JP6252361B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置、ボンディングツール - Google Patents
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Description
特に、多数の微細な端子を接続することが可能なフリップチップボンディング(フリップチップ接合)が主流となってきている。
例えば、ボンディングツールに半導体素子や基板を固定し、半導体素子同士又は半導体素子と基板で端子の位置合わせを行ない、半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけ、加熱して、半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合する。
本実施形態にかかる半導体装置の製造装置及び製造方法は、半導体チップや半導体ウェハなどの半導体素子同士又は半導体素子と基板(例えば回路基板)を接合して半導体装置を製造する装置及び方法である。例えば、本半導体装置の製造装置は、半導体素子同士又は半導体素子と基板をフリップチップボンディングするのに用いられ、高い搭載位置精度を実現しうるフリップチップボンダである。なお、フリップチップボンダをチップボンダともいう。
本チップボンダは、図2に示すように、半導体チップ3を保持する第1ボンディングツール2と、第1ボンディングツール2を保持するヘッド1と、基板4を保持する第2ボンディングツール5と、第2ボンディングツール5を保持するステージ6とを備える。なお、ボンディングツールはアタッチメント又は接合ツールともいう。
したがって、ヘッド1に保持される第1ボンディングツール2、さらには、第1ボンディングツール2に保持される半導体チップ3も、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向へ移動可能になっており、また、回転可能になっている。これにより、ヘッド1及び第1ボンディングツール2に保持された半導体チップ3を、ステージ6及び第2ボンディングツール5に保持された基板4に対して位置合わせすることができるようになっている。
そして、接合時に半導体チップ3と基板4を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に第1材料2Xが配置され、接合時に半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に第2材料2Yが配置されている。
この場合、以下のようにして半導体装置を製造することになる。
例えば図1(A)、図7(A)〜図11(A)に示すように、半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布に起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が存在する場合、例えば、半導体チップ3を保持する第1ボンディングツール2において、半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布に応じて第1材料2X及び第2材料2Yを配置すれば良い。
ここで、半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布に起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が存在することになるのは、例えば、以下の理由による。
この薄化は、バックグラインド(BG)と呼ばれ、研磨装置で、半導体チップの回路が形成されていない側の面(例えばSi面)から研磨することによって行なわれる。
そして、半導体チップをバックグラインドによって薄化する工程において、研磨によって削る側と反対側の表面に形成された電極パッドやはんだバンプの存在によって、半導体チップの面内で研磨装置から受ける圧力が変わってしまうことがある。この結果、研磨ムラが生じ、研磨後に半導体チップの厚さ分布(例えば半導体チップを構成するSi基板の厚さ分布)が生じてしまうことになる。
なお、このような半導体チップの厚さ分布や半導体チップの反りが生じている場合に、チップボンダで半導体チップを吸着して保持するだけでは、これらの影響を抑制することが難しくなってきている。
このような半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布に起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が存在することになる場合、この接合時に半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子は、未接合となってしまい、半導体装置の製造効率の低下の要因となる。
つまり、例えば図1(A)、図7(A)〜図11(A)に示すように、半導体チップ3を保持する第1ボンディングツール2において、半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布に応じて第1材料2X及び第2材料2Yを配置している。
この場合、半導体チップ3の反りや半導体チップ3の厚さ分布が生じていても、半導体チップ3のすべての端子がはんだを挟んで基板4の対応する端子にほぼ均一な圧力(押圧力)で当たるようにすることができ、全ての端子を確実に接合できるようになる。
また、ヒータ7Aは、図1(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するものとすれば良い。
この場合、半導体チップ3を保持する第1ボンディングツール2は、半導体チップ3の内側に対応する位置に例えば酸化アルミニウム(アルミナ)などの高伸延材料を配置し、半導体チップ3の外側に対応する位置に例えば窒化ケイ素などの低伸延材料を配置して、これらを焼結することによってシート状に作製することができる。
また、ヒータ7Aは、図7(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するものとすれば良い。
また、ヒータ7Aは、図8(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の厚さ分布に起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するものとすれば良い。
また、ヒータ7Aは、図9(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の厚さ分布に起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するものとすれば良い。
この場合も、例えば、半導体チップ3又は基板4を保持するボンディングツール2、5において、半導体チップ3又は基板4の端子の高さ位置のばらつきに応じて第1材料2X及び第2材料2Yを配置すれば良い。例えば、この場合、ボンディングツール2、5を、半導体チップ3又は基板4の端子の高さ位置のばらつきに応じて、第1材料2X及び第2材料2Yのそれぞれによって形成された複数のブロックを格子状に並べて配置してシート状にしたものとするのが好ましい。
このようにして、熱膨張係数の異なる材料を組み合わせることで、接合時の加熱によって、半導体チップ3又は基板4の任意の場所を押す圧力を高くすることができ、端子の高さ位置を調整(制御)することが可能となる。つまり、熱膨張係数の異なる材料を組み合わせることで、接合時の加熱によって、端子の高さ位置のばらつきを緩和し、半導体チップ3又は基板4を吸着して保持しながら、半導体チップ3又は基板4の任意の場所を押すことで、接合面が平坦になるようにすることができる。
この場合も、例えば、半導体チップ3(又は基板4)を保持するボンディングツール2(5)において、半導体チップ3(又は基板4)の厚さのムラに応じて第1材料2X及び第2材料2Yを配置すれば良い。例えば、この場合、ボンディングツール2(5)を、半導体チップ3(又は基板4)の厚さのムラに応じて、第1材料2X及び第2材料2Yのそれぞれによって形成された複数のブロックを格子状に並べて配置してシート状にしたものとするのが好ましい。
このようにして、熱膨張係数の異なる材料を組み合わせることで、接合時の加熱によって、半導体チップ3(又は基板4)の任意の場所を押す圧力を高くすることができ、半導体チップ3(又は基板)の厚さのムラや端子3Aの高さ位置などを調整(制御)することが可能となる。つまり、熱膨張係数の異なる材料を組み合わせることで、接合時の加熱によって、半導体チップ3(又は基板)の厚さのムラや端子3Aの高さ位置のばらつきを緩和し、半導体チップ3(又は基板4)を吸着して保持しながら、半導体チップ3(又は基板4)の任意の場所を押すことで、接合面が平坦になるようにすることができる。
ところで、基板4の反りに起因して接合時に半導体チップ3と基板4を近づけるだけでは接合できる間隔にならない端子がある場合、以下のようにして、全ての端子を確実に接合できるようにすることができる。
そして、半導体装置の製造方法における保持工程において、図11(A)に示すように、基板4の反りに応じて第1材料2X及び第2材料2Yが配置されたボンディングツール2に、半導体チップ3を保持し、接合工程において、図11(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって基板4の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるようにすれば良い。
そして、半導体装置の製造方法における保持工程において、図12(A)に示すように、基板4の反りに応じて第1材料2X及び第2材料2Yが配置されたボンディングツール2に、半導体チップ3を保持し、接合工程において、図12(B)に示すように、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって基板4の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるようにすれば良い。
つまり、基板4の反りや基板4の厚さ分布に起因して接合時に半導体チップ3と基板4を近づけるだけでは接合できる間隔にならない端子がある場合、以下のようにして、全ての端子を確実に接合できるようにすることができる。
つまり、例えば、基板4を保持する第2ボンディングツール5を、半導体チップ3の反りに応じて第1材料2X及び第2材料2Yが配置されたものとする。また、ヒータ7Bを、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するものとする。そして、半導体装置の製造方法における保持工程において、半導体チップ3の反りに応じて第1材料2X及び第2材料2Yが配置されたボンディングツール5に、基板4を保持し、接合工程において、加熱によって熱膨張した第2材料2Yによって半導体チップ3の反りに起因して半導体チップ3と基板4を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるようにする。この場合、半導体チップ3の反りが生じていても、半導体チップ3のすべての端子がはんだを挟んで基板4の対応する端子にほぼ均一な圧力(押圧力)で当たるようにすることができ、全ての端子を確実に接合できるようになる。
したがって、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法及び製造装置、ボンディングツール2、5によれば、接合時に半導体素子3同士又は半導体素子3と基板4を近づけるだけでは接合できる間隔にならない端子がある場合であっても、全ての端子を確実に接合できるという利点がある。
特に、半導体素子3と基板4を狭ギャップで接合する場合、例えば、端子(接続端子)が微細になり、はんだ量が少なくなり、端子間の間隔が小さくなった場合などでも、全ての端子を確実に接合することが可能となり、半導体装置の製造効率が低下してしまうのを防止することができる。例えば、はんだバンプが小さくなり、その高さが低くなって、接合時のマージンがなくなった場合であっても、全ての端子を確実に接合することが可能となり、半導体装置の製造効率が低下してしまうのを防止することができる。
以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されたボンディングツールに、前記半導体素子又は前記基板を保持する工程と、
半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけ、加熱し、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となった状態で、半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記半導体素子の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記基板の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記保持工程において、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造する装置であって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されたボンディングツールと、
半導体素子同士又は半導体素子と基板が近づくように、前記ボンディングツールを駆動する駆動機構と、
加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するヒータとを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されており、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されており、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されており、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されており、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記基板の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されおり、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されており、
前記ヒータは、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱することを特徴とする、付記8に記載の半導体装置の製造装置。
半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造するのに用いるボンディングツールであって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、
接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されていることを特徴とするボンディングツール。
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
(付記17)
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
前記ボンディングツールは、前記半導体素子を保持するボンディングツールであり、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
(付記19)
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記基板の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
(付記21)
前記ボンディングツールは、前記基板を保持するボンディングツールであり、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置されていることを特徴とする、付記15に記載のボンディングツール。
1A 連通穴
1B 流路
2 第1ボンディングツール
2A 吸着穴
2X 第1熱膨張係数を有する第1材料
2Y 第2熱膨張係数を有する第2材料
3 半導体チップ
4 基板
5 第2ボンディングツール
5A 吸着穴
6 ステージ
6A 連通穴
6B 流路
7A、7B ヒータ
8 一の熱膨張係数を有する材料
9 他の熱膨張係数を有する材料
10 駆動機構
Claims (9)
- 半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されたボンディングツールに、前記半導体素子又は前記基板を保持する工程と、
半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけ、加熱し、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となった状態で、半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記半導体素子の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記半導体素子を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記基板の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記基板の厚さ分布に応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記基板の厚さ分布に起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保持工程において、前記半導体素子の反りに応じて前記第1材料及び前記第2材料が配置された前記ボンディングツールに、前記基板を保持し、
前記接合工程において、加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子の反りに起因して前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造する装置であって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されたボンディングツールと、
半導体素子同士又は半導体素子と基板が近づくように、前記ボンディングツールを駆動する駆動機構と、
加熱によって熱膨張した前記第2材料によって前記半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子が押されて接合できる間隔となるように加熱するヒータとを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体素子同士又は半導体素子と基板を接合して半導体装置を製造するのに用いるボンディングツールであって、
前記半導体素子又は前記基板を保持する面に第1熱膨張係数を有する第1材料と前記第1熱膨張係数よりも大きい第2熱膨張係数を有する第2材料とを備え、
接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけると接合できる間隔になる端子に対応する位置に前記第1材料が配置され、接合時に半導体素子同士又は半導体素子と基板を近づけても接合できる間隔にならない端子に対応する位置に前記第2材料が配置されていることを特徴とするボンディングツール。
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JP2014112490A JP6252361B2 (ja) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 半導体装置の製造方法及び製造装置、ボンディングツール |
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