JP7296174B2

JP7296174B2 - 基板保持具、並びに、ボンディングシステム及びボンディング方法

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Publication number: JP7296174B2
Application number: JP2022543864A
Authority: JP
Inventors: 耕平瀬山
Original assignee: Shinkawa Ltd
Current assignee: Shinkawa Ltd
Priority date: 2020-08-19
Filing date: 2020-08-19
Publication date: 2023-06-22
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Description

本発明は、個片基板を保持する基板保持具と、基板保持具とボンディング装置とで構成されるボンディングシステムと、ボンディングシステムでのボンディング方法とに関する。

半導体チップのボンディングでは、半導体チップをボンディングするボンディング領域が複数配列された多面取り基板の各ボンディング領域の上に半導体チップを順次ボンディングしていく場合が多い。しかし、ボンディングの後で基板をダイシングできない場合、或いは、多層プリント基板のように構造が複雑で歩留まりの悪い場合には、多面取り基板から個片基板を切り出してパレットの上に並べて載置して、ボンディング装置のステージまで搬送し、各個片基板をステージに設けられた凸部の上に吸着固定し、その上に半導体チップを順次ボンディングする方法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。

一方、近年、電子部品の複数の電極に金バンプを成形し、基板の複数の銅電極の表面に薄いはんだの皮膜を設け、複数の金バンプの金と複数の銅電極表面のはんだとを同時に熱溶融接合する金はんだ溶融接合が用いられている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０００－２１９３２号公報特開２０１１－２５４０３２号公報

ところで、基板への半導体チップの接合に特許文献２に記載されたような金はんだ溶融接合を用いる場合には、熱と押圧荷重とを半導体チップと基板とに同時に印加する必要がある。ところが、特許文献１に記載されたボンディング装置のステージの凸部は、パレットとの干渉を避けるために個片基板の大きさよりも小さくなっており、個片基板は周辺部が凸部から外側にはみ出した状態で支持されている。この場合、特許文献１の図９に記載されているように、半導体チップの大きさが凸部の大きさよりも小さい場合には問題がない。しかし、近年、個片基板の大きさと略同一の大きさの半導体チップを個片基板の上にボンディングする要求が多くなってきている。

この場合、特許文献１に記載されたボンディング装置では、周縁部の個片基板が凸部に支持されていないので、周縁部の半導体チップと個片基板とに熱と押圧荷重を十分印加できず、半導体チップを個片基板に安定してボンディングできない場合がある。

そこで、本発明は、半導体チップを個片基板の上に安定してボンディングすることを目的とする。

本発明の基板保持具は、半導体チップがボンディングされる個片基板を保持する基板保持具であって、上面に個片基板が載置され、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定される板状のベースと、ベースの上に設けられてベースの上面に載置された個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、ベースの上面は平面であり、位置決め部材は、個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、開口が個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するようにベースの上面に重ね合わされており、ベースは、個片基板が載置される領域に厚さ方向に貫通する貫通穴が設けられており、貫通穴は、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定された際にボンディング装置のステージに設けられた吸着穴に連通すること、を特徴とする。

これにより、個片基板の全面がベースの上面で保持されるので、個片基板と略同一の大きさの半導体チップを個片基板に安定してボンディングすることができる。また、これにより、ステージの載置面に吸着固定されたベースの上面に個片基板を吸着固定することができる。更に、このように、位置決め部材をベースと別部材としてベースの上に重ね合わせる構成とすることにより、ベースに個片基板の位置を規定する凹部の加工を行う必要がなくなる。これにより、ベースの加工が簡単になると共に、ベースの平面度値を小さくすることができる。

本発明の基板保持具は、半導体チップがボンディングされる個片基板を保持する基板保持具であって、上面に個片基板が載置され、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定される板状のベースと、ベースの上に設けられてベースの上面に載置された個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、ベースの上面は平面であり、位置決め部材は、個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、開口が個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するようにベースの上面に重ね合わされており、ベースは上面に複数の個片基板が載置され、各個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する複数の貫通穴がそれぞれ設けられており、各貫通穴は、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定された際にボンディング装置のステージに設けられた少なくとも１の吸着穴に連通することを特徴とする。

これにより、ステージの載置面に吸着固定されたベースの上面に複数の個片基板を同時に吸着固定することができる。

本発明の基板保持具において、ベースは、下面に複数の貫通穴を連通させる溝が設けられてもよい。

これにより、ステージに設けられた１つの吸着穴で複数の貫通穴を真空にしてベースの上面に複数の各個片基板を同時に吸着固定することができる。

本発明の基板保持具において、ベースは、上面の上平面度値と下面の下平面度値とが基準平面度値以下で、且つ、厚さの偏差が基準偏差以下でもよい。

これにより、ベースは、ステージの載置面に吸着固定された際に上面の平面度値がステージの載置面の載置平面度値と同等となり、個片基板をステージの載置面に対して直接吸着固定する場合と同様の水平度で個片基板をベースの上に保持することができる。

本発明の基板保持具において、ベースは、上面と下面とを研磨したセラミックス部材であり、位置決め部材は、金属製でもよい。

これにより、ベースの上面と下面の平面度値を小さくすることができると共に厚さの偏差を小さくすることができる。また、平面度値の制限が無い位置決め部材を安価な金属製とすることで加工が容易になりコストの低減を図ることができる。

本発明のボンディングシステムは、半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング装置と、個片基板を保持する基板保持具と、を備えるボンディングシステムであって、ボンディング装置は、載置面の上に基板保持具を吸着固定するステージを備え、基板保持具は、上面に個片基板が載置され、下面がステージの載置面に吸着固定される板状のベースと、ベースの上に設けられてベースの上面に載置された個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、ベースの上面は平面であり、位置決め部材は、個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、開口が個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するようにベースの上面に重ね合わされており、ステージは、吸着穴を備え、ベースは、個片基板が載置される領域に厚さ方向に貫通する貫通穴が設けられており、貫通穴は、下面が載置面の上に吸着固定された際にステージに設けられた吸着穴に連通し、個片基板をベースの上面に吸着固定すること、を特徴とする。

このように、個片基板の全面をベースの上面で保持するので、個片基板と略同一の大きさの半導体チップを個片基板に安定してボンディングすることができる。また、このように、ステージの載置面に吸着固定されたベースの上面に個片基板を吸着固定することができるので、個片基板と略同一の大きさの半導体チップを個片基板に安定してボンディングすることができる。

本発明のボンディングシステムは、半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング装置と、個片基板を保持する基板保持具と、を備えるボンディングシステムであって、ボンディング装置は、載置面の上に基板保持具を吸着固定するステージを備え、基板保持具は、上面に複数の個片基板が載置され、位置決め部材は、ベースの上面に載置された複数の個片基板の各位置をそれぞれ規定し、ステージは、少なくとも１つの吸着穴を備え、ベースは、複数の個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する貫通穴がそれぞれ設けられており、各貫通穴は、下面が載置面に吸着固定された際に少なくとも１つの吸着穴に連通し、各個片基板をベースの上面にそれぞれ吸着固定すること、を特徴とする。

これにより、ステージの載置面に吸着固定されたベースの上面に複数の個片基板を同時に吸着固定して効率的にボンディングを行うことができる。

本発明のボンディングシステムにおいて、ベースは、下面に複数の貫通穴を連通させる溝が設けられてもよい。

本発明のボンディングシステムにおいて、ベースは、上面の上平面度値と下面の下平面度値とが基準平面度値以下で、且つ、厚さの偏差が基準偏差以下でもよい。

これにより、個片基板をステージの載置面に対して直接吸着固定する場合と同様の水平度で個片基板をベースの上に保持することができ、安定したボンディングを行うことができる。

本発明のボンディングシステムにおいて、ベースは、上面と下面とを研磨したセラミックス部材であり、位置決め部材は、金属製でもよい。

本発明のボンディング方法は、半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング方法であって、上面に複数の個片基板が載置されるベースとベースの上に設けられてベースの上面に載置された複数の個片基板の各位置を規定する位置決め部材とを備え複数の個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する貫通穴がそれぞれ設けられた基板保持具と、少なくとも１つの吸着穴を有するステージを備え個片基板に半導体チップを押圧してボンディングするボンディング装置と、を準備する準備工程と、基板保持具の各凹部の中に複数の個片基板を載置し、各貫通穴を少なくとも１つの吸着穴に連通させて基板保持具をステージの載置面に載置する載置工程と、ボンディング装置の少なくとも１つの吸着穴を真空にして基板保持具をステージの載置面に吸着固定すると共に各個片基板をベースの上面にそれぞれ吸着固定する吸着固定工程と、半導体チップを複数の個片基板の上に順次ボンディングするボンディング工程と、を含むこと、を特徴とする。

これにより、個片基板と略同一の大きさの半導体チップを個片基板に安定してボンディングすることができる。

本発明のボンディング方法において、ボンディング装置は、基板保持具の各凹部の中に複数の個片基板を載置する載置ステーションを含み、載置工程は、載置ステーションで基板保持具の各凹部の中に複数の個片基板を載置した後、複数の個片基板を載置した基板保持具をステージの上まで搬送し、搬送された基板保持具をステージの載置面の上に載置してもよい。

基板保持具で個片基板の搬送を行うので、簡便な方法でボンディングを行うことができる。

本発明は、半導体チップを個片基板の上に安定してボンディングできる。

実施形態のボンディングシステムを示す斜視図である。図１に示すボンディングシステムの基板保持具示す斜視図である。図２に示す基板保持具の分解断面図である。実施形態のボンディングシステムで基板保持具の凹部に保持された個片基板に半導体チップをボンディングする状態を示す立面図である。図１に示すボンディングシステムで半導体チップを個片基板にボンディングする際の個片基板の温度の時間変化を示す図である。他の基板保持具の分解断面図である。

以下、図面を参照しながら実施形態のボンディングシステム９０について説明する。図１に示す様に、ボンディングシステム９０は、半導体チップ４５を個片基板４１にボンディングするボンディング装置８０と、個片基板４１を保持する基板保持具１０とを含んでいる。尚、以下の説明において、水平方向をＸＹ方向、上下方向をＺ方向として説明する。

ボンディング装置８０は、基板保持具１０を吸着固定するステージ３１を備えている。ステージ３１の上面は平坦な載置面３１ａであり、載置面３１ａには、複数の第１吸着穴３２と、複数の第２吸着穴３３とが設けられている。第１吸着穴３２と第２吸着穴３３は、図示しない真空装置に接続されており、載置面３１ａの上に基板保持具１０を真空で吸着固定する。

図２、３に示す様に、基板保持具１０は、ベース１１と、位置決め部材２１とで構成されている。ベース１１は、上面１１ａと下面１１ｂとが研磨加工された板状のセラミックス部材である。尚、図２は、基板保持具１０がボンディング装置８０の近傍に配置された載置ステーション５０の上に設定されている状態を示している。

位置決め部材２１は、個片基板４１が嵌まり込む少なくとも１つの開口２２が形成された金属製の板状部材である。図３に示す様に、位置決め部材２１は端部にベース１１に向かって延びるピン２３が設けられており、ピン２３がベース１１に設けられた穴１４に決まりこむことによってベース１１の上面１１ａの上に重ね合わされる。位置決め部材２１がベース１１の上面１１ａの上に重ね合わされると、図２に示すに、開口２２は個片基板４１の載置される位置を規定する凹部１３を構成する。凹部１３は、個片基板４１が載置される領域を区画する。尚、ベース１１と位置決め部材２１との熱膨張差を吸収できるように、ベース１１の穴１４の大きは位置決め部材２１のピン２３よりも大きくなっている。

ベース１１の凹部１３の領域の中にはベース１１を厚さ方向に貫通する貫通穴１２が設けられている。貫通穴１２は、図４に示すように、基板保持具１０をステージ３１の載置面３１ａの上に載置した際に載置面３１ａに設けられた第２吸着穴３３に連通する。

ベース１１の上面１１ａの上平面度値と下面１１ｂの下平面度値とはそれぞれ基準平面度値以下であり、ベース１１の厚さの偏差は基準偏差以下である。ここで、平面度値とは、平面形体を所定長さの幾何学的平行二平面で挟んだ時、平行二平面の間隔が最小となる場合の二平面間の間隔の数値であり、二平面間の間隔値（μｍ）／所定距離（ｍｍ）の単位で表される。基準平面度値は、自由に設定可能であるが、例えば、１（μｍ）／１００（ｍｍ）～１０（μｍ）／１００（ｍｍ）の間に設定してもよい。また、厚さの偏差は、所定範囲での厚みの変化度合であり、例えば、１（μｍ）／１００（ｍｍ）～１０（μｍ）／１００（ｍｍ）の間に設定してもよい。

ベース１１の上面１１ａの上平面度値と下面１１ｂの下平面度値と、厚さの偏差とを規定することにより、基板保持具１０をステージ３１の載置面３１ａに吸着固定した際に上面１１ａの平面度値がステージ３１の載置面３１ａの載置平面度値と同等となる。このため、個片基板４１をステージ３１の載置面３１ａに対して直接吸着固定する場合と同様の水平度で個片基板４１をベース１１の上に保持することができる。

以上の様に構成されたボンディングシステム９０を用いて個片基板４１と略同一の大きさの半導体チップ４５を個片基板４１の上にボンディングする方法について説明する。最初に、ボンディング装置８０と、基板保持具１０とを準備する（準備工程）。

最初に図２に示すように、基板保持具１０を載置ステーション５０に設定する。そして、図示しないコレットで個片基板４１を基板保持具１０の凹部１３の中に載置していく。各個片基板４１の上面に配置された電極４２の上には、図４に示すようにはんだ層４３が形成されている。

全ての凹部１３に個片基板４１を載置したら、個片基板４１の上面にアンダーフィル剤４４を塗布し、図４に示すように、基板保持具１０をボンディング装置８０のステージ３１の載置面３１ａの上に載置する。この際、基板保持具１０のベース１１の下面１１ｂは載置面３１ａに設けられた第１吸着穴３２を覆い、ベース１１の貫通穴１２は、載置面３１ａに設けられた第２吸着穴３３に連通している（載置工程）。

そして、ボンディング装置８０の図示しない真空装置によって第１吸着穴３２と第２吸着穴３３とを真空にすると、ベース１１の下面１１ｂは載置面３１ａに吸着保持される。また、第２吸着穴３３が真空になると第２吸着穴３３に連通しているベース１１の貫通穴１２も真空になる。これにより、ベース１１の凹部１３に載置されている個片基板４１は、全面が凹部１３の領域のベース１１の上面１１ａに吸着保持される（吸着固定工程）。

ボンディング装置８０は、ステージ３１に内蔵されたヒータでステージ３１を加熱し、図５に示すように個片基板４１の温度がボンディング開始温度Ｔ１まで上昇させる。ここで、図５の実線ａは、熱伝導率が低いセラミックスでベース１１を構成した場合の個片基板４１の温度変化を示し、図５の一点鎖線ｂは、熱伝導率が実線ａの場合よりも高いセラミックスでベース１１を構成した場合の個片基板４１の温度変化を示す。図５の実線ａと一点鎖線ｂについては、後で説明する。

一方、ボンディング装置８０は、ボンディングヘッド３５の先端に取り付けたボンディングツール３６の先端に半導体チップ４５を吸着保持し、個片基板４１の直上まで移動する。半導体チップ４５の電極の上には金バンプ４６が形成されている。ボンディングヘッド３５は半導体チップ４５を加熱するためのヒータを内蔵している。

ボンディング装置８０は、個片基板４１の温度がボンディング開始温度Ｔ１まで上昇したら、ボンディングヘッド３５に内蔵されたヒータで半導体チップ４５の温度を上昇させると共に、ボンディングヘッド３５を下降させて半導体チップ４５の金バンプ４６を個片基板４１の電極４２の上のはんだ層４３に押圧する。そして、図５に示すようにボンディング装置８０は、半導体チップ４５、個片基板４１の温度をはんだの溶融温度以上のボンディング温度Ｔ２まで上昇させて金バンプ４６の金とはんだ層４３とを同時に熱溶融接合して金はんだ溶融接合を行う。また、個片基板４１の上面と半導体チップ４５の下面との間には、溶融したアンダーフィル剤４４が充填される。

その後、ボンディング装置８０は、ボンディングヘッド３５に内蔵された冷却通路に空気を送り込んで半導体チップ４５と個片基板４１との温度を低下させて、溶融金属を固化させる。この際、個片基板４１の上面と半導体チップ４５の下面との間のアンダーフィル剤４４が固化する。これによってボンディングが終了する（ボンディング工程）。

以上、説明したように、実施形態のボンディングシステム９０は、個片基板４１の全面がベース１１の凹部１３の領域の上面１１ａで保持され、貫通穴１２により、上面１１ａに吸着固定される。このため、半導体チップ４５の大きさが個片基板４１の大きさと略同一でも、熱と押圧荷重を個片基板４１と半導体チップ４５とを十分印加することができ、半導体チップ４５を個片基板４１に安定してボンディングすることができる。

また、ベース１１は、上面１１ａの上平面度値と下面１１ｂの下平面度値と、厚さの偏差とが規定されているので、個片基板４１をステージ３１の載置面３１ａに対して直接吸着固定する場合と同様の水平度で個片基板４１をベース１１の上に保持できる。これにより、複数のはんだ層４３の上に半導体チップ４５の複数の金バンプ４６を均等に押圧することができ、良好な金はんだ溶融接合を行うことができる。特に、はんだ層４３の厚さが１０μｍ程度と薄い場合でも、良好な金はんだ溶融接合を行うことができる。

また、基板保持具１０は、上面１１ａと下面１１ｂとを研磨した板状のセラミックステップ部材であるベース１１の上に金属製の位置決め部材２１を重合わせた構成としているので、ベース１１の平面度値と厚さの偏差を小さくすることができると共に、平面度値の制限が無い位置決め部材２１を安価な金属製とすることで加工が容易となりコストの低減を図ることができる。

次に、図５の実線ａと一点鎖線ｂについて説明する。セラミックス材料には、熱伝導率が低い特性を持つものと、それよりも熱伝導率が高い特性を持つものがある。先に説明したように、図５の実線ａは、熱伝導率が低いセラミックスでベース１１を構成した場合の個片基板４１の温度変化を示し、図５の一点鎖線ｂは、熱伝導率が実線ａの場合よりも高いセラミックスでベース１１を構成した場合の個片基板４１の温度変化を示す。

図５の実線ａに示すように、熱伝導率が低いセラミックス材料の場合、ステージ３１のヒータによって個片基板４１を加熱してもステージ３１からの熱が個片基板４１に伝達される速度が遅く、個片基板４１の温度がボンディング開始温度Ｔ１に達するまでに時間が掛かる。しかし、ボンディングヘッド３５に内蔵されたヒータで半導体チップ４５が加熱され、半導体チップ４５からの熱が個片基板４１に入る際には、個片基板４１からステージ３１に熱が逃げないので、ボンディング開始温度Ｔ１からボンディング温度Ｔ２までの温度上昇の時間が短くなる。

反対に、熱伝導率が上記よりも高いセラミックスでベース１１を構成すると、ステージ３１から個片基板４１への熱の伝達速度が速く、一点鎖線ｂに示すように実線ａの場合よりもボンディング開始温度Ｔ１に到達するまでの時間は短くなる。一方、半導体チップ４５から個片基板４１に流入した熱量の内でベース１１からステージ３１に逃げる熱量が多くなるので、ボンディング開始温度Ｔ１からボンディング温度Ｔ２に温度が上昇する時間は、実線ａに示す場合よりも遅くなる。

このため、ベース１１を構成するセラミックス材料の熱伝導率を適宜選定した基板保持具１０を複数種類準備することにより、基板保持具１０を交換するだけで個片基板４１や半導体チップ４５の特性に合わせたボンディングを行うことができる。

次に図６を参照しながら他の実施形態の基板保持具１００の構造について説明する。基板保持具１００は、ベース１１１と位置決め部材１２１とで構成されている。位置決め部材１２１は、個片基板４１が嵌まり込む複数の開口１２２が形成された金属製の板状部材であり、ベース１１１の上に重ね合わされる。位置決め部材１２１の両端には下側に突き出したピン１２４が設けられている。ピン１２４は、ベース１１の外面に係合して位置決め部材１２１のベース１１１に対する位置を規定する。

ベース１１１の個片基板４１が載置される複数の領域には、それぞれ上面１１１ａと下面１１１ｂとを貫通する貫通穴１１２が設けられている。下面１１１ｂには、複数の貫通穴１１２を横に連通する溝１１５が設けられている。

図６に示すようにステージ３１の載置面３１ａに設けられた共通吸着穴３４の上に基板保持具１００の溝１１５が被さるように基板保持具１００をステージ３１の上に載置し、共通吸着穴３４を真空にすると、各貫通穴１１２が真空となり、ベース１１１の上面１１１ａに個片基板４１を吸着固定すると同時に、ベース１１１をステージ３１の載置面３１ａに吸着保持することができる。

この構成により、ステージ３１の載置面３１ａに設けられた共通吸着穴３４の数が少ない場合や、図４に示すようにベース１１の貫通穴１２と第２吸着穴３３との位置が合わない場合でも、ベース１１１と個片基板４１とを同時に吸着固定することができる。ここで、共通吸着穴３４はステージ３１の載置面３１ａに少なくとも１つ設けられていればよく、１つでも複数でもよい。

１０，１００基板保持具、１１，１１１ベース、１１ａ，１１１ａ上面、１１ｂ，１１１ｂ下面、１２，１１２貫通穴、１３凹部、１４穴、２１，１２１位置決め部材、２２，１２２開口、２３，１２４ピン、３１ステージ、３１ａ載置面、３２第１吸着穴、３３第２吸着穴、３４共通吸着穴、３５ボンディングヘッド、３６ボンディングツール、４１個片基板、４２電極、４３はんだ層、４４アンダーフィル剤、４５半導体チップ、４６金バンプ、５０載置ステーション、８０ボンディング装置、９０ボンディングシステム、１１５溝。

Claims

半導体チップがボンディングされる個片基板を保持する基板保持具であって、
上面に前記個片基板が載置され、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定される板状のベースと、
前記ベースの上に設けられて前記ベースの前記上面に載置された前記個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、
前記ベースの前記上面は平面であり、
前記位置決め部材は、前記個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、前記開口が前記個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するように前記ベースの前記上面に重ね合わされており、
前記ベースは、前記個片基板が載置される領域に厚さ方向に貫通する貫通穴が設けられており、
前記貫通穴は、前記下面が前記ボンディング装置の前記ステージの載置面に吸着固定された際に前記ボンディング装置の前記ステージに設けられた吸着穴に連通すること、
を特徴とする基板保持具。
半導体チップがボンディングされる個片基板を保持する基板保持具であって、
上面に前記個片基板が載置され、下面がボンディング装置のステージの載置面に吸着固定される板状のベースと、
前記ベースの上に設けられて前記ベースの前記上面に載置された前記個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、
前記ベースの前記上面は平面であり、
前記位置決め部材は、前記個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、前記開口が前記個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するように前記ベースの前記上面に重ね合わされており、
前記ベースは上面に複数の前記個片基板が載置され、各前記個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する複数の貫通穴がそれぞれ設けられており、
各前記貫通穴は、前記下面が前記ボンディング装置の前記ステージの載置面に吸着固定された際に前記ボンディング装置の前記ステージに設けられた少なくとも１の吸着穴に連通すること、
を特徴とする基板保持具。
請求項２に記載の基板保持具であって、
前記ベースは、前記下面に前記複数の貫通穴を連通させる溝が設けられていること、
を特徴とする基板保持具。
請求項１から３のいずれか１項に記載の基板保持具であって、
前記ベースは、前記上面の上平面度値と前記下面の下平面度値とが基準平面度値以下で、且つ、厚さの偏差が基準偏差以下であること、
を特徴とする基板保持具。
請求項１から４のいずれか１項に記載の基板保持具であって、
前記ベースは、前記上面と前記下面とを研磨したセラミックス部材であり、
前記位置決め部材は、金属製であること、
を特徴とする基板保持具。
半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング装置と、
前記個片基板を保持する基板保持具と、を備えるボンディングシステムであって、
前記ボンディング装置は、載置面の上に前記基板保持具を吸着固定するステージを備え、
前記基板保持具は、上面に前記個片基板が載置され、下面が前記ステージの前記載置面に吸着固定される板状のベースと、
前記ベースの上に設けられて前記ベースの前記上面に載置された前記個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、
前記ベースの前記上面は平面であり、
前記位置決め部材は、前記個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、前記開口が前記個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するように前記ベースの前記上面に重ね合わされており、
前記ステージは、吸着穴を備え、
前記ベースは、前記個片基板が載置される領域に厚さ方向に貫通する貫通穴が設けられており、
前記貫通穴は、前記下面が前記載置面の上に吸着固定された際に前記ステージに設けられた前記吸着穴に連通し、前記個片基板を前記ベースの前記上面に吸着固定すること、
を特徴とするボンディングシステム。
半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング装置と、
前記個片基板を保持する基板保持具と、を備えるボンディングシステムであって、
前記ボンディング装置は、載置面の上に前記基板保持具を吸着固定するステージを備え、
前記基板保持具は、上面に前記個片基板が載置され、下面が前記ステージの前記載置面に吸着固定される板状のベースと、
前記ベースの上に設けられて前記ベースの前記上面に載置された前記個片基板の位置を規定する位置決め部材と、を備え、
前記ベースの前記上面は平面であり、
前記位置決め部材は、前記個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、前記開口が前記個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するように前記ベースの前記上面に重ね合わされており、
前記基板保持具は、前記上面に複数の前記個片基板が載置され、
前記位置決め部材は、前記ベースの前記上面に載置された複数の前記個片基板の各位置をそれぞれ規定し、
前記ステージは、少なくとも１つの吸着穴を備え、
前記ベースは、複数の前記個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する貫通穴がそれぞれ設けられており、
各前記貫通穴は、前記下面が前記載置面に吸着固定された際に少なくとも１つの前記吸着穴に連通し、各前記個片基板を前記ベースの前記上面にそれぞれ吸着固定すること、
を特徴とするボンディングシステム。
請求項７に記載のボンディングシステムであって、
前記ベースは、前記下面に前記複数の貫通穴を連通させる溝が設けられていること、
を特徴とするボンディングシステム。
請求項６から８のいずれか１項に記載のボンディングシステムであって、
前記ベースは、前記上面の上平面度値と前記下面の下平面度値とが基準平面度値以下で、且つ、厚さの偏差が基準偏差以下であること、
を特徴とするボンディングシステム。
請求項６から９のいずれか１項に記載の基板保持具であって、
前記ベースは、前記上面と前記下面とを研磨したセラミックス部材であり、
前記位置決め部材は、金属製であること、
を特徴とするボンディングシステム。
半導体チップを個片基板にボンディングするボンディング方法であって、
上面に複数の前記個片基板が載置されるベースと前記ベースの上に設けられて前記ベースの前記上面に載置された複数の前記個片基板の各位置を規定する位置決め部材とを備え複数の前記個片基板が載置される各領域に厚さ方向に貫通する貫通穴がそれぞれ設けられた基板保持具であって、前記ベースの前記上面は平面であり、前記位置決め部材は、前記個片基板が嵌まり込む少なくとも１つの開口が形成された板状部材であり、前記開口が前記個片基板の載置される位置を規定する凹部を構成するように前記ベースの前記上面に重ね合わされている基板保持具と、少なくとも１つの吸着穴を有するステージを備え前記個片基板に前記半導体チップを押圧してボンディングするボンディング装置と、を準備する準備工程と、
前記基板保持具の各前記凹部の中に複数の前記個片基板を載置し、各前記貫通穴を少なくとも１つの前記吸着穴に連通させて前記基板保持具を前記ステージの載置面の上に載置する載置工程と、
前記ボンディング装置の少なくとも１つの前記吸着穴を真空にして前記基板保持具を前記ステージの前記載置面に吸着固定すると共に各前記個片基板を前記ベースの前記上面にそれぞれ吸着固定する吸着固定工程と、
前記半導体チップを複数の前記個片基板の上に順次ボンディングするボンディング工程と、を含むこと、
を特徴とするボンディング方法。
請求項１１に記載のボンディング方法であって、
前記ボンディング装置は、前記基板保持具の各前記凹部の中に複数の個片基板を載置する載置ステーションを含み、
前記載置工程は、前記載置ステーションで前記基板保持具の各前記凹部の中に複数の個片基板を載置した後、前記複数の個片基板を載置した前記基板保持具を前記ステージの上まで搬送し、搬送された前記基板保持具を前記ステージの前記載置面の上に載置すること、
を特徴とするボンディング方法。