JP7176927B2 - Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス - Google Patents
Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7176927B2 JP7176927B2 JP2018204147A JP2018204147A JP7176927B2 JP 7176927 B2 JP7176927 B2 JP 7176927B2 JP 2018204147 A JP2018204147 A JP 2018204147A JP 2018204147 A JP2018204147 A JP 2018204147A JP 7176927 B2 JP7176927 B2 JP 7176927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- terminal
- cem
- potential
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/12—Anode arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/30—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
出力電流(A)/荷電粒子の入力量(A) …(1)
一方、DCリニアリティ(%)は、以下の式(2)で与えられる。したがって、出力電流が比較的低い範囲であれば、必然的に入出力電流比は基準値にほぼ一致することとなる(DCリニアリティは100%)。ところが、出力電流が上記範囲を超えて大きくなるほど、CEMの出力端側での電圧降下が大きくなり、入出力電流比と基準値との差が顕著になる(DCリニアリティが崩れる)。
出力電流(A)/荷電粒子の入力量(A)/基準値(a.u.)×100 …(2)
ここで、「荷電粒子の入力量」は、CEMの入力端に到達する荷電粒子に起因した電流値で与えられ、「出力電流」は、CEMからアノードに到達する電子に起因した電流値で与えられる。
最初に本願発明の実施形態の内容をそれぞれ個別に列挙して説明する。
本願発明に係るCEMアセンブリおよびそれを含む電子増倍デバイスの具体例を、以下に添付の図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に開示される実施形態は、本発明に係るCEMアセンブリが適用される種々のセンシングデバイスのうち、電子増倍デバイスの例について説明するものとする。また、本発明は、これら例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図されている。また、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
Claims (11)
- 荷電粒子を取り込む入力端、二次電子を放出する出力端、および、前記入力端から前記出力端に向かって連続して設けられた二次電子放出層を含む増倍チャネルと、前記二次電子放出層に接触した状態で前記入力端に設けられた入力電極と、前記二次電子放出層に接触した状態で前記出力端に設けられた出力電極と、を有するチャネル型電子増倍体と、
前記入力電極と前記出力電極との間に所定の電圧を印加するための電圧供給回路と、
を備え、
前記入力電極と前記出力電極との間に位置する前記増倍チャネルの抵抗値は、10MΩ未満であり、
前記電圧供給回路は、
第1基準電位に設定される第1端子と、
前記入力電極に接続された第2端子と、
前記出力電極に接続された第3端子と、
第2基準電位に設定された第4端子と、
前記第1端子と前記第2端子との間に配置された電源部であって、前記第1端子と、前記第2端子を介して前記入力電極と同電位に設定される入力側基準ノードと、の間の電位差を確保するための起電力を生じさせる電源部と、
前記第3端子と前記第4端子との間に配置された、前記出力電極の電位を調整するための目標電位を保持する定電圧発生部であって、前記第3端子と前記第4端子との間に位置するとともに前記目標電位に設定される出力側基準ノードと、前記第4端子と前記出力側基準ノードとの間の電位差を確保するための電圧降下を生じさせる定電圧供給部を含む定電圧発生部と、を有する、
CEMアセンブリ。 - 前記定電圧発生部は、
前記入力側基準ノードと前記出力側基準ノードとの間に配置された第1抵抗と、
前記第3端子を介して前記出力電極と前記出力側基準ノードとの電位差を解消する電位固定素子と、を更に備えた請求項1に記載のCEMアセンブリ。 - 前記定電圧供給部は、前記出力側基準ノードと前記第4端子との間に配置された第2抵抗を含むことを特徴とする請求項2に記載のCEMアセンブリ。
- 前記第1抵抗の抵抗値は、前記第2抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項3に記載のCEMアセンブリ。
- 前記第1抵抗と前記第2抵抗の抵抗比は、100対1から2対1の範囲内に収まることを特徴とする請求項3または4に記載のCEMアセンブリ。
- 前記定電圧供給部は、前記出力側基準ノードと前記第4端子との間に配置されたツェナーダイオードを含むことを特徴とする請求項2に記載のCEMアセンブリ。
- 前記電位固定素子は、MOSトランジスタ、FET、および、バイポーラトランジスタのうち何れかを含むことを特徴とする請求項2~6の何れか一項に記載のCEMアセンブリ。
- 前記定電圧供給部は、前記出力側基準ノードと前記第4端子との間で直列接続された1またはそれ以上のICユニットを含み、前記ICユニットのそれぞれが、シャントレギュレータICと、前記シャントレギュレータICの入力端と出力端の間において所定の抵抗比で直列接続された第3抵抗および第4抵抗と、を有することを特徴とする請求項1に記載のCEMアセンブリ。
- 前記増倍チャネルは、前記二次電子放出層を支持する、絶縁材料からなる構造体と、前記二次電子放出層と前記構造体との間に設けられた抵抗膜と、を更に含むことを特徴とする請求項1~8の何れか一項に記載のCEMアセンブリ。
- 前記絶縁材料は、鉛ガラスを除くガラス、または、セラミックからなることを特徴とする請求項9に記載のCEMアセンブリ。
- 請求項1~10の何れか一項に記載のCEMアセンブリと、
前記CEMアセンブリの一部を構成する前記チャネル型電子増倍体の前記出力端に対面するよう配置されたアノードと、を備えた電子増倍デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018204147A JP7176927B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
US16/665,065 US10685822B2 (en) | 2018-10-30 | 2019-10-28 | CEM assembly and electron multiplier device |
CN201911036557.XA CN111128669A (zh) | 2018-10-30 | 2019-10-29 | Cem组件和电子倍增设备 |
JP2022180106A JP7307849B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-11-10 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018204147A JP7176927B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022180106A Division JP7307849B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-11-10 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020071955A JP2020071955A (ja) | 2020-05-07 |
JP7176927B2 true JP7176927B2 (ja) | 2022-11-22 |
Family
ID=70327578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018204147A Active JP7176927B2 (ja) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10685822B2 (ja) |
JP (1) | JP7176927B2 (ja) |
CN (1) | CN111128669A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066394A (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Burle Technologies Inc | ブリーダパワーゲート増幅器 |
JP2007143292A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Cosel Co Ltd | 並列運転電源システム |
JP2007141131A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | ワイヤレスセンサチップを用いる計測システム |
JP2013219001A (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Applied Materials Israel Ltd | 光検出装置及び光電子増倍管にバイアスをかける方法 |
JP2014067545A (ja) | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hamamatsu Photonics Kk | マイクロチャンネルプレート、マイクロチャンネルプレートの製造方法、及びイメージインテンシファイア |
JP2017208345A (ja) | 2012-05-18 | 2017-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャネルプレートの製造方法 |
JP6395906B1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62126540A (ja) | 1985-11-28 | 1987-06-08 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | 光電子増倍管のブリ−ダ回路 |
DE3853733T2 (de) * | 1987-02-10 | 1996-02-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hochfrequenz-Heizapparat. |
JP2990321B2 (ja) | 1993-03-09 | 1999-12-13 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 誘導プラズマ質量分析装置 |
US5440115A (en) * | 1994-04-05 | 1995-08-08 | Galileo Electro-Optics Corporation | Zener diode biased electron multiplier with stable gain characteristic |
JPH0832989A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | レベルシフト回路 |
US5568013A (en) * | 1994-07-29 | 1996-10-22 | Center For Advanced Fiberoptic Applications | Micro-fabricated electron multipliers |
US6166365A (en) * | 1998-07-16 | 2000-12-26 | Schlumberger Technology Corporation | Photodetector and method for manufacturing it |
JP2004328640A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | バイアス電流生成回路、レーザダイオード駆動回路及び光通信用送信器 |
JP2006293018A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 光変調装置および光変調システム |
US7408142B2 (en) * | 2005-09-16 | 2008-08-05 | Arradiance, Inc. | Microchannel amplifier with tailored pore resistance |
CN104091899B (zh) * | 2006-11-30 | 2017-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
US8686596B2 (en) * | 2007-01-05 | 2014-04-01 | Roy Allen Huss | Fuse box system and method |
GB2456559B (en) | 2008-01-18 | 2011-08-24 | Entpr Ltd | Drive and measurement circuit for a photomultiplier |
JP2009267836A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ |
KR101361877B1 (ko) * | 2009-09-18 | 2014-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 레귤레이터와 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치 |
US8648500B1 (en) * | 2011-05-18 | 2014-02-11 | Xilinx, Inc. | Power supply regulation and optimization by multiple circuits sharing a single supply |
US8814327B2 (en) * | 2011-07-01 | 2014-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Power supply apparatus and printing apparatus |
US9171690B2 (en) * | 2011-12-29 | 2015-10-27 | Elwha Llc | Variable field emission device |
US20140265829A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Exelis, Inc. | Method And Apparatus To Enhance Output Current Linearity In Tandem Electron Multipliers |
JP6496217B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-04-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャンネルプレート及び電子増倍体 |
JP6738244B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体の製造方法及び電子増倍体 |
WO2018051732A1 (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | Jnc株式会社 | インク組成物およびこれを用いた有機電界発光素子 |
WO2018051494A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱装置、基板加熱装置および半導体デバイスの製造方法 |
DE102018107094B4 (de) * | 2018-03-26 | 2021-04-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-Package-Oberseitenkühlung und Verfahren zu deren Herstellung |
-
2018
- 2018-10-30 JP JP2018204147A patent/JP7176927B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-28 US US16/665,065 patent/US10685822B2/en active Active
- 2019-10-29 CN CN201911036557.XA patent/CN111128669A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066394A (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Burle Technologies Inc | ブリーダパワーゲート増幅器 |
JP2007143292A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Cosel Co Ltd | 並列運転電源システム |
JP2007141131A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | ワイヤレスセンサチップを用いる計測システム |
JP2013219001A (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Applied Materials Israel Ltd | 光検出装置及び光電子増倍管にバイアスをかける方法 |
JP2017208345A (ja) | 2012-05-18 | 2017-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャネルプレートの製造方法 |
JP2014067545A (ja) | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Hamamatsu Photonics Kk | マイクロチャンネルプレート、マイクロチャンネルプレートの製造方法、及びイメージインテンシファイア |
JP6395906B1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111128669A (zh) | 2020-05-08 |
JP2020071955A (ja) | 2020-05-07 |
US20200135439A1 (en) | 2020-04-30 |
US10685822B2 (en) | 2020-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7177133B2 (en) | Method and apparatus for bipolar ion generation | |
EP0570148B1 (en) | Electrostatic voltmeter employing high voltage integrated circuit devices | |
US20140015005A1 (en) | Single chip igniter and internal combustion engine ignition device | |
US10957510B2 (en) | Device for generating a source current of charge carriers | |
US9941091B2 (en) | X-ray tube | |
JP7307849B2 (ja) | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス | |
JP7176927B2 (ja) | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス | |
EP3139406A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor module | |
US20140265829A1 (en) | Method And Apparatus To Enhance Output Current Linearity In Tandem Electron Multipliers | |
US7636229B2 (en) | Ion generating unit and ion generating apparatus | |
US9363874B2 (en) | Current controlling device and electric field emission system including the same | |
JP6757166B2 (ja) | 補償回路及び補償回路の製造方法 | |
JP2017198537A (ja) | 過電流検出回路 | |
JP4859902B2 (ja) | ホールド回路 | |
US10930484B2 (en) | Ion detector | |
JP2004030064A (ja) | 基準電圧回路 | |
JP2015095525A (ja) | 半導体回路装置の製造方法および半導体回路装置 | |
US10461702B2 (en) | Amplifier circuit having poly resistor with biased depletion region | |
JP6384956B2 (ja) | 半導体回路装置 | |
JP2000115987A (ja) | 短絡保護回路 | |
GB2583677A (en) | High-voltage amplifier, high-voltage power supply, and mass spectrometer | |
US9530634B2 (en) | Device for supplying voltage to the cathode of a mass spectrometer | |
JP2020191644A (ja) | 補償回路及び補償回路の製造方法 | |
US11940823B2 (en) | Reference voltage generation circuit | |
JP2006041441A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7176927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |