JP7284296B2 - ポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、それらを含む光学用成形体、及び環状カーボネート - Google Patents

Description

本発明は、ポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、それらを含む光学用成形体、及び環状カーボネートに関する。

近年、スマートフォンをはじめとする光学・情報通信機器の普及が急速に進んでいる。例えば、スマートフォンのカメラ機能の高性能化は著しく、カメラ用レンズについても、その軽量化や低コスト化とともに、優れた耐熱性、及び低複屈折性等の優れた光学特性を兼ね備えるものが要求されている。そのような要求を満たすことを目的として、光学レンズ用特殊ポリカーボネート樹脂の開発が盛んに行われている。

例えば、特許文献１～５において、ビナフチル骨格やフルオレン骨格といった嵩高い芳香環構造を有する低複屈折性特殊ポリカーボネート樹脂が開示されている。当該文献では、既存のビスフェノールＡからなるポリカーボネートの高い複屈折を低減するため、正の複屈折をもつビスフェノールＡ骨格と負の複屈折をもつ上記芳香環構造の含有割合を制御することにより低複屈折性を実現している。

他方、光学レンズ用途ではないものの、芳香族ポリカーボネートに代わる樹脂として、脂肪族、特に脂環式構造を有するポリカーボネート樹脂の開発も行われている。脂環式ポリカーボネートは、ビスフェノールＡなどの芳香環を有するポリカーボネート樹脂と比べて耐光性に優れる傾向がある。例えば、特許文献６では透明性、耐熱性、色調に優れる多環脂環式ポリカーボネート樹脂が開示されている。また、石油原料のみならず、植物などのバイオマス由来の原料を用いたポリカーボネートの開発も行われている。例えば、特許文献７において、でんぷんから誘導可能なイソソルバイドを原料に用いたポリカーボネート樹脂が開示されている。

このような脂環式ポリカーボネート樹脂のうち、シクロヘキセンカーボネート構造を有するポリ（シクロヘキセンカーボネート）は、ベンゼン環に対応する飽和の炭素六員環を有する最も単純なポリカーボネートである。ポリ（シクロヘキセンカーボネート）は、例えば特許文献８に示されているように、シクロヘキセンオキシドと二酸化炭素との反応によって合成できることが広く知られている。また、特許文献９、非特許文献１及び非特許文献２に記載されているように、１，２－シクロヘキセンカーボネートの開環重合によりポリ（シクロヘキセンカーボネート）が得られることが知られている。

一方、環状カーボネート（環状炭酸エステル）は非プロトン性溶媒や、電解液、電解液の添加剤、ポリマー添加剤、合成中間体、ポリマー前駆体（モノマー）等種々の用途が知られている。

代表的なものとしては、例えば、リチウムイオン電池の電解液として、誘電率の良好なエチレンカーボネート（ＥＣ）やプロピレンカーボネート（ＰＣ）等の環状カーボネートと、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）、エチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）等の鎖状カーボネートとの混合溶媒が用いられている。

また、環状カーボネートは、エポキシ樹脂への添加剤として有用であることが示されている。例えば、エポキシ樹脂の機械特性や耐溶剤性を悪化させることなく粘性を低下させる添加剤として、環状カーボネートが例示されている（例えば、特許文献１０参照）。また、環状カーボネートを他の脂環式モノマーやオキセタンとの組み合わせによって用いることにより、光硬化性樹脂の硬化収縮を低下させる添加剤としての効果も示されている（例えば、特許文献１１参照）。

合成の中間体としては種々の目的に用いられるが、例えば光学活性を制御したカルバメート体を得るため等、精密合成のための中間体として、環状カーボネートが重要な役割を担っている（例えば、非特許文献３参照）。

モノマー原料としては、開環重合によるポリカーボネートの原料モノマーとしての活用が示されている（例えば、特許文献９参照）。生分解性や低毒性等、生体適合性材料として、環状カーボネートをコモノマーとして活用した例も報告されている（例えば、非特許文献４及び５参照）。

前記のように環状カーボネートは工業的に非常に有用な材料であるが、その特徴として、カルボニル基の原料ソースとして、再生可能原料であるＣＯ_２を利用できることが挙げられる。例えば、エポキシド（オキシラン類）やオキセタン等種々の化合物とＣＯ_２との反応により環状カーボネートを得ることができる例が示されている（例えば、非特許文献６参照）。また、カルボニル源として間接的にＣＯ_２から誘導しうるジフェニルカーボネートを用いた合成法も提案されている（例えば、特許文献１２及び１３参照）。

また、環状カーボネートは構造中にＣＯ_２、すなわち再生可能原料由来のカルボニル基を有することが、その材料の特徴の一つであるが、近年では分子量の大部分を占める主骨格に再生可能原料を導入し、より再生可能資源由来の原料比率の高い材料の合成例が報告されている（例えば、非特許文献７参照）。

特に、構造的に剛直な脂環式骨格を有するイノシトールは、耐熱性などの物理特性が良好であることが期待され、実際にカーボネート体の合成例も報告されている（例えば、非特許文献８）。

特許第６３２７１５１号公報 特許第６５１２２１９号公報 特開２０１９－１４３１５２号公報 特開２０１９－１３１８２４号公報 特開２０１８－０５９１０７号公報 特許第４７７４６１０号公報 特許第６５０７４９５号公報 特許第５４０３５３７号公報 特開２０１９－１０８５４７号公報 特表２０１３―５２８６８５号公報 特開２００８―２３８４１７号公報 特開２０１９―１２７４４１号公報 特開２０１９―１２７４４２号公報

Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２０１４， ４７， ４２３０－４２３５． Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ ２０１３， ４５， １１８３－１１８７． Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１６，２２，１７２２－１７２７． Ｂｉｏｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２００６，７，２２６９－２２７３． ＡＣＳ Ｍａｃｒｏ Ｌｅｔｔ． ２０１８，７，３３６－３４０． ＡＣＳ Ｃａｔａｌ． ２０１５，５，１３５３－１３７０． Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ （２０１３） ４５， １１８３－１１８７． Ｂｕｌｌ． Ｋｏｒｅａｎ Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． （２００６） ２７， ３， ３５９－３６０．

本発明は、環境負荷の低い、再生可能資源を利用する新規なポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、それらを含む光学用成形体、及び環状カーボネートに関する。

すなわち、本発明は、以下のとおりである。
［１］
下記式（１）で表される構造単位：

（式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を有し、
ポリメチルメタクリレートを標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィーにより測定される重量平均分子量Ｍｗが、５０，０００以上５００，０００以下である、ポリカーボネート樹脂。
［２］
示査走査熱量計により測定されるガラス転移温度Ｔｇが、８０℃以上１８０℃以下である、［１］に記載のポリカーボネート樹脂。
［３］
前記式（１）で表される構造単位を主鎖に有する、［１］又は［２］に記載のポリカーボネート樹脂。
［４］
^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定される、モノマー周期構造がメソでありイソタクチックな部分を示すｍｍ、周期構造がラセモ結合でありシンジオタクチックな部分を示すｒｒ、メソ部分とラセモ部分が結合している部分を示すｍｒとしたとき、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合が４０％以上である、［１］～［３］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［５］
末端にアルコキシ基を有する、［１］～［４］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［６］
前記アルコキシ基における炭素数が１～１０である、［５］に記載のポリカーボネート樹脂。
［７］
サイズ排除クロマトグラフィーによって測定されるポリスチレン換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上５００，０００以下、かつ、数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［８］
アルコール不溶分を熱重量測定により窒素雰囲気下で加熱したときの１５０～２６０℃における重量減少率が３０質量％以下である、［７］に記載のポリカーボネート樹脂。
［９］
光弾性係数の絶対値が、１０×１０^－１２Ｐａ^－１以下である、［１］～［８］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［１０］
前記ポリカーボネート樹脂の１００％一軸延伸フィルムにおいて、面内位相差の絶対値が、厚さ１００μｍ換算で１００ｎｍ以下である、［１］～［９］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［１１］
前記式（１）で表される構造単位であって、式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が水素原子である構成単位を有する、［１］～［１０］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［１２］
下記式（１'）で表される構造単位：

（式（１'）中、Ｒ^１及びＲ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を有する、［１］～［１１］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
［１３］
［１］～［１２］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂と、酸化防止剤と、
を含有する、ポリカーボネート樹脂組成物。
［１４］
［１］～［１２］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂、又は［１３］に記載のポリカーボネート樹脂組成物を含有する、光学部品。
［１５］
［１］～［１２］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂、又は［１３］に記載のポリカーボネート樹脂組成物の、光学部品用材料としての使用。
［１６］
［１］～［１２］のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂の製造方法であって、
下記式（３）で表される環状カーボネート：

（式（３）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を開環重合することにより、前記ポリカーボネート樹脂を得る重合工程を有する、
製造方法。
［１７］
前記重合工程において、有機リチウム、金属アルコキシド、又は、ＨＯ基、ＨＳ基若しくはＨＮ基を有する有機化合物と環状アミンとの組合せを重合開始剤として用いる、［１６］に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
［１８］
前記重合工程における反応温度（重合温度）が－５℃超４０℃以下である、［１６］又は［１７］に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
［１９］
前記重合工程における重合性モノマーの初期濃度（初期モノマー濃度）が１０質量％以上である、［１８］に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
［２０］
モノマーに対して添加する重合開始剤の割合が、０．０００１ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下である、［１９］に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
［２１］
分子中に少なくとも２つのカーボネート基を含み、イノシトール骨格を有し、下記式（１１）で表される、環状カーボネート。

（式（１１）中、Ｒ_１１～Ｒ_１６は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。）
［２２］
分子中に少なくとも１つのｔｒａｎｓカーボネート基を有する、［２１］に記載の環状カーボネート。
［２３］
分子中に２つのカーボネート基を有し、少なくとも１つのカーボネート基がｔｒａｎｓカーボネート基であり、下記式（１２）で表される、［２１］又は［２２］に記載の環状カーボネート。

（式（１２）中、Ｒ_１１及びＲ_１４は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基である。）
［２４］
分子中にｃｉｓカーボネート基及びｔｒａｎｓカーボネート基の２つのカーボネート基を有し、下記式（１３）で表される、［２１］～［２３］のいずれかに記載の環状カーボネート。

（式（１３）中、Ｒ_１１及びＲ_１４は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０アリール基である。）
［２５］
イノシトール骨格を有する化合物に少なくとも２つのカーボネート基を導入して、下記式（１１）で表される環状カーボネートを得る工程を含む、［２１］～［２４］のいずれかに記載の環状カーボネートの製造方法。

（式（１１）中、Ｒ_１１～Ｒ_１６は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。）

本発明によれば、環境負荷の低い、再生可能資源を利用する新規なポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、それらを含む光学用成形体、及び環状カーボネートを提供することができる。

実施例Ａ１におけるポリカーボネート樹脂の示差走査熱量測定装置による測定結果を示す。 実施例Ａ３におけるポリカーボネート樹脂の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを示す。 実施例Ａ４におけるポリカーボネート樹脂の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを示す。 比較例Ａ３におけるポリカーボネート樹脂のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルを示す。 実施例Ａ２におけるポリカーボネート樹脂のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルを示す。 図６の上部は、本願の実施例Ｂ１のステップ１－１で合成した２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトールの^１Ｈ－ＮＭＲチャートであり、図６の下部は、本願の実施例Ｂ１のステップ１－２で合成した１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＢＣｙＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図７は、本願の実施例Ｂ１のステップ１－３で合成した１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－ｍｙｏ－イノシトール（ＢＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図８は、本願の実施例Ｂ１のステップ１－４で合成した１，４－ジ－Ｏ－ベンジル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＢＣＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図９は、本願の実施例Ｂ２のステップ２－４で合成した１，４－ジ－Ｏ－オクチル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＯＣＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１０の上部は、本願の実施例Ｂ２で得られたカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール組成物のＧＣ／ＭＳのクロマトグラフであり、図１０の下部は、本願の実施例Ｂ２で得られたカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール組成物中の各化合物のＭＳスペクトルである。 図１１は、本願の合成例１で合成したｔｒａｎｓ－１，２－シクロヘキセンカーボネート（Ｔ６Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１２は、本願の合成例２で合成したｍｙｏ－イノシトール含有コポリマー（ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１３は、本願の合成例３で合成したｍｙｏ－イノシトール含有コポリマー（ＯＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１４は、本願の合成例４で合成したｍｙｏ－イノシトール含有コポリマー（ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１５は、本願の合成例５で合成したｍｙｏ－イノシトール含有コポリマー（ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１６は、本願の合成例６で合成したｍｙｏ－イノシトール含有コポリマー（ＯＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー）の^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。

以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」ともいう。）について詳細に説明する。なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。

［ポリカーボネート樹脂及びその製造方法］
上述の背景技術に記載した通り、ポリ（シクロヘキセンカーボネート）を開示するこれまでの文献は、重合条件と分子量の相関の評価をするに留まっており、ポリ（シクロヘキセンカーボネート）の特性についてはほとんど言及されていない。特に、その光学特性については全く言及されていない。

本発明者らが、上記文献に記載のものを始めとする従来のポリカーボネート樹脂を詳細に検討したところ、耐熱性、及び低複屈折性等の光学特性の少なくともいずれかが不十分であることがわかった。

例えば、特許文献１～５に記載のような芳香環構造を有するポリカーボネート樹脂は、低複屈折性等の光学特性が不十分である。また、特許文献９及び非特許文献１に記載のようなシクロヘキセンカーボネート構造を有するポリカーボネート樹脂は分子量が低いために、フィルム状の光学測定用試料に成形することが困難であり、光学特性が未知である。

本実施形態は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、優れた耐熱性、及び低複屈折性等の優れた光学特性を有する、フィルム状に成形可能なポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれらを含む光学用成形体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を進めた結果、特定の環状構造を主鎖に有し、かつ、特定の重量平均分子量（Ｍｗ）を有するポリカーボネート樹脂が、優れた耐熱性及び低複屈折性等の優れた光学特性を有し、かつ、フィルム状に成形可能であることを見出した。

（ポリカーボネート樹脂）
本実施形態のポリカーボネート樹脂は、下記式（１）で表される構造単位を有し、ポリメチルメタクリレートを標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定される重量平均分子量Ｍｗが、５０，０００以上５００，０００以下である。

式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４（以下、「Ｒ^１～Ｒ^４」とも表記する。）は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。なお、本明細書中において、「カーボネート基」とは、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－で表される、２価の置換基を意味する。
また、前記式（１）で表される構造単位を主鎖に有することが好ましい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、上記の構成を備えることにより、耐熱性、及び低複屈折性等の光学特性に優れる。この要因は、以下のように考えられるが、要因はこれに限定されない。

従来の芳香環構造を有するポリカーボネート樹脂は、その構造に起因して、複屈折を低減することが困難である。これに対し、本実施形態のポリカーボネート樹脂は、芳香環構造を有しないため、低複屈折性等の優れた光学特性を有すると推察される。また、特定の脂環式構造を有することにより、光弾性係数が低減し、複屈折の発現が抑制され、優れた光学特性が発現すると推察される。更に、特定の脂環式構造を主鎖に有することにより、耐熱性に優れる。また、本実施形態のポリカーボネート樹脂は、重量平均分子量（Ｍｗ）が、５０，０００以上５００，０００以下の範囲内であるため、耐熱性及び光学特性に優れる。特に、Ｍｗが５０，０００以上であるため、フィルム状に成形することが可能となる。

本実施形態において、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基である。本発明の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。同様の観点から、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、より好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。同様の観点から、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、更に好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、炭素数１～１０のアルコキシ基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。同様の観点から、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、特に好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、及び炭素数１～１０のアルコキシ基からなる群より選択される１種以上の置換基である。

本実施形態において、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、アルキレン基又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。本発明の効果をより確実かつ有効に奏する観点から、Ｒ^１～Ｒ^４が、アルキレン基を介して互いに結合し、環状構造を形成している場合、アルキレン基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、更に好ましくは１～６である。更に、同様の観点から、上記アルキレン基の有する置換基は、好ましくは、水酸基、アルコキシ基、又はエステル基であり、より好ましくは、水酸基、又はアルコキシ基である。同様の観点から、Ｒ^１～Ｒ^４が環状構造を形成している場合、好ましくは、非置換のアルキレン基、又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して環状構造を形成している。非置換のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、及びｎ－ヘキシレン基が挙げられる。

本実施形態の上記式（１）におけるリン酸基及びアミノ基は、非置換であってもよく、置換されていてもよい。すなわち、１置換のリン酸基及びアミノ基であってもよく、２置換のリン酸基及びアミノ基であってもよい。本発明の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、リン酸基及びアミノ基が置換されている場合、置換基は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であることが好ましい。同様の観点から、本実施形態におけるリン酸基及びアミノ基は、非置換であることが好ましい。

本実施形態の上記式（１）における炭素数１～１０のアルコキシ基としては、特に限定されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノナニルオキシ基、デシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、ビニルオキシ基、及びアリルオキシ基が挙げられる。

本実施形態の上記式（１）における炭素数１～１１のエステル基としては、特に限定されないが、例えば、メチルエステル基、エチルエステル基、プロピルエステル基、ブチルエステル基、ペンチルエステル基、シクロペンチルエステル基、ヘキシルエステル基、シクロヘキシルエステル基、ヘプチルエステル基、オクチルエステル基、ノナニルエステル基、デシルエステル基、フェニルエステル基、ベンジルエステル基、ビニルエステル基、及びアリルエステル基が挙げられる。

本実施形態の上記式（１）における炭素数１～１１のアシル基としては、特に限定されないが、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、及びベンゾイル基が挙げられる。

本実施形態の上記式（１）における非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基としては、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノナニル基、及びｎ－デシル基が挙げられる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂における式（１）で表される構造単位の量は、ポリカーボネート樹脂を構成するモノマー単位１００ｍｏｌ％としたとき、好ましくは５０ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは７０ｍｏｌ％以上であり、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上であり、さらに好ましくは９９ｍｏｌ％以上である。当該量の上限は、特に限定されないが、例えば１００ｍｏｌ％である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、末端にアルコキシ基を有することが好ましい。アルコキシ基における炭素数は、１～１０であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。アルコキシ基としては、特に限定されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ｎ－ペントキシ基、シクロペントキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヒドロキシシクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノナニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基が挙げられる。これらの中でもメトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ヒドロキシシクロヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基であることが好ましい。
末端のアルコキシ基の含有量は、ポリカーボネート樹脂を構成するモノマー単位１００ｍｏｌ％としたとき、０．０１ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、上記式（１）で表される構造単位であって、式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が水素原子である構成単位を有することが好ましい。本実施形態のポリカーボネート樹脂は、このような構造単位を有すると、耐熱性、及び低複屈折性等の光学特性に一層優れる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂における式（１）で表される構造単位であって、式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が水素原子である構成単位の量は、ポリカーボネート樹脂を構成するモノマー単位１００ｍｏｌ％としたとき、好ましくは５０ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは７０ｍｏｌ％以上であり、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上であり、さらに好ましくは９５ｍｏｌ％以上であり、さらに好ましくは９９ｍｏｌ％以上である。当該量の上限は、特に限定されないが、例えば１００ｍｏｌ％である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、下記式（１'）で表される構造単位を有することが好ましい。

（式（１'）中、Ｒ^１及びＲ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）
本実施形態のポリカーボネート樹脂は、このような構造単位を有すると、耐熱性、及び低複屈折性等の光学特性に一層優れる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂における式（１'）で表される構造単位の量は、ポリカーボネート樹脂を構成するモノマー単位１００ｍｏｌ％としたとき、好ましくは０．１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下であり、更に好ましくは２ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であり、更に好ましくは２ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、下記式（２）においてＲ^５及びＲ^６で表される末端構造を有すると好ましい。

式（２）中、Ｒ^５及びＲ^６（以下、「Ｒ^５～Ｒ^６」とも表記する。）は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～３０のシリル基、炭素数１～３０のシリルアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基である。なお、式（２）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、式（１）中のものと同様である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、上記式（２）において、Ｒ^５とＲ^６が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。すなわち、Ｒ^５及びＲ^６で表される末端構造を有しなくてもよい。

本実施形態において、式（２）中の好ましいＲ^１～Ｒ^４は式（１）中のものと同様である。また、式（２）中における、リン酸基、アミノ基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基の例示も式（１）中のものと同様である。本発明の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、式（２）中、Ｒ^５及びＲ^６は、好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～３０のシリル基、炭素数１～３０のシリルアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。同様の観点から、式（２）中、Ｒ^５及びＲ^６は、より好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～３０のシリル基、炭素数１～３０のシリルアルコキシ基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。同様の観点から、式（２）中、Ｒ^５及びＲ^６は、更に好ましくは、各々独立して、水素原子、水酸基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～３０のシリル基、炭素数１～３０のシリルアルコキシ基、及び、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基からなる群より選択される１種以上の置換基である。

上記式（２）における炭素数１～３０のシリル基としては、特に限定されないが、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソブチルシリル基、及びｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基が挙げられる。

上記式（２）における炭素数１～３０のシリルアルコキシ基としては、特に限定されないが、例えば、トリメチルシリルメトキシ基、トリメチルシリルエトキシ基、トリメチルシリルフェノキシ基、トリメチルシリルベンジルオキシ基、トリエチルシリルメトキシ基、トリエチルシリルエトキシ基、トリエチルシリルフェノキシ基、トリエチルシリルベンジルオキシ基、トリイソプロピルシリルメトキシ基、トリイソプロピルシリルエトキシ基、トリイソプロピルシリルフェノキシ基、トリイソプロピルシリルベンジルオキシ基、トリフェニルシリルメトキシ基、トリフェニルシリルエトキシ基、トリフェニルシリルフェノキシ基、トリフェニルシリルベンジルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルメトキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルエトキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルフェノキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルベンジルオキシ基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソブチルシリルメトキシ基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソブチルシリルエトキシ基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソブチルシリルフェノキシ基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルイソブチルシリルベンジルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルメトキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルエトキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルフェノキシ基、及びｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルベンジルオキシ基が挙げられる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、ポリメチルメタクリレートを標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０，０００以上５００，０００以下である。本実施形態のポリカーボネート樹脂は、当該Ｍｗが上記の範囲内にあることで、ポリマーの分子鎖が一層絡み合うことで靭性が向上し、フィルム状に成形可能となる。また、そのようなポリカーボネート樹脂は、耐熱性及び光学特性に優れるものとなる。同様の観点から、当該Ｍｗは、好ましくは８０，０００以上５００，０００以下であり、より好ましくは１００，０００以上５００，０００以下である。また、当該Ｍｗの上限は、３００，０００であってもよい。サイズ排除クロマトグラフィーによるポリカーボネート樹脂の重量平均分子量は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、当該重量平均分子量（Ｍｗ）を上記の範囲内に制御するためには、重合性モノマーと重合開始剤の割合を適宜調整すればよく、また、後述する製造方法によってポリカーボネート樹脂を製造すればよい。重合性モノマーに対する重合開始剤の割合を減らすことにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。また、重合時間を長くすることにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。更に、撹拌翼を用いて撹拌を行うことにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、サイズ排除クロマトグラフィーによって測定されるポリスチレン換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上５００，０００以下、かつ、数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５以下であることが好ましい。
本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、上記の構成を備えることにより、熱重量減少をより顕著に抑制することができる。この要因は、以下のように考えられるが、要因はこれに限定されない。

分子量が高くなること、十分な重合度が得られること、熱分解温度の低い低分子量成分（主に数量体）の含有量が少なくなることで、当該低分子量成分の分解によって生じる化学種により、ポリマー鎖の分解が促進されることを抑制できる等の理由により、熱重量減少がより顕著に抑制されるものと考えられる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、ポリスチレンを標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定される分子量（ポリスチレン換算分子量）が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００，０００以上５００，０００以下であることが好ましい。本実施形態のポリカーボネート樹脂は、当該Ｍｗが上記の範囲内にあることで、ポリマーの分子鎖が一層絡み合うことで靭性が向上し、フィルム状に成形可能となる。また、そのようなポリカーボネート樹脂は、耐熱性及び光学特性に優れるものとなる。同様の観点から、当該Ｍｗは、より好ましくは１１０，０００以上５００，０００以下であり、更に好ましくは１２０，０００以上５００，０００以下である。また、当該Ｍｗの上限は、３５０，０００であってもよい。本実施形態のポリカーボネート樹脂において、サイズ排除クロマトグラフィーにより測定されるポリスチレン換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、当該重量平均分子量（Ｍｗ）を上記の範囲内に制御するためには、重合性モノマーと重合開始剤及び添加剤の割合を適宜調整すればよく、また、後述する製造方法によってポリカーボネート樹脂を製造すればよい。重合性モノマーに対する重合開始剤及び添加剤の割合を減らすことにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。また、重合時間を長くすることにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。更に、撹拌翼を用いて撹拌を行うことにより、当該Ｍｗを大きくすることができる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂は、サイズ排除クロマトグラフィーによって測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５以下であることが好ましい。当該Ｍｗ／Ｍｎが２．５以下であることで、耐熱性に優れる。同様の観点から、当該Ｍｗ／Ｍｎは、より好ましくは２．５以下であり、更に好ましくは２．４以下であり、特に好ましくは２．３以下である。当該Ｍｗ／Ｍｎの下限は、特に限定されないが、例えば、１．０である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、アルコール不溶分を熱重量測定により窒素雰囲気下で加熱したときの１５０～２６０℃における重量減少率は３０質量％以下であることが好ましい。一般的な脂環式ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）より高いとされる１５０℃から成形加工時のシリンダー温度の上限と考えられる２７０℃程度までの重量減少率を低減することが好ましい。本実施形態のポリカーボネート樹脂は、重量減少率が上記の範囲内にあることで、主鎖切断に起因する着色や成形不良を抑制することができる。同様の観点から、当該重量減少率は、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは２５質量％以下であり、更に好ましくは２０質量％以下であり、より更に好ましくは１０質量％以下であり、また更に好ましくは５質量％以下である。当該重量減少率の下限は、特に限定されないが、例えば、０．５質量％である。
本実施形態のポリカーボネート樹脂において、当該重量減少率は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、当該重量減少率を上記好ましい範囲内に制御するためには、例えば、ポリカーボネート樹脂の重合温度、末端構造を制御する添加剤の添加、再沈殿操作による精製、ポリカーボネート樹脂の分子量を制御すればよい。特に、ポリカーボネート樹脂を－５℃超４０℃以下で重合したり、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量Ｍｗをポリメタクリル酸メチル換算で５０，０００以上に高めたり、Ｍｗ／Ｍｎを２．５以下にしたり、再沈殿操作による精製を行ったりすると、重量減少率が小さくなる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、示査走査熱量計（ＤＳＣ）により測定されるガラス転移温度Ｔｇは、８０℃以上１８０℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度Ｔｇが８０℃以上であると、一般的な使用環境下において形態を一層維持できる傾向にあり、Ｔｇが１８０℃以下であると、成形加工性に一層優れる傾向にある。同様の観点から、本実施形態のポリカーボネート樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、より好ましくは９０℃以上１８０℃以下であり、更に好ましくは１００℃以上１８０℃以下である。ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、ガラス転移温度Ｔｇを上記好ましい範囲内に制御するためには、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量及び数平均分子量を制御すればよく、また、ポリカーボネート樹脂を後述する製造方法によって製造すればよい。特に、重量平均分子量及び数平均分子量を大きくすると、ガラス転移温度Ｔｇが高くなる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定される、モノマー周期構造がメソでありイソタクチックな部分を示すｍｍ、周期構造がラセモ結合でありシンジオタクチックな部分を示すｒｒ、メソ部分とラセモ部分が結合している部分を示すｍｒとしたとき、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合は４０％以上であることが好ましい。ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合が上記範囲内であることにより、ポリマー鎖中のイソタクチックな部分とシンジオタクチックな部分との配列のブロック性が小さくなり、ランダム性が向上することにより、ポリカーボネート樹脂の結晶性を低減することができるため、フィルム状に成形した際により高い透明性を示す傾向にある。同様の観点から、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合は、より好ましくは４２％以上であり、更に好ましくは４４％以上であり、更により好ましくは４５％以上であり、より更に好ましくは４６％以上である。ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合の上限は、特に限定されないが、例えば、１００％である。ポリカーボネート樹脂のｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合を上記好ましい範囲内に制御するためには、開始剤の立体構造を調整したり、モノマーの光学純度を調整したり、より極性の低い溶媒系を使用したりすればよい。特に、生長末端周りの空間的自由度を高めるために単純なアルコキシドや不斉反応場を誘起しないようなアキラルな開始剤を使用したり、また、極性の低い溶媒系を使用したりすると、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合が小さくなる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、光弾性係数の絶対値は、１０×１０^－１２Ｐａ^－１以下であることが好ましい。光弾性係数の絶対値が上記範囲内であることにより、ポリカーボネート樹脂にひずみを加えた際の位相差変化を抑えることができるため、ポリカーボネート樹脂は一層低い複屈折性を示す傾向にある。同様の観点から、本実施形態のポリカーボネート樹脂の光弾性係数の絶対値は、より好ましくは８×１０^－１２Ｐａ^－１以下であり、更に好ましくは５×１０^－１２Ｐａ^－１以下、更により好ましくは３×１０^－１２Ｐａ^－１以下であり、より更に好ましくは２×１０^－１２Ｐａ^－１以下である。本実施形態のポリカーボネート樹脂において、光弾性係数の絶対値の下限は、特に限定されないが、例えば、０．０１×１０^－１２Ｐａ^－１である。光弾性係数の絶対値が３×１０^－１２Ｐａ^－１以下であることで、光学ガラスの中でも汎用的なホウケイ酸ガラスよりも低い値であり、応力印加によって複屈折が発現しにくいためより好ましい。ポリカーボネート樹脂の光弾性係数は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。なお、本実施形態のポリカーボネート樹脂の光弾性係数を測定する際に用いる試験片は、１５０℃以上３００℃以下でフィルム状に成形される。また、作製するフィルムの膜厚は、１０μｍ以上１０００μｍ以下であると好ましい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、光弾性係数の絶対値を上記好ましい範囲内に制御するためには、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４を適宜選択すればよく、また、ポリカーボネート樹脂を後述する製造方法によって製造すればよい。特に、上記の好ましいＲ^１～Ｒ^４を選択すると、光弾性係数の絶対値が小さくなる傾向にある。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、１００％一軸延伸フィルムの面内位相差の絶対値が、厚さ１００μｍ換算で１００ｎｍ以下であることが好ましい。上記面内位相差の絶対値が上記範囲内にあることにより、ポリマー鎖に含まれる分子の配向に起因するポリカーボネート樹脂の複屈折の発現を一層抑えることができる傾向にある。同様の観点から、本実施形態のポリカーボネート樹脂において、１００％一軸延伸フィルムの面内位相差の絶対値は、より好ましくは厚さ１００μｍ換算で８０ｎｍ以下であり、更に好ましくは厚さ１００μｍ換算で６０ｎｍ以下である。また、その面内位相差の絶対値の下限は特に限定されず、厚さ１００μｍ換算で０ｎｍであってもよい。ポリカーボネート樹脂の上記面内位相差は、具体的には実施例に記載の方法によって測定することができる。なお、ポリカーボネート樹脂の１００％一軸延伸フィルムとは、ポリカーボネート樹脂をキャスト法や真空熱プレス等の方法でフィルム状に成形した後、ガラス転移温度以上の温度条件下で、一軸方向に１００％延伸したフィルムを意味する。なお、上記延伸前のフィルムは、１５０℃以上３００℃以下で成形され、また、作製するフィルムの膜厚は、１０μｍ以上１０００μｍ以下であると好ましい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂において、上記面内位相差の絶対値を上記好ましい範囲内に制御するためには、式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４を適宜選択すればよく、また、ポリカーボネート樹脂を後述する製造方法によって製造すればよい。特に、上記の好ましいＲ^１～Ｒ^４を選択すると、面内位相差の絶対値が小さくなる傾向にある。

上記の特性を有するポリカーボネート樹脂の合成方法としては、環状カーボネートを開環重合する方法が挙げられる。本発明の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、本実施形態のポリカーボネート樹脂の合成方法としては、後述するポリカーボネート樹脂の製造方法を用いることが好ましい。

（ポリカーボネート樹脂組成物）
本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、上記のポリカーボネート樹脂と、酸化防止剤とを含有する。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、上記のポリカーボネート樹脂と、酸化防止剤とを含有することにより、成形加工時の熱や剪断による劣化を一層防止することができるため、ポリカーボネート樹脂組成物の耐熱性を一層向上させることができる。また、本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、酸化防止剤を含有することにより、使用時にポリカーボート樹脂が酸化されることを一層防止することができるため、ポリカーボネート樹脂組成物の耐光性を一層向上させることができる。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物に用いる酸化防止剤は特に限定されないが、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤が挙げられる。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、イルガノックス１０１０（Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０：ペンタエリスリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］）、イルガノックス１０７６（Ｉｒｇａｎｏｘ １０７６：オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、イルガノックス１３３０（Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０：３，３'，３''，５，５'，５''－ヘキサ－ｔ－ブチル－ａ，ａ'，ａ''－（メシチレン－２，４，６－トリイル）トリ－ｐ－クレゾール）、イルガノックス３１１４（Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４：１，３，５－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン）、イルガノックス３１２５（Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５）、アデカスタブＡＯ－６０（ペンタエリスリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］）、アデカスタブＡＯ－８０（３、９－ビス｛２－［３－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオニルキシオキシ］－１，１－ジメチルエチル｝－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン）、シアノックス１７９０（Ｃｙａｎｏｘ １７９０）、スミライザーＧＡ－８０（Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ－８０）、スミライザーＧＳ（Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＳ：アクリル酸２－［１－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ペンチルフェニル）エチル］－４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ペンチルフェニル）、及び、スミライザーＧＭ（Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＭ：アクリル酸２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチル－６－（２－ヒドロキシ－３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチルベンジル）フェニル）が挙げられる。これらは一種類単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、イルガフォス１６８（Ｉｒｇａｆｏｓ１６８：トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）ホスファイト）、イルガフォス１２（Ｉｒｇａｆｏｓ１２：トリス［２－［［２，４，８，１０－テトラ－ｔ－ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル］オキシ］エチル］アミン）、アデカスタブＨＰ－１０（ＡＤＫＳＴＡＢ ＨＰ－１０：２，２'－メチレンビス（４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）オクチルホスファイト）、アデカスタブＰＥＰ３６（ＡＤＫＳＴＡＢ ＰＥＰ３６：ビス（２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト）、アデカスタブＰＥＰ３６Ａ（ＡＤＫＳＴＡＢ ＰＥＰ３６Ａ：ビス（２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト）、スミライザーＧＰ（ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＰ：（６－［３－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロポキシ］－２，４，８，１０－テトラ－ｔ－ブチルジベンズ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン）、及び、ＧＳＹ Ｐ１０１（テトラキス（２，４－ジ－ｔ－ブチル－５メチルフェニル）４，４'－ビフェニレンジホスホナイト）が挙げられる。これらは一種類単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物に用いるポリカーボネート樹脂は、上記したポリカーボネート樹脂と同様であり、好ましい態様も同様である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物におけるポリカーボネート樹脂の含有量は、本発明の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、樹脂組成物全体に対して、好ましくは、５０質量％以上１００質量％以下であり、より好ましくは、６０質量％以上１００質量％未満であり、更に好ましくは、６５質量％以上１００質量％未満である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物における酸化防止剤の含有量は、成形加工時の熱や剪断による劣化を一層防止する観点から、樹脂組成物全体に対して、好ましくは、０．００１質量％以上１質量％以下であり、より好ましくは、０．００３質量％以上１質量％以下であり、更に好ましくは、０．００５質量％以上１質量％以下である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂組成物は、本発明の課題の解決を阻害しない範囲で他の添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、特に限定されないが、例えば、１，２－シクロヘキセンカーボネート、１，２－シクロヘキサンジオール、トルエン、о－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、及び酢酸が挙げられる。

（光学部品）
本実施形態の光学部品は、上記のポリカーボネート樹脂又は上記のポリカーボネート樹脂組成物を含有する。

本実施形態の光学部品が含有する、上記のポリカーボネート樹脂又は上記のポリカーボネート樹脂組成物は、上述の通り、光弾性係数及び分子配向に伴う面内位相差が小さいため、本実施形態の光学部品は、応力複屈折と配向複屈折とを発現しにくい。したがって、本実施形態の光学部品は、使用時の複屈折を抑えることができる傾向にある。更に、本実施形態の光学部品が含有する、上記のポリカーボネート樹脂又は上記のポリカーボネート樹脂組成物は、上述の通り、優れた耐熱性を有するため、本実施形態の光学部品は、経年劣化を生じにくく、従来の光学部品に比べて長期間使用することができる。

本実施形態における光学部品としては、特に限定されないが、例えば、カメラ、望遠鏡、顕微鏡、プロジェクター、及び車載用レンズ等の光学レンズ、並びに拡散板、導光板、偏光板、及び位相差フィルム等の光学フィルムが挙げられる。本実施形態の光学部品は、その用途に適した形状を有するよう、上記のポリカーボネート樹脂又は上記のポリカーボネート樹脂組成物に対して適宜成形等の加工を施すことで得られる。

（ポリカーボネート樹脂の製造方法）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法は、下記式（３）で表される環状カーボネート（Ａ１）を開環重合することにより、ポリカーボネート樹脂を得る重合工程を有する。

式（３）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。

本実施形態において、式（３）中の好ましいＲ^１～Ｒ^４は式（１）中のものと同様である。また、式（３）中における、リン酸基、アミノ基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基の例示も式（１）中のものと同様である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法において、開環重合に用いる環状カーボネート（Ａ１）としては、１種類の環状カーボネートを単独で用いてもよいし、Ｒ^１～Ｒ^４が異なる任意の２種類以上の環状カーボネートを組み合わせて用いてもよい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法において、環状カーボネート（Ａ１）は、下記式（４）～（７）で表される環状カーボネート（Ｂ１）～（Ｂ４）を包含する。

式（４）～（７）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。

本実施形態において、式（４）～（７）中の好ましいＲ^１～Ｒ^４は式（１）中のものと同様である。また、式（４）～（７）中における、リン酸基、アミノ基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基の例示も式（１）中のものと同様である。

環状カーボネート（Ａ１）の合成方法としては、特に限定されないが、例えば、下記式（８）で表される対応するジオール（Ｃ１）と、ハロゲン化ギ酸エステル又は炭酸エステルとを反応させることによって得ることができる。ハロゲン化ギ酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、ブロモギ酸メチル、ブロモギ酸エチル、ヨードギ酸メチル、及びヨードギ酸エチルが挙げられる。炭酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸プロピル、炭酸イソプロピル、炭酸ブチル、炭酸イソブチル、及び炭酸ジフェニルが挙げられる。

式（８）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。

本実施形態において、式（８）中の好ましいＲ^１～Ｒ^４は式（１）中のものと同様である。また、式（８）中における、リン酸基、アミノ基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基の例示も式（１）中のものと同様である。

環状カーボネート（Ａ１）は、下記式（９）で表されるシクロヘキセンオキシド誘導体（Ｃ２）と二酸化炭素とを反応させることによっても得ることができる。

式（９）中、Ｒ^１～Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基（－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－基）を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。

本実施形態において、式（９）中の好ましいＲ^１～Ｒ^４は式（１）中のものと同様である。また、式（９）中における、リン酸基、アミノ基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、及び非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基の例示も式（１）中のものと同様である。

（重合開始剤）
環状カーボネート（Ａ１）を開環重合するための重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、酸触媒、塩基触媒、及び酵素触媒が挙げられる。塩基触媒としては、特に限定されないが、例えば、アルキル金属、金属アルコキシド、金属有機酸塩、ＨＯ基、ＨＳ基若しくはＨＮ基を有する有機化合物と塩基性物質との組合せが挙げられる。アルキル金属としては、特に限定されないが、例えば、メチルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、ｔｅｒｔ－ブチルリチウム、及びフェニルリチウムのような有機リチウム、メチルマグネシウムハライド、エチルマグネシウムハライド、プロピルマグネシウムハライド、フェニルマグネシウムハライド、トリメチルアルミニウム、及びトリエチルアルミニウムが挙げられる。その中でも、好ましくはメチルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、又はｓｅｃ－ブチルリチウムが用いられる。金属アルコキシド中の金属イオンとしては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属イオンが挙げられ、好ましくはアルカリ金属である。アルコキシドイオンとしては、特に限定されないが、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド、フェノキシド、及びベンジルオキシドが挙げられる。なお、フェノキシド、ベンジルオキシドについては、芳香環上に置換基を有していてもよい。金属有機酸塩中の有機酸イオンとしては、特に限定されないが、例えば、炭素数１～１０のカルボン酸イオンが挙げられる。金属有機酸塩中の金属としては、特に限定されないが、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、及びスズが挙げられる。ＨＯ基、ＨＳ基あるいはＨＮ基を有する有機化合物としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール、メタンチオール、エタンチオール等のチオール、メチルアミン、エチルアミン等の１級アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン等の２級アミンが挙げられる。塩基性物質としては、特に限定されないが、例えば、有機塩基が挙げられる。有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、環状モノアミン及び環状ジアミン（特に、アミジン骨格を有する環状ジアミン化合物）のような環状アミン、グアニジン骨格を有するトリアミン化合物、並びに窒素原子を含有する複素環式化合物が挙げられる。有機塩基としては、特に限定されないが、より具体的には、例えば、１，４－ジアザビシクロ－［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン（ＤＢＵ）、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン（ＤＢＮ）、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン（ＴＢＤ）、ジフェニルグアニジン（ＤＰＧ）、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン（ＤＭＡＰ）、イミダゾール、ピリミジン、及びプリンが挙げられる。これらの重合開始剤の中でも、重合工程において、有機リチウム、金属アルコキシド、又は、ＨＯ基、ＨＳ基若しくはＨＮ基を有する有機化合物と環状アミンとの組合せを重合開始剤として用いることが好ましい。本実施形態の効果をより有効かつ確実に奏する観点から、本実施形態の重合開始剤は、好ましくはアルキル金属又は金属アルコキシドであり、より好ましくはｔｅｒｔ－ブトキシドを含むアルカリ金属のアルコキシド又はｎ－ブチルリチウムである。

また、環状カーボネート（Ａ１）を開環重合するための重合開始剤として、ポリカプロラクトンジオール、及びポリテトラメチレングリコールのような、末端にアルコール残基を有するポリマーを用いてもよい。これにより、ジブロック、又はトリブロック共重合体を合成することが可能である。

（重合停止剤）
得られるポリカーボネート樹脂の平均分子量を制御する観点から、上記重合開始剤に加えて、重合停止剤を用いてもよい。重合停止剤としては、特に限定されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、リン酸、メタリン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、クエン酸、アスコルビン酸、グルコン酸、シュウ酸、酒石酸、メルドラム酸、及び安息香酸のような無機酸及び有機酸が挙げられる。

（添加剤）
得られるポリマーの分子量を制御する観点、及び末端構造を制御することで種々の特性を発現させる観点から、上記重合開始剤に加えて、添加剤を用いてもよい。添加剤としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、ノナノール、デカノール、ドデカノール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、ステアリルアルコール、５－ノルボルネン－２－メタノール、１－アダマンタノール、２－アダマンタノール、トリメチルシリルメタノール、フェノール、ベンジルアルコール、及びｐ－メチルベンジルアルコールのようなモノアルコール、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、ヘキサンジオール、ノナンジオール、テトラメチレングリコール、及びポリエチレングリコールのようなジアルコール、グリセロール、ソルビトール、キシリトール、リビトール、エリスリトール、及びトリエタノールアミンのような多価アルコール、並びに、乳酸メチル、及び乳酸エチルが挙げられる。また、上記の添加剤は一種類を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

（撹拌）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法は、前記重合工程において、反応物及び／又は生成物を撹拌することが好ましい。重合工程において撹拌がなされることにより、系内の均一性が向上し、かつ、成長鎖とモノマーとの接触頻度が向上するため、一層高分子量のポリカーボネート樹脂を製造することができる傾向にある。撹拌方法としては、特に限定されないが、例えば、メカニカルスターラーと撹拌翼とを用いた撹拌、及びマグネチックスターラーと回転子とを用いた撹拌が挙げられる。一層高分子量のポリカーボネート樹脂を製造することができる観点から、重合工程における撹拌は、撹拌翼を用いて行われることがより好ましい。

（反応温度）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法において、重合工程における反応温度は、本実施形態のポリカーボネート樹脂を製造することができる範囲内であれば特に限定されないが、好ましくは０℃以上１５０℃以下であり、より好ましくは０℃以上１３０℃以下であり、更に好ましくは０℃以上１２０℃以下である。重合工程における反応温度が上記範囲内にあることで、得られるポリカーボネート樹脂の重量平均分子量を５０，０００以上５００，０００以下の範囲に制御することが一層容易になる。

（溶媒）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法では、溶媒を用いてもよく、用いなくてもよい。溶媒としては、特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２－メチルテトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、及びプロピレングリコールノモノメチルエーテルアセテートのようなエーテル系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、及びトリクロロエタンのようなハロゲン系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、シクロヘキサン、及びメチルシクロヘキサンのような飽和炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、及びクレゾールのような芳香族炭化水素系溶媒、並びに、アセトン、２－ブタノン、２－ペンタノン、３－ペンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、及びメチルイソブチルケトンのようなケトン系溶媒が挙げられる。

重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上５００，０００以下、かつ、数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５以下であるポリカーボネート樹脂を得る場合、又は、アルコール不溶分を熱重量測定により窒素雰囲気下で加熱したときの１５０～２６０℃における重量減少率は３０質量％以下であるポリカーボネート樹脂を得る場合、製造方法については、以下の条件が好ましい。

本実施形態の重合開始剤は、好ましくはアルキル金属又は金属アルコキシドであり、より好ましくはｔｅｒｔ－ブトキシドを含むアルカリ金属のアルコキシド又はｎ－ブチルリチウムである。重合開始剤として用いるアルカリ金属のアルコキシド又はｎ－ブチルリチウムとしては、単量体、二量体、三量体、四量体等、いずれの会合状態のものを用いてもよい。

（反応温度）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法において、重合工程における反応温度（重合温度）は、－５℃超４０℃以下であることが好ましい。重合工程における反応温度が上記範囲内にあることで、得られるポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を１００，０００以上５００，０００以下の範囲に制御すること、及び重量平均分子量と数平均分子量の比（Ｍｗ／Ｍｎ）を２．５以下に制御することが一層容易になる。同様の観点から、反応温度は、好ましくは０℃以上４０℃以下であり、より好ましくは０℃以上３５℃以下であり、更に好ましくは０℃以上３０℃以下である。

（初期モノマー濃度）
本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法の重合工程において、重合性モノマーの初期濃度（初期モノマー濃度）は１０質量％以上であることが好ましい。重合性モノマーの初期濃度が上記範囲内にあることで、得られるポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を１００，０００以上５００，０００以下の範囲に制御することが一層容易になる。同様の観点から、初期モノマー濃度は、好ましくは１５質量％以上であり、より好ましくは１８質量％以上であり、更に好ましくは２０質量％以上である。初期モノマー濃度の上限は、特に限定されないが、例えば、１００％である。

本実施形態のポリカーボネート樹脂の製造方法の重合工程における、重合開始剤の使用量は、ポリカーボネート樹脂の目標とする分子量に応じて適宜調整すればよい。ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を５０，０００以上５００，０００以下の範囲に制御する観点から、重合開始剤の使用量は、開環重合性モノマーである環状カーボネート（Ａ１）に対する物質量換算で、好ましくは、０．０００１ｍоｌ％以上５ｍоｌ％以下であり、より好ましくは、０．０００２ｍоｌ％以上１ｍоｌ％以下であり、更に好ましくは、０．０００２ｍоｌ％以上０．５ｍоｌ％以下である。また、上記の重合開始剤は一種類を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態のポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれらを含む光学用成形体は、優れた耐熱性及び耐光性を有し、かつ、低複屈折性等の優れた光学特性を有するため、光学レンズ材料、光学デバイス、光学部品用材料、及びディスプレイ材料のような各種の光学用材料として好適に用いることができる。本実施形態のポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれらを含む光学用成形体は、低複屈折性等の優れた光学特性を有するため、特に、スマートフォン用カメラレンズのような低複屈折が要求される光学部材に好適に用いることができる。また、優れた耐熱性及び耐光性を有するため、光学部材の寿命を延長することができる。

［環状カーボネート、及びその製造方法］
上述の背景技術に記載した通り、再生可能資源からなる環状カーボネートの例は報告されているものの、架橋剤やモノマー、添加剤としてより効果が期待され、合成中間体としての分子設計の幅が広がる多官能性の環状カーボネートの例は報告されていない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より環境負荷の低い、再生可能資源からなる新規な多官能性の環状カーボネートを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、再生可能資源からなるイノシトール骨格を有する新規な多官能性の環状カーボネートの合成に成功した。

（環状カーボネート）
本実施形態の環状カーボネートは、多官能性の環状カーボネートであり、分子中に少なくとも２つのカーボネート基を含み、イノシトール骨格を有し、下記式（１１）で表される化合物である。

上記式（１１）中、Ｒ_１１～Ｒ_１６は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。

本実施形態の環状カーボネートは、このような構造を有することにより、再生可能資源の含有率が高く、環境負荷を低くすることができる。更に、本実施形態の環状カーボネートは、多官能性であることにより、合成中間体や、エポキシ等の樹脂添加剤、開環重合によるポリカーボネート用のモノマーとして利用することができる。

本実施形態において、イノシトール骨格とは、１，２，３，４，５，６－ヘキサヒドロキシシクロヘキサン（慣用名：イノシトール）に由来する下記式（i）で表される骨格をいう。

本実施形態に用いるイノシトールとしては、上記式（１１）の構造を形成可能であれば特に限定されないが、例えば、ａｌｌｏ－イノシトール、ｃｈｉｒｏ－イノシトール、ｃｉｓ－イノシトール、ｅｐｉ－イノシトール、ｍｙｏ－イノシトール、ｍｕｃｏ－イノシトール、ｎｅｏ－イノシトール、ｓｃｙｌｌｏ－イノシトールが挙げられ、入手容易性の観点からｍｙｏ－イノシトールが好ましい。

本実施形態のイノシトール骨格を有する環状カーボネートの合成には、前記イノシトールを原料として用いてもよいし、イノシトールのメチルエステル若しくはフィチン酸等のリン酸エステル等、イノシトール誘導体を原料に用いてもよい。このようなイノシトール誘導体としては、上記式（１１）の構造を形成可能であれば特に限定されないが、例えば、ボルネシトール、ピニトール、オノニトール、ピンポリトール、クエブランチトール（ケブラキトール）が挙げられる。

次に、本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基Ｒ_１１～Ｒ_１６について説明する。

前記式（１１）中、Ｒ_１１～Ｒ_１６は各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。

Ｒ_１１～Ｒ_１６の炭素数１～２０のアルキル基（以下順に「Ｃ１アルキル～Ｃ２０アルキル」とも記す）は、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１（ｎ＝１～２０）で表される直鎖状、分岐状の炭化水素基を表し、好ましくは炭素数１～１５のアルキル基、より好ましくは炭素数１～８のアルキル基である。

Ｃ１アルキル～Ｃ２０アルキルの具体例としては、例えば、Ｃ１アルキルとしてはメチル基、Ｃ２アルキルとしてはエチル基、Ｃ３アルキルとしてはｎ－プロピル基、２－プロピル基、Ｃ４アルキルとしてはｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、Ｃ５アルキルとしてはｎ－ペンチル基、１－エチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、２，２－ジメチルプロピル基、１，１－ジメチルプロピル基、Ｃ６アルキルとしては、ｎ－へキシル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、３－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、２，２－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、１，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、Ｃ７アルキルとしては、ｎ－ヘプチル基、１－メチルへキシル基、２－メチルへキシル基、３－メチルへキシル基、４－メチルへキシル基、５－メチルへキシル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、１，１－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、４，４－ジメチルペンチル基、１，２－ジメチルペンチル基、１，３－ジメチルペンチル基、１，４－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，４－ジメチルペンチル基、２－メチル－３，３－ジメチルブチル基、１－メチル―３，３－ジメチルブチル基、１，２，３－トリメチルブチル基、１，３－ジメチル－２－ペンチル基、２－イソプロピルブチル基、Ｃ８アルキルとしては、ｎ－オクチル基、２－オクチル基、３－オクチル基、４－オクチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、６－メチルヘプチル基、２－エチルへキシル基、３－エチルへキシル基、４－エチルへキシル基、５－エチルへキシル基、１，１－ジメチルへキシル基、２，２－ジメチルへキシル基、３，３－ジメチルへキシル基、４，４－ジメチルへキシル基、５，５－ジメチルへキシル基、１，２－ジメチルへキシル基、１，３－ジメチルへキシル基、１，４－ジメチルへキシル基、１，５－ジメチルへキシル基、２，３－ジメチルへキシル基、２，４－ジメチルへキシル基、２，５－ジメチルへキシル基、１，１－エチルメチルペンチル基、２，２－エチルメチルペンチル基、３，３－エチルメチルペンチル基、４，４－エチルメチルペンチル基、１－エチル－２－メチルペンチル基、１－エチル－３－メチルペンチル基、１－エチル－４－メチルペンチル基、２－エチル－１－メチルペンチル基、３－エチル―１－メチルペンチル基、４－エチル－１－メチルペンチル基、２－エチル－３－メチルペンチル基、２－エチル－４－メチルペンチル基、３－エチル－２－メチルペンチル基、４－エチル－３－メチルペンチル基、３－エチル－４－メチルペンチル基、４－エチル－３－メチルペンチル基、１－（２－メチルプロピル）ブチル基、１－（２－メチルプロピル）－２－メチルブチル基、１，１－（２－メチルプロピル）エチル基、１，１－（２－メチルプロピル）エチルプロピル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジエチルプロピル基、１，１－エチルメチル－２，２－ジメチルプロピル基、２，２－エチルメチル－１，１－ジメチルプロピル基、２－エチル－１，１－ジメチルブチル基、Ｃ９アルキルとしてはノニル基、イソノニル基、Ｃ１０アルキルとしてはデシル基、イソデシル基、Ｃ１１アルキルとしてはウンデシル基、Ｃ１２アルキルとしてはドデシル基、Ｃ１３アルキルとしてはトリデシル基、Ｃ１４アルキルとしてはテトラデシル基、Ｃ１５アルキルとしてはペンタデシル基、Ｃ１６アルキルとしてはヘキサデシル基、Ｃ１７アルキルとしてはヘプタデシル基、Ｃ１８アルキルとしてはオクタデシル基、Ｃ１９アルキルとしてはノナデシル基、Ｃ２０アルキルとしてはイコシル基等が挙げられるが、これに限定されない。

また、本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基Ｒ_１１～Ｒ_１６のアルキル基は置換アルキル基であってもよい。

置換アルキル基の具体例としては、例えば、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、１－シクロペンチルエチル基、２－シクロペンチルエチル基、１－シクロヘキシルエチル基、２－シクロヘキシルエチル基等のシクロアルキル置換アルキル基；ベンジル基、フェネチル基、ジベンジルメチル基、メチルフェニルメチル基、ナフチルブチル基等のアリール置換アルキル基；トリフルオロメチル、クロロメチル、ブロモメチル等のハロアルキル基が挙げられるが、これに限定されない。

また、本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基Ｒ_１１～Ｒ_１６は、炭素数２～２０のアルケニル基（以下順に「Ｃ２アルケニル～Ｃ２０アルケニル」とも記す）であってもよい。Ｃ２～Ｃ２０アルケニルは、前記アルキル基の一部が不飽和結合で表される直鎖状、分岐状の炭化水素基を表す。Ｃ２～Ｃ２０アルケニルの具体例としては、例えば、Ｃ２アルケニルとしてはビニル基、Ｃ３アルケニルとしては１－プロペニル基、アリル基、Ｃ４アルケニルとしては２－ブテニル基、３－ブテニル基、Ｃ５アルケニルとしては４－ペンテニル基、Ｃ６アルケニルとしては、５－へキセニル基、Ｃ７アルケニルとしては、６－ヘプテニル基、Ｃ８アルケニルとしては、７－オクテニル基、Ｃ９アルケニルとしては８－ノネニル基、Ｃ１０アルケニルとしては９－デセニル基、Ｃ１１アルケニルとしては１０－ウンデセニル、Ｃ１２アルケニルとしては１１－ドデセニル基、Ｃ１３アルケニルとしては１２－トリデセニル基、Ｃ１４アルケニルとしては１４－テトラデセニル基、Ｃ１５アルケニルとしては１４－ペンタデセニル基、Ｃ１６アルケニルとしては１５－ヘキサデセニル基、Ｃ１７アルケニルとしては１６－ヘプタデセニル基、Ｃ１８アルケニルとしては１７－オクタデセニル基、Ｃ１９アルケニルとしては１８－ノナデセニル基、Ｃ２０アルケニルとしては１９－イコセニル基等が挙げられるが、これに限定されない。

また、本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基Ｒ_１１～Ｒ_１６は、炭素数３～２０のシクロアルキル基でよい。炭素数３～２０のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基等の非置換のシクロアルキル基；２－エチルシクロペンチル基、３－エチルシクロペンチル基、２，３－ジメチルシクロペンチル基、２，４－ジメチルシクロペンチル基等の置換シクロペンチル基；及び１－メチルシクロへキシル基、２－メチルシクロヘキシル基、３－メチルシクロヘキシル基、４－メチルシクロヘキシル基、２，３－ジメチルシクロヘキシル基、２，３－ジメチルシクロヘキシル基、２，５－ジメチルシクロヘキシル基、２，６－ジメチルシクロヘキシル基、３，５－ジメチルシクロヘキシル基、２－エチルシクロヘキシル基、３－エチルシクロヘキシル基、４－エチルシクロヘキシル基等の置換シクロへキシル基が挙げられるが、これに限定されない。

本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基Ｒ_１１～Ｒ_１６は、炭素数６～２０のアリール基であってもよい。炭素数６～２０のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、クメニル基、ビフェニル基、ナフチル基が挙げられるが、これに限定されない。

本実施形態の環状カーボネートにおける前記式（１１）中の置換基ＯＲ_１１～ＯＲ_１６は、いずれか２つ以上が相互に結合してカーボネート基以外の環構造を形成していてもよい。この結合形態としては、特に限定されないが、例えば、アセタール、エステル、アミド、イミド、エーテル（オキシド）、酸無水物が挙げられる。本実施形態の環状カーボネートは、前記式（１１）中のＯＲ_１１～ＯＲ_１６のいずれか２つがカーボネート結合で連結した、分子中に少なくとも２つのカーボネート基を有する環状カーボネートであり、より好ましくは、前記式（１１）中のＯＲ_１２とＯＲ_１３と、並びにＯＲ_１５とＯＲ_１６とがカーボネート結合で連結したジ－О－置換－ジカーボネート－イノシトールである。

本実施形態の環状カーボネートにおいて、例えば、下記式（１１）'中のシクロヘキサン部分とカーボネート基との結合部分（下記式（１１）'における矢印で示した結合部分）は、ｃｉｓ型、ｔｒａｎｓ型いずれでもよいが、好ましくはｔｒａｎｓ型である。

本実施形態において、当該結合部分がｃｉｓ型となっているカーボネート基を「ｃｉｓカーボネート基」といい、当該結合部分がｔｒａｎｓ型となっているカーボネート基を「ｔｒａｎｓカーボネート基」という。

本実施形態の環状カーボネートは、分子中に２つのカーボネート基を有し、そのうち少なくとも１つのカーボネート基がｔｒａｎｓ型（ｔｒａｎｓカーボネート基）であることがより反応性の高いカーボネート基を持つ点で好ましく、少なくともｃｉｓ型、ｔｒａｎｓ型カーボネート構造を１つずつ持つことが、反応性の異なる２種類のカーボネート基を使い分けられる点でより好ましい。ｔｒａｎｓカーボネート基を有する環状カーボネートとしては、例えば、テトラ－О－置換－ｔｒａｎｓ－カーボネートイノシトールが挙げられる。

本実施形態の環状カーボネートは、分子中に２つのカーボネート基を有し、少なくとも１つのカーボネート基がｔｒａｎｓカーボネート基であり、下記式（１２）で表される環状カーボネートであることが好ましい。

（式（１２）中、Ｒ_１１及びＲ_１４は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基である。）

なお、式（１２）中、シクロヘキサン部分とカーボネート基との２つの結合部分のうち一方が点線で他方が太い実線の場合はｔｒａｎｓ型を表し、両方が普通の実線の場合は、ｃｉｓ型及びｔｒａｎｓ型のいずれもとり得ることを表す。また、式（１２）の太線と破線で示すカーボネート基は、（１Ｓ，２Ｓ）－ｔｒａｎｓ構造を示しているが、特に指定のない限り、当該化合物は（１Ｓ，２Ｓ）－ｔｒａｎｓ体及びその鏡像異性体である（１Ｒ，２Ｒ）－ｔｒａｎｓ体を任意の比率で含む化合物を表し、場合によりこれら（１Ｓ，２Ｓ）－ｔｒａｎｓ体及び（１Ｒ，２Ｒ）－ｔｒａｎｓ体を等量含むラセミ構造でありうる。以下、特に指定のない限り、カーボネート基を含む化合物の図はこれに従う。

本実施形態の環状カーボネートの好ましい一形態としては、ｃｉｓカーボネート基及びｔｒａｎｓカーボネート基の２つのカーボネート基を有し、下記式（１３）'で表される環状カーボネートであり、より好ましくは、下記式（１３）で表される環状カーボネートである。このような構造を有する環状カーボネートは、添加剤やモノマーとして利用する際に、それぞれの反応性を区別して使い分けることが期待できる。

（式（１３）'及び（１３）中、Ｒ_１１及びＲ_１４は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０アリール基である。）

なお、式（１３）'及び（１３）中、シクロヘキサン部分とカーボネート基との２つの結合部分が両方とも点線の場合はｃｉｓ型を表し、一方が点線で他方が太い実線の場合はｔｒａｎｓ型を表し、式（１３）中、シクロヘキサン部分とＲ_１１Ｏ及びＲ_１４Ｏとの結合部分の点線及び太い実線は、他の点線及び太い実線と同じ結合方向であることを表す。

（環状カーボネートの製造方法）
本実施形態の環状カーボネートの製造方法は、イノシトール骨格を有する化合物に少なくとも２つのカーボネート基を導入して、上記式（１１）で表される環状カーボネートを得ることができれば特に限定されず種々の方法を用いることができる。例えば、ジオールとホスゲンとを反応させる手法や、オキシドとＣＯ_２とを触媒下で反応させる手法等が利用されうる。また、Ｃａｒｂｏｈｙｄｒａｔｅ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ２７７ （１９９５） Ｃ５－Ｃ７や、特開２０１９－１２７４４１号公報、特開２０１９－１２７４４２号公報に示される通り、ジオールを有機塩基存在下又は金属酸化物触媒存在下でカーボネート化合物と反応させる手法、あるいはＰｏｌｙｍｅｒ ｊｏｕｒｎａｌ （２０１３）４５，１１８３－１１８７に示す通り、ジオールとクロロギ酸エステルとを用いて反応させる手法が挙げられるが、これに限定されない。定量的に反応させることができ、また有害な原料を用いないという点から、カーボネート化合物と反応させる手法、又は、クロロギ酸エステルを反応させる手法が好ましく、ハロゲンを含む副生物を混入しがたいという点からカーボネート化合物を反応させる手法がより好ましい。

原料としては、イノシトールやイノシトール誘導体等のイノシトール骨格を有する化合物を用いることができる。

イノシトール骨格を有する化合物にカーボネート基を１つあるいは複数導入するにあたり、カーボネート基を導入する２つの水酸基以外の水酸基は、適宜保護、脱保護を行うことができる。保護基としては、トリメチルシリル（ＴＭＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、ｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基に挙げられるシリル基；アセチル（Ａｃ）基、ベンゾイル（Ｂｚ）基、ピバロイル（Ｐｉｖ）基に挙げられるアシル基；アセタール基、チオアセタール基、メトキシメチル（ＭＯＭ）基、エトキシメチル（ＭＥＭ）基トリチル（Ｔｒ）基、ベンジル基、アリル基、スルホニル基などが挙げられるが、これに限定されない。

これら保護基は酸性条件や塩基性条件における加水分解など、保護基に応じた手法で脱保護することができる。

カーボネート基を導入する具体的な方法としては、特に限定されないが、上記に挙げたイノシトール骨格を有する化合物の隣接する水酸基にクロロギ酸エステルを反応させる方法（例えば、１，４－ジオキサン等の有機溶媒にイノシトール骨格を有する化合物を溶解させ、塩基触媒存在下でクロロギ酸エステルを反応させる方法）、及び他のカーボネート化合物を反応させる手法（例えば、イノシトール骨格を有する化合物に、触媒存在下でアルキルカーボネートを反応させる方法）が挙げられる。

クロロギ酸エステルを用いる環状カーボネートの合成方法において、クロロギ酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、クロロギ酸ビニル、クロロギ酸アリル、クロロギ酸フェニルなどが挙げられ、好ましくはクロロギ酸メチル及びクロロギ酸エチル、より好ましくはクロロギ酸エチルである。

クロロギ酸エステルの添加量は、カーボネート基を導入するイノシトール化合物の２つの水酸基あたり１当量以上が好ましく、より好ましくは１～２当量であり、特に好ましくは１．２～１．７当量である。

反応は無溶媒で行っても有機溶媒存在下で行ってもよいが、有機溶媒存在下で行うことが好ましい。有機溶媒存在下で行う反応で用いられる有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、脂肪族系炭化水素、ハロゲン化炭化水素、芳香族系炭化水素、ハロゲン化芳香族系炭化水素、エーテルが挙げられ、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素；塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等のエーテル；が好ましい。溶媒の量としては、イノシトール化合物１ｇあたり１ｍｌ以上が好ましく、より好ましくは２～５０ｍｌであり、更に好ましくは２～１０ｍｌである。

クロロギ酸エステルを用いる環状カーボネートの合成方法において、用いる塩基触媒としては、無機塩基及び有機塩基のいずれであってもよく、これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。使用される無機塩基としては、特に限定されないが、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カルシウム、及び酸化カルシウムが挙げられる。また、有機塩基としては、特に限定されないが、例えば、脂肪族３級アミン、無置換又は置換されたイミダゾール、ピリジン、ピリミジンが挙げられ、特にトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン類が挙げられ、好ましくは、トリエチルアミンなどのトリアルキルアミン類であり、より好ましくはトリエチルアミンである。

塩基触媒の使用量はイノシトール化合物１モルに対して、好ましくは０．８～５モルであり、より好ましくは１～３モルであり、特に１～１．５モルであることが、副生物の生成が抑さえられ更に好ましい。

クロロギ酸エステルを用いる環状カーボネートの合成方法において、反応温度としては、－３０～５０℃が好ましく、より好ましくは０～１０℃である。反応圧力としては、大気圧が好ましく、反応時間としては、１～２４時間が好ましく、より好ましくは６～１２時間である。反応は、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気など不活性ガス雰囲気で行うが好ましい。

反応は、回分式、半回分式、連続式等の慣用の方法により行うことができる。反応終了後、反応生成物であるイノシトール骨格を有する環状カーボネートは、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、イオン交換、シリカゲルカラム等の手段により分離及び精製できる。

また、アルキルカーボネートを用いる環状カーボネートの合成方法において、使用されるアルキルカーボネートとしては、特に限定されないが、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジフェニルカーボネートに挙げられる鎖状のジアルキルカーボネート；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、トリメチレンカーボネートに挙げられる環状カーボネート；が挙げられるが、好ましくは鎖状のジアルキルカーボネートであり、より好ましくはジフェニルカーボネートである。

アルキルカーボネートを用いる環状カーボネートの合成方法において、使用される触媒は、特に限定されないが、例えば、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化ランタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化ケイ素、酸化銅、酸化銀に挙げられる金属酸化物；トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、４－エチルモルホリン、ピコリン、ピリジン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン、ジアザビシクロウンデセン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、モルホリン、ピリミジン、イミダゾール、アニリン等に挙げられる有機塩基であり、好ましくは金属酸化物であり、より好ましくは酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化バリウムに挙げられる酸化アルカリ土類金属であり、更に好ましくは酸化カルシウムである。

アルキルカーボネートを用いる環状カーボネートの合成法におけるイノシトール骨格を有する環状カーボネートの製造工程においては、触媒の使用量は、例えば、原料のイノシトール１グラムに対して、０．０５グラム～１．０グラムが好ましく、より好ましくは０．０５グラム～０．８グラム、更に好ましくは０．１グラム～０．５グラムである。

アルキルカーボネートの使用量は、原料のイノシトールの、カーボネート基を導入する２つの水酸基あたり、例えば、０．５当量～１０当量が好ましく、より好ましくは１．０当量～４．０当量、更に好ましくは１．１当量～２．０当量である。反応温度としては、例えば３０℃～２５０℃が好ましく、より好ましくは３０℃～１８０℃、更に好ましくは９０℃～１８０℃である。反応圧力としては、大気圧が好ましく、反応時間としては、１～２４時間が好ましく、より好ましくは１～６時間である。反応は、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気など不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

反応は、回分式、半回分式、連続式等の慣用の方法により行うことができる。反応終了後、反応生成物であるイノシトール骨格を有する環状カーボネートは、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離及び精製できる。

本実施形態において、環状カーボネートは当業者に周知の技術によって定量できる。例えば、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１３Ｃ－ＮＭＲ、高速液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等による方法が挙げられる。

本発明を実施例及び比較例を用いて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例等により何ら限定されるものではない。

〔ポリカーボネート樹脂〕
本明細書において、ポリカーボネート樹脂の物性の測定は以下のように行った。

（^１Ｈ－ＮＭＲ測定）
日本電子株式会社製ＮＭＲ装置（製品名：ＥＣＺ４００Ｓ）、及びＴＦＨプローブを用いて、以下のようにＮＭＲ測定をすることで、ポリカーボネート樹脂の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを得た。なお、重溶媒の基準ピークは、クロロホルム－ｄを用いた場合は７．２６ｐｐｍ、ジメチルスルホキシド－ｄ６を用いた場合は２．５０ｐｐｍであるとし、積算回数は３２回として測定を行った。

（ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合の測定）
ポリカーボネート樹脂０．１ｇに対して、クロロホルム－ｄを１ｇの割合で加えた溶液を測定試料とし、日本電子株式会社製ＮＭＲ装置（製品名：ＥＣＺ４００Ｓ）、及びＴＦＨプローブを用いて、下記のように^１３Ｃ－ＮＭＲ測定を行った。この^１３Ｃ－ＮＭＲにより測定される、モノマー周期構造がメソでありイソタクチックな部分を示すｍｍ、周期構造がラセモ結合でありシンジオタクチックな部分を示すｒｒ、メソ部分とラセモ部分が結合している部分を示すｍｒとした。なお、重溶媒の基準ピークは７７．０ｐｐｍとし、積算回数は４０００回として測定を行った。
得られた^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルの２１～２４ｐｐｍに観測されるピークについて、最も低磁場側のｍｍピーク左端を２３．５ｐｐｍ、最も高磁場側のｒｒピーク右端を２１．７ｐｐｍとした積分ベースラインを引いた。続いて、ｍｍとｍｒ（２２．０ｐｐｍ付近）、ｍｒとｒｒ（２２．５ｐｐｍ付近）の間の谷でピークを切断した。このとき、最も高磁場側のｍｍのピークの積分強度比を１としたときのｍｒ及びｒｒの積分強度比をｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）に代入し、ランダム性を算出した。

（分子量の測定（１））
ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」とも記す）を標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィーにより測定される重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を以下のとおり測定した。
ポリカーボネート樹脂０．０２ｇに対して、テトラヒドロフランを２．０ｇの割合で加えた溶液を測定試料とし、ＨＰＬＣ装置（Ｗａｔｅｒｓ社製、製品名「Ａｌｌｉａｎｃｅ ｅ２６９５」）を用いて、ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量を測定した。カラムとして、東ソー株式会社製のＴＳＫガードカラムＳｕｐｅｒＨ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００、及びＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ１０００（いずれも東ソー株式会社製製品名）を直列に連結して用いた。カラム温度は４０℃とし、テトラヒドロフランを移動相として、０．３５ｍＬ／分の速度で分析した。検出器としては、ＲＩディテクターを用いた。Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ製のポリメタクリル酸メチル標準試料（分子量：２２０００００、９８８０００、６０８０００、３４００００、２０２０００、８８５００、４１４００、１８７００、９６８０、５０５０、２３８０、８００）を標準試料として、検量線を作成した。このようにして作成した検量線を基に、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。

（分子量の測定（２））
サイズ排除クロマトグラフィーによって測定されるポリスチレン（以下「ＰＳ」とも記す）換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を以下のとおり測定した。
ポリカーボネート樹脂０．０２ｇに対して、テトラヒドロフランを２．０ｇの割合で加えた溶液を測定試料とし、高速ＧＰＣ装置（東ソー株式会社製、製品名「ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ」）を用い、カラムとして、東ソー株式会社製のＴＳＫガードカラムＳｕｐｅｒＨ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００、及びＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ１０００（いずれも東ソー株式会社製製品名）を直列に連結して用いた。カラム温度は４０℃とし、テトラヒドロフランを移動相として、０．６０ｍＬ／分の速度で分析した。検出器としては、ＲＩディテクターを用いた。Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ製のポリスチレン標準試料（分子量：２５２００００、１２４００００、５５２０００、２７７０００、１３００００、６６０００、３４８００、１９７００、８６８０、３４７０、１３０６、３７０）を標準試料として、検量線を作成した。このようにして作成した検量線を基に、ポリカーボネート樹脂のポリスチレン換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。

（熱重量測定）
後述の実施例及び比較例にて得られたポリカーボネート樹脂のメタノール不溶分約１０ｍｇを測定試料とし、示差熱・熱重量同時測定装置（島津製作所製、製品名「ＤＴＧ－６０Ａ」）を用いて、窒素雰囲気下、１０℃／分で４０℃から４００℃まで昇温し、ポリカーボネート樹脂の熱重量測定を行った。得られた結果から、１５０～２６０℃における重量減少率（質量％）を算出した。

（低分子量成分の分画と構造解析）
ポリカーボネート樹脂を、３０ｍｇ／ｍＬのクロロホルム溶液とし、分取ＧＰＣ装置（日本分析工業社製、製品名「ＬＣ－９０８」）を用いて、分画した。カラムとして、ＪＡＬＧＥＬ３Ｈ（日本分析工業社製）を使用し、クロロホルムを移動相として、３．３３ｍＬ／分の速度で分析した。分画したフラクションを、４ｍｇ／ｍＬ～１０ｍｇ／ｍＬの範囲で調整し、ｔｒａｎｓ－２－［３－（４－ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－２－ｍｅｔｈｙｌ－２－ｐｒｏｐｅｎｙｌｉｄｅｎｅ］ｍａｌｏｎｏｎｉｔｒｉｌｅ（ＤＣＴＢ）を１０ｍｇ／ｍＬ、トリフルオロ酢酸ナトリウム（ＮａＴＦＡ）を１ｍｇ／ｍＬにテトラヒドロフランを用いて調製した後、各溶液を１：１：１で混合し測定用プレートに滴下、風乾した試料をＭＡＬＤＩ－ＴＯＦＭＳ分析装置（Ｂｒｕｋｅｒ社製、製品名「ＵｌｔｒａｆｌｅＸｔｒｅｍｅ」）を用いて分析した。質量値の補正はそれぞれＴＨＦに溶解させたポリエチレングリコール（１ｍｇ／ｍＬ）：ＤＣＴＢ（１０ｍｇ／ｍＬ）：ＮａＴＦＡ（１０ｍｇ／ｍＬ）＝１：１：１の試料を用いて行い、構造推定できた成分が存在した場合には、その成分を用いて再度質量値の校正を行った。

（ガラス転移温度の測定）
真空乾燥したポリカーボネート樹脂を、室温、２００ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で圧縮成形した。圧縮成形した上記ポリカーボネート樹脂から１０ｍｇを切り出し、試験片として用いた。パーキンエルマージャパン株式会社製の示差走査熱量測定装置（製品名「ＤＳＣ８５００」）を用い、窒素ガス流量２０ｍＬ／分の条件下、測定を行った。より詳細には、例えば、実施例Ａ２の試料については、４０℃で３分間保持した後、２０℃／分で４０℃から１６０℃まで１次昇温し、試料を完全に融解させた。その後、５０℃／分で１６０℃から４０℃まで降温し、４０℃で５分間保持した。続いて、１０℃／分で４０℃から１５０℃まで２次昇温する際に描かれるＤＳＣ曲線の階段状変化部分曲線と各接線の延長線から縦軸方向に等距離にある直線とのとの交点（中間点ガラス転移温度）をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。その他の実施例及び比較例の試料についても、同様にしてガラス転移温度を測定した。

（未延伸試料及び延伸試料の作製）
まず、真空圧縮成形機を用いて、ポリカーボネート樹脂の未延伸試料を作製した。具体的には、下記のようにして作製した。ポリカーボネート樹脂を２５～１５０μｍ厚のポリイミド製枠内に入れ、２枚のポリイミドフィルムと２枚のアルミ板及び２枚の鉄板で挟むことで、積層体を得た。このとき、積層体の積層順が、鉄板、アルミ板、ポリイミドフィルム、ポリイミド製枠、ポリイミドフィルム、アルミ板、鉄板のようになるように積層した。上記の積層体を真空圧縮成形機（神藤金属工業所製、ＳＦＶ－３０型）にセットし、表１に記載の所定の温度において、減圧下（１０ｋＰａ）で５分間予熱した後、減圧条件を保持したまま、上記所定の温度において、プレス圧１０ＭＰａの条件で１０分間圧縮した。減圧及びプレス圧を解除した後、上記圧縮した積層体を冷却用圧縮成形機（株式会社神藤金属工業所製、ＡＹＳ－１０型）に移して冷却固化させることにより、厚さ２０～２５０μｍのプレスフィルムを得た。得られたプレスフィルムを、２３℃、湿度５０％の恒温恒湿室内で２４時間養生することにより、未延伸試料を得た。

次に、上記未延伸試料を幅３０ｍｍ、長さ５０ｍｍに切り出し、引張試験冶具に設置した。恒温槽（製品名「ＴＣＲ１Ｗ－２００Ｔ」）を接続した島津製作所製の試験機（製品名「オートグラフＡＧ－５ｋＮＸＰｌｕｓ」）に、上記引張試験冶具をセットし、下記の条件で一軸フリー延伸をした。延伸条件は、チャック間距離を３０ｍｍ、延伸温度をＴｇ＋２０℃、延伸速度を５００ｍｍ／分、延伸倍率を１００％及び３００％とした。一軸フリー延伸後、直ちに試料を室温下に取り出して冷却した後、２３℃、湿度５０％の恒温恒湿室内にて２４時間養生することにより、厚さ１０～５００μｍの延伸フィルムを得た。上記手順により得られる延伸フィルムを数点作製した。その後、各フィルムの厚さを、シックネスゲージ（株式会社ミツトヨ製、「デジマチック シックネスゲージ」）を用いて測定した。

（ヘイズの測定）
上記３００％一軸延伸フィルムを用いて、以下のようにしてヘイズを測定した。ヘイズは日本電色工業製濁度計（製品名「ＮＤＨ５０００Ｗ」）を用い、ブランク測定を行った後、上記３００％一軸延伸フィルムのヘイズを測定した。なお、各試料のヘイズは同一試験片について測定位置を３回変えて測定し、３回の平均値を記載した。

（面内位相差及び配向複屈折率の測定）
上記１００％一軸延伸フィルムを用いて、以下のようにして面内位相差及び配向複屈折率を測定した。まず、各延伸フィルムについて、王子計測機器製位相差測定装置（製品名「ＫＯＢＲＡ－ＷＲ」）を用いて、波長５８７ｎｍにおける面内位相差の絶対値を測定した。その後、得られた面内位相差の絶対値及び各延伸フィルムの厚さを用いて、配向複屈折率を算出した。得られた配向複屈折率を用いて、厚さ１００μｍ換算の面内位相差の絶対値を算出した。なお、配向複屈折率、面内位相差の絶対値、厚さ１００μｍ換算の面内位相差の絶対値、及び延伸フィルムの厚さは、以下の式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たす。
Δｎ＝ｎｘ－ｎｙ （Ａ）
Ｒｅ＝Δｎ×ｄ （Ｂ）
Ｒｅ_１００（ｎｍ）＝Δｎ×１．０×１０^５ （Ｃ）
（Δｎ：配向複屈折率、ｎｘ：伸張方向の屈折率、ｎｙ：試料面内で伸張方向と垂直な方向の屈折率、Ｒｅ：面内位相差の絶対値、Ｒｅ_１００：厚さ１００μｍ換算の面内位相差の絶対値、ｄ：延伸フィルムの厚さ）

（光弾性係数の測定）
上記「未延伸試料及び延伸試料の作製」で得た未延伸試料を幅６ｍｍ、長さ３０ｍｍに切り出したものを試料として用いて、以下のようにして光弾性係数を測定した。なお、測定方法の詳細は、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ １９９９， ３９，２３４９－２３５７を参照した。具体的には、以下のとおりである。上記の試料を、２３℃、湿度５０％の恒温恒湿室に設置したフィルム引張り装置（井元製作所製）に、チャック間が２０ｍｍになるように配置した。次いで、複屈折測定装置（大塚電子製、製品名「ＲＥＴＳ－１００」）の光経路が上記試料の中心部に位置するように、上記複屈折測定装置を配置した。チャック間を２０ｍｍ、チャック移動速度を０．１ｍｍ／分として、伸張応力をかけながら、波長５５０ｎｍで試験片の複屈折率を測定した。測定された複屈折率と伸張応力との関係から、最小二乗法を用いて、光弾性係数（Ｐａ^－１）を計算した。計算には、伸張応力σが２．５ＭＰａ≦σ≦１０ＭＰａであるデータを用いた。なお、複屈折率、伸張応力、及び光弾性係数は、以下の式（Ｄ）及び（Ｅ）を満たす。
Δｎ＝ｎｘ－ｎｙ （Ｄ）
Ｃ＝Δｎ／σ （Ｅ）
（Δｎ：複屈折率、ｎｘ：伸張方向の屈折率、ｎｙ：試料面内で伸張方向と垂直な方向の屈折率、Ｃ：光弾性係数、σ：伸張応力）

（ｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネートの合成）
アルゴン気流下、５Ｌ４つ口フラスコに、ｔｒａｎｓ－１，２－シクロヘキサンジオール（２００．０ｇ、１．７２２ｍｍｏｌ）、脱水１，４－ジオキサン（２．０Ｌ）を加えた。次いで、メカニカルスターラーを用いて撹拌し、かつ、反応容器を氷浴につけて冷却しながら、クロロギ酸エチル（２８０．２ｇ、２．５８２ｍｍｏｌ）を反応液中へゆっくり滴下した。更に、撹拌及び冷却を保ちながら、トリエチルアミン（３４８．４ｇ、３．４４３ｍｍｏｌ）を脱水トルエン（２．５Ｌ）で希釈した溶液を反応液中へゆっくり滴下した。滴下後、冷却を保ちながら１．５時間撹拌した後、反応容器の内温を室温まで昇温し、更に１２時間撹拌した。副生した白色固体を減圧濾過によって除去し、ろ液を減圧下濃縮した。残渣に酢酸エチル（２．０Ｌ）を加えて溶解させた後、１質量％塩酸水溶液（２．０Ｌ）で洗浄した。有機層を回収し、イオン交換水（２．０Ｌ）で３回洗浄した。更に、硫酸マグネシウムを加えて脱水した後、減圧濾過を行った。ろ液を減圧下濃縮することによって得られた白色固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、目的のｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（１１０ｇ）を得た。

［実施例Ａ１］
５０ｍＬ３つ口フラスコへ、合成したｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（５．０２ｇ、３５．３ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素で置換した。フラスコを６０℃に加熱し、内容物が溶融した後、メカニカルスターラーと撹拌翼とを用いて撹拌しながら、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシドＴＨＦ溶液（０．１８ｍＬ、１．０Ｍ、０．１８ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、６０℃で６時間撹拌した。フラスコを室温まで放冷した後、クロロホルム３０ｍＬを加えて溶解させ、綿栓ろ過によって微量の不要物を除去した。

続いて、ろ液をメタノール３００ｍＬ中に加えてポリマーを析出させた。析出させたポリマーを回収し、クロロホルム６０ｍＬに再度溶解させた後、メタノール１４００ｍＬに滴下して再沈殿を行った。ポリマーを減圧濾過によって回収し、メタノールで洗浄した。得られたポリマーを６０℃で２時間真空乾燥させ、ホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）２．７２ｇを得た。得られたホモポリマーの示差走査熱量測定装置による測定結果を図１に示す。また、得られたホモポリマーの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定したところ、後述の実施例Ａ３と同様のスペクトルが得られた。また、得られたホモポリマーの^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを測定し、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合を４９％と算出した。

［実施例Ａ２］
マグネチックスターラーと回転子とを用いて撹拌を行った以外は実施例Ａ１と同様の方法で重合を行い、ホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）２．７６ｇを得た。得られたホモポリマーの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定したところ、後述の実施例Ａ３と同様のスペクトルが得られた。また、実施例Ａ２のポリカーボネート樹脂を分取ＧＰＣによって分画したフラクションのＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルにおいて、末端アルコキシ基として、ヒドロキシシクロヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、メトキシ基を有する化学種が観測された。このうち、ヒドロキシシクロヘキシルオキシ基（３．７ｐｐｍ付近）及びメトキシ基（３．６ｐｐｍ付近）については、^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおける積分強度比から、ポリマー主鎖を１００ｍｏｌ％とすると、それぞれ順に０．１０ｍｏｌ％及び０．５８ｍｏｌ％と算出した。ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルを図５に示す。

［実施例Ａ３］
ｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（５．０２ｇ、３５．３ｍｍｏｌ）に代えてｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（５．０４ｇ、３５．４ｍｍｏｌ）を用い、フラスコ内を窒素で置換した後、フラスコを６０℃に加熱する前に初期モノマー濃度が５０質量％となるようにｍ－キシレン（５．０６ｇ）をフラスコ内に加えた以外は、実施例Ａ１と同様の方法で重合反応を行い、ホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）３．１７ｇを得た。得られたホモポリマーの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図２に示す。また、得られたホモポリマーの^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを測定し、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合を４８％と算出した。

［実施例Ａ４］
ｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（５．０２ｇ、３５．３ｍｍｏｌ）に代えて、ｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（２．１９ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）と、１，４－ジ－Ｏ－オクチル－２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙо－イノシトール（０．２１７ｇ、０．４７５ｍｍｏｌ）とを用いた以外は実施例Ａ１と同様にして重合反応を行い、コポリマー（ポリカーボネート樹脂）１．０４ｇを得た。

コポリマー中における、各モノマー由来の成分の割合を、^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。クロロホルム－ｄに溶解したサンプルの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、シクロヘキセンカーボネート骨格上のメチレン水素２Ｈ分に帰属されるシグナルは、１．９－２．３ｐｐｍに観測される。同様に、ジオクチル－ｍｙｏ－イノシトール骨格上のメチル基の水素６Ｈ分に帰属されるシグナルは、０．８－０．９ｐｐｍに観測される。これらのシグナルの積分強度比から、コポリマー中におけるジオクチル－ｍｙｏ－イノシトール骨格の割合を４％と算出した。得られたコポリマーの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図３に示す。また、得られたコポリマーの^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを測定し、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合を４９％と算出した。

［比較例Ａ１］
ｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（５．０４ｇ、３５．４ｍｍｏｌ）に代えてｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（１０．４ｇ、７３．０ｍｍｏｌ）を用い、含水率が約１００ｐｐｍのｍ－キシレン（１０．４ｇ）をフラスコ内に加えた以外は、実施例Ａ３と同様の方法で重合反応を行い、ホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）６．６１ｇを得た。得られたホモポリマーの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例Ａ３と同様のスペクトルが得られた。

［比較例Ａ２］
比較例Ａ２として、ビスフェノールＡ系ポリカーボネート樹脂（三菱エンジニアリングプラスチック社製、製品名「ユーピロンＳ－３０００」）を用いた。

［比較例Ａ３］
比較例Ａ３として、シクロヘキセンオキシドと二酸化炭素の共重合により合成されたポリ（シクロヘキセンカーボネート）樹脂（Ｅｍｐｏｗｅｒ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製、製品名「ＱＰＡＣ１３０」）を用いた。また、^１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを測定し、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合を３６％と算出した。更に、分取ＧＰＣ装置を用いて分画した成分のうち、ｍ／ｚ１５００～１６００のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルを図４に示す。

上述の実施例及び比較例で得られたポリカーボネート樹脂の物性を表１に示す。

比較例Ａ１のポリカーボネート樹脂は、真空圧縮成形機を用いて、１５０℃又は２１０℃の温度で未延伸試料の作製を試みたが、成型片が非常に脆く、フィルム状に成形することは不可能であった。したがって、比較例Ａ１のポリカーボネート樹脂の光学特性を評価することは不可能であった。

表１から、実施例Ａ１～Ａ４のポリカーボネート樹脂は、比較例Ａ２のポリカーボネート樹脂と比較して、光弾性係数及び面内位相差が低く、実施例Ａ１～Ａ４のポリカーボネート樹脂が低複屈折性を示すことが分かった。また、実施例Ａ１～Ａ４のポリカーボネート樹脂は、ビスフェノールＡ系ポリカーボネート樹脂である比較例Ａ１と同等のＴｇを有しており、十分な耐熱性を備えていることが分かった。

（比較例Ａ３の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトル）
比較例Ａ３のポリカーボネート樹脂の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルでは、実施例Ａ１～Ａ３には見られないブロードなピークが、ポリ（シクロヘキセンカーボネート）のメチン水素由来の３～５ｐｐｍ付近に複数観測された。実施例Ａ１～Ａ３に示す環状カーボネートモノマーの開環重合とは異なり、比較例Ａ３のようなエポキシドと二酸化炭素との共重合で生成しうる、二酸化炭素の関与しないポリエーテル構造等の異種結合等に由来するものと推察される。

（比較例Ａ３における異種結合の存在）
比較例Ａ３のポリカーボネート樹脂を分取ＧＰＣによって分画したフラクションのＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルにおいて、二酸化炭素の関与しないエーテル結合を末端以外に１つ以上含む化学種が観測された。このようなカーボネート結合以外の異種結合は実施例Ａ１～Ａ３に示すような環状カーボネートの開環重合により合成されるポリ（シクロヘキセンカーボネート）のＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルでは観測されなかった。

（３００％一軸延伸フィルムのヘイズ）
上述の実施例のポリカーボネート樹脂、及び比較例Ａ３のポリカーボネート樹脂について、３００％一軸延伸フィルムのヘイズを測定すると、実施例のポリカーボネート樹脂と比べて、比較例Ａ３のポリカーボネート樹脂が１０倍以上高い値であった。前述のＮＭＲスペクトルやＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳスペクトルで見られたような、ポリマー主鎖を構成する部分構造の違いによるものと推察される。

［実施例Ａ５］
５０ｍＬセパラブルフラスコへ、合成したｔｒａｎｓ－シクロヘキセンカーボネート（１０．１ｇ、７１．２ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素で置換した。前記フラスコを２５℃の恒温槽に浸し、フラスコ内へｍ－キシレン（４０．２ｇ）を加え、メカニカルスターラーと撹拌翼とを用いて撹拌し、モノマーを完全に溶解させてモノマー溶液を得た。別途、乾燥させた３０ｍＬシュレンク管へ、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド溶液（１．０Ｍ、０．２８ｍＬ、０．２８ｍｍｏｌ）とベンジルアルコール（０．０６３ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）とを量り取り、ｍ－キシレン２．６ｍＬで希釈して重合開始剤溶液を調製した。モノマー溶液を撹拌しながら、調製した重合開始剤溶液０．２７ｍＬを前記モノマー溶液に一度に加え、２５℃で３０分撹拌して重合反応を行った。酢酸０．０１２ｇを加えて反応を停止させてポリカーボネート樹脂を含む重合液を得た。得られた重合液を一部サンプリングしてクロロホルム－ｄで希釈したサンプルについて^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し、４．０ｐｐｍのモノマー由来のピークと４．６ｐｐｍのポリマー由来のピークとの積分強度比から、モノマー転化率を９４％と算出した。

続いて、メタノール不溶分の評価のため、次のようにして再沈殿操作を行った。前記重合液を０．５２ｍＬサンプリングし、ｍ－キシレン２．１３ｇを加えて希釈した。希釈液をメタノール２６．５７ｇ中へ加えてポリマーを析出させた。析出させたポリマーを減圧濾過によって回収し、得られたポリマーを１３０℃で２時間真空乾燥させ、ホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）を得た。得られたホモポリマーを窒素雰囲気下で加熱したときの熱重量測定結果から重量減少率を求めた。

［実施例Ａ６］
重合温度を１０℃とした以外は、実施例Ａ５と同様の方法で重合反応及び再沈殿操作を行ってポリカーボネート樹脂を得た。反応停止後の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルからモノマー転化率を９６％と算出した。再沈殿操作により得られたホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）を窒素雰囲気下で加熱したときの熱重量測定結果から重量減少率を求めた。

［実施例Ａ７］
重合温度を５℃とした以外は、実施例Ａ５と同様の方法で重合反応及び再沈殿操作を行ってポリカーボネート樹脂を得た。反応停止後の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルからモノマー転化率を９７％と算出した。再沈殿操作により得られたホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）を窒素雰囲気下で加熱したときの熱重量測定結果から重量減少率を求めた。

［実施例Ａ８］
重合温度を０℃とした以外は、実施例Ａ５と同様の方法で重合反応及び再沈殿操作を行ってポリカーボネート樹脂を得た。反応停止後の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルからモノマー転化率を９７％と算出した。再沈殿操作により得られたホモポリマー（ポリカーボネート樹脂）を窒素雰囲気下で加熱したときの熱重量測定結果から重量減少率を求めた。

［比較例Ａ５］
重合温度を－５℃とした以外は、実施例Ａ５と同様の方法で重合反応を行ってポリカーボネート樹脂を得た。反応停止後の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルからモノマー転化率を５％と算出した。比較例Ａ５の条件では、重量平均分子量Ｍｗ（ＰＭＭＡ換算）が５０，０００以上のポリカーボネート樹脂は得られなかった。

［比較例Ａ６］
重合温度を－１０℃とした以外は、実施例Ａ５と同様の方法で重合反応を行ってポリカーボネート樹脂を得た。反応停止後の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルからモノマー転化率を８％と算出した。比較例Ａ６の条件では、重量平均分子量Ｍｗ（ＰＭＭＡ換算）が５０，０００以上のポリカーボネート樹脂は得られなかった。

実施例、参考例及び比較例で得られたポリカーボネート樹脂の物性を表２に示す。

表２から、実施例Ａ５～Ａ８のポリカーボネート樹脂は、アルコール不溶分を熱重量測定により窒素雰囲気下で加熱したときの１５０～２６０℃における重量減少率が著しく小さく、耐熱性に優れることが示された。

〔環状カーボネート〕
以下、本実施例に記載した試薬は特に記載がない限り、富士フイルム和光純薬製を用いた。
本実施例に記載した分析手法は下記の通りである。

［化合物の同定及び収率の計算］
化合物の同定及び収率の計算は、主に^１Ｈ－ＮＭＲを用いて行った。
当該測定において、機器は日本電子株式会社（ＥＣＺ４００Ｓ）を用い、プローブはＴＦＨプローブを用いた。なお、当該測定において、重溶媒の基準ピークは、クロロホルム－ｄ（以下「ＣＤＣｌ_３」とも記す）を用いた場合は７．２６ｐｐｍ、ジメチルスルホキシド－ｄ６（以下「ＤＭＳＯ－ｄ６」とも記す）を用いた場合は２．５０ｐｐｍとし、積算回数は３２回とした。

［純度の計算］
純度の計算は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析にて行った。当該測定において、機器は株式会社島津製作所のガスクロマトグラフ（ＧＣ－２０１０）を用い、カラム：ＤＢ－ＷＡＸ、キャリアガス：ヘリウム、インジェクション温度：２７０℃、検出器（温度）：水素炎イオン化検出器(ＦＩＤ)（２７０℃）とした。

［ガスクロマトグラフィー質量分析］
ガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ／ＭＳ）は以下の手順で実施した。
分析機器はＴＲＡＣＥ－ＧＣ／ＩＳＱ（Ｔｈｅｒｍｏ社）を用いた。
Ｅｑｕｉｔｙ－１（３０ｍ×０．２５ｍｍ、膜厚：０．２５μｍ）カラムを用い、分析条件は、イオン化：ＥＩ（７０ｅＶ）、質量範囲：ｍ／ｚ＝１０～１０００、流量：１．０ｍＬ／分（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｆｌｏｗ）、オーブン温度：５０℃→昇温１０℃／分→３００℃（１５分）とした。
試料の前処理として、イノシトール誘導体１．０ｍｇにジメチルスルホキシド（以下「ＤＭＳＯ」とも記す）１滴を加え溶解後、ＢＳＡ（Ｎ，Ｏ－ビストリメチルシリルアセトアミド）１．０ｍＬを加えて６０℃×６０分加熱した。

［ガラス転移温度］
ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は以下の手順で行った。真空乾燥したポリマーを室温で圧縮成形した試料から、試験片として約１０ｍｇを切り出し、パーキンエルマージャパン株式会社製の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ８５００）を用い、窒素ガス流量２０ｍＬ／分の条件下、ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定を行った。
試料については、４０℃で３分間保持した後、２０℃／分で４０℃から１６０℃まで１次昇温し、試料を完全に融解させた。その後、５０℃／分で１６０℃から４０℃まで降温し、４０℃で５分間保持した。続いて、１０℃／分で４０℃から１５０℃まで２次昇温する際に描かれるＤＳＣ曲線の階段状変化部分曲線と各接線の延長線から縦軸方向に等距離にある直線との交点（中間点ガラス転移温度）をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。

［融点］
融点の測定は示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて以下の手順で行った。示差走査熱量計（ＤＳＣ）としてはＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製Ｑ２００を用いた。測定条件は昇温降温速度１０℃／分とした。融点は当該測定における２０℃からの昇温過程での融解温度とした。

［ポリマー分子量］
ポリマー分子量の測定はゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて以下の手順で行った。
ポリカーボネート樹脂０．０２ｇに対して、２．０ｇの割合でテトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」とも記す）に溶解した溶液を測定試料とし、高速液体クロマトグラフシステムとしてはＷａｔｅｒｓ社製Ａｌｌｉａｎｃｅ ｅ２６９５を用いてポリマー分子量を測定した。カラムは東ソー株式会社製のＴＳＫガードカラムＳｕｐｅｒＨ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ１０００を直列に連結して使用し、カラム温度は４０℃とし、テトラヒドロフランを移動相として０．３５ｍＬ／分の速度で分析した。検出器は、示差屈折率検出器（ＲＩＤ）を使用した。Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ製のポリメタクリル酸メチル標準試料（分子量：２２０００００、９８８０００、６０８０００、３４００００、２０２０００、８８５００、４１４００、１８７００、９６８０、５０５０、２３８０、８００）を標準試料として測定し、検量線を作成した。この検量線を基に、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）を求めた。

［実施例Ｂ１］１，４－ジ－Ｏ－ベンジル―２，３：５，６－ジカーボネート‐ｍｙｏ－イノシトール（ＢＣＩ）の合成
（ステップ１－１）２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトールの合成

脱気及びアルゴン（Ａｒ）置換した５００ｍＬの４つ口フラスコにおいて、ｍｙｏ－イノシトール（１２５ｇ、０．６９ｍｏｌ）を脱水ジメチルホルムアミド（以下「ＤＭＦ」とも記す；８６０ｍＬ）に分散させ、１，１－ジメトキシシクロヘキサン（４００ｇ、２．７７ｍｏｌ）、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物（１３．２ｇ、６９ｍｍｏｌ、キシダ化学）を順に加え、得られた反応液を１００℃に加熱した。４５分後、反応液に、トリメチルアミン（３０ｍＬ）を加え、反応液を減圧濃縮した。得られた濃縮物を、酢酸エチル（３．０Ｌ）に溶解し、５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（４００ｍＬ）で洗浄した。酢酸エチル相を、適量の硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過したのち、減圧下で濃縮して固体を得た。

得られた濃縮固体をジイソプロピルエーテル（１．０Ｌ）で再結晶することにより、２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトールの無色の結晶を５０．５ｇ（１４８ｍｍｏｌ）、２１％の収率で得た。なお、図６（上部）に得られた結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＣＤＣｌ_３）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた結晶は、上記式（１－１）の構造を有するジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール）であることがわかった。

（ステップ１－２）１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＢＣｙＩ）の合成

脱気及びＡｒ置換した１Ｌの４つ口フラスコへ、超脱水ＤＭＦ（５４０ｍＬ）を投入し、前記（ステップ１－１）で得られたジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール；５０．０ｇ、１４６ｍｍｏｌ）を加えて溶解させた。得られた溶液に、水素化ナトリウム（１７．６ｇ、０．４４ｍｏｌ）を徐々に加え、氷浴下で１時間攪拌した。その後、ＤＭＦに溶解させたベンジルブロミド（６０．２９ｇ、３５２ｍｍｏｌ）を反応させて、粗１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体を得た。粗１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体を酢酸エチル１Ｌで再結晶して、シリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（以下「ＢＣｙＩ」とも記す）の純結晶（６４．３ｇ、１２３ｍｍｏｌ、収率：８４％）を得た。

なお、図６（下部）に得られた純結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＣＤＣｌ_３）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた純結晶は、上記式（１－２）の構造を有するＢＣｙＩであることがわかった。

（ステップ１－３）１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－ｍｙｏ－イノシトール（ＢＩ）の合成

Ａｒ雰囲気下、３Ｌの４つ口フラスコへ、メタノール（１．２３Ｌ）を加え、更に前記（ステップ１－２）で得られた１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＢＣｙＩ；６４．３ｇ、１２３ｍｍｏｌ）を加え攪拌して溶液を得た。得られた溶液に、濃塩酸（１２．３ｍＬ）を徐々に加え、加水分解を行い、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で原料の消失を確認した。得られた溶液を、減圧濃縮し、残存物をメタノール（７００ｍＬ）で再結晶することにより、１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＢＩ」とも記す；４０．２４ｇ、１１１ｍｍｏｌ、収率：９０％）を無色の結晶として得た。なお、図７に得られた結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＤＭＳＯ－ｄ６）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた結晶は、上記式（１－３）の構造を有するＢＩであることがわかった。

（ステップ１－４）１，４－ジ－Ｏ－ベンジル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＢＣＩ）の合成

Ａｒ雰囲気下、１Ｌの４つ口フラスコへ、脱水Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（脱水ＤＭＡ、３５０ｍＬ）を加え、前記（ステップ１－３）で得られた１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－ｍｙｏ－イノシトール（ＢＩ；３２．６５ｇ、９０．６ｍｏｌ）及びトリエチルアミン（４８．５６ｇ、４８０ｍｍｏｌ）を加え、得られた溶液を－４℃まで冷却した。冷却後の溶液に、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ；１００ｍＬ）で希釈したクロロギ酸エチル（４９．１ｇ、４５．２ｍｍｏｌ）を少しずつ滴下し、終夜で攪拌して反応を行った。反応液中に生成した塩を濾過して除去し、得られた濾液を、ＴＨＦ（３００ｍＬ）で洗浄を行った後、減圧濃縮した。得られた残渣に、酸性になるまで１質量％塩酸を加え、中和した。その後、得られた溶液を、酢酸エチル（１．０Ｌ）で抽出した。有機相を硫酸マグネシウムで水分除去した後、減圧濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、２６．６６ｇの無色の透明結晶である１，４－ジ－Ｏ－ベンジル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＢＣＩ」とも記す）を得た（収率：７１％）。なお、図８に得られた結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＣＤＣｌ_３）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた結晶は、上記式（１－４）の構造を有するＢＣＩであることがわかった。また、得られたＢＣＩの融点は１９５℃であった。

［実施例Ｂ２］１，４－ジ－Ｏ－オクチル－２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＯＣＩ）の合成
（ステップ２－１）２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトールの合成
実施例Ｂ１のステップ１－１と同様に合成を行ってジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール）を得た。

（ステップ２－２）１，４－ジ－Ｏ－オクチル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＯＣｙＩ）の合成

２００ｍＬの２つ口フラスコへ、５５％水素化ナトリウム（８．６６ｇ、１９８ｍｍｏｌ、関東化学）を加え、ヘキサンで洗浄した。フラスコを脱気及びＮ_２置換した後、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、１７１ｍＬ、関東化学）に前記（ステップ２－１）で得られたジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール）（１５．０ｇ、４４．１ｍｍｏｌ）を溶解させた溶液をフラスコに加えた。フラスコ内の溶液を室温で１時間撹拌した後、氷浴下で、オクチルブロミド（１７．４ｇ、１５．９ｍｍｏｌ、東京化成）を反応させた。更に反応液を１８時間室温で攪拌した後、水２００ｍＬを加えて沈殿物を得た。沈殿した１，４－ジ－Ｏ－ベンジル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体を濾別し、水で洗浄した。濾物を真空乾燥し、無色の液体である１，４－ジ－Ｏ－オクチル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（以下「ＯＣｙＩ」とも記す；２３．７ｇ、４２．０ｍｍｏｌ、収率：９５％）を得た。

（ステップ２－３）１，４－ジ－Ｏ－オクチル－ｍｙｏ－イノシトール（ＯＩ）の合成

５００ｍＬのナスフラスコへ、メタノール（１８ｍＬ、大伸化学）を加え、前記（ステップ２－２）で得られたＯＣｙＩ（１，４－ジ－Ｏ－オクチル－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体；１．００ｇ、１．７７ｍｍｏｌ）を加え攪拌して溶液を得た。得られた溶液に、濃塩酸（１．８ｍＬ）を徐々に加え、室温で１７時間攪拌し、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で原料の消失を確認した。得られた反応液を減圧濃縮し、残存物を酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒で再結晶することにより、１，４－ジ－Ｏ－オクチル－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＯＩ」とも記す；０．５０ｇ、１．２４ｍｍｏｌ、収率：７０％）を白色の結晶として得た。

（ステップ２－４）１，４－ジ－Ｏ－オクチル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＯＣＩ）の合成

２００ｍＬのナスフラスコに、前記（ステップ２－３）で得られた１，４－ジ－Ｏ－オクチル－ｍｙｏ－イノシトール（１．５０ｇ、３．７１ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１０．４ｍＬ、７４．６ｍｍｏｌ、関東化学）及び脱水ＴＨＦ（１５．０ｍＬ、関東化学）を加え、得られた溶液を氷浴で冷却した。冷却後の溶液に、ＴＨＦ（２１．０ｍＬ）で希釈したクロロギ酸エチル（２０．４ｍＬ、２１４ｍｍｏｌ、キシダ化学）を少しずつ滴下し、３０分間室温で攪拌して反応を行った。その後、反応液に、再びクロロギ酸エチル（１０．２ｍＬ、１０７ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌して反応を行った。反応液中に生成した塩を濾過して除去した。得られたろ液が酸性になるまで１質量％塩酸で中和した後、ＴＨＦを留去した。得られた残渣を酢酸エチル（２００ｍＬ）に溶解し、水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた濃縮液をヘキサンから再結晶することにより、１，４－ジ－Ｏ－オクチル―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＯＣＩ」とも記す；０．７５ｇ、１．６４ｍｍｏｌ、収率：４４％）の白色の結晶を得た。

なお、図９に、得られた結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＣＤＣｌ_３）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた結晶は、上記式（２－４）の構造を有するＯＣＩであることがわかった。
また、得られたＯＣＩの融点は１２０℃であった。

［実施例Ｂ３］１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）―２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＥＣＩ）の合成
（ステップ３－１）２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトールの合成
実施例Ｂ１のステップ１－１と同様に合成を行ってジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール）を得た。

（ステップ３－２）１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＥＣｙＩ）の合成

２００ｍＬの２つ口フラスコへ、５５％水素化ナトリウム（５．８０ｇ、０．１２０ｍｏｌ）を加え、ヘキサンで洗浄した。フラスコを脱気、Ｎ_２置換した後、ＤＭＦ（２８ｍＬ）に前記（ステップ３－１）で得られたジオール体（２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール）（２．０１ｇ、５．９１ｍｍｏｌ）を溶解させた溶液を加え、５０℃で５時間撹拌した。その後、得られた溶液を室温に下げ、１－ブロモ－２－エチルヘキサン（４．２０ｇ、２１．９ｍｍｏｌ、東京化成）を加えて、３８時間反応を行った。その後、得られた反応液を水２００ｍＬで洗浄し、ヘキサンで抽出し、ヘキサン相を減圧濃縮した。減圧濃縮した後、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）で精製することにより、１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（以下「ＥＣｙＩ」とも記す）を分離し、真空乾燥することにより白色の結晶（０．６２０ｇ、１．０１ｍｍｏｌ、収率：１８％）を得た。

（ステップ３－３）１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－ｍｙｏ－イノシトール（ＥＩ）の合成

２００ｍＬのナスフラスコへ、メタノール（１７０ｍＬ）を加え、前記（ステップ３－２）で得られた１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルヘキシル）－２，３：５，６－ジ－Ｏ－シクロヘキシリデン－ｍｙｏ－イノシトール誘導体（ＥＣｙＩ；０．９６０ｇ、１．７０ｍｍｏｌ）を加え攪拌して溶液を得た。得られた溶液に濃塩酸（７ｍＬ）を徐々に加え、室温で１８時間攪拌し、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で原料の消失を確認した。得られた反応液を減圧濃縮し、残存物を酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒で再結晶することにより、１，４－ジ－Ｏ－（２－エチルヘキシル）－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＥＩ」とも記す；０．２３０ｇ、０．５６９ｍｍｏｌ、収率：３４％）を白色の結晶として得た。

（ステップ３－４）１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（ＥＣＩ）の合成

２００ｍＬのナスフラスコへ、前記（ステップ３－３）で得られた１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－ｍｙｏ－イノシトール（ＥＩ；１．３７ｇ、３．３９ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（８．５ｍＬ、６１．０ｍｍｏｌ）脱水ＴＨＦ（１５．０ｍＬ）を加え、得られた溶液を氷浴で冷却した。冷却後の溶液に、ＴＨＦ（２１．０ｍＬ）で希釈したクロロギ酸エチル（２．２０ｍＬ、２３．１ｍｍｏｌ）を少しずつ滴下し、３０分間室温で攪拌して反応を行った。その後、反応液に、再びクロロギ酸エチル（２．２０ｍＬ、２３．１ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌して反応を行った。反応液中に生成した塩を濾過して除去した。得られたろ液が酸性になるまで１質量％塩酸で中和した後、ＴＨＦを留去した。得られた残渣を酢酸エチル（２００ｍＬ）に溶解し、水で洗浄した。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル／ヘキサン＝５／１）で精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、１，４－ビス－Ｏ－（２－エチルへキシル）－２，３：５，６－ジカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール（以下「ＥＣＩ」とも記す；０．５１ｇ、１．１０ｍｍｏｌ、３２％）の白色の結晶を得た。
得られたＥＣＩの融点は１００℃であった。

［実施例Ｂ４］カーボネート－ｍｙｏ－イノシトール組成物の合成
ＤＭＳＯ（５０ｍＬ）にｍｙｏ－イノシトール（３．６０ｇ、０．４Ｍ）を加え、６０℃で溶解後、室温でジフェニルカーボネート（８．５７ｇ）、ＬｉＯＨ（０．００２４ｇ、０．５ｍｏｌ／％）を加えて、室温で７０時間反応させた。反応混合液について、^１Ｈ－ＮＭＲでフェノールの生成量を算出し、反応が９０％進行していることを確認した。
反応混合液をイオン交換樹脂（ｉｎｅｒｔＳｅｐ(r)ＳＣＸ）に通液し、通液後の溶液（８２．６３ｇ）をエバポレーターで濃縮して濃縮液（２６．９９ｇ）を得た。得られた濃縮液（７．１２ｇ）に酢酸（１４１．５８ｇ）を添加して、生じた沈殿を吸引ろ過及び洗浄してろ液（１７３．８８ｇ）を得た。得られたろ液をエバポレーターで濃縮して濃縮液（８．２１ｇ）を得た。得られた濃縮液（７．４７ｇ）にクロロホルム（２２６．８６ｇ）を添加して沈殿を生じさせた。生じた沈殿を吸引ろ過し、ろ物を乾燥してカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール組成物を０．６９８ｇ得た。
得られたカーボネート－ｍｙｏ－イノシトール組成物をトリメチルシリル化（ＴＭＳ化）して、ＧＣ／ＭＳを測定し、該組成物中に下記の２種類の化合物を同定した。ＧＣ／ＭＳの測定結果を図１０に示す。

［合成例１］ｔｒａｎｓ－１，２－シクロヘキセンカーボネート（以下「Ｔ６Ｃ」とも記す）の合成

脱気及びアルゴン置換した５Ｌの４つ口フラスコへ、ｔｒａｎｓ－１，２－シクロヘキサンジオール（２００．０ｇ、１．７ｍｏｌ）及び脱水１，４－ジオキサン（２．０Ｌ）を加え、溶液を得た。得られた溶液を８．０℃に冷却した。冷却後の溶液に、クロロギ酸エチル（２８０．２ｇ、２．６ｍｏｌ）をゆっくり滴下し、更に脱水トルエン（２．５Ｌ）で希釈したトリエチルアミン（３８４．４ｇ、８．６ｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、１２時間攪拌して反応を行った。反応液中に生成した塩を濾過して除去し、得られた濾液を減圧濃縮した。得られた残渣に酢酸エチル（２．０Ｌ）を加え溶解させ、得られた溶液を１質量％塩酸（２．０Ｌ）で洗浄した。有機相を硫酸マグネシウムで水分除去した後、減圧濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、４００．２ｇの無色の透明結晶を得た（収率：７１％）。なお、図１１に得られた結晶の^１Ｈ－ＮＭＲチャート（ＣＤＣｌ_３）を示す。^１Ｈ－ＮＭＲの結果から、得られた結晶は、上記式（Ａ－１）の構造を有するＴ６Ｃであることがわかった。

［合成例２］ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマーの合成、撹拌方式：マグネチック
５０ｍＬの３つ口フラスコへ、実施例Ｂ１で得られたＢＣＩ（０．５６０ｇ、１．３６ｍｍｏｌ）と合成例１で得られたＴ６Ｃ（１．６５ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）とを投入した。フラスコ内を脱気及び窒素置換を行った後、フラスコ内を６０℃に加熱し、内容物が溶融して溶液を得た。その後、得られた溶液をマグネチックスターラー及び回転子で撹拌しながらカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドＴＨＦ溶液（６５μＬ、１．０Ｍ、０．００６５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、６０℃で６時間撹拌して重合反応を行った。フラスコ内を室温まで放冷した後、反応液にクロロホルム１５ｍＬを加えて溶解させて調製したポリマー溶液をメタノール１５０ｍＬ中に加えてポリマーを析出させた。析出したポリマーを減圧濾過によって回収し、メタノールで洗浄した。得られたポリマーを６０℃で４時間真空乾燥させ、ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー０．５７１ｇを得た（収率：２６％）。
コポリマー中の各モノマー成分（表３中のＭ_１及びＭ_２成分）の割合は^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果を図１２に示す。
ジメチルスルホキシド－ｄ６に溶解したサンプルの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、Ｔ６Ｃ上のメチレン水素８Ｈ分に帰属されるシグナルが０．９－２．２ｐｐｍに観測され、ＢＣＩ上のフェニル基の水素１０Ｈ分に帰属されるシグナルが７．１－７．４ｐｐｍに観測された。これらの積分強度比からコポリマー中のＢＣＩに由来する割合（モル比）を２６％と算出した。また、得られたコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（ＰＤＩ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。結果を表１に示す。

［合成例３］ＯＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマーの合成、撹拌方式：マグネチック
Ｔ６Ｃ（１．５６ｇ、１１．０ｍｏｌ）に対して、ＢＣＩの代わりに実施例Ｂ２で得られたＯＣＩ（０．５６０ｇ、１．２３ｍｍｏｌ）をコモノマーとして添加した以外は合成例２と同様の方法で重合反応を行い、ＯＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー０．４６９ｇを得た（収率：２２％）。
コポリマー中の各モノマー成分（表３中のＭ_１及びＭ_２成分）の割合は^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果を図１３に示す。
すなわち、クロロホルム－ｄに溶解したサンプルの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、Ｔ６Ｃ上のメチレン水素２Ｈ分に帰属されるシグナルが１．９－２．３ｐｐｍに、ＯＣＩ上のメチル基の水素６Ｈ分に帰属されるシグナルが０．８－０．９ｐｐｍに観測された。これらの積分強度比からコポリマー中のＯＣＩに由来する割合（モル比）を２１％と算出した。また、得られたコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（ＰＤＩ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。結果を表３に示す。

［合成例４］ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマーの合成、撹拌方式：メカニカル
ＢＣＩの仕込み量を「０．５６６ｇ、１．３７ｍｍｏｌ」とし、Ｔ６Ｃの仕込み量を「１．６７ｇ、１１．７ｍｍｏｌ」とし、マグネチックスターラー及び回転子の代わりに、メカニカルスターラー及び撹拌翼を用いて撹拌を行った以外は合成例２と同様の方法で重合反応を行い、ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー０．９５１ｇを得た（収率：４３％）。
コポリマー中の各モノマー成分（表３中のＭ_１及びＭ_２成分）の割合は^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果を図１４に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの積分強度比から、コポリマー中のＢＣＩに由来する割合（モル比）は１７％と算出した。また、得られたコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（ＰＤＩ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。結果を表３に示す。

［合成例５］ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマーの合成、撹拌方式：メカニカル
ＢＣＩの仕込み量を「０．２１８ｇ、０．５２９ｍｍｏｌ」とし、Ｔ６Ｃの仕込み量を「２．４３ｇ、１７．１ｍｍｏｌ」とした以外は合成例４と同様の方法で重合反応を行い、ＢＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー１．１９ｇを得た（収率：４５％）。
コポリマー中の各モノマー成分（表３中のＭ_１及びＭ_２成分）の割合は^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果を図１５に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの積分強度比から、コポリマー中のＢＣＩに由来する割合（モル比）は４％と算出した。また、得られたコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（ＰＤＩ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。結果を表３に示す。

［合成例６］ОＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマーの合成、撹拌方式：メカニカル
ＯＣＩの仕込み量を「０．２１７ｇ、０．４７５ｍｍｏｌ」とし、Ｔ６Ｃの仕込み量を「２．１９ｇ、１５．４ｍｍｏｌ」とした以外は合成例３と同様の方法で重合反応を行い、ＯＣＩ／Ｔ６Ｃのコポリマー１．０４ｇを得た（収率：４３％）。
コポリマー中の各モノマー成分（表３中のＭ_１及びＭ_２成分）の割合は^１Ｈ－ＮＭＲ測定によって算出した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果を図１６に示す。
^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの積分強度比から、コポリマー中のＯＣＩに由来する割合（モル比）は４％と算出した。また、得られたコポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（ＰＤＩ）及びガラス転移温度（Ｔｇ）を求めた。結果を表３に示す。
上記の合成例の結果から、ＮＭＲ解析により、ｍｙｏ－イノシトールのジカーボネートのうち、ｔｒａｎｓ位のみが重合し、ｃｉｓ位は維持され、当該ポリマーは下記式（Ｂ－１）で表される構造を有していることが確認された。

（式（Ｂ－１）中、Ｒ_１１及びＲ_１４は、ベンジル又はオクチルを表す。）

ａ） Ｆ_１： 仕込みモノマー比率中のＭ_１成分のモル比
ｂ） ｆ_１： メタノール再沈殿精製後のポリマー中に含まれるＭ_１成分のモル比（^１Ｈ－ＮＭＲより算出）
ｃ） Ｙｉｅｌｄ（収率）：メタノール再沈殿精製で得られるメタノール不溶分重量（ｇ）／仕込みモノマー重量（ｇ）×１００

本出願は、２０２０年１月１６日出願の日本特許出願（特願２０２０－００５４４３号）及び２０２０年１月３１日出願の日本特許出願（特願２０２０－０１５７５４号）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

本発明のポリカーボネート樹脂、ポリカーボネート樹脂組成物、及びそれらを含む光学用成形体は、光学レンズ材料、光学デバイス、光学部品用材料、及びディスプレイ材料のような各種の光学用材料等の分野において産業上の利用可能性を有する。また、本発明の環状カーボネートは、カーボネート部位のみならず骨格にも再生可能資源を利用しており、環境負荷の低い材料を提供できる。また、本発明の環状カーボネートは、電解液や樹脂等の添加剤として利用可能であり、またモノマーとして用いてポリカーボネートを合成できる。

Claims (24)

1. 下記式（１）で表される構造単位：
   

   

   （式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を有し、
   ポリメチルメタクリレートを標準試料として用いるサイズ排除クロマトグラフィーにより測定される重量平均分子量Ｍｗが、５０，０００以上５００，０００以下であり、
   示査走査熱量計により測定されるガラス転移温度Ｔｇが、８０℃以上１８０℃以下である、ポリカーボネート樹脂。
2. 前記式（１）で表される構造単位を主鎖に有する、請求項１に記載のポリカーボネート樹脂。
3. ¹³Ｃ－ＮＭＲにより測定される、モノマー周期構造がメソでありイソタクチックな部分を示すｍｍ、周期構造がラセモ結合でありシンジオタクチックな部分を示すｒｒ、メソ部分とラセモ部分が結合している部分を示すｍｒとしたとき、ｍｒ／（ｍｍ＋ｍｒ＋ｒｒ）の割合が４０％以上である、請求項１又は２に記載のポリカーボネート樹脂。
4. 末端にアルコキシ基を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
5. 前記アルコキシ基における炭素数が１～１０である、請求項４に記載のポリカーボネート樹脂。
6. サイズ排除クロマトグラフィーによって測定されるポリスチレン換算分子量が１，０００以上のポリマー成分について、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上５００，０００以下、かつ、数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．５以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
7. アルコール不溶分を熱重量測定により窒素雰囲気下で加熱したときの１５０～２６０℃における重量減少率が３０質量％以下である、請求項６に記載のポリカーボネート樹脂。
8. 光弾性係数の絶対値が、１０×１０^-12Ｐａ^-1以下である、請求項１～７のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
9. 前記ポリカーボネート樹脂の１００％一軸延伸フィルムにおいて、面内位相差の絶対値が、厚さ１００μｍ換算で１００ｎｍ以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
10. 前記式（１）で表される構造単位であって、式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が水素原子である構成単位を有する、請求項１～９のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
11. 下記式（１’）で表される構造単位：
    

    

    
    
    （１’）
    （式（１’）中、Ｒ¹及びＲ⁴は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂。
12. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂と、酸化防止剤と、
    を含有する、ポリカーボネート樹脂組成物。
13. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂、又は請求項１２に記載のポリカーボネート樹脂組成物を含有する、光学部品。
14. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂、又は請求項１２に記載のポリカーボネート樹脂組成物の、光学部品用材料としての使用。
15. 請求項１～１１のいずれか一項に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法であって、
    下記式（３）で表される環状カーボネート：
    

    

    （式（３）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立して、水素原子、水酸基、リン酸基、アミノ基、ビニル基、アリル基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数１～１１のエステル基、炭素数１～１１のアシル基、又は、非置換の直鎖状、分岐状、若しくは環状の炭素数１～１０のアルキル基であり、アルキレン基又はカーボネート基を介して互いに結合して環状構造を形成していてもよく、前記アルキレン基は、水酸基、リン酸基、アミノ基、アルコキシ基、又はエステル基によって置換されていてもよく、主鎖にカルボニル基が挿入されていてもよい。）を開環重合することにより、前記ポリカーボネート樹脂を得る重合工程を有する、
    製造方法。
16. 前記重合工程において、有機リチウム、金属アルコキシド、又は、ＨＯ基、ＨＳ基若しくはＨＮ基を有する有機化合物と環状アミンとの組合せを重合開始剤として用いる、請求項１５に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
17. 前記重合工程における反応温度（重合温度）が－５℃超４０℃以下である、請求項１５又は１６に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
18. 前記重合工程における重合性モノマーの初期濃度（初期モノマー濃度）が１０質量％以上である、請求項１７に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
19. モノマーに対して添加する重合開始剤の割合が、０．０００１ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下である、請求項１８に記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
20. 分子中に少なくとも２つのカーボネート基を含み、イノシトール骨格を有し、下記式（１１）で表される、環状カーボネート。
    

    

    （１１）
    （式（１１）中、Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり（ただし、アリール置換アルキル基を除く）、ＯＲ₁₁～ＯＲ₁₆のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ₁₁～ＯＲ₁₆のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。）
21. 分子中に少なくとも１つのｔｒａｎｓカーボネート基を有する、請求項２０に記載の環状カーボネート。
22. 分子中に２つのカーボネート基を有し、少なくとも１つのカーボネート基がｔｒａｎｓカーボネート基であり、下記式（１２）で表される、請求項２０又は２１に記載の環状カーボネート。
    

    

    （１２）
    （式（１２）中、Ｒ₁₁及びＲ₁₄は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基である（ただし、アリール置換アルキル基を除く）。）
23. 分子中にｃｉｓカーボネート基及びｔｒａｎｓカーボネート基の２つのカーボネート基を有し、下記式（１３）で表される、請求項２０～２２のいずれか一項に記載の環状カーボネート。
    

    

    （１３）
    （式（１３）中、Ｒ₁₁及びＲ₁₄は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基である（ただし、アリール置換アルキル基を除く）。）
24. イノシトール骨格を有する化合物に少なくとも２つのカーボネート基を導入して、下記式（１１）で表される環状カーボネートを得る工程を含む、請求項２０～２３のいずれか一項に記載の環状カーボネートの製造方法。
    

    

    （１１）
    （式（１１）中、Ｒ₁₁～Ｒ₁₆は、各々独立に水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり（ただし、アリール置換アルキル基を除く）、ＯＲ₁₁～ＯＲ₁₆のいずれか２つから形成されるカーボネート基を少なくとも２つ含み、ＯＲ₁₁～ＯＲ₁₆のいずれか２つ以上が相互に結合して環構造を形成していてもよい。）

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