JP2008047642A - 静電気放電保護半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板に形成した半導体装置上に導電体を配設し、前記導電体を電源ラインもしくはグランドラインに接続し、前記半導体装置が構成されている集積回路上に配設されている導電体と、半導体装置配線は別配線である多層配線により構成することで、前記半導体装置における前記導電体の占有面積を増大させることが可能となり、気中放電モデルにおける静電気放電耐量を向上させることができる。さらに、集積回路に占める導電体面積比を40%以上とすることで面積効率の良い静電気放電保護半導体装置とする。
【選択図】 図1
Description
(1)半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路において、前記半導体装置が構成されている集積回路上に前記半導体装置に用いられている配線とは別の層からなる導電体が配設されていることを特徴とする静電気放電保護半導体装置とした。
(2)前記導電体は、金属である静電気放電保護半導体装置とした。
(3)前記半導体装置が構成されている集積回路上に配設されている導電体は、電源ラインもしくはグランドラインに接続されている静電気放電保護半導体装置とした。
(4)前記半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路と、前記半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路上に配設される導電体との面積比は、40%以上である静電気放電保護半導体装置とした。
半導体基板に、半導体デバイス、例えばMOSトランジスタ7が形成されており、MOSトランジスタ7は拡散層3と多結晶シリコン2とにより構成されている。拡散層3及び多結晶シリコン2の電極は、コンタクト4及び配線5及びビアコンタクト10及び多層配線11、例えばスパイク防止のためシリコン添加したアルミニウムにより形成されている。MOSトランジスタ7上には、導電体6、例えばスパイク防止のためシリコン添加したアルミニウムが多層配線11に対してデザインルールの最小寸法以上のスペースで形成される。このとき、多層配線11と導電体6とを同時に形成することにより、製造工程を増大させることがない。このとき、前記半導体装置において配線5よりも多層配線11の占有面積が小さい場合、配線5と導電体6とを同時形成するプロセスに対して、前記半導体装置に占める導電体6の割合を増大させることが可能となり静電気放電耐量を増大させることが可能となる。
2 多結晶シリコン
3 拡散層
4 コンタクト
5 配線
6 導電体
7 MOSトランジスタ
8 GND
9 VDD
10 ビアコンタクト
11 多層配線
12 層間絶縁膜
100 電源
101 スイッチ
102 スイッチ
103 抵抗
104 抵抗
105 容量
106 回路ボード
110 半導体基板
111 ゲート
112 ドレイン
113 ソース
117 NMOS
118 GND
119 層間絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路において、前記半導体装置が構成されている集積回路上に前記半導体装置に用いられている複数の配線から選択されたひとつの配線層からなる導電体が配設されている静電気放電保護半導体装置。
- 前記導電体は、金属である請求項1記載の静電気放電保護半導体装置。
- 前記半導体装置が構成されている集積回路上に配設されている導電体は、電源ラインもしくはグランドラインに接続されている請求項1記載の静電気放電保護半導体装置。
- 前記半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路と、前記半導体基板上に半導体装置が構成されている集積回路上に配設される導電体との面積比は、40%以上である請求項1記載の静電気放電保護半導体装置。
- 前記ひとつの配線層は前記複数の配線のうち占有面積が最小の層である請求項1記載の静電気放電保護半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006220274A JP2008047642A (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 静電気放電保護半導体装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006220274A JP2008047642A (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 静電気放電保護半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102244070A (zh) * | 2010-05-11 | 2011-11-16 | 立锜科技股份有限公司 | 在超高压组件的高压路径上提供esd保护的结构 |
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2006
- 2006-08-11 JP JP2006220274A patent/JP2008047642A/ja not_active Withdrawn
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