JP7099679B2 - 静電気放電保護デバイス - Google Patents
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- 半導体デバイスであって、
基板表面を有する基板と、
前記基板表面の下に前記基板に配置される第1のドープされた領域と、
前記基板に配置され、前記基板表面と前記第1のドープされた領域との間に延在し、前記第1のドープされた領域に少なくとも部分的に接する第2のドープされた領域であって、前記第1のドープされた領域と前記第2のドープされた領域とが、n型領域であって、共に前記基板に隔離タンクを画定する、前記第2のドープされた領域と、
前記隔離タンクに配置され、前記基板表面に接している第3のドープされた領域であって、前記第2のドープされた領域と前記第3のドープされた領域とがダイオードを形成する、前記第3のドープされた領域と、
前記隔離タンクにおける少なくとも1つの開口であって、電流が前記基板と前記第3のドープされた領域との間に流れるための抵抗性経路を形成する、前記開口と、
を含む、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記隔離タンクの外に前記基板に配置される第4のドープされた領域を更に含み、
前記抵抗性経路を用いて前記第3のドープされた領域と前記第4のドープされた領域との間に電流経路が存在する、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記第3のドープされた領域がp型領域である、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記ダイオードのアノードが前記ダイオードのカソードに結合される、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記開口が前記第1のドープされた領域内にある、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記開口が前記第2のドープされた領域内にある、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記第1のドープされた領域が前記基板表面に平行な表面を有する、半導体デバイス。 - 請求項1の半導体デバイスであって、
前記第2のドープされた領域が前記基板表面に対して垂直である、半導体デバイス。 - 静電放電(ESD)から回路を保護するためのESD保護デバイスであって、
前記回路に結合される第1の導電型の第1のノードと、
第1の電圧電位に結合するための第2の導電型の第2のノードと、
第2の電圧電位に結合するための前記第1の導電型の第3のノードであって、前記第2の電圧電位が前記第1の電圧電位よりも低い、前記第3のノードと、
前記第1のノードと前記第2のノードとの間に結合されるダイオードと、
前記第1のノードと第3のノードとの間に結合される抵抗器であって、前記抵抗器の抵抗の値が前記第1のノードにおける電圧電位の関数である、前記抵抗器と、
を含む、ESD保護デバイス。 - 請求項9に記載のESD保護デバイスであって、
前記ダイオードのアノードが前記第1のノードに結合され、前記ダイオードのカソードが前記第2のノードに結合される、ESD保護デバイス。 - 請求項9に記載のESD保護デバイスであって、
前記第2のノードが電圧源端子に結合される、ESD保護デバイス。 - 請求項9に記載のESD保護デバイスであって、
前記第3のノードが接地端子に結合される、ESD保護デバイス。 - 請求項9に記載のESD保護デバイスであって、
前記抵抗器の抵抗が、前記第1のノードにおける電圧の増大に応答して増大する、ESD保護デバイス。 - 請求項9に記載のESD保護デバイスであって、
前記抵抗器と前記ダイオードとが単一ユニットである、ESD保護デバイス。 - 半導体デバイスであって、
表面を有する基板と、
前記表面の下の前記基板に位置する隔離タンクであって、内部を有する、前記隔離タンクと、
前記内部に位置する第1の導電型を有する第1のドープされた領域と、
前記内部に位置する第2の導電型を有する第2のドープされた領域と、
前記内部に位置する前記第2の導電型を有する第3のドープされた領域と、
前記第2のドープされた領域と前記第3のドープされた領域との間に延在し、前記第1のドープされた領域と前記隔離タンクとの間に位置する抵抗性経路であって、前記抵抗性経路の抵抗の値が前記第1のドープされた領域に印加される電圧電位の関数である、前記抵抗性経路と、
を含む、半導体デバイス。 - 請求項15に記載の半導体デバイスであって、
前記第2のドープされた領域が、回路の端子に結合し、前記回路にESD保護を提供するためのものである、半導体デバイス。 - 請求項15に記載の半導体デバイスであって、
前記第3のドープされた領域が基準電圧に結合するためのものである、半導体デバイス。 - 請求項15に記載の半導体デバイスであって、
前記第1のドープされた領域が電圧源に結合するためのものである、半導体デバイス。 - 請求項15に記載の半導体デバイスであって、
前記第1のドープされた領域がn型領域であり、前記第2のドープされた領域がp型領域であり、前記第3のドープされた領域がp型領域であり、前記内部がp型領域である、半導体デバイス。
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