JP7249062B2 - 積層部を備える柱状構造体を有する電極 - Google Patents
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Description
PLD装置(PVD Products社、NanoPLD)を用いて、多結晶(Ce,Gd)O2基板上に、(Ce,Gd)O2(以下「(Ce,Gd)O2」を「GDC」と記載することがある)と(La,Sr)(Co,Fe)O3(以下「(La,Sr)(Co,Fe)O3」を「LSCF」と記載することがある)を同時に製膜して複合構造体を作製した。なお、酸素分圧35mTorr、基板温度750℃、製膜時間100分間、ターゲットと基板の距離75mm、基板回転速度10rpm、レーザー光(Coherent社、Compex Pro 102F、KrF 波長248nm)の入射角60°、レーザーエネルギー200mJ、レーザー周波数10Hzの条件で製膜した。本実施例の複合構造体のTEM像とHAADF-STEM像を図2に、表面SEM像を図3にそれぞれ示す。
実施例1と同様にして、多結晶(Ce,Gd)O2基板上に、GDCとLSCFを同時に製膜して、この基板上に柱状構造体を作製した。さらに、酸素分圧100mTorr、製膜時間90分、レーザーエネルギー275mJ、レーザー周波数20Hzの条件で、基板を加熱せずに、PLD法によって、この柱状構造体の上にLSCFの多孔質層の集電層を形成して、多結晶GDC基板上に電極を製造した。本実施例の電極の断面SEM像を図5に示す。
実施例1と同様にして、多結晶GDC基板上に、GDCと(La,Sr)CoO3(以下「(La,Sr)CoO3」を「LSC」と記載することがある)を同時に製膜して、この基板上に柱状構造体を作製した。さらに、酸素分圧100mTorr、製膜時間45分間、レーザーエネルギー275mJ、レーザー周波数20Hzの条件で、基板を加熱せずに、PLD法によって、この柱状構造体の上にLSCの多孔質層の集電層を形成して電極用部材を製造した。基板の裏面にも同様にして柱状構造体と集電層を形成し、電極性能テスト用対称セルとした。
Claims (14)
- 側面同士の一部以上が接している複数の柱状部を有する柱状構造体であって、
前記柱状部が、異なる無機化合物層が重なった積層部を備える、電極を構成する柱状構造体。 - 請求項1において、
前記無機化合物層が、金属酸化物層、金属窒化物層、および金属炭化物層の一種以上である柱状構造体。 - 請求項1または2において、
前記積層部の積層方向が異なっている二以上の隣接する前記柱状部を備える柱状構造体。 - 請求項1から3のいずれかにおいて、
前記柱状部の幅が10nm~100nmである柱状構造体。 - 請求項1から4のいずれかにおいて、
前記無機化合物層の厚さが1nm~10nmである柱状構造体。 - 請求項1から5のいずれかにおいて、
前記積層部の積層方向が、前記柱状部の高さ方向と異なっている柱状構造体。 - 請求項1から6のいずれかにおいて、
前記積層部が、二種類以上の金属酸化物層から構成されている柱状構造体。 - 請求項7において、
前記二種類以上の金属酸化物層の一つが、(Ce,Gd)O2層、(La,Sr)CoO3層、または(La,Sr)(Co,Fe)O3層である柱状構造体。 - 請求項7において、
前記二種類以上の金属酸化物層のうちの二種類の金属酸化物層の一方が(Ce,Gd)O2層で、前記二種類以上の金属酸化物層のうちの前記二種類の金属酸化物層の他方が(La,Sr)CoO3層または(La,Sr)(Co,Fe)O3層である柱状構造体。 - 請求項1から9のいずれかにおいて、
前記複数の柱状部は、側面同士全体が接している柱状構造体。 - 多結晶基材と、
前記多結晶基材上に設けられた請求項1から10のいずれかの柱状構造体と、
を有する複合構造体。 - 請求項1から10のいずれかの柱状構造体を含有する電極用部材と、
前記電極用部材上に設けられた多孔質の集電層と、
を有する電極。 - 請求項12において、
前記集電層が、前記柱状構造体の一部の柱状部の上に設けられた複数の柱状体と、前記複数の柱状体の間に形成された空隙を備える電極。 - 請求項11の複合構造体を製造する複合構造体の製造方法であって、
パルスレーザー蒸着法を用いて、前記多結晶基材上に、前記異なる金属酸化物層を同時に製膜する工程を有する複合構造体の製造方法。
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