
および
- 前記洗浄した、またはすすいだ製品を得るために、前記組成物を用いて前記製品を洗浄する、またはすすぐ工程
を含む方法。 - - 液浸フォトレジスト層、EUVフォトレジスト層または電子ビームフォトレジスト層を有する基板を提供する工程、
- 浸漬液の有無に関わらず、マスクを通してフォトレジスト層を化学線に曝露する工程、
- 基板、およびそれに支持されている、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターン化材料層を含む製品が得られるように、ライン幅が50nm以下のライン-スペース構造を有するパターンを得るため、前記曝露したフォトレジスト層を現像液で現像する工程、
- 前記洗浄した、またはすすいだ製品を得るために、前記組成物を用いて前記製品を洗浄する、またはすすぐ工程
および任意に
- 前記洗浄した、またはすすいだ製品を乾燥させる工程
をさらに含む、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17204225.1 | 2017-11-28 | ||
EP17204225 | 2017-11-28 | ||
PCT/EP2018/082551 WO2019105889A1 (en) | 2017-11-28 | 2018-11-26 | Composition comprising a primary and a secondary surfactant, for cleaning or rinsing a product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021504539A JP2021504539A (ja) | 2021-02-15 |
JP7349985B2 true JP7349985B2 (ja) | 2023-09-25 |
Family
ID=60484236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020529388A Active JP7349985B2 (ja) | 2017-11-28 | 2018-11-26 | 製品を洗浄するまたはすすぐための、第一の界面活性剤および第二の界面活性剤を含む組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230167381A1 (ja) |
EP (1) | EP3717609B1 (ja) |
JP (1) | JP7349985B2 (ja) |
KR (1) | KR20200084045A (ja) |
CN (1) | CN111386332A (ja) |
IL (1) | IL274679A (ja) |
TW (1) | TW201936915A (ja) |
WO (1) | WO2019105889A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3802768A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-04-14 | Basf Se | Use of compositions comprising a solvent mixture for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
KR102100432B1 (ko) * | 2019-09-26 | 2020-05-15 | 영창케미칼 주식회사 | 포토 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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---|---|---|---|---|
JP2005105045A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dainippon Ink & Chem Inc | 界面活性剤組成物 |
JP2012530732A (ja) | 2009-06-26 | 2012-12-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | フッ素系界面活性剤 |
JP2016508287A (ja) | 2012-12-14 | 2016-03-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 50nm以下のライン間寸法を有するパターン化材料を処理する際におけるアンチパターン崩壊を回避するための、界面活性剤及び疎水剤を含む組成物の使用 |
JP2018529989A (ja) | 2015-07-16 | 2018-10-11 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | スルホエステルのアンモニウム塩を含有する、欠陥を低減させるすすぎ液 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5756453B2 (ja) | 1973-10-15 | 1982-11-30 | ||
JPS50101307A (ja) | 1974-01-22 | 1975-08-11 | ||
JPS50101306A (ja) | 1974-01-22 | 1975-08-11 | ||
GB1573208A (en) | 1975-11-26 | 1980-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Ltd | Surface treating agent adapted for intermediate products of a semiconductor device |
JPS5952520B2 (ja) | 1977-10-15 | 1984-12-20 | オムロン株式会社 | 電界発光装置 |
JPS6053675B2 (ja) | 1978-09-20 | 1985-11-27 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
JPS5952520A (ja) | 1983-07-08 | 1984-03-27 | Neos Co Ltd | 含フツ素界面活性剤 |
US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
EP2655324A1 (de) | 2010-12-21 | 2013-10-30 | Merck Patent GmbH | Derivate von perfluoroalkoxy-sulfosuccinaten als oberflächenaktive tenside |
US9236256B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-01-12 | Basf Se | Use of surfactants having at least three short-chain perfluorinated groups RF for manufacturing integrated circuits having patterns with line-space dimensions below 50 NM |
CN103717706B (zh) | 2011-08-10 | 2015-09-23 | 3M创新有限公司 | 用于光致抗蚀剂冲洗剂溶液的全氟烷基磺酰胺表面活性剂 |
EP2824511A1 (en) | 2013-07-11 | 2015-01-14 | Basf Se | The use of surfactants having at least three short-chain perfluorinated groups in formulations for photo mask cleaning |
-
2018
- 2018-11-26 WO PCT/EP2018/082551 patent/WO2019105889A1/en unknown
- 2018-11-26 JP JP2020529388A patent/JP7349985B2/ja active Active
- 2018-11-26 KR KR1020207017816A patent/KR20200084045A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-26 CN CN201880076649.8A patent/CN111386332A/zh active Pending
- 2018-11-26 US US16/762,275 patent/US20230167381A1/en active Pending
- 2018-11-26 EP EP18810989.6A patent/EP3717609B1/en active Active
- 2018-11-27 TW TW107142195A patent/TW201936915A/zh unknown
-
2020
- 2020-05-14 IL IL274679A patent/IL274679A/en unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005105045A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dainippon Ink & Chem Inc | 界面活性剤組成物 |
JP2012530732A (ja) | 2009-06-26 | 2012-12-06 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | フッ素系界面活性剤 |
JP2016508287A (ja) | 2012-12-14 | 2016-03-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 50nm以下のライン間寸法を有するパターン化材料を処理する際におけるアンチパターン崩壊を回避するための、界面活性剤及び疎水剤を含む組成物の使用 |
JP2018529989A (ja) | 2015-07-16 | 2018-10-11 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | スルホエステルのアンモニウム塩を含有する、欠陥を低減させるすすぎ液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230167381A1 (en) | 2023-06-01 |
CN111386332A (zh) | 2020-07-07 |
EP3717609B1 (en) | 2023-10-18 |
IL274679A (en) | 2020-06-30 |
JP2021504539A (ja) | 2021-02-15 |
KR20200084045A (ko) | 2020-07-09 |
WO2019105889A1 (en) | 2019-06-06 |
EP3717609A1 (en) | 2020-10-07 |
TW201936915A (zh) | 2019-09-16 |
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