JPH02140648A - 多結晶体の結晶方位判定方法 - Google Patents
多結晶体の結晶方位判定方法Info
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- JPH02140648A JPH02140648A JP29523888A JP29523888A JPH02140648A JP H02140648 A JPH02140648 A JP H02140648A JP 29523888 A JP29523888 A JP 29523888A JP 29523888 A JP29523888 A JP 29523888A JP H02140648 A JPH02140648 A JP H02140648A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は多結晶の結晶方位を判定する方法に関するも
のである。
のである。
第４図は従来の粉末法により単結晶の結晶方位を判定す
る方法を説明するための図である。図において、■は入
射Ｘ線、２は結晶方位を判定すべき試料としての１つの
単結晶、３は単結晶２の格子面、４は回折Ｘ線、５はブ
ラッグ角θ、６は回折角２θである。なお、格子面３の
方位を示すベクトル座標を（ｈ、 ｋ、 ｆｆ）と
記す。
る方法を説明するための図である。図において、■は入
射Ｘ線、２は結晶方位を判定すべき試料としての１つの
単結晶、３は単結晶２の格子面、４は回折Ｘ線、５はブ
ラッグ角θ、６は回折角２θである。なお、格子面３の
方位を示すベクトル座標を（ｈ、 ｋ、 ｆｆ）と
記す。
ここで、１つの単結晶２に波長λとする単色の細いＸ線
束を投射した場合について考えてみる。
束を投射した場合について考えてみる。
試料である単結晶２で面間隔ｄの格子面（ｈ、 ｋｌ
）が入射Ｘｆｉｌに対しブラッグの式２ｄｓｉｎ θ＝
ｎλを満足する角θ（ブラッグ角）だけ傾いていたとす
ると、入射Ｘ線１はこの格子面（ｈ、ｋ。
）が入射Ｘｆｉｌに対しブラッグの式２ｄｓｉｎ θ＝
ｎλを満足する角θ（ブラッグ角）だけ傾いていたとす
ると、入射Ｘ線１はこの格子面（ｈ、ｋ。
！２）によって回折される。このとき回折Ｘ線４の方向
は、第４図のように入射Ｘ線ｌの延長線に対して角２θ
（６）傾いている。この単結晶２の結晶組成が分ってお
れば、格子定数は既知であるため、格子面（ｈ、 ｋ
、 Ａ）に対応した面間隔ｄは算出できる。Ｘ線回折
により検出したブラッグ角θ（５）を２ｄｓｉｎθ＝ｎ
λ（ｎ＝１．２．３゜−・・）に代入すると、ｄを導入
でき、上記で算出した（ｈ、に、 ｌ）とｄとの対応
より、回折している面方位を決定でき、これにより単結
晶２の結晶方位を判定できる。
は、第４図のように入射Ｘ線ｌの延長線に対して角２θ
（６）傾いている。この単結晶２の結晶組成が分ってお
れば、格子定数は既知であるため、格子面（ｈ、 ｋ
、 Ａ）に対応した面間隔ｄは算出できる。Ｘ線回折
により検出したブラッグ角θ（５）を２ｄｓｉｎθ＝ｎ
λ（ｎ＝１．２．３゜−・・）に代入すると、ｄを導入
でき、上記で算出した（ｈ、に、 ｌ）とｄとの対応
より、回折している面方位を決定でき、これにより単結
晶２の結晶方位を判定できる。
従来の粉末法による結晶方位判定方法は上述したように
行われるので、結晶方位を判定すべき試料を１つの単結
晶として取り出す必要があり、また、基板に成膜した多
結晶体の結晶粒の方位を検出することが難しいという問
題点があった。
行われるので、結晶方位を判定すべき試料を１つの単結
晶として取り出す必要があり、また、基板に成膜した多
結晶体の結晶粒の方位を検出することが難しいという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、結晶方位を判定すべき試料を１つの単結晶と
して取り出す必要がな（、非破壊で基板に成膜した多結
晶体の結晶粒の結晶方位を判定できる多結晶体の結晶方
位判定方法を得ることを目的とする。
たもので、結晶方位を判定すべき試料を１つの単結晶と
して取り出す必要がな（、非破壊で基板に成膜した多結
晶体の結晶粒の結晶方位を判定できる多結晶体の結晶方
位判定方法を得ることを目的とする。
この発明に係る結晶方位判定方法は、結晶方位を判定す
べき多結晶体（多結晶シリコン２２）を基板（シリコン
単結晶基板２１）に成膜し、その多結晶体が成膜されて
いる面にＸ線ｌを入射し、その面を所定角度回転させて
入射したＸ線１に対する回折Ｘｉ４の回折角６を検出し
、その回折角６に対する回折ピークにより上記多結晶体
の結晶方位を判定することを特徴とするものである。
べき多結晶体（多結晶シリコン２２）を基板（シリコン
単結晶基板２１）に成膜し、その多結晶体が成膜されて
いる面にＸ線ｌを入射し、その面を所定角度回転させて
入射したＸ線１に対する回折Ｘｉ４の回折角６を検出し
、その回折角６に対する回折ピークにより上記多結晶体
の結晶方位を判定することを特徴とするものである。
この結晶方位判定方法において、多結晶体（多結晶シリ
コン２２）は基板（シリコン単結晶基板２１）に成膜さ
れ、その成膜された面にＸ線１が入射され、その面を所
定角度回転させることにより回折Ｘ線４の回折角６が変
わり、その回折角６を検出して上記多結晶体の結晶方位
が判定される。
コン２２）は基板（シリコン単結晶基板２１）に成膜さ
れ、その成膜された面にＸ線１が入射され、その面を所
定角度回転させることにより回折Ｘ線４の回折角６が変
わり、その回折角６を検出して上記多結晶体の結晶方位
が判定される。
第１図はこの発明の一実施例に係る結晶方位判定方法を
説明するための図である。図において、工は入射Ｘ線、
４は回折Ｘ線、５はブラッグ角θ、６は回折角２θ、２
１は試料のシリコン単結晶基板、２２は試料の多結晶シ
リコンである。
説明するための図である。図において、工は入射Ｘ線、
４は回折Ｘ線、５はブラッグ角θ、６は回折角２θ、２
１は試料のシリコン単結晶基板、２２は試料の多結晶シ
リコンである。
第２図は上記試料の断面側面図である。図において、１
１はシリコン単結晶基板（第１図のシリコン単結晶基板
２１に相当）、１２はシリコン単結晶基板１１の格子面
（１，Ｏ，Ｏ）、１３は減圧方式の化学気相成長法によ
る多結晶シリコン膜、１４は多結晶シリコン膜１３の＜
１．１．１＞方向に成長した結晶粒、１５は多結晶シリ
コン膜１３の＜１．１．１＞方向に成長した結晶粒の格
子面（１，１，１）、１６は多結晶シリコン膜１３の＜
１．１．Ｏ＞方向に成長した結晶粒、１７は多結晶シリ
コン膜１３の＜１．ｌ、Ｏ＞方向に成長した結晶粒の格
子面（１，１，Ｏ）である。
１はシリコン単結晶基板（第１図のシリコン単結晶基板
２１に相当）、１２はシリコン単結晶基板１１の格子面
（１，Ｏ，Ｏ）、１３は減圧方式の化学気相成長法によ
る多結晶シリコン膜、１４は多結晶シリコン膜１３の＜
１．１．１＞方向に成長した結晶粒、１５は多結晶シリ
コン膜１３の＜１．１．１＞方向に成長した結晶粒の格
子面（１，１，１）、１６は多結晶シリコン膜１３の＜
１．１．Ｏ＞方向に成長した結晶粒、１７は多結晶シリ
コン膜１３の＜１．ｌ、Ｏ＞方向に成長した結晶粒の格
子面（１，１，Ｏ）である。
次にこの実施例の結晶方位判定方法について説明する。
まず、第１図に示す多結晶シリコン２２をシリコン単結
晶基板２１に成膜する。即ち、減圧方式の化学気相成長
法により第２図の多結晶シリコン膜１３をシリコン単結
晶基板１１に形成する。
晶基板２１に成膜する。即ち、減圧方式の化学気相成長
法により第２図の多結晶シリコン膜１３をシリコン単結
晶基板１１に形成する。
次に第１図に示すように多結晶シリコン２２がシリコン
単結晶基板２１に成膜された試料を図示しないＸ線回折
装置の試料台に装着し、多結晶シリコン２２が成膜され
ている面にＸ線１を入射し、その面を試料台の回転によ
りＯ°〜１８０°回転させる。これによって得られた回
折角２θ（６）は第３図に示すようになる。
単結晶基板２１に成膜された試料を図示しないＸ線回折
装置の試料台に装着し、多結晶シリコン２２が成膜され
ている面にＸ線１を入射し、その面を試料台の回転によ
りＯ°〜１８０°回転させる。これによって得られた回
折角２θ（６）は第３図に示すようになる。
第３図において、３１は多結晶シリコン１漠１３の＜１
．１．１＞方向に成長した結晶粒の格子面（１，１，１
）の回折ピーク、３２は格子面（２゜０．０）の回折ピ
ーク、３３は格子面（２，２゜０）の回折ピークを示す
。この実施例で用いた試料において、格子面（２，２，
Ｏ）と格子面（１゜１．０）とは等価であり、格子面（
２，Ｏ，Ｏ）と格子面（１，Ｏ，Ｏ）とは等価である。
．１．１＞方向に成長した結晶粒の格子面（１，１，１
）の回折ピーク、３２は格子面（２゜０．０）の回折ピ
ーク、３３は格子面（２，２゜０）の回折ピークを示す
。この実施例で用いた試料において、格子面（２，２，
Ｏ）と格子面（１゜１．０）とは等価であり、格子面（
２，Ｏ，Ｏ）と格子面（１，Ｏ，Ｏ）とは等価である。
また、格子面（２，０，０）の回折ピークはシリコン単
結晶基板２１（１１）の格子面（１，０，０）の回折ピ
ークであることから、シリコン単結晶基板２１に成膜し
た多結晶シリコン２２は＜１．１゜０＞、＜１．１．１
＞方向に成長したことが分り、したがって多結晶シリコ
ン２２の結晶粒の結晶方位を判定することができる。
結晶基板２１（１１）の格子面（１，０，０）の回折ピ
ークであることから、シリコン単結晶基板２１に成膜し
た多結晶シリコン２２は＜１．１゜０＞、＜１．１．１
＞方向に成長したことが分り、したがって多結晶シリコ
ン２２の結晶粒の結晶方位を判定することができる。
なお、上記実施例では減圧方式の化学気相成長法により
成膜した多結晶体を試料として用いたが、それに限らず
他の方法により成膜した多結晶体を試料として用いても
、同様の効果が得られる。
成膜した多結晶体を試料として用いたが、それに限らず
他の方法により成膜した多結晶体を試料として用いても
、同様の効果が得られる。
以上のように本発明によれば、多結晶体が成膜されてい
る面にＸ線を入射し、その面を所定角度回転させて回折
ＸＮＩＡの回折角を検出し、その回折角に対するピーク
により多結晶体の結晶方位を判定するようにしたので、
結晶方位を判定すべき試料を１つの単結晶として取り出
す必要がなく、多結晶体を基板に成膜した状態で成長し
た結晶粒の結晶方位を検出でき、したがって簡便に精度
良く、しかも非破壊の状態で多結晶体の結晶方位を判定
できるという効果が得られる。
る面にＸ線を入射し、その面を所定角度回転させて回折
ＸＮＩＡの回折角を検出し、その回折角に対するピーク
により多結晶体の結晶方位を判定するようにしたので、
結晶方位を判定すべき試料を１つの単結晶として取り出
す必要がなく、多結晶体を基板に成膜した状態で成長し
た結晶粒の結晶方位を検出でき、したがって簡便に精度
良く、しかも非破壊の状態で多結晶体の結晶方位を判定
できるという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例に係る結晶方位判定方法を
説明するための図、第２図はこの実施例による試料の断
面側面図、第３図はこの実施例により得られたＸ線回折
チャート、第４図は従来の粉末法による結晶方位判定方
法を説明するための図である。 １・・・入射Ｘ線、４・・・回折Ｘ線、６・・・回折角
、１１．２１・・・シリコン単結晶基板、１３・・・多
結晶シリコン膜、１４．１６・・・結晶粒、１５．１７
・・・格子面、２２・・・多結晶シリコン。
説明するための図、第２図はこの実施例による試料の断
面側面図、第３図はこの実施例により得られたＸ線回折
チャート、第４図は従来の粉末法による結晶方位判定方
法を説明するための図である。 １・・・入射Ｘ線、４・・・回折Ｘ線、６・・・回折角
、１１．２１・・・シリコン単結晶基板、１３・・・多
結晶シリコン膜、１４．１６・・・結晶粒、１５．１７
・・・格子面、２２・・・多結晶シリコン。
Claims (1)
- 結晶方位を判定すべき多結晶体を基板に成膜し、その多
結晶体が成膜されている面にＸ線を入射し、その面を所
定角度回転させて入射したＸ線に対する回折Ｘ線の回折
角を検出し、その回折角に対する回折ピークにより上記
多結晶体の結晶方位を判定することを特徴とする多結晶
体の結晶方位判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29523888A JPH02140648A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 多結晶体の結晶方位判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29523888A JPH02140648A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 多結晶体の結晶方位判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140648A true JPH02140648A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17818002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29523888A Pending JPH02140648A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 多結晶体の結晶方位判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021015068A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 積層部を備える柱状構造体を有する電極 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29523888A patent/JPH02140648A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021015068A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 積層部を備える柱状構造体を有する電極 |
| JPWO2021015068A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 |
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