JP7089619B2 - Ｐｗｍコンデンサの制御 - Google Patents

Ｐｗｍコンデンサの制御 Download PDF

Info

Publication number
JP7089619B2
JP7089619B2 JP2021084925A JP2021084925A JP7089619B2 JP 7089619 B2 JP7089619 B2 JP 7089619B2 JP 2021084925 A JP2021084925 A JP 2021084925A JP 2021084925 A JP2021084925 A JP 2021084925A JP 7089619 B2 JP7089619 B2 JP 7089619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
terminal
capacitor
switching
reference value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021084925A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021145133A (ja
Inventor
ダニロビッチ ミリサフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WiTricity Corp
Original Assignee
WiTricity Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WiTricity Corp filed Critical WiTricity Corp
Publication of JP2021145133A publication Critical patent/JP2021145133A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7089619B2 publication Critical patent/JP7089619B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60L—PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; SUPPLYING ELECTRIC POWER FOR AUXILIARY EQUIPMENT OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES IN GENERAL; MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES; MONITORING OPERATING VARIABLES OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRIC SAFETY DEVICES FOR ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES
    • B60L53/00—Methods of charging batteries, specially adapted for electric vehicles; Charging stations or on-board charging equipment therefor; Exchange of energy storage elements in electric vehicles
    • B60L53/10—Methods of charging batteries, specially adapted for electric vehicles; Charging stations or on-board charging equipment therefor; Exchange of energy storage elements in electric vehicles characterised by the energy transfer between the charging station and the vehicle
    • B60L53/12—Inductive energy transfer
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/083—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the ignition at the zero crossing of the voltage or the current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/38—Means for preventing simultaneous conduction of switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/28—Impedance matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H03H7/383—Impedance-matching networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/13—Modifications for switching at zero crossing
    • H03K17/133—Modifications for switching at zero crossing in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
    • H03K17/284—Modifications for introducing a time delay before switching in field effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1536—Zero-crossing detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
    • H03K7/08—Duration or width modulation ; Duty cycle modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0009—AC switches, i.e. delivering AC power to a load
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/7072—Electromobility specific charging systems or methods for batteries, ultracapacitors, supercapacitors or double-layer capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T90/00—Enabling technologies or technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02T90/10—Technologies relating to charging of electric vehicles
    • Y02T90/14—Plug-in electric vehicles

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１６年２月８日に米国に特許出願された出願番号６２／２９２，４７４
、２０１６年８月１７日に米国に特許出願された出願番号６２／３７６，２１７、２０１
６年１０月１２日に米国に特許出願された出願番号６２／４０７，０１０、および２０１
６年１０月１４日に米国に特許出願された出願番号６２／４０８，２０４の優先権を主張
するものであり、当該出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
パワーエレクトロニクスは、整流器、ＡＣ（交流）ＤＣ（直流）変換器、インピーダン
ス整合回路、および他のパワーエレクトロニクスなどの電子回路によって、電子機器に電
力を供給するために使用される電圧および／または電流の特性を調整、監視、維持および
／または変更することができる。調整可能なインピーダンスを有する回路の構成要素は、
そのような状況で、様々な電子機器の電圧および／または電流特性を変更するために使用
することができる。損傷を避けるためにそのような構成要素を制御することは、困難なこ
とがある。さらに、現在の調整可能なインピーダンス回路の構成要素は、確実に安全な動
作を行うために、効率電力損失を犠牲にすることがある。例えば、ＰＷＭ制御されたリア
クタンス構成要素（例えば、コンデンサおよびインダクタ）は、トランジスタを流れる電
流サージを損傷することを避けるためにトランジスタがスイッチングされている間、構成
要素の電圧をゼロに固定するために、損失性ダイオード導通電流に依存することがある。
概して、本開示はＰＷＭ制御コンデンサなどの可変リアクタンス回路構成要素を制御す
るための制御システムおよびプロセスを特徴とする。本明細書に記載の装置およびプロセ
スは、インピーダンス整合ネットワーク、埋め込み型デバイス、携帯電話および他のモバ
イルコンピューティングデバイス用充電器、および電気自動車用充電器を含む様々な状況
で使用することができる。
第１の態様では、本開示は、コンデンサ、第１トランジスタ、第２トランジスタ、およ
び制御回路を含む可変容量素子を特徴とする。第１トランジスタは、第１トランジスタソ
ース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む。
第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１ト
ランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジス
タソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを含
む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。第
２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第２
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に入力電流
の第１ゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キ
ャパシタンスを調整するように構成される。第１の時間から第１遅延期間の後に第１トラ
ンジスタをオフに切り換える。第１遅延期間の長さは、入力値によって制御することがで
きる。第１の時間の後、第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する。第１トランジ
スタをオフに切り換えてから第２ゼロ交差を検出するまでの経過時間を測定する。前記経
過時間に基づいて、カウンタを設定する。前記カウンタに基づいて、第２遅延期間の後に
前記第１トランジスタをオンに切り換える。
第２の態様では、本開示は、インピーダンス整合ネットワークおよび可変容量素子を含
む高電圧インピーダンス整合システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第
１トランジスタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１
トランジスタソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート
端子とを含む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続
される。第１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、
第２トランジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲ
ート端子とを含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に
接続される。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接
続される。第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の
時間に入力電流の第１ゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コン
デンサの実効キャパシタンスを調整するように構成される。第１の時間から第１遅延期間
の後に第１トランジスタをオフに切り換える。第１遅延期間の長さは、入力値によって制
御することができる。第１の時間の後、第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する
。第１トランジスタをオフに切り換えてから第２ゼロ交差を検出するまでの経過時間を測
定する。前記経過時間に基づいて、カウンタを設定する。前記カウンタに基づいて、第２
遅延期間の後に前記第１トランジスタをオンに切り換える。
第３の態様では、本開示は、可変容量素子に電気的に接続された誘導コイルを含む無線
エネルギー伝送システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１トランジス
タと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１トランジスタ
ソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む
。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジ
スタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを
含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。
第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第
２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に入力電
流の第１ゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効
キャパシタンスを調整するように構成される。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１
トランジスタをオフに切り換える。第１遅延期間の長さは、入力値によって制御すること
ができる。第１の時間の後、第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する。第１トラ
ンジスタをオフに切り換えてから第２ゼロ交差を検出するまでの経過時間を測定する。前
記経過時間に基づいて、カウンタを設定する。前記カウンタに基づいて、第２遅延期間の
後に前記第１トランジスタをオンに切り換える。
これらの態様および以下の態様は、各々、以下の特徴の１つ以上を任意に含むことがで
きる。
いくつかの実装では、制御回路の動作は、第２の時間から第１遅延期間の後に第２トラ
ンジスタをオフに切り換えることを含む。第２の時間の後、第３の時間に入力電流の第３
ゼロ交差を検出する。第２トランジスタをオフに切り換えてから第３ゼロ交差を検出する
までの第２経過時間を測定する。第２経過時間に基づいて、第２カウンタを設定する。第
２カウンタに基づいて、第３遅延期間の後に第２トランジスタをオンに切り換える。
いくつかの実装では、コンデンサの実効キャパシタンスは入力値によって制御される。
いくつかの実装では、入力値は位相遅延値であり、第１遅延期間は
Figure 0007089619000001
 に等しい。ここで、φは位相遅延値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
いくつかの実装では、経過時間に基づいてカウンタを設定することは、測定された経過
時間と所定の遅延期間とを合わせた時間にカウンタを設定することを含む。
いくつかの実装では、所定の時間遅延は８００ｎｓ未満である。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、または窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴ
トランジスタである。
いくつかの実装では、第１トランジスタをオンに切り換えることは、第１トランジスタ
を介するボディダイオードの導通を検出したことに応答して第１トランジスタをオンに切
り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１トランジスタを介したボディダイオードの導通は、コンデン
サの両端のゼロ電圧状態を示す。
第４の態様では、本開示は、コンデンサ、第１トランジスタ、第２トランジスタ、およ
び制御回路を含む可変容量素子を特徴とする。第１トランジスタは、第１トランジスタソ
ース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む。
第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１ト
ランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジス
タソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを含
む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。第
２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第２
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、位相遅延値に基づいて
第１遅延期間を決定することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キャ
パシタンスを調整するように構成される。位相遅延値に基づいて第２遅延期間を決定し、
第２遅延期間は第１遅延期間よりも長い。第１の時間に入力電流の第１ゼロ交差を検出す
る。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１トランジスタをオフに切り換える。第１の
時間から第２遅延期間の後に、第１トランジスタをオンに切り換える。第１の時間の後、
第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する。第２の時間から第１遅延期間の後に、
第２トランジスタをオフに切り換える。第２の時間から第２遅延期間の後に、第２トラン
ジスタをオンに切り換える。
第５の態様では、本開示は、インピーダンス整合ネットワークと可変容量素子とを含む
高電圧インピーダンス整合システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１
トランジスタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１ト
ランジスタソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端
子とを含む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続さ
れる。第１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第
２トランジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲー
ト端子とを含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接
続される。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続
される。第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、位相遅延
値に基づいて第１遅延期間を決定することを含む動作を実行することによってコンデンサ
の実効キャパシタンスを調整するように構成される。位相遅延値に基づいて第２遅延期間
を決定し、第２遅延期間は第１遅延期間よりも長い。第１の時間に入力電流の第１ゼロ交
差を検出する。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１トランジスタをオフに切り換え
る。第１の時間から第２遅延期間の後に第１トランジスタをオンに切り換える。第１の時
間の後、第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する。第２の時間から第１遅延期間
の後に第２トランジスタをオフに切り換える。第２の時間から第２遅延期間の後に第２ト
ランジスタをオンに切り換える。
第６の態様では、本開示は、可変容量素子に電気的に接続された誘導コイルを含む無線
エネルギー伝送システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１トランジス
タと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１トランジスタ
ソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む
。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジ
スタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを
含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。
第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第
２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、位相遅延値に基づい
て第１遅延期間を決定することを含む動作を実行することによってコンデンサの実効キャ
パシタンスを調整するように構成される。位相遅延値に基づいて第２遅延期間を決定し、
第２遅延期間は第１遅延期間よりも長い。第１の時間に入力電流の第１ゼロ交差を検出す
る。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１トランジスタをオフに切り換える。第１の
時間から第２遅延期間の後に、第１トランジスタをオンに切り換える。第１の時間の後、
第２の時間に入力電流の第２ゼロ交差を検出する。第２の時間から第１遅延期間の後に、
第２トランジスタをオフに切り換える。第２の時間から第２遅延期間の後に、第２トラン
ジスタをオンに切り換える。
これらの態様および他の態様はそれぞれ、以下の特徴の１つまたは複数を任意に含むこ
とができる。
いくつかの実装では、コンデンサの実効キャパシタンスは、位相遅延値によって制御さ
れる。
いくつかの実装では、第１遅延期間は
Figure 0007089619000002
 に等しい。ここで、φは位相遅延値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
いくつかの実装では、第２遅延期間は
Figure 0007089619000003
 に等しい。ここで、φは位相遅延値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
いくつかの実装では、第１の時間から第２遅延期間の後に第１トランジスタをオンに切
り換えることは、第１の時間から第２遅延期間の後に一定の時間遅延に続いて第１トラン
ジスタをオンに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１の時間から第２遅延期間の後に第１トランジスタをオンに切
り換えることは、第１トランジスタを介するボディダイオードの導通を検出したことに応
答して第１トランジスタをオンに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１トランジスタ介するボディダイオードの導通は、コンデンサ
の両端のゼロ電圧状態を示す。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、または窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴ
トランジスタである。
第７の態様では、本開示は、コンデンサ、第１トランジスタ、第２トランジスタ、およ
び制御回路を含む可変容量素子を特徴とする。第１トランジスタは、第１トランジスタソ
ース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む。
第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１ト
ランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジス
タソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを含
む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。第
２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第２
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、入力電流のゼロ交差に
対応するようにタイミング調整されたピークおよび谷を有する交互のランプ信号を生成す
ることを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キャパシタンスを調整する
ように構成される。ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、第１トランジスタ
をオフに切り換える。ランプ信号が第１基準値を横切った後、第１トランジスタを介する
ボディダイオードの導通を検出したことに応答して、第１トランジスタをオンに切り換え
る。ランプ信号が第２基準値を横切ることに応答して、第２トランジスタをオフに切り換
える。ランプ信号が第２基準値を横切った後、第１トランジスタを介するボディダイオー
ドの導通を検出したことに応答して、第２トランジスタをオンに切り換える。
第８の態様では、本開示は、インピーダンス整合ネットワークおよび可変容量素子を含
む高電圧インピーダンス整合システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第
１トランジスタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１
トランジスタソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート
端子とを含む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続
される。第１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、
第２トランジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲ
ート端子とを含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に
接続される。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接
続される。第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、入力電
流のゼロ交差に対応するようにタイミング調整されたピークおよび谷を有する交互のラン
プ信号を生成することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キャパシタ
ンスを調整するように構成される。ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、第
１トランジスタをオフに切り換える。ランプ信号が第１基準値を横切った後、第１トラン
ジスタを介するボディダイオードの導通を検出したことに応答して、第１トランジスタを
オンに切り換える。ランプ信号が第２基準値を横切ることに応答して、第２トランジスタ
をオフに切り換える。ランプ信号が第２基準値を横切った後、第１トランジスタを介する
ボディダイオードの導通を検出したことに応答して、第２トランジスタをオンに切り換え
る。
第９の態様では、本開示は、可変容量素子に電気的に接続された誘導コイルを含む無線
エネルギー伝送システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１トランジス
タと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１トランジスタ
ソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む
。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジ
スタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを
含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。
第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第
２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、入力電流のゼロ交差
に対応するようにタイミング調整されたピークおよび谷を有する交互のランプ信号を生成
することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キャパシタンスを調整す
るように構成される。ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、第１トランジス
タをオフに切り換える。ランプ信号が第１基準値を横切った後、第１トランジスタを介す
るボディダイオードの導通を検出したことに応答して、第１トランジスタをオンに切り換
える。ランプ信号が第２基準値を横切ることに応答して、第２トランジスタをオフに切り
換える。ランプ信号が第２基準値を横切った後、第１トランジスタを介するボディダイオ
ードの導通を検出したことに応答して、第２トランジスタをオンに切り換える。
これらの態様および他の態様はそれぞれ、以下の特徴の１つまたは複数を任意に含むこ
とができる。
いくつかの実装では、コンデンサの実効キャパシタンスは、第１および第２基準値によ
って制御される。
いくつかの実装では、第２基準値は、第１基準値の負の値を有する。
いくつかの実装では、第１トランジスタをオンに切り換えることは、ランプ信号がラン
プ信号のピークに続いて第１基準値を横断した後、一定の時間遅延に続いてに第１トラン
ジスタをオンに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１トランジスタをオンに切り換えることは、ランプ信号がラン
プ信号のピークに続いて第１基準値を横断した後、第１トランジスタを介するボディダイ
オードの導通を検出したことに応答して、第１トランジスタをオンに切り換えることを含
む。
いくつかの実装では、第１トランジスタを介するボディダイオードの導通は、コンデン
サの両端のゼロ電圧状態を示す。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、または窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴ
トランジスタである。
第１０の態様では、本開示は、コンデンサ、第１ランジスタ、第２トランジスタ、およ
び制御回路を含む可変容量素子を特徴とする。第１トランジスタは、第１トランジスタソ
ース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む。
第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１ト
ランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジス
タソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを含
む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。第
２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第２
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に入力電流
のゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キャパ
シタンスを調整するように構成される。第１トランジスタをオフに切り換える。コンデン
サの両端の電圧がゼロの時に第１トランジスタをオンに切り換えるための第１遅延期間を
、入力値に基づいて推定する。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１トランジスタを
オンに切り換える。第２の時間に入力電流のゼロ交差を検出する。第２トランジスタをオ
フに切り換える。コンデンサの両端の電圧がゼロの時に第２トランジスタをオンに切り換
えるための第２遅延期間を、入力値に基づいて推定する。第２の時間から第２遅延期間の
後に、第２トランジスタをオンに切り換える。
第１１の態様では、本開示は、インピーダンス整合ネットワークと可変容量素子とを含
む高電圧インピーダンス整合システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第
１トランジスタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１
トランジスタソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート
端子とを含む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続
される。第１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、
第２トランジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲ
ート端子とを含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に
接続される。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接
続される。第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の
時間に入力電流のゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コンデン
サの実効キャパシタンスを調整するように構成される。第１トランジスタをオフに切り換
える。コンデンサの両端の電圧がゼロの時に第１トランジスタをオンに切り換えるための
第１遅延期間を、入力値に基づいて推定する。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１
トランジスタをオンに切り換える。第２の時間に入力電流のゼロ交差を検出する。第２ト
ランジスタをオフに切り換える。コンデンサの両端の電圧がゼロの時に第２トランジスタ
をオンに切り換えるための第２遅延期間を、入力値に基づいて推定する。第２の時間から
第２遅延期間の後に、第２トランジスタをオンに切り換える。
第１２の態様では、本開示は、可変容量素子に電気的に接続された誘導コイルを含む無
線エネルギー伝送システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１トランジ
スタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１トランジス
タソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含
む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第
１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トラン
ジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子と
を含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される
。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。
第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に入力
電流のゼロ交差を検出することを含む動作を実行することによって、コンデンサの実効キ
ャパシタンスを調整するように構成される。第１トランジスタをオフに切り換える。コン
デンサの両端の電圧がゼロの時に第１トランジスタをオンに切り換えるための第１遅延期
間を、入力値に基づいて推定する。第１の時間から第１遅延期間の後に、第１トランジス
タをオンに切り換える。第２の時間に入力電流のゼロ交差を検出する。第２トランジスタ
をオフに切り換える。コンデンサの両端の電圧がゼロの時に第２トランジスタをオンに切
り換えるための第２遅延期間を、入力値に基づいて推定する。第２の時間から第２遅延期
間の後に第２トランジスタをオンに切り換える。
これらの態様および他の態様は、各々、以下の特徴の１つまたは複数を任意に含むこと
ができる。
いくつかの実装では、コンデンサの実効キャパシタンスは入力値によって制御される。
いくつかの実装では、第１遅延期間は
Figure 0007089619000004
 に等しい。ここで、φは入力値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
いくつかの実装では、第１の時間から第１遅延期間の後に第１トランジスタをオンに切
り換えることは、第１の時間から第１遅延期間の後に一定の時間遅延に続いて第１トラン
ジスタをオンに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１の時間から第１遅延期間の後に第１トランジスタをオンに切
り換えることは、第１トランジスタを介するボディダイオードの導通を検出したことに応
答して第１トランジスタをオンに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第１トランジスタを介するボディダイオードの導通は、コンデン
サの両端のゼロ電圧状態を示す。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、または窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴ
トランジスタである。
いくつかの実装では、制御回路の動作は、入力値に基づいて第３遅延期間を決定するこ
とを含み、第１トランジスタをオフに切り換えることは、第１の時間から第３遅延期間の
後に第１トランジスタをオフに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第３遅延期間は
Figure 0007089619000005
 に等しい。ここで、φは入力値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
いくつかの実装では、制御回路の動作は、入力値に基づいて第４遅延期間を決定するこ
とを含み、第２トランジスタをオフに切り換えることは、第２の時間から第４遅延期間の
後に第２トランジスタをオフに切り換えることを含む。
いくつかの実装では、第４遅延期間は
Figure 0007089619000006
 に等しい。ここで、φは入力値を表し、Ｔは入力電流の周期を表す。
第１３の態様では、本開示は、コンデンサ、第１トランジスタ、第２トランジスタ、お
よび制御回路を含む可変容量素子を特徴とする。第１トランジスタは、第１トランジスタ
ソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含む
。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第１
トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トランジ
スタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子とを
含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される。
第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。第
２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に第１ト
ランジスタをオフに切り換えることを含む動作を実行することによって、コンデンサの実
効キャパシタンスを調整するように構成される。第１トランジスタに関連する第１ダイオ
ードを通る電流を検出した後に、第１トランジスタをオンに切り換える。第２の時間に第
２トランジスタをオフに切り換える。第２トランジスタに関連する第２ダイオードを通る
電流を検出した後に、第２トランジスタをオンに切り換える。
第１４の態様では、本開示は、インピーダンス整合ネットワークおよび可変容量素子を
含む高電圧インピーダンス整合システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、
第１トランジスタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第
１トランジスタソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲー
ト端子とを含む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接
続される。第１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは
、第２トランジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタ
ゲート端子とを含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的
に接続される。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に
接続される。第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１
の時間に第１トランジスタをオフに切り換えることを含む動作を実行することによって、
コンデンサの実効キャパシタンスを調整するように構成される。第１トランジスタに関連
する第１ダイオードを通る電流を検出した後に、第１トランジスタをオンに切り換える。
第２の時間に第２トランジスタをオフに切り換える。第２トランジスタに関連する第２ダ
イオードを通る電流を検出した後に、第２トランジスタをオンに切り換える。
第１５の態様では、本開示は、可変容量素子に電気的に接続された誘導コイルを含む無
線エネルギー伝送システムを特徴とする。可変容量素子は、コンデンサと、第１トランジ
スタと、第２トランジスタと、制御回路とを含む。第１トランジスタは、第１トランジス
タソース端子と、第１トランジスタドレイン端子と、第１トランジスタゲート端子とを含
む。第１トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第１端子に電気的に接続される。第
１トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。第２トランジスタは、第２トラン
ジスタソース端子と、第２トランジスタドレイン端子と、第２トランジスタゲート端子と
を含む。第２トランジスタドレイン端子は、コンデンサの第２端子に電気的に接続される
。第２トランジスタソース端子は、第２トランジスタソース端子に電気的に接続される。
第２トランジスタゲート端子は、制御回路に結合される。制御回路は、第１の時間に第１
トランジスタをオフに切り換えることを含む動作を実行することによって、コンデンサの
実効キャパシタンスを調整するように構成される。第１トランジスタに関連する第１ダイ
オードを通る電流を検出した後に、第１トランジスタをオンに切り換える。第２の時間に
第２トランジスタをオフに切り換える。第２トランジスタに関連する第２ダイオードを通
る電流を検出した後に、第２トランジスタをオンに切り換える。
これらおよび他の態様は、各々、以下の特徴の１つまたは複数を任意に含むことができ
る。
いくつかの実装では、第１ダイオードは第１トランジスタと電気的に並列に接続され、
第２ダイオードは第２トランジスタと電気的に並列に接続される。
いくつかの実装では、第１ダイオードは第１トランジスタのボディダイオードであり、
第２ダイオードは第２トランジスタのボディダイオードである。
いくつかの実装は、第１トランジスタおよび第２トランジスタに電気的に接続されたボ
ディダイオード導通センサを含む。
いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは制御回路に結合され、第１ダイオ
ードおよび第２ダイオードを介するボディダイオードの導通の開始を示す信号を提供する
。
いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは、第１トランジスタと第２トラン
ジスタとの間に電気的に接続された検出抵抗器を含む。
いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは、検出抵抗器の１つの端子に電気
的に接続された第１入力端子と、検出抵抗器の他の端子に電気的に接続された第２入力端
子とを含む演算増幅器を含む。
いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは、バイポーラ電圧源を使用して動
作するように構成される。
いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは、ユニポーラ電圧源を使用して動
作するように構成される。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、または窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴ
トランジスタである。
第１６の態様では、本開示は、内部ボディダイオードまたはそれに関連する外部逆並列
ダイオードを備える第１および第２トランジスタスイッチング素子を含む無線電力伝送シ
ステムのインピーダンス整合ネットワークを特徴とする。ＰＷＭスイッチトコンデンサは
、第１および第２スイッチング素子の両端に結合される。コントローラは、電流をボディ
ダイオードから第１および第２トランジスタスイッチング素子のチャネルに向けることに
よって、ボディダイオードの導通時間を最小にするように、第１および第２スイッチング
素子に結合される。この態様および他の態様は、各々、以下の特徴の１つまたは複数を任
意に含むことができる。
いくつかの実装では、コントローラは、ＰＷＭスイッチトコンデンサと第１および第２
イッチング素子の両端の電圧がゼロに近い、もしくはゼロになる時にスイッチングが生じ
るように制御する、ゼロ電圧スイッチングＺＶＳ回路を含む。
いくつかの実装では、コントローラは混合信号を実装する。
いくつかの実装では、コントローラはデジタル信号を実装し、マイクロコントローラと
、マイクロコントローラに送信された出力を有するゼロ交差検出ステージと、ゼロ交差検
出ステージが結合されるパワーステージとを含む。ゼロ交差検出段は、比較器と、比較器
用の電圧信号を生成する電流センサ（９０８）とを含む。パワーステージは、第１および
第２トランジスタスイッチング素子を駆動するためのゲートドライバと、マイクロコント
ローラによって生成されたゲートドライバへの信号を入力するための信号絶縁とを含む。
いくつかの実装では、コントローラは、デジタル信号を実装し、該デジタル信号は、（
１）スイッチング周期のサイクルを開始するステップと、（２）入力電流が上昇している
時にゼロ交差検出器により入力電流のゼロ交差を検出するステップと、（３）時間ｔ２に
第１トランジスタスイッチング素子をオフにするようにスケジューリングするステップで
あって、ここで、
Figure 0007089619000007
 であり、Ｔは入力電流の周期であり、フェーズφはＰＷＭスイッチトコンデンサの等価キ
ャパシタンスをほぼ
Figure 0007089619000008
 に設定する、ステップと、（４）時間ｔ５に第２トランジスタスイッチング素子をオンに
切り換えるようにスケジューリングするステップであって、ここで
Figure 0007089619000009
 であり、遅延Ｔｄｅｌａｙは、すべての操作条件において確実にゼロ電圧スイッチングが
行われるよう調整される、ステップと、（５）第２トランジスタスイッチング素子Ｍ２を
オンにすることによってサイクルを終了するステップと、（６）第１トランジスタスイッ
チング素子をオフにするステップと、（７）入力電流が立ち下がっている時に入力電流の
ゼロ交差を検出するステップと、（８）時間ｔ６に第２トランジスタスイッチング素子を
オフにするようスケジューリングステップであって、ここで、
Figure 0007089619000010
 であるステップと、（９）時間ｔ９に第２トランジスタスイッチング素子をオンにするよ
うにスケジューリングするステップであって、ここで、
Figure 0007089619000011
 であるステップと、（１０）第１トランジスタスイッチング素子をゼロ電圧スイッチング
するステップと、（１１）第１トランジスタスイッチング素子をオンにするステップと、
（１２）第２トランジスタスイッチング素子をオフにするステップと、（１３）入力電流
のゼロ交差を検出して、入力電流が上昇している時に次のサイクルを開始するステップと
、（１４）
Figure 0007089619000012
 の後にスイッチング素子をオフにするようにスケジューリングするステップと、（１５）
第２トランジスタスイッチング素子をゼロ電圧スイッチングするステップと、（１６）第
２トランジスタスイッチング素子をオンにするステップと、（１７）次のサイクルの開始
に移行するステップとを含む。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタスイッチング素子はＭＯＳＦＥＴデ
バイスである。
いくつかの実装では、第１および第２トランジスタスイッチング素子は、窒化ガリウム
（ＧａＮ）またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）トランジスタスイッチング素子である。
いくつかの実装では、コントローラは、第１スイッチング素子用の第１ゲート制御信号
と、第２スイッチング素子用の第２ゲート制御信号と、第１および第２スイッチング素子
のゲート間のノードに対する基準電位とを提供するためのゲート制御モジュールである。
いくつかの実装では、ＰＷＭスイッチトコンデンサは
Figure 0007089619000013
 の等価キャパシタンスを提供し、ここでＣ１はコンデンサのインピーダンス値であり、φ
は位相遅延である。
第１７の態様では、本開示は、ソース側回路とデバイス側回路とを含む無線電力伝送シ
ステムを特徴とする。ソース側回路は、ソース側回路に給電するためのインバータと、上
述した態様のいずれかのインピーダンス整合ネットワークと、ソース共振器とを含む。デ
バイス側回路は、デバイス共振器と、デバイスインピーダンス整合ネットワークと、整流
器とを含む。インピーダンス整合ネットワークは、カップリングファクタを使用して発振
電磁エネルギーをデバイス側回路に結合し、発振側電磁エネルギーは整流器によって変換
される。
いくつかの実装では、ソース側回路は、ソース共振器コイルと、直列コンデンサと、並
列コンデンサと、コンデンサと、インダクタとを含み、該コンデンサはＰＷＭスイッチト
コンデンサである。
本明細書に記載された主題の特定の実装は、以下の利点のうちの１つまたは複数を実現
するように実施することができる。実装は、トランジスタをスイッチングする際における
電力損失に関連するボディダイオード（または逆並列ダイオード）導通時間を低減し、そ
れによって動作効率および／または熱管理を向上させることができる。実装は、比較的大
きな順方向ボディダイオード電圧降下を有するトランジスタ、例えばシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）トランジスタの窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むトランジスタの、より広いアレ
イの使用を許可することができる。実装は、三角波、台形波、方形波、または非常に高調
波の成分を有する正弦波特性を有する波形など、高調波成分を有する入力電流の耐性の向
上を実現することができる。
開示された装置、回路、およびシステムの実施形態はまた、異なる実施形態と組み合わ
せて開示される特徴を含む、本明細書で開示される他の特徴のいずれかを含むことができ
、適宜、任意に組み合わせることができる。
本明細書に記載される主題の１つまたは複数の実施形態の詳細は、添付の図面および以
下の説明で明らかにされる。主題の他の特徴、態様、および利点は、説明、図面、および
請求項から明らかになるであろう。
図１は、無線エネルギー伝送システムの概略的表示である。 図２は、１つまたは複数の同調可能なコンデンサを備えるインピーダンス整合ネットワーク（ＩＭＮ）の例を含む無線エネルギー伝送システムの概略的回路表示である。 図３Ａ～３Ｂは、ＰＷＭコンデンサの概略的表示を示す。 図４は、ＰＷＭコンデンサの制御の混合信号実装の図式表現である。 図５Ａは、図４の混合信号実装の変調器の概略的表示である。 図５Ｂは、図５の変調器に関連する波形を示すグラフ表示である。 図６Ａは、図４の混合信号実装のパルス整形回路の概略的表示である。図６Ｂは、図６Ａの変調器に関連する波形を示すグラフ表示である。 図７Ａは、図４の混合信号実装のパワーステージを示す図である。図７Ｂは、図６Ａの変調器に関連する波形を示すグラフ表示である。図７Ｃは、図７Ｂに示すグラフ表示の拡大図である。 図８Ａ～図８Ｆは、ＰＷＭコンデンサの制御の混合信号実装に関連する測定波形のグラフ表示である。 図９は、ＰＷＭコンデンサの制御のデジタル実装の図式表現である。 図１０Ａは、ＰＷＭコンデンサの制御のためのプロセスの例のフローチャートである。 図１０Ｂは、図１０Ａ及び図１０Ｃで説明されるプロセスのタイミング図である。 図１０Ｃは、ＰＷＭコンデンサの制御のための他のプロセスの例のフローチャートである。 図１１Ａ～１１Ｆは、ＰＷＭコンデンサの制御のデジタル実装に関連する測定波形のグラフ表示である。 図１２は、ＰＷＭコンデンサスイッチングシステムの概略的表示である。 図１３Ａは、図１２のシステムの一部を形成することができるピーク検出器の回路実施例である。 図１３Ｂは、図１３の回路の波形の例を示す波形図である。 図１３Ｃは、図１２のシステムの一部を形成することができるピーク検出器の別の回路実施例である。 図１４Ａおよび図１４Ｂは、図１２のシステムの一部を形成することができる電流形解析の回路実施例である。図１４Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂの回路の波形の例を示す波形図である。 図１５は、図１２のシステムの一部を形成することができる過電流保護回路の回路実施例である。 図１５Ａは、図１５の回路の波形の例を示す波形図である。 図１６は、図１２のシステムの一部を形成することができるインクリメンタル過電流保護回路の回路実施例である。 図１６Ａは、図１６の回路の波形の例を示す波形図である。 図１７は、図１２のシステムの一部を形成することができる過電圧保護回路の回路実施例である。 図１７Ａは、図１７の回路の波形の例を示す波形図である。 図１８は、図１２のシステムの一部を形成することができるゼロ交差検出器の回路実施例である。 図１９は、図１２のシステムの一部を形成することができるランプ信号を生成するためのバンドパスフィルタ／積分回路の回路実施例である。 図２０は、図１２のシステムの一部を形成することができるＰＷＭ信号発生器の回路実施例である。 図２１は、ＰＷＭコンデンサスイッチングシステムの概略的表示である。 図２２は、ＺＶＳを備えるＰＷＭコンデンサスイッチングシステムの概略的表示である。 図２３Ａは、ゼロ交差検出器の回路実施例である。 図２３Ｂは、ボディダイオード導通センサの回路実施例である。 図２４Ａ～２４Ｅは、図２２の回路の波形の例を示す波形図である。 図２５Ａ～２５Ｃは、図２２および図２３の回路の波形の例を示す波形図である。 図２６は、図２２の変調器の回路実施例である。 図２７Ａ～２７Ｅは、図２２および図２６の回路の波形の例を示す波形図である。 図２８Ａは、信号遅延回路の回路実施例であり、図２８Ｂは、信号調整回路の回路実施例である。 図２９Ａ～２９Ｄは、図２２、図２８Ａ、および図２８Ｂの回路の波形の例を示す波形図である。 図３０Ａ～３０Ｆは、図２２、図２８Ａ、および図２８Ｂの回路の波形の例を示す波形図である。 図３１Ａおよび図３１Ｂは、自動ＺＶＳを備えないシリコンＭＯＳＦＥＴを用いた図３１Ｃに示す回路の波形の例であり、図３１Ｃは、自動ＺＶＳを備える図３１Ｃに示す回路の波形の例である。 図３２は、自動ＺＶＳを備えないシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴおよび自動ＺＶＳを備えるシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴを備える回路の波形の例を示す。 図３３は、自動ＺＶＳを備えない回路および自動ＺＶＳを備える回路の熱イメージングの例を示す。 図３４は、本明細書に記載の処理の少なくとも一部を実行することができるコンピュータの例の概略的表示を示す。
なお、別々の図面において、同一の参照番号および同一の名称は、同一の要素を示す
。
本開示は、概して、可変リアクタンス回路の構成要素を制御するための制御システムお
よび制御プロセスを特徴とする。本開示の実装では、第１および第２スイッチング素子（
例えば、トランジスタ）の両端に結合されたＰＷＭスイッチトコンデンサを含む回路に関
して説明する。本明細書で開示される実装は、第１および第２スイッチング素子に関連す
る外部の逆平行または内部のボディダイオードのダイオード導通時間を最小にすることが
できる。ＰＷＭスイッチトコンデンサ回路の実施形態は、従来の回路よりもはるかに高い
高調波成分を含む正弦波入力電流で動作することができる。ゼロ電圧が存在しない時にＰ
ＷＭスイッチトコンデンサを短絡することは望ましくないことがあり、スイッチング素子
を損傷したり、電力損失を増加させる可能性がある。本明細書で説明する実装は、ボディ
ダイオードからトランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴ）チャネルへ電流が流れるように調
整することにより、ボディダイオードの導通時間（デッドタイム）を最小にするように第
１および第２スイッチング素子を制御する。これにより、ダイオードの電圧降下による損
失が最小限に抑えられる。したがって、実装は、ゼロ電圧スイッチングを維持しながら効
率的な回路動作を提供することができる。実装は、混合信号による構成およびデジタル回
路において、ゲート制御信号を生成するために、コンピュータプロセッサ、マイクロコン
トローラ、デジタル信号プロセッサ、ＦＰＧＡ、ＣＰＬＤ、または任意の他のプログラム
可能な処理デバイスで実施することができる。さらに、本開示の実装は、例えば、高出力
車両充電システムなどの高共振無線電力伝送（ＨＲＷＰＴ）システムにおけるインピーダ
ンス整合ネットワークによって遭遇する条件の全範囲にわたって効率的な動作を可能にす
る可変コンデンサ制御を提供する。
ＰＷＭコンデンサの制御は、混合信号（アナログおよびデジタル）実装および／または
デジタル信号実装などのいくつかの方法で実施することができる。これらの実装を、以下
でより詳細に説明する。開示された実装の利点は、以下を含む。
いくつかの実装では、ボディダイオード（または逆並列ダイオード）の導通時間を調整
可能であり、大幅に低減することができる。このようなボディダイオード（または逆並列
ダイオード）の導通時間の短縮は、ＭＯＳＦＥＴ損失を低減し、パワーエレクトロニクス
の効率と熱管理を向上させる。
いくつかの実装では、ＰＷＭコンデンサ制御技術は、比較的大きな順方向ボディダイオ
ード電圧降下を有するトランジスタ、例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）トランジスタ
の窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むトランジスタのより広いアレイの使用を可能にする。
いくつかの実装では、ＰＷＭコンデンサは、三角波形、台形波形、方形波、または非常
に高調波の成分を有する正弦波特性を有する波形など、高調波成分を有する入力電流の許
容差を向上させる。このことは、純粋な正弦波の電流を必要とする従来の制御方法よりも
有利であるに。例えば、純粋な正弦波の電流を達成するために、フィルタリング要素を回
路に追加することができるが、コストおよび部品数を増やすことになる。いくつかの実装
では、ＰＷＭコンデンサは、関連システムの起動時などの過渡状態に耐えることができる
。
図１は、ＰＷＭスイッチトコンデンサを備える無線電力伝送システム１００の実施例の
高レベル機能ブロック図を示す。システムへの入力電力は、例えばＡＣ／ＤＣコンバータ
ブロック１０２においてＤＣ変換された壁電力（ＡＣ主電源）によって供給することがで
きる。いくつかの実装では、ＤＣ電圧は、バッテリまたは他のＤＣ電源から直接供給する
ことができる。いくつかの実装では、ＡＣ／ＤＣコンバータブロック１０２は、力率補正
（ＰＦＣ）ステージを含むことができる。ＰＦＣは、ＡＣ入力（例えば、５０または６０
Ｈｚ）をＤＣに変換することに加えて、電流が電圧と実質的に同相になるように電流を調
整することができる。
スイッチングインバータ１０４は、ＤＣ電圧をＡＣ電圧波形（例えば、高周波交流電圧
波形）に変換する。インバータ１０４によって出力されるＡＣ電圧波形は、ソース共振器
１０６を駆動するために使用される。いくつかの実装では、ＡＣ電圧波形の周波数は、８
０～９０ｋＨｚの範囲内であってもよい。いくつかの実装では、ＡＣ電圧波形の周波数は
、１ｋＨｚ～１５ＭＨｚの範囲内であってもよい。いくつかの実装では、インバータ１０
４は増幅器を含む。
ソースインピーダンス整合ネットワーク（ＩＭＮ）１０８は、インバータ１０４の出力
をソース共振器１０６に結合する。ソースＩＭＮ１０８は、効率的なスイッチング増幅器
動作を可能にすることができる。例えば、Ｄ級またはＥ級のスイッチング・アンプは多く
の活用形態に適しており、効率を最大化するために誘導負荷インピーダンスが必要な場合
がある。ソースＩＭＮ１０８は、インバータ１０４に見られるように、ソース共振器の実
効インピーダンスを変換することができる。ソース共振器インピーダンスは、例えば、デ
バイス共振器１１０および／または出力負荷に電磁結合させることによって負荷を与える
ことができる。例えば、ソース共振器１０６によって生成される磁場は、デバイス共振器
１１０に結合し、それにより対応する電圧を誘導する。このエネルギーは、例えば、直接
的に負荷に電力を供給するため、またはバッテリを充電するために、デバイス共振器１１
０外へ結合される。
デバイスのインピーダンス整合ネットワーク（ＩＭＮ）１１２を使用して、デバイス共
振器１１０からエネルギーを負荷１１４に効率的に結合し、ソース共振器１０６とデバイ
ス共振器１１０との間の電力伝送を最適化することができる。デバイスＩＭＮ１１２は、
負荷１１４のインピーダンスを、デバイスの共振器１１０によって見られる実効負荷イン
ピーダンスに変換することができ、これは、システム効率を高めるためにソースインピー
ダンスにより高く適合する。ＤＣ電圧を必要とする負荷のために、整流器１１６は、受け
取ったＡＣ電力をＤＣに変換する。いくつかの実装では、ソース１１８およびデバイス１
２０ａは、フィルタ、センサ、および他の構成要素をさらに含む。
インピーダンス整合ネットワーク（ＩＭＮ）１０８および１１２は、所望の周波数（例
えば、８０～９０ｋＨｚ、１００～２００ｋＨｚ、６．７８ＭＨｚ）で負荷１１４に供給
される電力を最大にするように、または電力伝送効率を改善するように設計することがで
きる。ＩＭＮ１０８および１１２内のインピーダンス整合要素は、共振器１０６および１
１０の高品質係数（Ｑ）値を保存するように選択して接続することができる。動作条件に
応じて、ＩＭＮ１０８および１１２内の構成要素は、例えば、電力の効率的な無線転送を
向上させるように、負荷１１４への電力供給のために供給される電力を制御するように調
整される。
ＩＭＮ（１０８および１１２）は、コンデンサまたはコンデンサのネットワーク、イン
ダクタまたはインダクタのネットワーク、またはコンデンサ、インダクタ、ダイオード、
スイッチ、および抵抗の様々な組合せを含む構成要素を備えることができるが、これらに
限定されない。ＩＭＮの構成要素は、調整可能および／または可変であり、システムの効
率および動作点に影響を及ぼすように制御することができる。インピーダンス整合は、キ
ャパシタンスの変化、インダクタンスの変化、共振器の接続点の制御、磁性材料の透磁率
の調整、バイアス磁界の制御、励磁周波数の調整などによって行うことができる。インピ
ーダンス整合は、バラクタ、バラクタアレイ、切換済み素子、コンデンサバンク、切換済
み調整可能素子、逆バイアスダイオード、エアギャップコンデンサ、圧縮コンデンサ、チ
タン酸バリウムジルコニウム（ＢＺＴ）電気的に調整されたコンデンサ、マイクロエレク
トロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）調整可能コンデンサ、電圧可変誘電体、トランス結
合同調回路などのいずれかもしくはその組み合わせを使用または含むことができる。可変
構成要素は、機械的調整、熱的調整、電気的調整、ピエゾ電気的調整などが可能である。
インピーダンス整合の要素は、シリコンデバイス、窒化ガリウムデバイス、シリコンカー
バイドデバイスなどとすることができる。要素は、高電流、高電圧、高電力、または電流
、電圧、および電力の任意の組合せに耐えうるように選択することができる。要素は、高
Ｑ要素であるように選択することができる。
ソース１１８および／またはデバイス１２０の制御回路は、ソース１１８とデバイス１
２０との間のインピーダンス差を監視し、各ＩＭＮ１０８および１１２、またはそれらの
構成要素を調整するための制御信号を提供する。いくつかの実装では、ＩＭＮ１０８およ
び１１２は、固定ＩＭＮおよび動的ＩＭＮを含むことができる。例えば、固定ＩＭＮは、
システムの部分間で静的インピーダンスを有するインピーダンス整合を提供するか、又は
回路を既知の動的インピーダンス範囲に大きく調整することができる。いくつかの実装で
は、動的ＩＭＮは、粗調整可能な構成要素および／または微調整可能な構成要素をさらに
含むことができる。例えば、粗調整可能な構成要素は、動的インピーダンス範囲内でイン
ピーダンスの粗調整を可能にすることができ、一方、微調整可能な構成要素は、ＩＭＮの
全体的なインピーダンスを微調整するために使用することができる。別の例では、粗調整
可能な構成要素は望ましいインピーダンス範囲内のインピーダンス整合を達成することが
でき、微調整可能な構成要素は、望ましいインピーダンス範囲内のターゲットの周囲でよ
り正確なインピーダンスを達成することができる。
図２は、カップリングファクタｋを使用して発振電磁エネルギーをデバイス側回路２０
６（ソース共振器およびソースＩＭＮを含む）に結合するソース側回路２０４（ソース共
振器およびソースＩＭＮを含む）に電力を供給するインバータ２０２を備える無線電力伝
送システム２００の実施形態の例を示す。この発振エネルギーは、次に整流器２０８によ
って変換される。ソース側回路２０４の構成要素は、ソース共振器コイルＬｓ２１０と、
直列コンデンサＣ１ｓ２１２（位置１）と、並列コンデンサＣ２ｓ２１４（位置２）と、
コンデンサＣ３ｓ２１６とおよびインダクタＬ３ｓ２１８（位置３）とを含む。例示的な
実施形態において、コンデンサＣ３ｓ２１６は、１つ以上の可変コンデンサを含んでもよ
い。例えば、可変コンデンサは、パルス幅変調（ＰＷＭ）制御コンデンサとすることがで
きる。なお、リストされた各構成要素は、ネットワークまたは構成要素のグループを表す
ことができ、少なくとも位置１および３の構成要素はバランスをとることができることに
留意されたい。デバイス側回路２０６の構成要素は、デバイス共振器コイルＬｄ２２２と
、直列コンデンサＣ１ｄ２２４（位置１と）、並列コンデンサＣ２ｄ２２６（位置２）と
、コンデンサＣ３ｄ２２８およびインダクタＬ３ｄ２３０（位置３）とを含むことができ
る。コンデンサＣ３ｄ２２８は、１つ以上のＰＷＭコンデンサ等の可変コンデンサを含ん
でもよい。ＰＷＭスイッチトコンデンサ２１６および２２８は、以下により詳細に説明す
るように、効率的な無線エネルギー転送を促進することができる。
ＩＭＮ１０８および１１２は、特定の適用におけるニーズを満たすためのインピーダン
スを有する様々な構成要素を備える広範囲の回路実施を有することができる。例えば、Ｋ
ｅｓｌｅｒらによる米国特許第８，４６１，７１９号は、その全体が参照により本明細書
に組み込まれており、図２８ａから図３７ｂのような様々な同調可能インピーダンスネッ
トワーク構成を開示する。いくつかの実装では、図２に示す各構成要素は、ネットワーク
または構成要素のグループを表すことができる。さらに、例示的な実施形態は、高共振無
線エネルギー伝送システムと関連して表示および説明されているが、本明細書に記載され
るＰＷＭ切換済み構成要素の実装は、所与の等価インピーダンスを達成し、ダイオード導
通時間を最小限に抑えることが望ましい幅広い用途に適用可能である。
図３Ａは、ＰＷＭスイッチトコンデンサＣ１の回路実施の例を示す。いくつかの実装で
は、等価キャパシタンスは
Figure 0007089619000014
 とすることができ、ここで、以下により詳細に説明するように、Ｃ１はコンデンサのイン
ピーダンス値であり、φは入力位相遅延である。
第１および第２スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２は、コンデンサＣ１の両端に連続的に、ま
たはコンデンサＣ１に並列に接続される。第１および第２スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２は
、ＭＯＳＦＥＴ素子とすることができる。ゲート制御回路３００は、第１スイッチング素
子Ｍ１用の第１ゲート制御信号ｇ１および第２スイッチング素子Ｍ２用の第２ゲート制御
信号ｇ２を提供する。いくつかの実装では、ゲート制御回路３００は、第１および第２ス
イッチング素子Ｍ１、Ｍ２のゲート間のノードに対する基準電位ｓ１２を提供する。
第１ノードＮ１に入力電流Ｉ１が流れ、電流ＩＣ１が第１ノードからコンデンサＣ１に
流れる。電流Ｉ２は、第１ノードＮ１から第１スイッチング素子Ｍ１のドレイン端子に流
れる。コンデンサＣ１は、Ｖｃａｐ＋ノードとＶｃａｐ－ノードとの間に接続されて、コ
ンデンサの両端の電圧を規定する。いくつかの実装では、回路は、以下により詳細に説明
されるように、ＭＯＳＦＥＴボディダイオードの導通を検知するための第１センサＳ１と
、スイッチトコンデンサを流れる電流を検知するための第２センサＳ２とを含むことがで
きる。いくつかの実装では、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２はシリコンＭＯＳＦＥＴで
あってもよい。図３Ｂは、Ｍ１およびＭ２に対して逆並列配置に配置された外部ダイオー
ドＤ１およびＤ２を備える図３Ａの回路を示す。これらのダイオードＤ１およびＤ２は、
外部ダイオードまたはスイッチング素子Ｍ１およびＭ２のボディダイオードとすることが
できる。本明細書で用いられる「ボディダイオード」という用語は、図３Ａおよび図３Ｂ
に示すトランジスタに関連するパワートランジスタボディダイオードまたは外部逆並列ダ
イオードをまとめて指す。スイッチング素子は、シリコントランジスタ、シリコンカーバ
イドトランジスタ、窒化ガリウムトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効
果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＪＦＥＴ（接合ゲ
ート電界効果トランジスタ）、またはＢＪＴ（バイポーラ接合トランジスタ）を含むこと
ができるが、これらに限定されない。
＜混合信号の実装＞
図４は、ＰＷＭコンデンサの制御の混合信号実装の実施形態の例における図を示す。こ
の実装は、変調器４０４と通信中であるコントローラインタフェース４０２と通信中であ
るコントローラ４００を含む。変調器４０４は、ゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）制御の
ためにパルス整形回路４０６と通信する。パルス整形回路４０６は、変調器４０４と通信
するパワーステージ４０８と通信する。これらのブロックについては、以下でさらに説明
する。
図５Ａは、図４のコントローラインタフェース４０２および変調器４０４の実施形態の
例における図を示す。変調器ステージは、基準信号生成、電流センサ出力、ゼロ交差検出
、ランプ生成、およびＰＷＭ生成を含むことができる。マイクロコントローラ（μＣ）は
、ＰＷＭコンデンサの等価容量を制御するために使用される制御信号Ｖｒを設定する。制
御信号Ｖｒは、ＤＣ電圧信号または平均電圧Ｖｒｅｆを有する変調信号のパルス幅とする
ことができる。基準信号発生器５０２は、ほぼ同じ絶対値で反対の符号を有するＶｒｅｆ
＋およびＶｒｅｆ－電圧を生成する。電流センサ５０４の出力は、ゼロ交差検出器５０６
に供給される。電流センサ５０４の出力は、ＰＷＭコンデンサへの入力電流Ｉ１を表す概
して正弦波の信号である。いくつかの実施例では、Ｉ１は非常に高周波の成分を有するこ
とができる。ゼロ交差検出器５０６は、電流Ｉ１のゼロ交差を検出する。
ゼロ交差検出器５０６は方形波信号Ｖｚｃ＝Ｖｚｃ－－Ｖｚｃ＋を出力する。言い換え
れば、ゼロ交差検出器５０６の出力は、例えば、Ｉ１が負である時に＋５Ｖの振幅を有し
、Ｉ１が正である時に－５Ｖの振幅を有する信号であってもよい。ランプジェネレータ５
０８は、例えば積分回路を使用して矩形波信号Ｖｚｃをランプ信号Ｖｒａｍｐに変換する
。ランプジェネレータ５０８は、電流Ｉ１が正の時正の傾きを有し、電流Ｉ１が負の時負
の傾きを有する、ランプ信号を供給する。さらに、ランプ信号のピークは、図５Ｂのサブ
プロットＩＩＩに示すように、電流Ｉ１のゼロ交差に対応することができる。
Ｃ２０およびＲ４９からなる高周波フィルタ５１０は、演算増幅器Ｕ２の出力に存在し
うる任意のＤＣバイアスを除去する。ＰＷＭ生成器５１２は、スイッチング素子Ｍ１およ
びＭ２を制御するスイッチング関数ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２を生成する。２つの
比較器５１４ａおよび５１４ｂは、Ｖｒａｍｐ、Ｖｒｅｆ＋、およびＶｒｅｆ－からこれ
らの信号を生成するために使用される。
図５Ｂは、図５Ａで説明した変調器４０４の波形のプロットを示す。サブプロットＩは
、以下でさらに説明するパワーステージ４０８の電流検出トランスＬ１における実測電流
Ｉ（Ｌ１）を示す。なお、この電流は純粋な正弦波ではなく、高調波成分を含む。いくつ
かの実施形態では、変調器内の構成要素が電流を処理することができるように、電流は、
１：１００（またはそれに類する）比の変圧器（図５ＡのＬ１：Ｌ２に示す）を使用して
ステップダウンしてもよい。サブプロットＩＩは、ゼロ交差検出器５０６におけるノード
Ｖｚｃ－とノードＶｚｃ＋との間の実測電圧Ｖ（Ｖｚｃ－、Ｖｚｃ＋）を示す。サブプロ
ットＩＩＩは、ランプジェネレータ５０８の出力における三角波形を有する実測電圧Ｖ（
Ｖｒａｍｐ）を示す。サブプロットＩＶは、ＰＷＭ生成比較器５１４ａの出力における破
線で示す実測電圧Ｖ（ＰＷＭ＿Ｍ１）と、ＰＷＭ生成比較器５１４ｂの出力における実線
で示すＶ（ＰＷＭ＿Ｍ２）とを示す。サブプロットＶは、ノードＶｃａｐ＋とノードＶｃ
ａｐ－との間の実測電圧の電圧波形Ｖｃ１を示し、従ってノードＶｃａｐ＋とノードＶｃ
ａｐ－との間で測定された実効キャパシタンスを示す。この実効キャパシタンスには、キ
ャパシタンスＣ１およびスイッチング素子Ｍ１およびＭ２の寄与が含まれる。ライン５１
６は、いくつかの実装において、スイッチング素子Ｍ１のターンオン信号の立ち上がりエ
ッジが、スイッチング素子Ｍ１のＺＶＳ動作のために遅延されなければならないことを示
している。
図６Ａは、図４のＺＶＳ制御のためのパルス整形回路４０６の実施形態の例における図
を示す。パルス整形回路４０６は、出力ＰＷＭ１を有するサブ回路６０２と、出力ＰＷＭ
２を有するサブ回路６０４とを含む。いくつかの実装では、入力ＰＷＭ＿Ｍ１および入力
ＰＷＭ＿Ｍ２は、コンデンサＣ１をオンした時に起こり得る非ゼロ電圧状態のために、ス
イッチング素子Ｍ１およびＭ２を直接駆動するために使用されないことがある。したがっ
て、信号ＰＷＭ＿Ｍ１および信号ＰＷＭ＿Ｍ２は、サブ回路６０２および６０４によって
調整されて、スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２を駆動するために使用される所望の信号ＰＷＭ
１およびＰＷＭ２をそれぞれ生成する。いくつかの実装では、サブ回路６０２およびサブ
回路６０４は、選択信号ｅｎ０～ｅｎ３を有するマルチプレクサとして動作する。
例えば、コンデンサＣ１が非ゼロ電圧の時にスイッチング素子Ｍ１およびＭ２をオンに
することは、過度の損失、スイッチング素子への物理的損傷、またはその両方につながる
可能性がある。パルス整形回路４０６は、Ｍ１およびＭ２のゼロ電圧ターンオンが達成さ
れるように、ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２のターンオンエッジを遅延させることによ
って信号ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２を調整することができる。手動で調整可能なパ
ルス整形回路は、異なる入力電流Ｉ１に対してオンザフライでＺＶＳ状態を調整するよう
に構成することができる。なお、ＺＶＳは、選択信号ｅｎ０～ｅｎ３のいずれかをアクテ
ィブにすることによって手動で調整可能である。ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードは、Ｚ
ＶＳがオンにする前にオンされる。ボディダイオードの導通時間は従来の動作から大幅に
減少し、最小限に抑えられる。図に示すように、パルス整形回路４０６は論理ゲートを使
用して実装されるが、いくつかの実装では、デジタルマルチプレクサ回路を使用して同様
の結果を達成することもできる。
図６Ｂは、図６Ａで説明したパルス整形回路４０６の波形のプロットを示す。サブプロ
ットＩは電流トランスのＬ１での実測電流Ｉ（Ｌ１）を示す。電流検出トランスは、Ｌ１
（パワーステージ４０８）およびＬ２（変調器４０４）を含む。サブプロットＩＩは、サ
ブ回路６０２の入力における実測電圧Ｖ（ＰＷＭ＿Ｍ１）を破線で示し、サブ回路６０４
の入力における実測電圧Ｖ（ＰＷＭ＿Ｍ２）を実線で示す。サブプロットＩＩＩは、ゲー
ト制御信号ｇ１と基準電位ｓ１２との間の実測電圧Ｖ（ｇ１、ｓ１２）の波形を破線で示
し、ゲート制御信号ｇ１と基準電位ｓ１２との間の実測電圧Ｖ（ｇ２、ｓ１２）の波形を
実線で示す。サブプロットＩＶは、ノードＶｃａｐ＋とノードＶｃａｐ－との間の実測電
圧の電圧波形ＶＣ１を示し、従ってノードＶｃａｐ＋とノードＶｃａｐ－との間で測定さ
れた実効キャパシタンスを示す。ウィンドウ６０６は、純粋な正弦波信号とは異なるＩ１
電流に対してＺＶＳが達成されるための、Ｍ１のターンオンにおける遅延を示す。
図７Ａは、図４のパワーステージ４０８の実施形態の例における図を示す。パワーステ
ージ４０８は、コンデンサＣ１、バックツーバックスイッチング素子対Ｍ１およびＭ２、
ＰＷＭコンデンサ（Ｉ１）を流れる電流を測定する電流センサ（電流検出トランス）Ｌ１
、Ｍ１およびＭ２を駆動するゲートドライバ７０２、ゲートドライバ用の絶縁電源７０４
、およびゲートドライバ入力信号用の信号絶縁７０６を含む。入力信号は、変調器４０４
およびパルス整形回路４０６のステージによって生成される。いくつかの実装では、電流
検知信号形式Ｌ１が変調器４０４に供給される。
図７Ｂは、図７Ａで説明したパワーステージ４０８の波形のプロットを示す。サブプロ
ットＩは、ゲート制御信号ｇ１と基準電位ｓ１２との間の模擬電圧Ｖ（ｇ１、ｓ１２）の
電圧波形を破線で示し、ゲート制御信号ｇ２と基準電位ｓ１２との実測電圧Ｖ（ｇ２、ｓ
１２）を実線で示す。電圧波形Ｖ（ｇ１、ｓ１２）および電圧波形Ｖ（ｇ２、ｓ１２）は
、振幅が重複するが、Ｖ（Ｃ１）の正の半サイクルがＶ（Ｃ１）の負の半サイクルに対称
になるように、互いに対して１８０度またはスイッチング周期の半分だけシフトされる。
サブプロットＩＩは、電流検出トランスＬ１における電流波形Ｉ（Ｌ１）を示す（図５Ｃ
のパワーステージ４０８参照）。この電流は純粋な正弦波ではなく、高調波成分を含む。
サブプロットＩＩＩは、第１ノードＮ１から第１スイッチング素子Ｍ１のドレイン端子に
流れる電流Ｉ２の波形を示す。サブプロットＩＶは、入力電流がコンデンサＣ１を流れ、
その後、Ｍ１およびＭ２両方のスイッチング素子がオンになると、スイッチング素子Ｍ１
およびＭ２に迂回されることを示す電流波形Ｉ（Ｃ１）を示す。サブプロットＶは、ノー
ドＶｃａｐ＋とノードＶｃａｐ－との間の電圧波形ＶＣ１＝Ｖｃａｐ＋－Ｖｃａｐ－を示
し、したがってノードＶｃａｐ＋とノードＶｃａｐ－との間で測定される実効キャパシタ
ンスを示す。この実効キャパシタンスには、キャパシタンスＣ１およびスイッチング素子
Ｍ１およびＭ２の寄与が含まれる。
いくつかの実装では、ゲート信号Ｖｓｇ１およびＶｇｓ２のオーバーラップは、ゼロオ
ーバーラップから完全オーバーラップに制御することができる。オーバーラップがゼロに
なると、入力電流Ｉ１はすべてコンデンサＣ１に流れ、ＰＷＭコンデンサの実効キャパシ
タンスはＣ１の値になる。ゲート信号が完全オーバーラップの時、入力電流Ｉ１はすべて
、スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２のみを流れる。ＰＷＭコンデンサの実効キャパシタンスは
無限大に等しくなる（短絡効果により、スイッチング周波数で無限に大きな容量を持つた
め）。制御回路はオーバーラップを制御することができるため、Ｃ１～無限大の値の有効
なＰＷＭコンデンサのキャパシタンスを生成することができる。
図７Ｃは、図７Ａの波形の拡大図を示す。なお、図７ＣのサブプロットＩ～Ｖは、図７
ＢのサブプロットＩ～Ｖのズームアウト図に対応する。ウィンドウ７１０は、ボディダイ
オードの導通時間が大幅に短縮されることを示す。
図８Ａ～図８Ｆは、ＰＷＭコンデンサの制御の混合信号実装の実施形態の例から得られ
る測定値を示す。測定は、約５００Ｖ／ｄｉｖのインバータ２０２の出力における絶対電
圧Ｖａｂ８０２と、約２０Ａ／ｄｉｖの入力電流Ｉ１８０４と、コンデンサＣ１における
約１００Ｖ／ｄｉｖの電圧ＶＣ１８０６と、ゲートｇ１とリファレンスｓとの間１０Ｖ／
ｄｉｖの電圧測定値Ｖｇｓ１８０８とを含む。この実施形態では、電力レベルは約６ｋＷ
と１２ｋＷとの間に維持される。基準電圧Ｖｒｅｆが調整されると、実効キャパシタンス
が変化する（ＶＣ１で示される）。図８ＡはＶｒｅｆが２．５Ｖであることを示す。図８
ＢはＶｒｅｆが１．４Ｖであることを示す。図８ＣはＶｒｅｆが１Ｖであることを示す。
図８ＤはＶｒｅｆが０．８Ｖであることを示す。図８Ｅは、Ｖｒｅｆが０．５Ｖであるこ
とを示す。図８Ｆは、Ｖｒｅｆが０．３Ｖであることを示す。
＜デジタル実装＞
図９は、ＰＷＭコンデンサに対するコントローラのデジタル実装の実施形態の例におけ
る図を示す。この実装は、コントローラ９０２と、ゼロ交差検出ステージ９０４と、パワ
ーステージ９０６とを含む。コントローラ９０２は、ゼロ交差検出ステージ９０４と通信
し、ゼロ交差検出ステージ９０４は、ゼロ交差検出器９１０内の比較器に対する電圧信号
を生成する電流センサ９０８を含む。ゼロ交差検出器９１０は、電流がゼロを横切る時（
例えば、極性が変化すること）を示すゼロ交差信号をコントローラ９０２に提供する。ゼ
ロ交差検出ステージ９０４は、パワーステージ９０６に結合される。パワーステージ９０
６は、ゲートドライバ９１４の入力信号に対する信号絶縁回路９１２を含む。コントロー
ラ９０２は、ゲートドライバ９１４に対する入力信号を供給する。ゲートドライバ９１４
は、コンデンサＣ１と並列に接続されたスイッチング素子Ｍ１およびＭ２を駆動する。電
流センサ９０８は、電流検出信号をゼロ交差検出器９１０に供給する。ゼロ交差検出器９
１０の出力は、トランジスタＭ１およびＭ２に対する駆動信号を生成するコントローラ９
０２に供給される。コントローラ９０２は、１つまたは複数のプロセッサまたはマイクロ
コントローラとして実装することができる。いくつかの実装形態では、コントローラ９０
２は、ＡＳＩＣまたはＦＰＧＡコントローラとして実装することができる。
動作時に、コントローラ９０２は、交流入力電圧信号の正および負の半分の部分のため
にコンデンサＣ１をバイパスまたは短絡させるために、トランジスタＭ１およびＭ２を交
互にスイッチングすることによって、コンデンサＣ１の実効キャパシタンスを制御する。
コントローラ９０２には、コンデンサＣ１の所望の実効キャパシタンスを示す入力信号が
供給される。コントローラ９０２は、入力信号に基づいてトランジスタＭ１およびＭ２の
オン時間およびオフ時間を決定する。いくつかの実施形態では、入力信号は、９０度から
１８０度の範囲の位相遅延φである。コントローラ９０２は、位相遅延φに基づいて入力
電流のトリガ点からの第１遅延期間及び第２遅延期間を決定する。コントローラ９０２は
、ゲートドライバ９１４を制御して、遅延期間に基づいてトランジスタＭ１およびＭ２を
駆動するＰＷＭ信号を生成する。説明のために、入力電流のゼロ交差がトリガポイントと
して使用されている。しかし、いくつかの実装では、電流ピークをトリガポイントとして
使用することができる。例えば、ゼロ交差検出器は、例えば微分器回路を組み込むことに
よって電流ピークを検出するように変更することができる。そのような実装では、位相遅
延φ入力の範囲は、トリガポイントのシフトを考慮して９０度シフトされてもよい。
一般に、コントローラ９０２は、トランジスタのターンオフ遅延期間およびトランジス
タのターンオン遅延期間を計算する。コントローラ９０２は、ゼロ交差検出器９１０から
ゼロ交差信号を受け取り、トランジスタのターンオフ遅延期間を待ってから第１トランジ
スタ（例えば、Ｍ１）をオフにする。その後、コントローラ９０２は、ゼロ交差からター
ンオン遅延期間を待ってから、第１トランジスタを再びオンにする。第１トランジスタが
オフされている間、電流の別のゼロ交差が生じる。いくつかの実装では、トランジスタの
ターンオン遅延期間は、トランジスタのターンオフ遅延期間と同じゼロ交差から測定する
ことができる。または、いくつかの実装では、トランジスタのターンオン遅延期間は、ト
ランジスタがオフの間に起こるゼロ交差から測定することができる。このプロセスは、入
力電流信号の次の半サイクルの間、第２トランジスタについて繰り返される。
トランジスタのターンオフ遅延期間およびターンオン遅延期間は、両方のトランジスタ
について同じであってもよいが、異なるゼロ交差点（例えば、入力電流の逆位相で生じる
ゼロ交差点）からトリガされてもよい。いくつかの実装では、ターンオフ遅延期間および
ターンオン遅延期間は、各トランジスタで異なってもよい。いくつかの実装では、確実に
トランジスタをゼロ電圧でスイッチングすることは、トランジスタをオンにするために、
トランジスタをオフにするためよりも重要である。したがって、コントローラ９０２は、
後述するように、位相遅延値に基づいて理論的なトランジスタのターンオン遅延を推定す
ることができる。コンデンサＣ１の両端の電圧がゼロになった時にトランジスタが確実に
オンになるようにするために、コントローラ９０２は、推定されたトランジスタのターン
オン遅延期間の後に追加期間の間、待機してもよい。いくつかの実装では、例えば、トラ
ンジスタをターンオンにする前にＣ１両端の電圧を短時間ゼロにクランプするようにパワ
ートランジスタのボディダイオード電流（または逆並列ダイオードを通る電流）が確実に
起こるよう、追加期間は、所定の遅延期間（例えば、≦３００ｎｓ、≦５００ｎｓ、≦８
００ｎｓ、または≦１０００ｎｓ）である。いくつかの実装では、コントローラ９０２は
、推定されたトランジスタターンオン遅延期間の後にトランジスタを介する（または逆並
列ダイオードを介する）ボディダイオードの導通を検出した後に、トランジスタをオンに
する。いくつかの実装では、コントローラ９０２は、トランジスタのターンオン時間を推
定せず、トランジスタを介する（または逆並列ダイオードを介する）ボディダイオードの
導通を検出した後にトランジスタをオンにする。例えば、コントローラ９０２は、図２２
を参照して以下でより詳細に論じられるような、ボディダイオード導通センサからボディ
ダイオード導通信号を受信することができる。
図１０Ａは、ＰＷＭコンデンサの制御のための例示的なプロセス１０００のフローチャ
ートを示す。いくつかの例では、例示的なプロセス１０００は、１つまたは複数の処理デ
バイス（たとえば、プロセッサまたはマイクロコントローラ）またはコンピューティング
デバイスを使用して実行されるコンピュータ実行可能命令として提供することができる。
いくつかの例では、プロセス１０００は、ハードウェアにより実現された電気回路によっ
て、例えばＡＳＩＣまたはＦＰＧＡコントローラとして実行されてもよい。プロセス１０
００は、例えばコントローラ９０２によって実行することができる。
ステップ１００２は、スイッチング周期のサイクルを開始する。ステップ１００４（時
間ｔ０）において、電流Ｉ１が上昇している時に、入力電流Ｉ１のゼロ交差がゼロ交差検
出器９１０によって検出される。ステップ１００６において、トランジスタＭ１はゼロ交
差後の遅延オフ期間である時間ｔ２でオフになるようにスケジューリングされる。例えば
、第１遅延期間は入力位相φに基づいて計算される。ここで、
Figure 0007089619000015
 である。Ｔは入力電流Ｉ１の周期であり、入力位相φは等価容量を約
Figure 0007089619000016
 に設定する。
ステップ１００８において、トランジスタＭ１は、ゼロ交差後のターンオン遅延期間で
ある時間ｔ５でオンになるようにスケジューリングされ、これは例えば、
Figure 0007089619000017
 で表される。ここで、所定の遅延Ｔｄｅｌａｙは確実にゼロ電圧スイッチングをするよう
に調整される。いくつかの実装では、所定の遅延Ｔｄｅｌａｙは固定遅延（例えば、Ｔｄ
ｅｌａｙ≦３００ｎｓ、≦５００ｎｓ、≦８００ｎｓ、または≦１０００ｎｓ）である。
ステップ１０１０（時間ｔ１）で、スイッチング素子Ｍ２をオンにすることにより、前の
サイクルが終了する。ステップ１０１２（時間ｔ２）において、ターンオフ遅延期間の後
にトランジスタＭ１がオフされる。ステップ１０１４（時間ｔ３）では、電流が下降して
いる時に入力電流Ｉ１のゼロ交差が検出される。いくつかの実装では、時間ｔ３はＴ／２
に等しい。ステップ１０１６において、トランジスタＭ２は、ｔ０における第１ゼロ交差
の後の第２オフ遅延期間である時間ｔ６でオフになるようにスケジューリングされ、これ
は、例えば、
Figure 0007089619000018
 で表される。
いくつかの実装では、トランジスタＭ２は、第１ターンオフ遅延期間（ｔ２として上記
で計算される）を使用することによって時間ｔ６でオフになるようにスケジューリングさ
れるが、時間ｔ３において入力電流Ｉ１の第２ゼロ交差から測定される。
ステップ１０１８において、トランジスタＭ２は、ゼロ交差後の第２ターンオン遅延期
間である時間ｔ９でオンにするようにスケジューリングされ、これは、例えば、
Figure 0007089619000019
 で表される。
いくつかの実装では、トランジスタＭ２は、第１ターンオン遅延期間（ｔ５として上で
計算される）を使用することによって時間ｔ９でターンオンにするようにスケジューリン
グされるが、時間ｔ３において入力電流Ｉ１の第２ゼロ交差から測定される。
ステップ１０２０（時間ｔ４）において、入力Ｉ１に対して正弦波のような周期的な波
形を仮定して、スイッチング素子Ｍ１に対してＺＶＳ条件が理論的に達成される。いくつ
かの実装では、時間ｔ４は、
Figure 0007089619000020
 によって推定される。
ステップ１０２２（時間ｔ５）において、ターンオン遅延期間の後にトランジスタＭ１
がオンされる。ステップ１０２４（時間ｔ６）において、トランジスタＭ２は、第２ター
ンオフ遅延期間の後にオフされる。ステップ１０２６（時間ｔ７）では、入力電流Ｉ１の
ゼロ交差を検出して、電流Ｉ１が上昇している時に次のサイクルを開始する。トランジス
タＭ１は、
Figure 0007089619000021
 の後にオフにするようにスケジューリングされる。
ステップ１０２８（時間ｔ８）において、入力電流Ｉ１に対して正弦波などの周期的な
波形を仮定して、トランジスタＭ２に対するＺＶＳ条件が理論的に達成される。ステップ
１０３０（時間ｔ９）において、第２ターンオン遅延期間の後にトランジスタＭ２がオン
される。ステップ１０３２は、ステップ１０１２に至る次のサイクルを開始するための遷
移である。
図１０Ｂは、図１０Ａに記載されたプロセス１０００のタイミング図を示す。この図は
、イベントを示す縦線でマークされた電流Ｉ１波形を示す。これらの縦線は、図１０Ａで
説明したステップに対応するようにマークされる。さらに、位相遅延マーカ１０３４，１
０３６，１０３８，１０４０が示され、計算される。時間ｔ０において、ゼロ交差検出器
９１０を使用して、立ち上がり電流Ｉ１のゼロ交差が検出される。時間ｔ１において、ス
イッチング素子Ｍ２がオンに切り換えられて（論理１）、前のサイクルが終了する。時間
ｔ２において、位相遅延１０３４はほぼφであり、ＰＷＭ１はオフに切り換えられる（論
理０）。時間ｔ３において、ゼロ交差検出器９１０を用いて、立ち下がり電流Ｉ１のゼロ
交差が検出される。時間ｔ４は、Ｉ１電流に対する理論Ｍ１のボディダイオード導通をマ
ークし、ここでは位相遅延１０３６は約２π－φである。時間ｔ５において、ＰＷＭ１は
、すべての動作条件に対してＺＶＳを確実にするように、遅延Ｔｄｅｌａｙ（ｔ４とｔ５
との間）の後にオンに切り換えられる（論理１）。時間ｔ６において、位相遅延１０３８
はほぼπ＋φであり、ＰＷＭ２はオフに切り換えられる（論理０）。時間ｔ７において、
ゼロ交差検出器９１０を用いて、立ち下がり電流Ｉ１のゼロ交差が検出される。時間ｔ８
は、正弦波Ｉ１の電流の理論Ｍ２ボディダイオード導通をマークする。時間ｔ９において
、ＰＷＭ１は、すべての動作条件に対してＺＶＳを確実にするように、遅延Ｔｄｅｌａｙ
（ｔ８とｔ９との間）の後にオンに切り換えられる。信号ＰＷＭ１ １０４２およびＰＷ
Ｍ２ １０４４のスイッチオン（設定）およびスイッチオフ（リセット）は、タイムスタ
ンプｔ０ないしｔ９と一致して示す。
図１０Ｃは、ＰＷＭコンデンサの制御のための別の例示的プロセス１０５０のフローチ
ャートを示す。いくつかの例では、例示的プロセス１０５０は、１つまたは複数の処理デ
バイス（たとえば、プロセッサまたはマイクロコントローラ）またはコンピューティング
デバイスを使用して実行されるコンピュータ実行可能命令として提供することができる。
いくつかの例では、プロセス１０５０は、ハードウェアにより実現される電気回路によっ
て、例えばＡＳＩＣまたはＦＰＧＡコントローラとして実行することができる。プロセス
１０５０は、例えば、コントローラ９０２によって実行することができる。プロセス１０
５０は、図１０Ｂに示す時間およびイベントを参照して説明される。
ステップ１０５２は、スイッチング周期のサイクルを開始する。ステップ１０５４（時
間ｔ０）において、コントローラ９０２は、例えば、ゼロ交差検出器９１０からゼロ交差
検出信号を受信することによって、入力電流Ｉ１の第１ゼロ交差を検出する。ステップ１
０５６において、コントローラ９０２は、ターンオフ遅延期間を決定する。例えば、ター
ンオフ遅延期間は、入力位相φのような入力値に基づいて決定することができる。換言す
れば、入力値はターンオフ遅延期間の長さを制御する。例えば、ターンオフ遅延は次のよ
うに計算することができる。
Figure 0007089619000022
ターンオフ遅延期間は、コントローラが各ゼロ交差検出からトランジスタＭ１またはＭ
２のうちの１つをスイッチオフにするまで待機する期間を表す。いくつかの実装では、タ
ーンオフ遅延期間がコンデンサＣ１の実効インピーダンスを決定する。
ステップ１０５８（時間ｔ２）において、第１トランジスタＭ１は、入力電流Ｉ１の第
１ゼロ交差からターンオフ遅延期間の後にオフされる。これは、ＰＷＭ１信号が論理０に
立下がることとして図１０Ｂに示す。ステップ１０６０において、コントローラ９０２は
、トランジスタＭ１のオフへの切換えと入力電流Ｉ１の次の（第２）ゼロ交差（時間ｔ３
）を検出する間の経過時間を測定する。経過時間を、時間ｔ２と時間ｔ３との間の時間と
して図１０Ｂに示す。例えば、コントローラ９０２は、トランジスタＭ１がオフに切り換
えられた時にカウンタまたはタイマを開始し、次のゼロ交差が検出された時の経過時間を
測定することができる。
ステップ１０６２（時間ｔ３）において、コントローラ９０２は、例えばゼロ交差検出
器９１０からゼロ交差検出信号を受信することによって、入力電流Ｉ１の第２ゼロ交差を
検出する。ステップ１０６４において、コントローラ９０２は、経過時間に基づいて第１
ターンオンカウンタを設定する。例えば、ターンオンカウンタは、経過時間からカウント
ダウンするように設定するか、または経過時間を測定したカウンタを反転させてゼロにカ
ウントダウンすることができる。コントローラ９０２は、コンデンサＣ１の両端の電圧が
いつゼロに戻るかを推定するためにターンオンタイマを使用する。例えば、下記の図１１
Ａ～図１１Ｆに示すように、コンデンサＣ１全体における電圧の上昇および下降は、入力
電流Ｉ１のゼロ交差点に関してほぼ対称的である。したがって、コントローラ９０２は、
トランジスタのシャットオフ（電圧が増加する時）とそれに続くゼロ電流交差（電圧がピ
ークに達した時）（例えば、ｔ２－ｔ３）との間、およびその後のゼロ電流交差と推定Ｚ
ＶＳ時間（例えば、ｔ３－ｔ４）との間の対称な時間間隔をカウントすることによって、
トランジスタ（例えば、トランジスタＭ１）をオンにする理論的なＺＶＳ時間（例えば、
時間ｔ４）を推定することができる。
ステップ１０６６において、コントローラ９０２は、ターンオンカウンタが終了した後
（例えば、ターンオンカウンタによって測定された第２遅延期間の後）に、第１トランジ
スタＭ１を再びオンにする。これは、ＰＷＭ１信号が論理１に立ち上がることとして図１
０Ｂに示す。ターンオンカウンタは理論的なＺＶＳ時間を推定するために使用されるため
、コントローラ９０２は、確実にゼロ電圧を達成するために、トランジスタＭ１を再びオ
ンにする前に追加遅延Ｔｄｅｌａｙを組み込むことができる。追加遅延Ｔｄｅｌａｙは、
時間ｔ４とｔ５との間の間隔として図１０Ｂに示す。追加遅延Ｔｄｅｌａｙは、所定の固
定遅延期間（例えば、Ｔｄｅｌａｙ≦３００ｎｓ、≦５００ｎｓ、≦８００ｎｓ、または
≦１０００ｎｓ）とすることができる。いくつかの実装では、追加遅延Ｔｄｅｌａｙは、
推定されたＺＶＳ時間とボディダイオード導通センサ等のセンサを使用してゼロ電圧状態
を検出する間の遅延とすることができる。例えば、コントローラ９０２は、ボディダイオ
ード導通センサ（図２２を参照して以下で説明するようなもの）からの信号に応答してト
ランジスタＭ１を再びオンにすることができる。例えば、ボディダイオード導通センサを
使用して、トランジスタ（または関連する逆並列ダイオード）を介したボディダイオード
導通を検出することができる。コントローラ９０２は、コンデンサの両端のゼロ電圧状態
が達成されたことの表示としてボディダイオードの導通を使用することができる。
ステップ１０６８（時間ｔ６）において、第２トランジスタＭ２は、入力電流Ｉ１の第
２ゼロ交差から（例えば、時間ｔ３において）ターンオフ遅延期間の後にオフされる。こ
れは、ＰＷＭ２信号が論理０に立ち下がることとして図１０Ｂに示す。ステップ１０７０
において、コントローラ９０２は、トランジスタＭ２のオフへの切換えと入力電流Ｉ１の
次の（第３）ゼロ交差を検出する（時間ｔ７）間の経過時間を測定する。経過時間は、時
間ｔ６とｔ７との間の時間として図１０Ｂに示す。例えば、コントローラ９０２は、トラ
ンジスタＭ２がオフに切り換えられた時にカウンタまたはタイマを開始し、次のゼロ交差
が検出された時の経過時間を測定することができる。
ステップ１０７２（時刻ｔ７）において、コントローラ９０２は、例えば、ゼロ交差検
出器９１０からゼロ交差検出信号を受信することによって、入力電流Ｉ１の第３ゼロ交差
を検出する。ステップ１０７４において、コントローラ９０２は、経過時間に基づいて第
２ターンオンカウンタを設定する。例えば、第２ターンオンカウンタは経過時間からカウ
ントダウンするように設定することができ、または経過時間を測定したカウンタを反転さ
せてゼロにカウントダウンすることができる。コントローラ９０２は、コンデンサＣ１の
両端の電圧がゼロに戻る時間を推定するためにターンオンタイマを使用する。したがって
、コントローラ９０２は、トランジスタをオフにする時（電圧が大きい時）と、それに続
くゼロ電流交差（電圧がピークに達する時）との間（例えば、ｔ６～ｔ７）、およびそれ
に続くゼロ電流交差と推定ＺＶＳ時間（例えば、ｔ７～ｔ８）との間の対称時間間隔をカ
ウントすることによって、トランジスタ（例えば、トランジスタＭ２）をオンにする理論
的なＺＶＳ時間（例えば、時間ｔ８）を推定することができる。
ステップ１０７６において、コントローラ９０２は、第２ターンオンカウンタが終了し
た後（例えば、ターンオンカウンタによって測定された第２遅延期間の後）に、第２トラ
ンジスタＭ２を再びオンにする。これは、図１０Ｂにおいて、ＰＷＭ２信号が論理１に上
昇することとして示す。ターンオンカウンタは理論的なＺＶＳ時間を推定するために使用
されるため、コントローラ９０２は、確実にゼロ電圧を達成するために、トランジスタＭ
２を再びオンにする前に追加遅延Ｔｄｅｌａｙを組み入れることができる。追加遅延Ｔｄ
ｅｌａｙは、時間ｔ８～ｔ９の間隔として図１０Ｂに示す。上述のように、追加遅延Ｔｄ
ｅｌａｙは、所定の固定遅延期間（例えば、Ｔｄｅｌａｙ≦３００ｎｓ、≦５００ｎｓ、
≦８００ｎｓ、または≦１０００ｎｓ）とすることができる。いくつかの実装では、追加
遅延Ｔｄｅｌａｙは、推定されたＺＶＳ時間と、ボディダイオード導通センサ等のセンサ
を使用してゼロ電圧状態を検出することの間の遅延とすることができる。ステップ１０７
８は、ステップ１０５８に至る次のサイクルを開始する遷移である。
また、図１１Ａ～図１１Ｆは、ＰＷＭコンデンサの制御のデジタル実装の実施形態の例
からなされる測定値を示す。測定値は、約５００Ｖ／ｄｉｖのインバータ２０２の出力に
おける絶対電圧Ｖａｂ８０２と、約２０Ａ／ｄｉｖの入力電流Ｉ１８０４と、コンデンサ
Ｃ１における約１００Ｖ／ｄｉｖの電圧ＶＣ１８０６と、ゲートｇ１とリファレンスｓと
の間の１０Ｖ／ｄｉｖの電圧測定値Ｖｇｓ１８０８とを含む。この実施形態では、電力レ
ベルは約６ｋＷと１２ｋＷとの間に維持される。位相遅延φが調整されると、実行キャパ
シタンスが変化する（ＶＣ１で示される）。図１１Ａは１８０度の位相φを示す。図１１
Ｂは１４０度の位相φを示す。図１１Ｃは１２０度の位相φを示す。図１１ｄは１１０度
の位相φを示す。図１１Ｅは、１００度の位相φを示す。図１１Ｆは９０度の位相φを示
す。
＜保護および診断＞
図１２は、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２と、保護／診断機能とによって制御される
等価キャパシタンスを有するＰＷＭ制御コンデンサＣ１の混合信号実装１２００の例を示
す。いくつかの実装では、コントローラ１２０２、変調器１２０４、およびパワーステー
ジ１２０６は、上記の実施形態といくつかの共通点を有することができる。パワーステー
ジ１２０６は、コンデンサＣ１と、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２と、コンデンサＣ１
を流れる電流を検出する電流センサ１２０８とを含む。電流センサ１２０８は、保護／診
断回路１２１０、ピーク検出器１２１２、およびゼロ交差検出器１２１４のうちの１つ以
上に提供することができるコンデンサ電流情報ＣＳ１、ＣＳ２を提供する。実装は、電流
センサ情報ＣＳ１およびＣＳ２を受信する回路のすべてを、または任意の組み合わせを含
むことができ、また全く含まなくてもよい。
変調器１２０４は、基準電圧発生器１２１７と、バンドパスフィルタまたは積分器１２
１８とを含むことができ、これらは、上述したものと同様であってもよい。パワーステー
ジ１２０６は、信号絶縁回路１２２２とゲートドライバ１２２４を含むとことができ、こ
れらは、上述したものと同様であってもよい。
図１３Ａは、図１２のピーク検出器１２１２として提供されるピーク検出器１３００の
例を示す。図１３Ａに示すピーク検出器１３００は、バイポーラ（例えば、＋５Ｖおよび
－５Ｖ）電圧源を使用する。図示された実装では、ピーク検出器１３００は、演算増幅器
微分器１３０２と、ローパスフィルタリングおよびヒステリシスを有するゼロ交差回路１
３０４とを含む。ピーク検出器１３００は、電流センサ１２０８からコンデンサ電流情報
ＣＳ１およびＣＳ２を受け取り（図１２）、図１３Ｂに示すように、入力電流最大信号Ｃ
Ｆと最小信号ＣＲとを出力する。いくつかの実装では、ＣＦの立ち上がりエッジは入力電
流の最大値に対応し、ＣＲの立ち上がりエッジは入力電流の最小値に対応する。
図１３Ｃは、図１２のピーク検出器１２１２として提供されるピーク検出器１３００の
例を示す。図１３Ｃに示すピーク検出器１３００は、ユニポーラ（例えば、＋３．３Ｖ）
電圧源を使用する。図示された実装では、ピーク検出器１３００は、１．５ＶのＤＣバイ
アス回路１３０３と、ローパスフィルタリングおよびヒステリシスを有するゼロ交差回路
１３０４とを含む。ピーク検出器１３００は、電流センサ１２０８（図１２）からコンデ
ンサ電流情報ＣＳ１（またはＣＳ２）を受け取り、入力電流最大信号ＣＦを出力する。い
くつかの実装では、ＣＦの立ち上がりエッジは入力電流の最大値に対応する。さらに、実
測ＣＳ１電流などのＡＣ波形は、＋１．５ＶのＤＣ電圧バイアスに対して正規化される。
ＤＣ電圧バイアスは、例えば抵抗分圧器、電圧基準、シャントおよびレギュレータ、演算
増幅器、ＤＣ／ＤＣコンバータ、またはそれらの組み合わせを使用して生成することがで
きる。比較器のそれぞれの出力の傾きは、負荷抵抗とコンデンサで制御することができる
。
図１４Ａおよび１４Ｂは、図１２で保護／診断回路１２１０内のＣＳＯＫとして示す、
電流整形ＯＫ（ＣＳＯＫ）診断のための回路実施例を示す。ＰＷＭコンデンサシステムの
実装は、本明細書に記載された保護／診断機能性の全て、または任意の組み合わせを含む
ことができ、または全く含まなくてもよい。さらに、本明細書で説明される保護／診断機
能のすべて、または任意の組み合わせを含むもの、または全く含まないものは、任意の適
切なプログラマブルデバイスを含む、ハードウェアおよびソフトウェアの任意の組み合わ
せによって実装することができる。
ＣＳＯＫ回路は、入力電流がゼロで不連続なく「正弦波」であるかどうかをチェックす
る。図示した実施形態では、コンデンサ電流情報ＣＳ１とＣＳ２は、電流情報信号ＣＳ＿
ＳＥ（図１４Ａ）を出力する演算増幅器に供給され、それぞれの正および負の閾値（図１
４Ｂ）と比較され、ＣＦ信号およびＣＲ信号によってラッチされる。ラッチ出力は論理的
にＯＲされてＣＳＯＫＦ信号を提供し、これを図１４Ｃの波形図に示す。ＣＳＯＫ回路は
、連続する入力電流の最大値および最小値をチェックして、そのうちの１つがの特定の閾
値、たとえば、約０．５～１０Ａよりも小さいかどうかを判定する。連続する最大値およ
び最小値のいずれかがそれぞれの閾値より大きい場合、ＣＳＯＫＦ信号は、入力電流が許
容可能な形状を有することの表示としてプルダウンされる。
図１５は、図１２では保護／診断回路１２１０内のＯＣＰとして示される過電流保護回
路の例を示す。例示された実施形態では、ＯＣＰ回路は、入力電流がそれぞれ正および負
の閾値ＯＣＬ＋およびＯＣＬ－を上回るかどうかをチェックする各比較器に提供されるＣ
Ｓ＿ＳＥ信号（図１４Ａ）を使用する。比較器の出力は論理的にＯＲされ、その出力はエ
ラー信号をラッチするために使用され、これによりマイクロコントローラがエラー信号（
ＯＣＥＦ－過電流エラーフラグ）を読み取ることができる。
図１５Ａは、ＯＣＰ＋が２６Ａに設定され、ＯＣＰ－が－２６Ａに設定された波形の例
を示す。図に見られるように、サブプロットＩは入力電流を示し、サブプロットＩＩは比
較器から出力されたＯＥＣＦ＋信号およびＯＥＣＦ－信号を示し、サブプロットＩＩＩは
入力電流が約＋／－２６Ａを超える時に設定される（ラッチ出力）ＯＣＥＦ信号を示す。
図１６は、図１２の保護／診断回路１２１０においてＩＯＣＰとして表される、増分過
電流保護回路の例を示す。いくつかの実装では、ＩＯＣＰ回路は、入力電流が指数エンベ
ロープで増加する大きなトランジェントを検出する。なお、そのような過渡現象は、典型
的には、システムの故障によって引き起こされることを理解されたい。
図示された実施形態では、上述のＣＳ＿ＳＥは、最大および最小電流レベルの入力を有
する一連の比較器に供給される。比較器出力はＣＦ信号およびＣＲ信号でラッチされ、ラ
ッチ出力は過電流状態を識別するために組み合わせられる。
図１６Ａの波形図に示すように、連続する最大および最小電流レベルが監視される。連
続する最大レベルと最小レベルとの間の電流レベルの差が閾値より大きい場合、コントロ
ーラによってリセットされるまで、誤差信号ＯＣＥＦｄｉｆｆがラッチされる。サブプロ
ットＩ、ＩＩ、およびＩＩＩは、上述した入力電流、ＣＦ信号およびＣＲ信号の例をそれ
ぞれ示す。サブプロットＩＶは、ＣＦ信号によってラッチされた最大電流レベルを検出す
る比較器の出力の値であるＡ信号の例を示し、サブプロットＶは、ＣＲ信号によりラッチ
された最小電流を検出する比較器の出力の値であるＣ信号の例を示す。サブプロットＶＩ
は、Ａ信号およびＣ信号の論理ＡＮＤに対応することができるＯＣＥＤｄｉｆｆ信号の例
を示す。
図１７は、図１２の保護／診断回路１２１０内におけるＯＶＰとして表される過電圧保
護回路の例を示す。一般に、ＯＶＰ回路は、前のサイクルから情報を使用して、現サイク
ルで過電圧状態から保護する。いくつかの実装では、スイッチング素子に対する駆動ＰＷ
Ｍ信号のターンオフエッジを遅延することによって、ＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子
の早すぎるターンオフが防止される。
図１７Ａは、図示されるように、入力電流、ＣＦ信号、遅延ＣＦ信号、および電圧ゼロ
交差信号を含む波形の例を示す。ＰＷＭ＿１は、現在の電流サイクルにおける過電圧状態
から保護するために、スイッチング素子のターンオフを遅延させる信号Ｃ１を生成するた
めに遅延される。
いくつかの実装では、保護／診断回路１２１０は、測定温度が所定の閾値を超えた場合
にエラー信号を生成することができる温度センサを備える過温度保護（ＯＴＰ）をさらに
含むことができる。
図１８Ａは、図１２のゼロ交差検出器１２１４に対応することができるゼロ交差検出器
の実装例を示す。この実装例のゼロ交差検出器は、図５Ａに示すゼロ交差検出器を部分的
に変更したもの、または異形であってもよい。ゼロ交差検出器は、差動出力信号ＶＺＣ＋
、ＶＺＣ－を生成することができる。
図１９は、図１６のバンドパスフィルタまたは積分器１６１８に対応することができる
バンドパスフィルタ／積分器またはランプ生成回路の実装例を示す。この実装例のランプ
生成回路は、図５Ａのランプジェネレータ５０８を部分的に変更したもの、または異形で
あってもよい。バンドパスフィルタ／積分器は、図５ＢのサブプロットＩＩＩに示すラン
プ信号のようなランプ信号を生成することができる。
図２０は、図１２のＰＷＭ信号発生回路１２２０に対応することができるＰＷＭ信号発
生器の実装例を示す。この実装例のＰＷＭ信号発生器は、図５Ａの変調器４０４内のＰＷ
Ｍ発生回路を部分的に変更したもの、または異形であってもよい。上述したように、ＰＷ
Ｍ信号発生器は、図１２のＭ１、Ｍ２などのスイッチング素子に対する駆動信号を生成す
ることができる。
図２１は、図１２のシステムといくつかの共通点を有することができる保護／診断機能
を含むデジタル実装２１００の例を示す。図示された実施形態では、コントローラ２１０
２は、ピーク検出器２１０６およびゼロ交差検出器２１０８を含む変調器２１０４の一部
を形成し、これらは図１２に関連して示したものと同様であってもよい。ピーク検出器２
１０６およびゼロ交差検出器２１０８は、パワーステージ２１２０からセンサ出力信号Ｃ
Ｓ１およびＣＳ２を受信することができる。変調器２１０４は、図１２および／または図
１３～図２０に示す保護／診断回路１２１０の機能のすべて、または任意の組み合わせを
含むことができ、もしくは全く含まなくてもよい。図示された実施形態では、保護回路２
１１０は、過電圧保護（ＯＶＰ）２１１２および過熱保護（ＯＴＰ）２１１４を含むこと
ができる。いくつかの実装では、ＯＶＰ２１１２及びＯＴＰ２１１４は、例えば図１２お
よび図１７に関連して上記に示す機能と類似していてもよい。なお、いくつかの実装では
、マイクロコントローラ２１０２は、混合信号実装の機能の一部または全部を実行するよ
うに構成またはプログラムすることができることに留意されたい。機能によっては、同様
の機能を実現するために追加のハードウェアが必要になることがある。例えば、マイクロ
コントローラ２１０２にプログラムすることができる機能は、過電流保護（ＯＣＰ）、増
分過電流保護（ｉＯＣＰ）、電流整形ＯＫ（ＣＳＯＫ）、および／またはバンドパスフィ
ルタ／積分器であってもよい。
パワーステージ２１２０は、信号絶縁回路１２２２およびゲートドライバ１２２４を含
むことができ、これらは上述したものと同様であってもよい。パワーステージ２１２０は
、例えば上記のように、コンデンサＣ１と、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２と、コンデ
ンサＣ１を流れる電流を検出して電流情報信号ＣＳ１およびＣＳ２を供給する電流センサ
とを含むことができる。
＜自動ゼロ電圧スイッチング制御＞
いくつかの実装では、ＰＷＭ制御コンデンサを備えるシステムは、そのスイッチ（例え
ば、ＭＯＳＦＥＴ）のゼロ電圧スイッチングのための強化回路を含む。いくつかの実装で
は、自動ＺＶＳ実装は、ＰＷＭ制御されたコンデンサに関連する例えばＭＯＳＦＥＴ等の
スイッチング素子の故障を低減または排除するために、比較的著しい信号過渡の存在下で
ＺＶＳを提供する。いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサは、以下により詳
細に説明するように、スイッチング素子におけるボディダイオードの導通を検出し、スイ
ッチング素子制御信号に影響を与える。
図２２は、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２、およびＺＶＳ機能によって制御される等
価容量を有するＰＷＭ制御コンデンサＣ１の混合信号実装２２００の例を示す。いくつか
の実装では、コントローラ２２０２、変調器２２０４、およびパワーステージ２２０６は
、上記の実施形態といくつかの共通点を有することができる。パワーステージ２２０６は
、内部または外部ボディダイオードＤ１、Ｄ２を備えることができるスイッチング素子Ｍ
１およびＭ２およびコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１を流れる電流を検出する電流セン
サ２２０８とを含む。電流センサ２２０８は、例えば変調器２２０４内のゼロ交差検出器
２２１４に供給可能なコンデンサ電流情報ＣＳ１およびＣＳ２を提供する。
いくつかの実装では、パワーステージ２２０６は、Ｍ１またはＭ２ＭＯＳＦＥＴなどの
スイッチング素子のボディダイオード、例えばＤ１、Ｄ２の導通を検出することができる
ボディダイオード導通センサ２２１５を含む。以下により詳細に説明するように、ノード
ｓ１およびｓ２における検出抵抗器Ｒｄｃｓ両端の電圧は、ボディダイオード導通センサ
２２１５に供給されてもよい。
変調器２２０４は、基準電圧発生器２２１８、ゼロ交差検出器２２１４に結合されたバ
ンドパスフィルタまたは積分器２２２０、およびＰＷＭ信号発生器２２２２を含み、上記
と同様であってもよいスイッチング素子Ｍ１、Ｍ２の制御信号を生成することができる。
パワーステージ２２０６は、ボディダイオード導通センサ２２１５に加えて、上述したも
のと同様の信号絶縁回路２２２４およびゲートドライバ２２２６を含んでもよい。ＺＶＳ
回路２２３０を、変調器２２０４とパワーステージ２２０６との間に設けてもよい。いく
つかの実装では、ボディダイオード導通センサ２２１５は、制御インターフェース２２０
３を介してコントローラ２２０２に結合することができる。
図２３Ａは、図２２のゼロ交差検出器２２１４に対応することができるゼロ交差検出器
の実装例を示す。ゼロ交差検出器２２１４は、コンデンサ電流情報信号ＣＳ１およびＣＳ
２を入力として受け取り、出力信号ＣＰを生成する。出力信号ＣＰは、コントローラ２２
０２に供給される。例えば、信号ＣＰの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジは、コ
ンデンサ電流のゼロ交差を示す。いくつかの実装では、ゼロ交差検出器２２１４は、図１
８に図示した、上述するように構成することができる。
図２３Ａに示すゼロ交差検出器２２１４の例は、ユニポーラ（例えば、＋３．３Ｖ）電
圧源を使用する。いくつかの実装では、ゼロ交差検出器２２１４は、バイポーラ（例えば
、＋５Ｖおよび－５Ｖ）電圧源（例えば、図１８参照）を使用するように構成することが
できる。さらに、比較器は、電流パルスの誤検出を防止するヒステリシスを有してもよい
。さらに、実測電流などのＡＣ波形は、＋１．５Ｖのｄｃ電圧バイアスに対して正規化す
ることができる。ＤＣ電圧バイアスは、例えば、抵抗分圧器、電圧リファレンス、シャン
トおよびレギュレータ、演算増幅器、ＤＣ／ＤＣコンバータ、またはこれらの組み合わせ
を使用して生成することができる。比較器出力の傾きは、負荷抵抗およびコンデンサによ
って制御することができる。
図２３Ｂは、図２２のボディダイオード導通センサ２２１５の実施形態の例を示す。図
２３Ａに示すボディダイオード導通センサ２２１５の例は、バイポーラ（例えば、＋５Ｖ
および－５Ｖ）電圧源を使用する。いくつかの実装では、ボディダイオード導通センサ２
２１５は、ユニポーラ（例えば、３．３Ｖ）電圧源を使用するように構成することができ
る。上述したように、ボディダイオード導通センサ２２１５は、検出抵抗器Ｒｄｃｓ（図
２２）の各端子におけるノードｓ１およびｓ２の電圧を受け取る。いくつかの実装では、
ボディダイオード導通センサ２２１５は、Ｒ７を介してノードｓ２に結合された第１入力
と、Ｒ８を介してノードｓ１に結合された第２入力とを有するレールトゥレール比較器２
３０２を含み、コンデンサＣ４が第１および第２入力間に結合される。比較器２３０２は
、差動出力ＶｐおよびＶｎを提供し、これらは、比較器Ｒ９およびＲ１０の入力にフィー
ドバックされる。
一実施形態では、スイッチング素子Ｍ１およびＭ２がＭＯＳＦＥＴとして設けられ、例
えばＭ１用のボディダイオードが導通し始めると、検出抵抗器Ｒｄｃｓ内の電流パルスが
検出される。コンポーネントＲ７、Ｒ８、およびＣ４は、Ｍ１（またはＭ２）電流のリン
ギングによるノイズを低減するローパスフィルタを形成する。構成要素Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９
、およびＲ１０は、電流パルスの誤検出を防止する比較器２３０２にヒステリシスを提供
する。出力Ｖｎの立ち上がりエッジはＭ１ボディダイオードの導通開始の検出に対応し、
出力Ｖｐの立ち上がりエッジはＭ２ボディダイオードの導通開始の検出に対応する。いく
つかの実装では、出力ＶｎおよびＶｐは相補信号である。
図２４Ａ～２４Ｅは、本発明の例示的な実施形態による自動ＺＶＳの波形の例を示す。
図２４Ａは、Ｍ１の両端の電圧に対応する電圧Ｖ（Ｖｃａｐ＋、ｓ１）（図２２参照）の
波形を示し、図２４Ｂは、Ｍ２の両端の電圧に対応する波形Ｖ（Ｖｃａｐ－、ｓ２）を示
す。図２４Ｃは、検出抵抗器Ｒｄｃｓ（図２２参照）を流れる電流Ｉ（Ｒｄｃｓ）を示す
。上述のように、ボディダイオードの導通が始まると、電流パルスが検出抵抗器Ｒｄｃｓ
の両端で検出される。図示された実施形態では、時刻ｔ１において、Ｍ２（図２４Ｂ参照
）はボディダイオードの導通を開始し、ボディダイオードの導通がＭ２電圧をクランプす
るので、Ｍ２電圧はほぼゼロに低下し、検出抵抗器Ｒｄｃｓの両端に電流パルスを発生さ
せる。時刻ｔ２において、図２４Ｅに示すように、Ｍ２ゲート駆動信号（ＰＷＭ２両端の
電圧ｓ１２（図２２および図２３参照））によってＭ２がオンされる。図２４ＤはＭ１へ
のゲート駆動信号を示す。図に見られるように、Ｒｄｃｓ上の電流パルスは、Ｍ１、Ｍ２
スイッチング素子のボディダイオード導通に対応する。ボディダイオード導通時間である
時間ｔｄは、ｔ２－ｔ１に対応する。さらに、ボディダイオードの導通時間ｔｄを短くす
ると、ＭＯＳＦＥＴチャネルの電圧降下がボディダイオードＤ１およびＤ２の電圧降下よ
りも低くなるため、損失を低減することができる。いくつかの実装では、自動ＺＶＳは、
対応するスイッチ（例えば、Ｍ１／Ｍ２）をオンにすることができるまで、Ｍ１またはＭ
２電圧がゼロになることを検出するまで待機する。
図２５Ａ～図２５Ｃは、自動ＺＶＳ実装のさらなる波形の例を示す。図２５Ａは、コン
デンサＣ１の両端の電圧（Ｖ（Ｖｃａｐ＋、Ｖｃａｐ－））を示す。時刻ｔｚｖａにおい
て、図２５Ｂに示すように、Ｍ１またはＭ２のボディダイオード導通によって生じる検出
抵抗器Ｒｄｃｓを流れる電流パルスに対応するＣ１両端のゼロ電圧が達成される。上述し
たように、電流パルスは、図２５Ｃに示す比較器２３０２（図２３）の出力Ｖ（Ｖｎ）の
変化をもたらす。
図２６は、図５Ａの変調器と類似性を有する変調器回路の実装例を示す。プログラム可
能デバイスと、ハードウェアとソフトウェアとの間の様々な区画とを含むことができる他
の回路実装も可能である。以下、図２６の変調器の動作について簡単に説明する。
抵抗器Ｒ１は、電流信号ＣＳ１およびＣＳ２（図２２参照）を電流から電圧信号に変換
する。構成要素Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ６、Ｒ２１、Ｃｆ１、Ｃｆ２および比較器ＣＭＰはゼ
ロ交差検出器を形成し、その動作は上述した通りである。構成要素Ｒ１３、Ｒ１４、Ｃｆ
１、Ｃｆ２はコモンモードノイズとディファレンシャルモードノイズを減衰させるローパ
スフィルタを構成し、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ６、Ｒ２１はゼロ交差検出器にヒステリシスを
供給する。構成要素Ｒ２、Ｒ４、Ｃｄ１、Ｃｄ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｃ２、Ｃ３、Ｃｄｃｆ、
Ｒｄｃｆおよび演算増幅器ＯＡはバンドパスフィルタ／積分器を含む。積分器機能は方形
波信号Ｖｚｃ＝Ｖｚｃ－Ｖｚｃ＋を三角波Ｖｒａｍｐに変換する。バンドパスフィルタ機
能は、ノイズの影響を制限する。いくつかの実装では、Ｖｒｅｆ＝Ｖｒｅｆ＋＝－Ｖｒｅ
ｆであり、Ｖｒｅｆは、パワーＭＯＳＦＥＴとして提供することができるＭ１およびＭ２
に対するゲートドライバ信号のターンオフエッジと、ＰＷＭコンデンサＣ１の等価インピ
ーダンスとを決定する。ＰＷＭ生成回路は、ＰＷＭ＿Ｍ１ｎ、ＰＷＭ＿Ｍ１、ＰＷＭ＿Ｍ
２ｎ、およびＰＷＭ＿Ｍ２を出力する。
図２７Ａ～２７Ｅは、ＺＶＳの変調器動作のための波形の例を示す。図２７Ａは、電流
波形Ｉ（Ｌ３）を示しており、これは例えば図２のインダクタＬ３ｓを流れる電流である
。図２７Ｂは、図２７Ｃに示す三角波信号Ｖ（Ｖｒａｍｐ）の高ピークと低ピークにおけ
るゼロ交差検出を含むゼロ交差検出器（図２６参照）の差動出力（Ｖｚｃ＋、Ｖｚｃ－）
を示し、これは、バンドパスフィルタ／積分器から出力される。図２７Ｄは、ＰＷＭ信号
生成回路（図２６）から出力されるＭ１ゲート駆動信号Ｖ（ｐｗｍ＿ｍ１）を示す。図２
７Ｅは、コンデンサＣ１の両端の電圧を示す。図からわかるように、Ｃ１の両端の電圧が
０Ｖから上昇する時点でＭ１がオフされる。
図２８Ａおよび２８Ｂは、例示的な実施形態において、ＺＶＳを達成するための例示的
なパルス整形および論理調整回路の実装を示す。図２８Ａは、図２６のＰＷＭ信号発生器
から出力される信号ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２を受けとるパルス整形回路２８００
を示す。パルス整形回路２８００は、信号ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２のターンオン
エッジを遅延させる。
図２８は、例えば、コントローラからイネーブル信号Ｔｏｎ＿ｃｏｎｄとしての第１入
力と、図２３の比較器２３０２によって提供されることができる第２入力Ｖｎとを有する
論理ＡＮＤゲートＡ３を備える回路を示す。上記のように、出力の立ち上がりエッジであ
るＶｎはＭ１ボディダイオードの導通開始の検出に対応し、出力Ｖｐの立ち上がりエッジ
はＭ２ボディダイオードの導通開始の検出に対応する。ＡＮＤＡ３出力はＶｎｅ信号であ
り、コントローラによって作動される信号Ｖｎである。同様に、ＡＮＤゲートＡ４はイネ
ーブル信号Ｖｐｅを生成する。なお、コントローラは、ＰＷＭコンデンサＣ１のスイッチ
ング素子Ｍ１およびＭ２のオンまたはオフならびに自動ＺＶＳ機能のオンまたはオフが可
能であることを理解されたい。
Ｍ１パルス整形されたゲート駆動信号ＰＷＭ＿１＿ＰＳおよびＶｎｅ信号は、Ｍ１ゲー
ト駆動信号ＰＷＭ＿１を出力する論理ＯＲゲートＡ１に、入力として供給される。Ｍ２遅
延ゲート駆動信号ＰＷＭ＿２＿ＰＳおよびＶｐｅ信号は、Ｍ２ゲート駆動信号ＰＷＭ＿２
を出力する論理ＯＲゲートＡ２に、入力として供給される。
信号ＰＷＭ＿Ｍ１およびＰＷＭ＿Ｍ２は、ＰＷＭ＿１＿ＰＳおよびＰＷＭ＿２＿ＰＳに
変更され、それらの時間領域波形の立ち上がりエッジは、ＶｎおよびＶｐの立ち上がりエ
ッジの後に来る。Ｍ１ゲートドライバ信号ＰＷＭ＿１の立ち上がりエッジは、Ｖｎｅの立
ち上がりエッジによって決定され、立ち下がりエッジはＰＷＭ＿１＿ＰＳによって決定さ
れる。Ｍ２ゲートドライバ信号ＰＷＭ＿２の立ち上がりエッジはＶｐｅの立ち上がりエッ
ジによって決定され、立ち下がりエッジはＰＷＭ＿２＿ＰＳによって決定される。
図２９Ａは電流信号Ｉ（Ｌ３）を示し、図２９Ｂは、信号ＰＷＭ＿Ｍ１（図２８Ａの回
路２８００への入力）の電圧レベルを示し、図２９Ｃは、ＰＷＭ＿１＿ＰＳ＊５の電圧レ
ベルを示す。ここで、「＊５」は倍率を示す。図２９ＤはＣ１の両端の電圧Ｖ（Ｖｃａｐ
＋、Ｖｃａｐ－）を示す。上述したように、Ｍ１ゲート駆動信号ＰＷＭ＿Ｍ１は、自動Ｚ
ＶＳが完了するように遅延されてＭ１ターンオンを遅延させる。
図３０Ａ～３０Ｆは、本発明の実施形態の例による自動ＺＶＳを用いたコンデンサＣ１
のＰＷＭ制御のための波形の例を示す。図３０Ａは、コンデンサＣ１の両端の電圧Ｖ（Ｖ
ｃａｐ＋、Ｖｃａｐ－）を示し、図３０Ｂは、検出抵抗器Ｒｄｃｓ（図２５Ｂ）を流れる
電流パルスＩ（Ｒｄｃｓ）を示し、図３０Ｃの信号Ｖｎの遷移をもたらして（図２５Ｃに
も示す）、Ｍ１をオンにすることができる。Ｍ１の遅延されたターンオンを、Ｖ（ｐｗｍ
＿１＿ｐｓ）として図３０Ｄに示し、その生成を図２８Ａに示す。変調器およびパルス整
形（図２８Ａ、２８Ｂ参照）は、Ｍ１をオフにするＶ（ｐｗｍ＿１＿ｐｓ）のパルスエッ
ジを決定する。図３０Ｅは、Ｍ１へのゲート駆動信号Ｖ（ＰＷＭ１、ｓ１２）を、図２８
に示すＶｎの論理ＯＲおよびｐｗｍ＿１＿ｐｓとして示す。図３０Ｆに示すＭ２用のゲー
ト駆動信号Ｖ（ＰＷＭ２、ｓ１２）は、同様の方法で生成される。
図３１Ａおよび図３１Ｂは、図２の回路と同様である図３１Ｃに示す例示的なテスト回
路の結果の例を示す。上記のように、コンデンサＣ３ｓ（図３１Ｃ参照）のＰＷＭは、自
動ＺＶＳで行われる。図３１Ａでは、Ｍ１およびＭ２用のシリコンＭＯＳＦＥＴスイッチ
ングデバイスについて、自動ＺＶＳを備えないものを左側に示し、自動ＺＶＳを備えるも
のを右側に示す。図３１Ｂは、Ｍ１およびＭ２用のシリコンＭＯＳＦＥＴスイッチングデ
バイスについて、自動ＺＶＳを備えるものを左側に示し、図３１Ａのものとは異なる電圧
リファレンスＶｒｅｆに対する自動ＺＶＳを備えないものを右側に示す。
図３２は、図３１Ｃの回路に対する自動ＺＶＳを備えない（図３２の左側）、または備
える（図３２の右側）Ｍ１およびＭ２用のシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴの電力損失低
減を示す。図からわかるように、自動ＺＶＳは約１６Ｗの電力損失を削減する。
図３３は、ＺＶＳ機能なしの動作（図３３の左側）と比較して、自動ＺＶＳ（図３３の
右側）の動作中に約７．３℃の温度低下をもたらすシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴとし
てのＭ１およびＭ２の熱イメージングを示す。
図３４は、本明細書に記載の処理の少なくとも一部を実行することができる例示的なコ
ンピュータ３４００を示す。コンピュータ３４００は、プロセッサ３４０２、揮発性メモ
リ３４０４、不揮発性メモリ３４０６（例えばハードディスク）、出力装置３４０７、お
よびグラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）３４０８（例えば、マウス、キーボー
ド、ディスプレイ）を備える。不揮発性メモリ３４０６は、コンピュータ命令３４１２、
オペレーティングシステム３４１６、およびデータ３４１８を格納する。一例において、
コンピュータ命令３４１２は、揮発性メモリ３４０４からプロセッサ３４０２によって実
行される。一実施形態では、条項３４２０は、非一時的コンピュータ可読命令を含む。
開示された技術は、特定の好ましい実施形態に関連して記載されているが、他の実施形
態は、当業者によって理解され、本開示の範囲内であることが意図される。例えば、無線
電力を送信することに関連する設計、方法、構成要素の構成などは、その様々な特定の適
用およびその例と共に上記で説明される。当業者であれば、本明細書に記載された設計、
構成要素、構成または構成要素を組み合わせてもしくは交換可能に使用することができ、
上記の説明はそのような互換性または構成要素の組合せを本明細書に記載されたもののみ
に限定するものではないことを理解されたい。
説明のために、前述の記載は、高出力無線電力伝送アプリケーション、例えば電気自動
車を充電するための電力伝送におけるデバイス、コンポーネント、および方法の使用に焦
点を当てている。
しかし、より一般的には、本明細書で開示されるデバイス、構成要素、および方法を使
用して電力を受け取ることができるデバイスは、幅広い電気デバイスを含むことができ、
本明細書の例示目的で記載されたデバイスに限定されないことを理解されたい。一般に、
携帯電話、キーボード、マウス、ラジオ、カメラ、携帯電話、ヘッドセット、腕時計、ヘ
ッドフォン、ドングル、多機能カード、食品および飲料アクセサリなどの任意の携帯用電
子機器、並びにプリンタ、時計、ランプ、ヘッドフォン、外部ドライブ、プロジェクタ、
デジタルフォトフレーム、追加ディスプレイなどの任意の作業場用電子デバイスは、本明
細書に開示されたデバイス、構成要素、および方法を用いて無線で電力を受け取ることが
できる。さらに、電気またはハイブリッド車両、電動車椅子、スクーター、動力工具など
の任意の電気装置は、本明細書で開示される装置、構成要素および方法を用いて無線で電
力を受け取ることができる。
本開示では、コンデンサ、インダクタ、抵抗器などの特定の回路またはシステム構成要
素は、回路の「構成要素」または「要素」と呼ばれる。本開示はまた、これらの構成要素
または要素の直列および並列の組み合わせを、要素、ネットワーク、トポロジ、回路など
と呼ぶ。しかしながら、より一般的には、単一の構成要素または構成要素の特定のネット
ワークが本明細書に記載されている場合、代替実施形態は、要素のネットワーク、代替ネ
ットワーク、および／またはその他を含むことができることを理解されたい。
本明細書において、回路またはシステム構成要素に言及する時、「結合」という用語は
、１つまたは複数の構成要素間の適切な有線または無線の、直接的または間接的な接続を
記述するために使用され、その結合を介して情報または信号を一方の構成要素から別の構
成要素に渡すことができる。
本明細書において、「直接接続」または「直接接続される」という用語は、２つの要素
間においてそれらの間に介在するアクティブな要素なしで接続される直接接続を指す。用
語「電気的に接続される」または「電気的接続」は、２つの要素が共通の電位を有するよ
うに接続される要素間の電気的接続を指す。さらに、第１構成要素と第２構成要素の端子
との間の接続は、第１構成要素と、第２構成要素を通過しない端子との間に経路が存在す
ることを意味する。
本明細書に記載される主題および動作の実施は、本明細書に開示される構造を含むデジ
タル電子回路、またはコンピュータソフトウェア、ファームウェア、もしくはハードウェ
ア、およびそれらの構造的同等物内でまたは１つ以上のそれらの組み合わせ内で、実現可
能である。本明細書に記載される主題の実施は、１つ以上のコンピュータプログラム、す
なわち、データ処理装置によって実行される、またはデータ処理装置の動作を制御するた
めのコンピュータ記憶媒体上に符号化されたコンピュータプログラム命令の１つまたは複
数のモジュールを使用して実現することができる。これに代えてまたは加えて、プログラ
ム命令は、データ処理装置によって実行される適切な受信装置へ送信される情報を符号化
するために生成された、例えば機械生成電気信号、光学信号、または電磁信号などの人工
的に生成された伝播信号にコード化されてもよい。コンピュータ記憶媒体は、コンピュー
タ可読記憶装置、コンピュータ可読記憶基板、ランダムまたはシリアル・アクセス・メモ
リ・アレイまたは装置、またはそれらの１つまたは複数の組み合わせであってもよく、も
しくはそれらに含まれてもよい。さらに、コンピュータ記憶媒体は伝播信号ではないが、
コンピュータ記憶媒体は、人工的に生成された伝播信号でコード化されたコンピュータプ
ログラム命令のソースまたは宛先とすることができる。コンピュータ記憶媒体はまた、１
つまたは複数の別個の物理的構成要素または媒体（例えば、複数のＣＤ、ディスク、また
は他の記憶装置）であってもよく、またはこれらに含まれてもよい。
本明細書で説明する動作は、１つまたは複数のコンピュータ可読記憶装置に格納された
データまたは他のソースから受信したデータに対してデータ処理装置によって実行される
動作として実装することができる。
「データ処理装置」という用語は、データを処理するためのあらゆる種類の装置、デバ
イス、および機械を包含し、例えば、プログラム可能なプロセッサ、コンピュータ、チッ
プ上のシステム、これの複数のもの、これらの組み合わせ、または上記のものを含む。装
置は、例えばＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）またはＡＳＩＣ（特定
用途向け集積回路）などの専用論理回路を含むことができる。装置はまた、ハードウェア
に加えて、対象のコンピュータプログラムの実行環境を生成するコード、例えば、プロセ
ッサファームウェア、プロトコルスタック、データベース管理システム、オペレーティン
グシステム、クロスプラットフォームランタイム環境、仮想マシン、またはそれらのうち
の１つ以上の組み合わせを含むものを構成するコードを含むことができる。装置および実
行環境は、ウェブサービス、分散コンピューティング、およびグリッドコンピューティン
グインフラストラクチャなど、様々な異なるコンピューティングモデルインフラストラク
チャを実現することができる。
コンピュータプログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション
、スクリプト、またはコードとしても知られる）は、コンパイルまたは解釈された言語、
宣言的または手続き的な言語を含む、任意の形式のプログラミング言語で記述することが
でき、また、スタンドアロンプログラムとして、またはモジュール、コンポーネント、サ
ブルーチン、オブジェクト、もしくはコンピューティング環境での使用に適した他のユニ
ットとして、任意の形式で配置することができる。コンピュータプログラムは、ファイル
システム内のファイルに対応することができるが、必ずしもその必要はない。プログラム
は、他のプログラムまたはデータ（例えば、マークアップ言語文書に格納された１つまた
は複数のスクリプト）を保持するファイルの一部、対象のプログラム専用の単一ファイル
、または複数のコーディネートファイル（たとえば、１つまたは複数のモジュール、サブ
プログラム、またはコードの一部を格納するファイル）に格納することができる。コンピ
ュータプログラムは、１つのコンピュータ上で実行されるように、または１つのサイトに
位置するもしくは複数のサイトに分散されて通信ネットワークによって相互接続された複
数のコンピュータ上で実行されるように、配置することができる。
本明細書に記載のプロセスおよび論理フローは、入力データを操作して出力を生成する
ことによってアクションを実行する１つまたは複数のコンピュータプログラムを実行する
１つまたは複数のプログラム可能なプロセッサによって実行することができる。プロセス
および論理フローはまた、例えばＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）ま
たはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）などの専用論理回路によっても実行することがで
き、装置をこれらの専用論理回路として実装することもできる。
コンピュータプログラムの実行に適したプロセッサは、例えば、汎用マイクロプロセッ
サおよび専用マイクロプロセッサ、および任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１
つまたは複数のプロセッサを含む。一般に、プロセッサは、読み出し専用メモリまたはラ
ンダムアクセスメモリまたはその両方から命令およびデータを受信する。コンピュータの
要素は、命令に従ってアクションを実行するためのプロセッサと、命令およびデータを記
憶するための１つまたは複数のメモリデバイスとを含むことができる。一般に、コンピュ
ータはまた、例えば磁気、光磁気ディスク、または光ディスク等のデータを格納するため
の１つまたは複数の大容量記憶装置からデータを受信またはそこにデータを送信、もしく
はその両方を行うために、これらの装置を含む、またはこれらの装置に動作可能に結合さ
れる。しかしながら、コンピュータはそのような装置を備える必要はない。さらに、コン
ピュータは、別のデバイス、例えば、無線電力送信機または受信機、または車両、携帯電
話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯オーディオまたはビデオプレーヤ、ゲームコンソール
、または全地球測位システム（ＧＰＳ）受信機などの無線充電式または無線受電式デバイ
スに埋め込むことができる。コンピュータプログラム命令およびデータの格納に適したデ
バイスは、すべての形態の不揮発性メモリ、媒体およびメモリデバイスを含み、これらは
例えば、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバ
イスと、例えば内部ハードディスクまたはリムーバブルディスク等の磁気ディスクと、光
磁気ディスクと、ＣＤ－ＲＯＭおよびＤＶＤ－ＲＯＭディスクとを含む。プロセッサおよ
びメモリは、専用論理回路によって補完されてもよく、もしくは専用論理回路に組み込む
ことができる。
本明細書は多くの具体的な実装の詳細を含むが、これらは本開示のいかなる実装の範囲
または請求される可能性のある範囲の限定として解釈されるべきではなく、例示的な実装
に特有の特徴の説明として解釈されるべきである。別個の実装の文脈における本明細書で
説明される特定の機能は、単一の実装において組み合わせて実施することもできる。逆に
、単一の実装の文脈で説明されている様々な機能は、複数の実装で別々にまたは任意の適
切なサブコンビネーションで実施することもできる。さらに、特徴は、特定の組み合わせ
で作用するものとして上述されており、当初はそのように主張されているものであっても
、請求された組み合わせから１つ以上の特徴は、場合によっては組み合わせから切り取ら
れてもよく、請求された組み合わせは、サブコンビネーションまたはサブコンビネーショ
ンの変形に向けられてもよい。
同様に、動作が特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成する
ために、そのような動作が示された特定の順序で、または順番に実行されることを必要と
するものとして、または記載されたすべての動作を実行する必要があると理解されるべき
ではない。特定の状況では、マルチタスク処理と並列処理が有利な場合がある。さらに、
上述の実装における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装においてそのような
分離を必要とするものとして理解されるべきではなく、記載されたプログラム構成要素お
よびシステムは、一般に、単一のソフトウェア製品に一緒に統合され得るか、または複数
のソフトウェア製品にパッケージ化され得ることが理解されるべきである。

Claims (19)

  1. コンデンサと、
    第１トランジスタ第１端子、第１トランジスタ第２端子、及び第１トランジスタゲート端子を備え、前記第１トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第１端子に電気的に接続されている、第１トランジスタと、
    第２トランジスタ第１端子、第２トランジスタ第２端子、及び第２トランジスタゲート端子を備え、前記第２トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第２端子に電気的に接続され、前記第２トランジスタ第２端子が前記第１トランジスタ第２端子に電気的に接続されている、第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタゲート端子及び前記第２トランジスタゲート端子に結合された制御回路と、
    を備える可変容量素子であって、
    前記制御回路は、
    入力電流のゼロ交差に対応するようにタイミング調整されたピーク及び谷を有する交互のランプ信号を生成するステップと、
    前記ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号のピーク又は谷に続いて、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切った後に所定の時間遅延に続いて、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む動作を行うことで、前記コンデンサの実効キャパシタンスを調整するように構成されている、可変容量素子。
  2. コンデンサと、
    第１トランジスタ第１端子、第１トランジスタ第２端子、及び第１トランジスタゲート端子を備え、前記第１トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第１端子に電気的に接続されている、第１トランジスタと、
    第２トランジスタ第１端子、第２トランジスタ第２端子、及び第２トランジスタゲート端子を備え、前記第２トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第２端子に電気的に接続され、前記第２トランジスタ第２端子が前記第１トランジスタ第２端子に電気的に接続されている、第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタゲート端子及び前記第２トランジスタゲート端子に結合された制御回路と、
    を備える可変容量素子であって、
    前記制御回路は、
    入力電流のゼロ交差に対応するようにタイミング調整されたピーク及び谷を有する交互のランプ信号を生成するステップと、
    前記ランプ信号が第１の傾きを有するときに、前記ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が第２の傾きを有するときに、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が前記第２の傾きを有するときに、前記ランプ信号が第２基準値を横切ることに応答して、前記第２トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が前記第１の傾きを有するときに、前記ランプ信号が前記第２基準値を横切ることに応答して、前記第２トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む動作を行うことで、前記コンデンサの実効キャパシタンスを調整するように構成されている、可変容量素子。
  3. 前記コンデンサの前記実効キャパシタンスは、前記第１基準値及び前記第２基準値によって制御される、請求項２に記載の可変容量素子。
  4. 前記第２基準値は、前記第１基準値の負である値を有する、請求項２に記載の可変容量素子。
  5. 前記動作は、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切った後に、前記コンデンサの両端のゼロ電圧状態に応答して、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップを含む、請求項２に記載の可変容量素子。
  6. 前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジスタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、又は窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴトランジスタからなるグループから選択される、請求項１に記載の可変容量素子。
  7. 前記コンデンサは、インピーダンス整合システムに電気的に接続されている、請求項１に記載の可変容量素子。
  8. 可変容量素子と、
    前記可変容量素子に電気的に結合された、誘導コイルと、
    を備える、高出力無線エネルギー伝送システムであって、
    前記可変容量素子は、
    コンデンサと、
    第１トランジスタ第１端子、第１トランジスタ第２端子、及び第１トランジスタゲート端子を備え、前記第１トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第１端子に電気的に接続されている、第１トランジスタと、
    第２トランジスタ第１端子、第２トランジスタ第２端子、及び第２トランジスタゲート端子を備え、前記第２トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第２端子に電気的に接続され、前記第２トランジスタ第２端子が前記第１トランジスタ第２端子に電気的に接続されている、第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタゲート端子及び前記第２トランジスタゲート端子に結合された制御回路と、
    を備え、
    前記制御回路は、
    入力電流のゼロ交差に対応するようにタイミング調整されたピーク及び谷を有する交互のランプ信号を生成するステップと、
    前記ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号のピーク又は谷に続いて、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切った後に所定の時間遅延に続いて、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む動作を行うことで、前記コンデンサの実効キャパシタンスを調整するように構成されている、高出力無線エネルギー伝送システム。
  9. 前記動作は、
    前記ランプ信号が第２基準値を横切った後に第２の所定の時間遅延に続いて、前記第２トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号の第２のピーク又は谷に続いて、前記ランプ信号が前記第２基準値を横切ることに応答して、前記第２トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む、請求項８に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  10. 前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジスタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、又は窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴトランジスタからなるグループから選択される、請求項８に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  11. 前記コンデンサは、インピーダンス整合システムに電気的に接続されている、請求項８に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  12. 可変容量素子と、
    前記可変容量素子に電気的に結合された、誘導コイルと、
    を備える、高出力無線エネルギー伝送システムであって、
    前記可変容量素子は、
    コンデンサと、
    第１トランジスタ第１端子、第１トランジスタ第２端子、及び第１トランジスタゲート端子を備え、前記第１トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第１端子に電気的に接続されている、第１トランジスタと、
    第２トランジスタ第１端子、第２トランジスタ第２端子、及び第２トランジスタゲート端子を備え、前記第２トランジスタ第１端子が前記コンデンサの第２端子に電気的に接続され、前記第２トランジスタ第２端子が前記第１トランジスタ第２端子に電気的に接続されている、第２トランジスタと、
    前記第１トランジスタゲート端子及び前記第２トランジスタゲート端子に結合された制御回路と、
    を備え、
    前記制御回路は、
    入力電流のゼロ交差に対応するようにタイミング調整されたピーク及び谷を有する交互のランプ信号を生成するステップと、
    前記ランプ信号が第１の傾きを有するときに、前記ランプ信号が第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が第２の傾きを有するときに、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切ることに応答して、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が前記第２の傾きを有するときに、前記ランプ信号が第２基準値を横切ることに応答して前記第２トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号が前記第１の傾きを有するときに、前記ランプ信号が前記第２基準値を横切ることに応答して、前記第２トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む動作を行うことで、前記コンデンサの実効キャパシタンスを調整するように構成されている、高出力無線エネルギー伝送システム。
  13. 前記第２基準値は、前記第１基準値の負である値を有する、請求項１２に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  14. 前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジスタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、又は窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴトランジスタからなるグループから選択される、請求項１２に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  15. 前記コンデンサは、インピーダンス整合システムに電気的に接続されている、請求項１２に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  16. 前記動作は、前記ランプ信号が前記第１基準値を横切った後に、前記コンデンサの両端のゼロ電圧状態に応答して、前記第１トランジスタをオンに切り換えるステップを含む、請求項１２に記載の高出力無線エネルギー伝送システム。
  17. 前記動作は、
    前記ランプ信号が第２基準値を横切った後に第２の所定の時間遅延に続いて、前記第２トランジスタをオフに切り換えるステップと、
    前記ランプ信号の第２のピーク又は谷に続いて、前記ランプ信号が前記第２基準値を横切ることに応答して、前記第２トランジスタをオンに切り換えるステップと、
    を含む、請求項１に記載の可変容量素子。
  18. 前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、シリコンＭＯＳＦＥＴトランジスタ、シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ、又は窒化ガリウムＭＯＳＦＥＴトランジスタからなるグループから選択される、請求項２に記載の可変容量素子。
  19. 前記コンデンサは、インピーダンス整合システムに電気的に接続されている、請求項２に記載の可変容量素子。
JP2021084925A 2016-02-08 2021-05-19 Ｐｗｍコンデンサの制御 Active JP7089619B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662292474P 2016-02-08 2016-02-08
US62/292,474 2016-02-08
US201662376217P 2016-08-17 2016-08-17
US62/376,217 2016-08-17
US201662407010P 2016-10-12 2016-10-12
US62/407,010 2016-10-12
US201662408204P 2016-10-14 2016-10-14
US62/408,204 2016-10-14
JP2018541349A JP6888017B2 (ja) 2016-02-08 2017-02-08 Ｐｗｍコンデンサの制御

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018541349A Division JP6888017B2 (ja) 2016-02-08 2017-02-08 Ｐｗｍコンデンサの制御

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021145133A JP2021145133A (ja) 2021-09-24
JP7089619B2 true JP7089619B2 (ja) 2022-06-22

Family

ID=57995148

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018541349A Active JP6888017B2 (ja) 2016-02-08 2017-02-08 Ｐｗｍコンデンサの制御
JP2021084925A Active JP7089619B2 (ja) 2016-02-08 2021-05-19 Ｐｗｍコンデンサの制御

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018541349A Active JP6888017B2 (ja) 2016-02-08 2017-02-08 Ｐｗｍコンデンサの制御

Country Status (8)

Country Link
US (3) US10063104B2 (ja)
EP (1) EP3203634A1 (ja)
JP (2) JP6888017B2 (ja)
KR (1) KR102612384B1 (ja)
CN (2) CN114123540A (ja)
AU (1) AU2017218337A1 (ja)
CA (1) CA3012697A1 (ja)
WO (1) WO2017139406A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102984630B (zh) 2011-09-06 2015-12-02 昂宝电子（上海）有限公司 用于音频放大系统中减少失真的系统和方法
CN103441739B (zh) * 2013-08-21 2015-04-22 昂宝电子（上海）有限公司 具有一个或多个通道的放大系统和方法
US9685919B2 (en) 2013-08-21 2017-06-20 On-Bright Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Amplification systems and methods with output regulation
CN114123540A (zh) 2016-02-08 2022-03-01 韦特里西提公司 可变电容装置及高功率无线能量传输系统
CZ2016452A3 (cs) * 2016-07-25 2018-01-24 Vysoké Učení Technické V Brně Radiofrekvenční identifikátor laditelný dielektrickými vložkami
KR102554457B1 (ko) * 2016-09-20 2023-07-11 주식회사 위츠 무선 전력 송신 장치 및 그의 제어 방법
JP2018140126A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 株式会社三洋物産 遊技機
JP2018140124A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 株式会社三洋物産 遊技機
US10230364B2 (en) * 2017-04-26 2019-03-12 Futurewei Technologies, Inc. Hybrid power devices
US10483836B2 (en) * 2017-07-31 2019-11-19 Lear Corporation Method of early hard switching detection and protection for inductive power transfer
US10714985B2 (en) * 2017-10-11 2020-07-14 Spark Connected LLC Wireless power transfer system and method
US10763844B2 (en) 2018-08-28 2020-09-01 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to transmit signals in isolated gate drivers
CN113167820B (zh) 2018-11-01 2022-07-05 韦特里西提公司 用于确定无线电力系统中的线圈电流的系统和方法
EP3648362B1 (fr) * 2018-11-02 2021-03-03 Stmicroelectronics Sa Procédé de limitation du niveau de tension issue d'un champ magnétique reçu par un transpondeur et transpondeur correspondant
WO2020113007A1 (en) 2018-11-30 2020-06-04 Witricity Corporation Systems and methods for low power excitation in high power wireless power systems
CN113196613B (zh) * 2018-12-19 2023-08-29 三菱电机株式会社 非接触供电系统以及受电装置
WO2020139681A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Avx Corporation System and method for controlling a voltage tunable multilayer capacitor
WO2020144623A1 (en) * 2019-01-10 2020-07-16 Powermat Technologies Ltd Low-loss voltage regulator for wireless-charging receivers
CN109728633B (zh) * 2019-01-17 2021-02-26 中国科学院电工研究所 一种非接触供电装置的直接谐振频率相位跟踪控制方法
CN110011549A (zh) * 2019-01-21 2019-07-12 关键禾芯科技股份有限公司 调压整流电路系统
CN113906645A (zh) * 2019-03-29 2022-01-07 阿尔法能源技术公司 能够级联和互连配置的基于模块的能量系统及其相关方法
EP3977592A1 (en) 2019-05-24 2022-04-06 Witricity Corporation Protection circuits for wireless power receivers
KR102200786B1 (ko) * 2019-05-31 2021-01-08 인천대학교 산학협력단 무선 전력 송신용 lcc 인버터 및 그 동작 방법
EP4022739A1 (en) 2019-08-26 2022-07-06 Witricity Corporation Control of active rectification in wireless power systems
WO2021150896A1 (en) 2020-01-23 2021-07-29 Witricity Corporation Tunable reactance circuits for wireless power systems
CN115023879A (zh) 2020-01-29 2022-09-06 韦特里西提公司 用于无线电力传输系统的辅助电源掉电保护
US11631999B2 (en) 2020-03-06 2023-04-18 Witricity Corporation Active rectification in wireless power systems
WO2021199304A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 マクセルホールディングス株式会社 ワイヤレス送電装置
US11462944B2 (en) * 2020-06-04 2022-10-04 Aira, Inc. Resonant class D wireless transmitter
US20230010102A1 (en) 2021-06-30 2023-01-12 Witricity Corporation Systems and methods for pairing wireless power transmitters and receivers
US20230081941A1 (en) 2021-09-14 2023-03-16 Witricity Corporation Systems and methods for pairing wireless power receivers and transmitters
US11722100B2 (en) * 2021-12-01 2023-08-08 Rgb Systems, Inc. Audio amplifier with fast wake-up power supply and peak current reduction

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023783A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放電ランプ点灯装置
JP2003348854A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 ▲ロン▼▲ウェイ▼股▼▲ふん▼有限公司 デジタルタイプの電源インバータ
JP2005210759A (ja) 2004-01-19 2005-08-04 Sanken Electric Co Ltd 共振型スイッチング電源装置
JP2009147204A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Taiyo Yuden Co Ltd 可変キャパシタ
JP2013090512A (ja) 2011-10-20 2013-05-13 Tdk Corp ランプ信号生成回路及びランプ信号調整回路
JP2013214740A (ja) 2012-04-03 2013-10-17 Highdeev Co Ltd チューナブルキャパシタ
US20150278681A1 (en) 2014-04-01 2015-10-01 Boise State University Memory controlled circuit system and apparatus

Family Cites Families (605)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US645576A (en) 1897-09-02 1900-03-20 Nikola Tesla System of transmission of electrical energy.
US787412A (en) 1900-05-16 1905-04-18 Nikola Tesla Art of transmitting electrical energy through the natural mediums.
GB190508200A (en) 1905-04-17 1906-04-17 Nikola Tesla Improvements relating to the Transmission of Electrical Energy.
US1119732A (en) 1907-05-04 1914-12-01 Nikola Tesla Apparatus for transmitting electrical energy.
US2133494A (en) 1936-10-24 1938-10-18 Harry F Waters Wirelessly energized electrical appliance
US3535543A (en) 1969-05-01 1970-10-20 Nasa Microwave power receiving antenna
US3517350A (en) 1969-07-07 1970-06-23 Bell Telephone Labor Inc Energy translating device
GB1303835A (ja) 1970-01-30 1973-01-24
US3871176A (en) 1973-03-08 1975-03-18 Combustion Eng Large sodium valve actuator
US4088999A (en) 1976-05-21 1978-05-09 Nasa RF beam center location method and apparatus for power transmission system
US4095998A (en) 1976-09-30 1978-06-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermoelectric voltage generator
JPS5374078A (en) 1976-12-14 1978-07-01 Bridgestone Tire Co Ltd Device for warning pressure reducing of inner pressure of tire
US4280129A (en) 1978-09-09 1981-07-21 Wells Donald H Variable mutual transductance tuned antenna
US4450431A (en) 1981-05-26 1984-05-22 Hochstein Peter A Condition monitoring system (tire pressure)
US4588978A (en) 1984-06-21 1986-05-13 Transensory Devices, Inc. Remote switch-sensing system
ATE98025T1 (de) 1987-07-31 1993-12-15 Texas Instruments Deutschland Transponder-anordnung.
DE3815114A1 (de) 1988-05-04 1989-11-16 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur uebertragung und auswertung von messsignalen fuer den reifendurck von kraftfahrzeugen
DE3824972A1 (de) 1988-07-22 1989-01-12 Roland Hiering Weihnachtsbaum-, dekorations-, kunstwerk- und schmuckbeleuchtung
JPH0297005A (ja) 1988-10-03 1990-04-09 Tokyo Cosmos Electric Co Ltd 可変インダクタンス
JP2820706B2 (ja) 1989-03-02 1998-11-05 株式会社日本自動車部品総合研究所 電磁結合用のコイルを有する電力供給装置
US5034658A (en) 1990-01-12 1991-07-23 Roland Hierig Christmas-tree, decorative, artistic and ornamental object illumination apparatus
US5027709A (en) 1990-04-26 1991-07-02 Slagle Glenn B Magnetic induction mine arming, disarming and simulation system
JPH04265875A (ja) 1991-02-21 1992-09-22 Seiko Instr Inc 平面型グラジオメータ
US5293308A (en) 1991-03-26 1994-03-08 Auckland Uniservices Limited Inductive power distribution system
US6738697B2 (en) 1995-06-07 2004-05-18 Automotive Technologies International Inc. Telematics system for vehicle diagnostics
US5118997A (en) 1991-08-16 1992-06-02 General Electric Company Dual feedback control for a high-efficiency class-d power amplifier circuit
NL9101590A (nl) 1991-09-20 1993-04-16 Ericsson Radio Systems Bv Stelsel voor het laden van een oplaadbare accu van een draagbare eenheid in een rek.
US5341083A (en) 1991-09-27 1994-08-23 Electric Power Research Institute, Inc. Contactless battery charging system
GB2262634B (en) 1991-12-18 1995-07-12 Apple Computer Power connection scheme
US5216402A (en) 1992-01-22 1993-06-01 Hughes Aircraft Company Separable inductive coupler
US5214390A (en) * 1992-03-16 1993-05-25 Scientific-Atlanta, Inc. Method and apparatus for partial response demodulation
US5229652A (en) 1992-04-20 1993-07-20 Hough Wayne E Non-contact data and power connector for computer based modules
KR950701778A (ko) 1992-05-10 1995-04-28 마크 버게스 비접촉 전력배전 시스템(a non-contact power distribution system)
US5437057A (en) 1992-12-03 1995-07-25 Xerox Corporation Wireless communications using near field coupling
US5287112A (en) 1993-04-14 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated High speed read/write AVI system
GB9310545D0 (en) 1993-05-21 1993-07-07 Era Patents Ltd Power coupling
JP3207294B2 (ja) 1993-06-02 2001-09-10 株式会社安川電機 自在油圧装置
JP3409145B2 (ja) 1993-07-26 2003-05-26 任天堂株式会社 小型電気機器
US5541604A (en) 1993-09-03 1996-07-30 Texas Instruments Deutschland Gmbh Transponders, Interrogators, systems and methods for elimination of interrogator synchronization requirement
AU8006594A (en) 1993-10-21 1995-05-08 John Talbot Boys Inductive power pick-up coils
US5408209A (en) 1993-11-02 1995-04-18 Hughes Aircraft Company Cooled secondary coils of electric automobile charging transformer
US5565763A (en) 1993-11-19 1996-10-15 Lockheed Martin Corporation Thermoelectric method and apparatus for charging superconducting magnets
US5493691A (en) 1993-12-23 1996-02-20 Barrett; Terence W. Oscillator-shuttle-circuit (OSC) networks for conditioning energy in higher-order symmetry algebraic topological forms and RF phase conjugation
US5957956A (en) 1994-06-21 1999-09-28 Angeion Corp Implantable cardioverter defibrillator having a smaller mass
EP0786165A1 (en) 1994-07-13 1997-07-30 Auckland Uniservices Limited Inductively powered lighting
US6459218B2 (en) 1994-07-13 2002-10-01 Auckland Uniservices Limited Inductively powered lamp unit
US5522856A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Vitatron Medical, B.V. Pacemaker with improved shelf storage capacity
JPH08191259A (ja) 1995-01-11 1996-07-23 Sony Chem Corp 非接触式ｉｃカードシステム用送受信装置
US20030052658A1 (en) * 1995-01-11 2003-03-20 Baretich David F. Method and apparatus for electronic power control
US5710413A (en) 1995-03-29 1998-01-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company H-field electromagnetic heating system for fusion bonding
US5697956A (en) 1995-06-02 1997-12-16 Pacesetter, Inc. Implantable stimulation device having means for optimizing current drain
DE19681456T1 (de) 1995-06-16 1998-05-20 Daicel Chem Verfahren zur Unterscheidung zwischen gebrauchten und ungebrauchten Gaserzeugern für Airbags beim Verschrottungsvorgang von Autos
US5703461A (en) 1995-06-28 1997-12-30 Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho Inductive coupler for electric vehicle charger
US5703950A (en) 1995-06-30 1997-12-30 Intermec Corporation Method and apparatus for controlling country specific frequency allocation
US5630835A (en) 1995-07-24 1997-05-20 Cardiac Control Systems, Inc. Method and apparatus for the suppression of far-field interference signals for implantable device data transmission systems
EP0782214B1 (en) 1995-12-22 2004-10-06 Texas Instruments France Ring antennas for resonant cicuits
JPH09182323A (ja) 1995-12-28 1997-07-11 Rohm Co Ltd 非接触式電力伝達装置
EP1061631A1 (en) 1996-01-30 2000-12-20 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Connection system and connection method for an electric automotive vehicle
US6066163A (en) 1996-02-02 2000-05-23 John; Michael Sasha Adaptive brain stimulation method and system
US6108579A (en) 1996-04-15 2000-08-22 Pacesetter, Inc. Battery monitoring apparatus and method for programmers of cardiac stimulating devices
JPH09298847A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Sony Corp 非接触充電器
US5959245A (en) 1996-05-30 1999-09-28 Commscope, Inc. Of North Carolina Coaxial cable
US5821728A (en) 1996-07-22 1998-10-13 Schwind; John P. Armature induction charging of moving electric vehicle batteries
JPH1092673A (ja) 1996-07-26 1998-04-10 Tdk Corp 非接触電力伝送装置
US5836943A (en) 1996-08-23 1998-11-17 Team Medical, L.L.C. Electrosurgical generator
US6832735B2 (en) 2002-01-03 2004-12-21 Nanoproducts Corporation Post-processed nanoscale powders and method for such post-processing
US6569397B1 (en) 2000-02-15 2003-05-27 Tapesh Yadav Very high purity fine powders and methods to produce such powders
SG54559A1 (en) * 1996-09-13 1998-11-16 Hitachi Ltd Power transmission system ic card and information communication system using ic card
US5742471A (en) 1996-11-25 1998-04-21 The Regents Of The University Of California Nanostructure multilayer dielectric materials for capacitors and insulators
JPH10164837A (ja) 1996-11-26 1998-06-19 Sony Corp 電源装置
US6317338B1 (en) 1997-05-06 2001-11-13 Auckland Uniservices Limited Power supply for an electroluminescent display
US7068991B2 (en) 1997-05-09 2006-06-27 Parise Ronald J Remote power recharge for electronic equipment
US6176433B1 (en) 1997-05-15 2001-01-23 Hitachi, Ltd. Reader/writer having coil arrangements to restrain electromagnetic field intensity at a distance
EP0929926B1 (en) 1997-08-08 2006-11-22 Jurgen G. Meins Method and apparatus for supplying contactless power
JPH1175329A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Hitachi Ltd 非接触ｉｃカードシステム
US6167309A (en) 1997-09-15 2000-12-26 Cardiac Pacemakers, Inc. Method for monitoring end of life for battery
US5993996A (en) 1997-09-16 1999-11-30 Inorganic Specialists, Inc. Carbon supercapacitor electrode materials
NZ329195A (en) 1997-11-17 2000-07-28 Auckland Uniservices Ltd Loosely coupled inductive power transfer using resonant pickup circuit, inductor core chosen to saturate under overload conditions
JPH11188113A (ja) 1997-12-26 1999-07-13 Nec Corp 電力伝送システムおよび電力伝送方法ならびにその電力伝送システムを備えた電気刺激装置
JPH11285156A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nippon Electric Ind Co Ltd 非接触充電器
US5999308A (en) 1998-04-01 1999-12-07 Massachusetts Institute Of Technology Methods and systems for introducing electromagnetic radiation into photonic crystals
US5891180A (en) 1998-04-29 1999-04-06 Medtronic Inc. Interrogation of an implantable medical device using audible sound communication
US5986895A (en) 1998-06-05 1999-11-16 Astec International Limited Adaptive pulse width modulated resonant Class-D converter
US6047214A (en) 1998-06-09 2000-04-04 North Carolina State University System and method for powering, controlling, and communicating with multiple inductively-powered devices
US6255635B1 (en) 1998-07-10 2001-07-03 Ameritherm, Inc. System and method for providing RF power to a load
AU1762200A (en) 1998-12-05 2000-06-26 Energy Storage Systems Pty Ltd A charge storage device
US6615074B2 (en) 1998-12-22 2003-09-02 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Apparatus for energizing a remote station and related method
EP1171188B1 (en) 1999-03-24 2009-05-06 Second Sight Medical Products, Inc. Retinal color prosthesis for color sight restoration
FR2792135B1 (fr) 1999-04-07 2001-11-02 St Microelectronics Sa Fonctionnement en complage tres proche d'un systeme a transpondeur electromagnetique
FR2792134B1 (fr) 1999-04-07 2001-06-22 St Microelectronics Sa Detection de distance entre un transpondeur electromagnetique et une borne
US6252762B1 (en) 1999-04-21 2001-06-26 Telcordia Technologies, Inc. Rechargeable hybrid battery/supercapacitor system
US6127799A (en) 1999-05-14 2000-10-03 Gte Internetworking Incorporated Method and apparatus for wireless powering and recharging
ATE364252T1 (de) 1999-06-11 2007-06-15 Abb Research Ltd System für eine vielzahl von näherungssensoren aufweisende maschine sowie näherungssensor und primärwicklung hierzu
JP2003502993A (ja) 1999-06-11 2003-01-21 アーベーベー・リサーチ・リミテッド ワイヤを使用することなく多数のアクチュエータに電力を供給する方法及び装置、本目的のためのアクチュエータ及び一次巻き線、並びに多数のアクチュエータを有する機械のためのシステム
US6436299B1 (en) 1999-06-21 2002-08-20 Amway Corporation Water treatment system with an inductively coupled ballast
US6825620B2 (en) 1999-06-21 2004-11-30 Access Business Group International Llc Inductively coupled ballast circuit
US7385357B2 (en) 1999-06-21 2008-06-10 Access Business Group International Llc Inductively coupled ballast circuit
US7612528B2 (en) 1999-06-21 2009-11-03 Access Business Group International Llc Vehicle interface
US7126450B2 (en) 1999-06-21 2006-10-24 Access Business Group International Llc Inductively powered apparatus
US6673250B2 (en) 1999-06-21 2004-01-06 Access Business Group International Llc Radio frequency identification system for a fluid treatment system
US7518267B2 (en) 2003-02-04 2009-04-14 Access Business Group International Llc Power adapter for a remote device
US6731071B2 (en) 1999-06-21 2004-05-04 Access Business Group International Llc Inductively powered lamp assembly
US7522878B2 (en) 1999-06-21 2009-04-21 Access Business Group International Llc Adaptive inductive power supply with communication
US7212414B2 (en) 1999-06-21 2007-05-01 Access Business Group International, Llc Adaptive inductive power supply
US6232841B1 (en) 1999-07-01 2001-05-15 Rockwell Science Center, Llc Integrated tunable high efficiency power amplifier
US6207887B1 (en) 1999-07-07 2001-03-27 Hi-2 Technology, Inc. Miniature milliwatt electric power generator
US6803744B1 (en) 1999-11-01 2004-10-12 Anthony Sabo Alignment independent and self aligning inductive power transfer system
DE19958265A1 (de) 1999-12-05 2001-06-21 Iq Mobil Electronics Gmbh Drahtloses Energieübertragungssystem mit erhöhter Ausgangsspannung
US6650227B1 (en) 1999-12-08 2003-11-18 Hid Corporation Reader for a radio frequency identification system having automatic tuning capability
US6450946B1 (en) 2000-02-11 2002-09-17 Obtech Medical Ag Food intake restriction with wireless energy transfer
DE50113148D1 (de) 2000-03-02 2007-11-29 Abb Research Ltd Näherungssensor und baukastensystem zur bildung von näherungssensoren
EP1261844B1 (de) 2000-03-09 2004-07-07 ABB Research Ltd. Anordnung zur erzeugung elektrischer energie aus einem magnetfeld
US6184651B1 (en) 2000-03-20 2001-02-06 Motorola, Inc. Contactless battery charger with wireless control link
US6561975B1 (en) 2000-04-19 2003-05-13 Medtronic, Inc. Method and apparatus for communicating with medical device systems
JP4140169B2 (ja) 2000-04-25 2008-08-27 松下電工株式会社 非接触電力伝達装置
DE10029147A1 (de) 2000-06-14 2001-12-20 Ulf Tiemens Anlage zur Versorgung von Spielzeugen mit elektrischer Energie mit Hilfe eines Senders, der elektromagnetische Wellen aussendet, und eines Empfängers mit Antenne
US6452465B1 (en) 2000-06-27 2002-09-17 M-Squared Filters, Llc High quality-factor tunable resonator
JP4135299B2 (ja) 2000-06-27 2008-08-20 松下電工株式会社 非接触電力伝達装置
AU8476801A (en) 2000-08-11 2002-02-25 Escort Memory Systems Rfid passive repeater system and apparatus
GB2370509A (en) 2000-08-29 2002-07-03 Don Edward Casey Subcutaneously implanted photovoltaic power supply
US6591139B2 (en) 2000-09-06 2003-07-08 Advanced Bionics Corporation Low-power, high-modulation-index amplifier for use in battery-powered device
DE20016655U1 (de) 2000-09-25 2002-02-14 Ic Haus Gmbh System zur drahtlosen Energie- und Datenübertragung
JP3851504B2 (ja) 2000-11-16 2006-11-29 矢崎総業株式会社 自動車用スライドドア給電装置
ATE456851T1 (de) 2001-03-02 2010-02-15 Koninkl Philips Electronics Nv Induktives kopplungssystem mit kapazitiver parallelkompensation der gegenseitigen induktanz zwischen den primär- und sekundärwicklungen
US7282889B2 (en) 2001-04-19 2007-10-16 Onwafer Technologies, Inc. Maintenance unit for a sensor apparatus
JP3629553B2 (ja) 2001-05-08 2005-03-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電源供給システム、コンピュータ装置、電池、異常充電の保護方法、およびプログラム
US6917431B2 (en) 2001-05-15 2005-07-12 Massachusetts Institute Of Technology Mach-Zehnder interferometer using photonic band gap crystals
SE519705C2 (sv) 2001-08-22 2003-04-01 Ericsson Telefon Ab L M En avstämbar ferroelektrisk resonatoranordning
EP1294074A2 (de) 2001-09-15 2003-03-19 ABB Research Ltd. Magnetfelderzeugungssystem und Anordnung zur drahtlosen Versorgung einer Vielzahl Sensoren und/oder Aktoren
JP4478366B2 (ja) 2001-12-11 2010-06-09 ソニー株式会社 非接触通信システム
NZ534331A (en) 2002-02-19 2007-05-31 Access Business Group Int Llc Starter assembly for a gas discharge lamp using a control unit to actuate a switch for a predetermined length of time
US6847190B2 (en) 2002-02-26 2005-01-25 Linvatec Corporation Method and apparatus for charging sterilizable rechargeable batteries
US7557368B2 (en) 2002-03-01 2009-07-07 The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin Semiconductor photodetector
JP3671919B2 (ja) 2002-03-05 2005-07-13 日立電線株式会社 同軸ケーブル及び同軸多心ケーブル
US7340304B2 (en) 2002-03-15 2008-03-04 Biomed Soutions, Llc Biothermal power source for implantable devices
US20040093041A1 (en) 2002-03-15 2004-05-13 Macdonald Stuart G. Biothermal power source for implantable devices
US6683256B2 (en) 2002-03-27 2004-01-27 Ta-San Kao Structure of signal transmission line
JP3719510B2 (ja) 2002-04-08 2005-11-24 アルプス電気株式会社 非接触式充電器を有する保管庫
GB2388716B (en) 2002-05-13 2004-10-20 Splashpower Ltd Improvements relating to contact-less power transfer
US7239110B2 (en) 2002-05-13 2007-07-03 Splashpower Limited Primary units, methods and systems for contact-less power transfer
GB0210886D0 (en) 2002-05-13 2002-06-19 Zap Wireless Technologies Ltd Improvements relating to contact-less power transfer
US6906495B2 (en) 2002-05-13 2005-06-14 Splashpower Limited Contact-less power transfer
EP1506554A1 (en) 2002-05-13 2005-02-16 Splashpower Limited Improvements relating to the transfer of electromagnetic power
DE10221484B4 (de) 2002-05-15 2012-10-11 Hans-Joachim Laue Vorrichtung zur Energieversorgung einer Datenerfassungs- und Datenübertragungseinheit sowie Datenerfassungs- und Übertragungseinheit
US6844702B2 (en) 2002-05-16 2005-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. System, method and apparatus for contact-less battery charging with dynamic control
US20060053296A1 (en) 2002-05-24 2006-03-09 Axel Busboom Method for authenticating a user to a service of a service provider
US7471062B2 (en) 2002-06-12 2008-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wireless battery charging
US6960968B2 (en) 2002-06-26 2005-11-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Planar resonator for wireless power transfer
SG112842A1 (en) 2002-06-28 2005-07-28 Tunity Pte Ltd Passive range extender/booster for rfid tag/reader
US20040026998A1 (en) 2002-07-24 2004-02-12 Henriott Jay M. Low voltage electrified furniture unit
US7147604B1 (en) 2002-08-07 2006-12-12 Cardiomems, Inc. High Q factor sensor
US20040130425A1 (en) 2002-08-12 2004-07-08 Tal Dayan Enhanced RF wireless adaptive power provisioning system for small devices
US6856291B2 (en) 2002-08-15 2005-02-15 University Of Pittsburgh- Of The Commonwealth System Of Higher Education Energy harvesting circuits and associated methods
US6772011B2 (en) 2002-08-20 2004-08-03 Thoratec Corporation Transmission of information from an implanted medical device
KR100399585B1 (ko) 2002-09-12 2003-09-26 (주) 가인테크 상보성 트랜지스터를 이용한 전압 제어 발진기
US6609023B1 (en) 2002-09-20 2003-08-19 Angel Medical Systems, Inc. System for the detection of cardiac events
US6858970B2 (en) 2002-10-21 2005-02-22 The Boeing Company Multi-frequency piezoelectric energy harvester
DE10393604T5 (de) 2002-10-28 2005-11-03 Splashpower Ltd. Verbesserungen bei der berührungslosen Leistungsübertragung
WO2004045090A2 (en) 2002-11-13 2004-05-27 Vectron International Oscillator module incorporating looped-stub resonator
JP2004166459A (ja) 2002-11-15 2004-06-10 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 非接触給電装置
US20090072782A1 (en) 2002-12-10 2009-03-19 Mitch Randall Versatile apparatus and method for electronic devices
US6791500B2 (en) 2002-12-12 2004-09-14 Research In Motion Limited Antenna with near-field radiation control
GB0229141D0 (en) 2002-12-16 2003-01-15 Splashpower Ltd Improvements relating to contact-less power transfer
JP3643581B2 (ja) 2002-12-20 2005-04-27 東光株式会社 マルチ出力電源装置のトランス
US20040189246A1 (en) 2002-12-23 2004-09-30 Claudiu Bulai System and method for inductive charging a wireless mouse
JP2004229144A (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装アンテナ
WO2004073283A2 (en) 2003-02-04 2004-08-26 Access Business Group International Llc Inductive coil assembly
DE10304584A1 (de) 2003-02-05 2004-08-19 Abb Research Ltd. Anordnung zur drahtlosen Versorgung eines Systems mit einer Vielzahl Sensoren und/oder Aktoren mit elektrischer Energie
US20070176840A1 (en) 2003-02-06 2007-08-02 James Pristas Multi-receiver communication system with distributed aperture antenna
DE10312284B4 (de) 2003-03-19 2005-12-22 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Übertragerkopf, System zur berührungslosen Energieübertragung und Verwendung eines Übertragerkopfes
KR100488524B1 (ko) 2003-04-09 2005-05-11 삼성전자주식회사 로봇충전장치
FI115264B (fi) 2003-04-17 2005-03-31 Ailocom Oy Langaton tehonsiirto
US6934167B2 (en) * 2003-05-01 2005-08-23 Delta Electronics, Inc. Contactless electrical energy transmission system having a primary side current feedback control and soft-switched secondary side rectifier
US20050004637A1 (en) 2003-05-16 2005-01-06 Ruchika Singhal Explantation of implantable medical device
WO2004105226A1 (en) * 2003-05-23 2004-12-02 Auckland Uniservices Limited Frequency controlled resonant converter
JP2004348496A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Hitachi Ltd 通信システム
US6967462B1 (en) 2003-06-05 2005-11-22 Nasa Glenn Research Center Charging of devices by microwave power beaming
US7243509B2 (en) 2003-06-06 2007-07-17 David Lam Trinh Thermal therapeutic method
SE0301786D0 (sv) 2003-06-16 2003-06-16 Abb Ab Industrial Robot
US6798716B1 (en) 2003-06-19 2004-09-28 Bc Systems, Inc. System and method for wireless electrical power transmission
WO2005004754A2 (en) 2003-06-30 2005-01-20 Js Vascular, Inc. Subcutaneous implantable non-thrombogenic mechanical devices
US7613497B2 (en) 2003-07-29 2009-11-03 Biosense Webster, Inc. Energy transfer amplification for intrabody devices
JP3874744B2 (ja) 2003-08-01 2007-01-31 三井化学株式会社 小型高感度アンテナ
AU2003904086A0 (en) 2003-08-04 2003-08-21 Cochlear Limited Implant battery short circuit protection
US7737359B2 (en) 2003-09-05 2010-06-15 Newire Inc. Electrical wire and method of fabricating the electrical wire
GB0320960D0 (en) 2003-09-08 2003-10-08 Splashpower Ltd Improvements relating to improving flux patterns of inductive charging pads
GB2406730A (en) 2003-09-30 2005-04-06 Ocuity Ltd Directional display.
US7233137B2 (en) 2003-09-30 2007-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha Power supply system
JP3982476B2 (ja) 2003-10-01 2007-09-26 ソニー株式会社 通信システム
US20050075696A1 (en) 2003-10-02 2005-04-07 Medtronic, Inc. Inductively rechargeable external energy source, charger, system and method for a transcutaneous inductive charger for an implantable medical device
CN100583626C (zh) 2003-10-06 2010-01-20 Nxp股份有限公司 谐振器结构及其制造方法
US6839035B1 (en) 2003-10-07 2005-01-04 A.C.C. Systems Magnetically coupled antenna range extender
US7027311B2 (en) 2003-10-17 2006-04-11 Firefly Power Technologies, Inc. Method and apparatus for a wireless power supply
US7379774B2 (en) 2003-10-17 2008-05-27 Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research Method and apparatus for efficient power/data transmission
US7084605B2 (en) 2003-10-29 2006-08-01 University Of Pittsburgh Energy harvesting circuit
JP4501416B2 (ja) 2003-11-17 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 Ｉｃカード用充電装置及びパスケース
US7872444B2 (en) 2003-12-11 2011-01-18 Symbol Technologies, Inc. Opportunistic power supply charge system for portable unit
US7375492B2 (en) 2003-12-12 2008-05-20 Microsoft Corporation Inductively charged battery pack
US7375493B2 (en) 2003-12-12 2008-05-20 Microsoft Corporation Inductive battery charger
US7378817B2 (en) 2003-12-12 2008-05-27 Microsoft Corporation Inductive power adapter
SE0303445L (sv) 2003-12-17 2005-06-18 Abb Research Ltd Verktyg för en industrirobot
US20050151511A1 (en) 2004-01-14 2005-07-14 Intel Corporation Transferring power between devices in a personal area network
EP1555753A1 (en) 2004-01-14 2005-07-20 Dialog Semiconductor GmbH High Q linear controlled variable capacitor
US8432167B2 (en) 2004-02-09 2013-04-30 Baker Hughes Incorporated Method and apparatus of using magnetic material with residual magnetization in transient electromagnetic measurement
US7288918B2 (en) 2004-03-02 2007-10-30 Distefano Michael Vincent Wireless battery charger via carrier frequency signal
US7035076B1 (en) 2005-08-15 2006-04-25 Greatbatch-Sierra, Inc. Feedthrough filter capacitor assembly with internally grounded hermetic insulator
NO320439B1 (no) 2004-04-30 2005-12-05 Geir Olav Gyland Anordning og fremgangsmate for kontaktlos energioverforing
USD541322S1 (en) 2004-05-05 2007-04-24 Russell Finex Limited Resonator
US7642557B2 (en) 2004-05-11 2010-01-05 Los Alamos National Security, Llc Non-contact pumping of light emitters via non-radiative energy transfer
GB2414120B (en) 2004-05-11 2008-04-02 Splashpower Ltd Controlling inductive power transfer systems
EP1751834B1 (en) 2004-05-11 2009-12-02 Access Business Group International LLC Controlling inductive power transfer systems
DE102004023815A1 (de) 2004-05-13 2005-12-08 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Antennenanordnung und Verwendung der Antennenanordnung
WO2005123181A2 (en) 2004-06-10 2005-12-29 Ndi Medical, Llc Implantable pulse generator for providing functional and/or therapeutic stimulation of muscles and/or nerves and/or central nervous system tissue
JP4611127B2 (ja) 2004-06-14 2011-01-12 パナソニック株式会社 電気機械信号選択素子
US20050288740A1 (en) 2004-06-24 2005-12-29 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Low frequency transcutaneous telemetry to implanted medical device
US7599743B2 (en) 2004-06-24 2009-10-06 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Low frequency transcutaneous energy transfer to implanted medical device
US20050288739A1 (en) 2004-06-24 2005-12-29 Ethicon, Inc. Medical implant having closed loop transcutaneous energy transfer (TET) power transfer regulation circuitry
US7599744B2 (en) 2004-06-24 2009-10-06 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Transcutaneous energy transfer primary coil with a high aspect ferrite core
US7191007B2 (en) 2004-06-24 2007-03-13 Ethicon Endo-Surgery, Inc Spatially decoupled twin secondary coils for optimizing transcutaneous energy transfer (TET) power transfer characteristics
US20060001509A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Gibbs Phillip R Systems and methods for automated resonant circuit tuning
DE102004035851B4 (de) 2004-07-23 2006-11-16 Bruker Biospin Ag Resonatorsystem zur Erzeugung eines Hochfrequenz-Magnetfelds
KR20040072581A (ko) 2004-07-29 2004-08-18 (주)제이씨 프로텍 전자기파 증폭중계기 및 이를 이용한 무선전력변환장치
US7151357B2 (en) 2004-07-30 2006-12-19 Kye Systems Corporation Pulse frequency modulation for induction charge device
US7462951B1 (en) 2004-08-11 2008-12-09 Access Business Group International Llc Portable inductive power station
JP2006074848A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Hokushin Denki Kk 非接触電力伝送装置
WO2006029007A2 (en) 2004-09-02 2006-03-16 E-Soc Device for brain stimulation using rf energy harvesting
US20060066443A1 (en) 2004-09-15 2006-03-30 Tagsys Sa Self-adjusting RF assembly
US20090038623A1 (en) 2004-09-21 2009-02-12 Pavad Medical, Inc. Inductive power transfer system for palatal implant
US7156201B2 (en) 2004-11-04 2007-01-02 Advanced Ultrasonic Solutions, Inc. Ultrasonic rod waveguide-radiator
SE0402945D0 (sv) 2004-11-30 2004-11-30 Abb Research Ltd Industrial robot
US20060132045A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Baarman David W Heating system and heater
US20060185809A1 (en) 2005-02-23 2006-08-24 Abb. Actuator system for use in control of a sheet or web forming process
CA2596694A1 (en) 2005-02-24 2006-08-31 Firefly Power Technologies, Inc. Method, apparatus and system for power transmission
US7262700B2 (en) 2005-03-10 2007-08-28 Microsoft Corporation Inductive powering surface for powering portable devices
US7932798B2 (en) 2005-03-14 2011-04-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. System, an inductive power device, an energizable load and a method for enabling a wireless power transfer
KR100554889B1 (ko) 2005-03-21 2006-03-03 주식회사 한림포스텍 무접점 충전 시스템
US20060214626A1 (en) 2005-03-25 2006-09-28 Nilson Lee A Battery charging assembly for use on a locomotive
US8042631B2 (en) 2005-04-04 2011-10-25 Delphi Technologies, Inc. Electric vehicle having multiple-use APU system
US7963941B2 (en) 2005-04-12 2011-06-21 Wilk Peter J Intra-abdominal medical method and associated device
US20060238365A1 (en) 2005-04-24 2006-10-26 Elio Vecchione Short-range wireless power transmission and reception
US7376407B2 (en) 2005-04-28 2008-05-20 Microtune (Texas), L.P. System and method for dynamic impedance tuning to minimize return loss
US20080012569A1 (en) 2005-05-21 2008-01-17 Hall David R Downhole Coils
JP2008543255A (ja) 2005-05-24 2008-11-27 パワーキャスト コーポレイション 電力送信ネットワーク
WO2006133204A2 (en) 2005-06-08 2006-12-14 Powercast Corporation Powering devices using rf energy harvesting
US7321290B2 (en) 2005-10-02 2008-01-22 Visible Assets, Inc. Radio tag and system
CA2511051A1 (en) 2005-06-28 2006-12-29 Roger J. Soar Contactless battery charging apparel
KR20080031391A (ko) 2005-07-08 2008-04-08 파워캐스트 코포레이션 통신을 통한 전력 전송 시스템, 장치 및 방법
CN102983639B (zh) 2005-07-12 2016-01-27 麻省理工学院 无线非辐射能量传递
US7825543B2 (en) 2005-07-12 2010-11-02 Massachusetts Institute Of Technology Wireless energy transfer
US20070016089A1 (en) 2005-07-15 2007-01-18 Fischell David R Implantable device for vital signs monitoring
US7528725B2 (en) 2005-07-15 2009-05-05 Allflex U.S.A., Inc. Passive dynamic antenna tuning circuit for a radio frequency identification reader
US20070021140A1 (en) 2005-07-22 2007-01-25 Keyes Marion A Iv Wireless power transmission systems and methods
US20070024246A1 (en) 2005-07-27 2007-02-01 Flaugher David J Battery Chargers and Methods for Extended Battery Life
DE102005036290B4 (de) 2005-08-02 2009-04-30 Gebrüder Frei GmbH & Co. KG Bedienungssystem
KR100691255B1 (ko) 2005-08-08 2007-03-12 (주)제이씨 프로텍 소형ㆍ경량의 무선 전력 송수신 장치
US20070042729A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Baaman David W Inductive power supply, remote device powered by inductive power supply and method for operating same
CN1921297A (zh) * 2005-08-25 2007-02-28 上海大缔微电子有限公司 集成多路增益比较控制放大电路
US8838215B2 (en) 2006-03-01 2014-09-16 Angel Medical Systems, Inc. Systems and methods of medical monitoring according to patient state
JP4155408B2 (ja) 2005-09-29 2008-09-24 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 充電装置および充電システム
WO2007042952A1 (en) 2005-10-07 2007-04-19 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Ear-thermometer with ear identification
US7382636B2 (en) 2005-10-14 2008-06-03 Access Business Group International Llc System and method for powering a load
JP4852970B2 (ja) 2005-10-26 2012-01-11 パナソニック電工株式会社 給電システム
US8233985B2 (en) 2005-11-04 2012-07-31 Kenergy, Inc. MRI compatible implanted electronic medical device with power and data communication capability
US7798817B2 (en) 2005-11-04 2010-09-21 Georgia Tech Research Corporation Integrated circuit interconnects with coaxial conductors
EP1952520A2 (en) 2005-11-21 2008-08-06 Powercast Corporation Radio-frequency (rf) power portal cross-reference to related applications
US7825544B2 (en) 2005-12-02 2010-11-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Coupling system
US7521890B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Power Science Inc. System and method for selective transfer of radio frequency power
KR20080106186A (ko) 2006-01-18 2008-12-04 나이젤 파워 엘엘씨 무선 링크를 통해 전기 또는 전자 기기에 에너지를 전달하는 방법 및 장치
US8447234B2 (en) 2006-01-18 2013-05-21 Qualcomm Incorporated Method and system for powering an electronic device via a wireless link
US9130602B2 (en) 2006-01-18 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for delivering energy to an electrical or electronic device via a wireless link
KR100792308B1 (ko) 2006-01-31 2008-01-07 엘에스전선 주식회사 코일 어레이를 구비한 무접점 충전장치, 무접점 충전시스템 및 충전 방법
US8169185B2 (en) 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US7952322B2 (en) 2006-01-31 2011-05-31 Mojo Mobility, Inc. Inductive power source and charging system
JP2007266892A (ja) 2006-03-28 2007-10-11 Sumida Corporation コイルアンテナ
US7738965B2 (en) 2006-04-28 2010-06-15 Medtronic, Inc. Holster for charging pectorally implanted medical devices
DE102007014712B4 (de) 2006-05-30 2012-12-06 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Anlage
US7795708B2 (en) 2006-06-02 2010-09-14 Honeywell International Inc. Multilayer structures for magnetic shielding
WO2007150070A2 (en) 2006-06-23 2007-12-27 Securaplane Technologies, Inc. Wireless electromagnetic parasitic power transfer
US7916092B2 (en) 2006-08-02 2011-03-29 Schlumberger Technology Corporation Flexible circuit for downhole antenna
US9129741B2 (en) 2006-09-14 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for wireless power transmission
WO2008035248A2 (en) 2006-09-18 2008-03-27 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh An apparatus, a system and a method for enabling electromagnetic energy transfer
DE102006044057A1 (de) 2006-09-20 2008-04-10 Abb Patent Gmbh System zur drahtlosen Versorgung einer Vielzahl von Sensoren und/oder Aktoren und/oder anderer Elektronik
US20080215360A1 (en) 2006-10-24 2008-09-04 Kent Dicks Systems and methods for medical data interchange interface
KR100836634B1 (ko) 2006-10-24 2008-06-10 주식회사 한림포스텍 무선 데이타 통신과 전력 전송이 가능한 무접점 충전장치,충전용 배터리팩 및 무접점 충전장치를 이용한 휴대용단말기
WO2008051611A2 (en) 2006-10-25 2008-05-02 Farkas Laszio High power wireless resonant energy transfer system transfers energy across an airgap
CN101529688A (zh) 2006-10-26 2009-09-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 地面覆层和感应电力系统
US20100328044A1 (en) 2006-10-26 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Inductive power system and method of operation
WO2008058881A1 (en) 2006-11-15 2008-05-22 Pilkington Automotive Deutschland Gmbh Glazing
US8339096B2 (en) 2006-11-20 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power receiving device
US8320991B2 (en) 2006-12-01 2012-11-27 Medtronic Navigation Inc. Portable electromagnetic navigation system
US20080154331A1 (en) 2006-12-21 2008-06-26 Varghese John Device for multicentric brain modulation, repair and interface
WO2008088691A2 (en) 2007-01-12 2008-07-24 Kopin Corporation Head mounted monocular display device
US8503968B2 (en) 2007-01-19 2013-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for power saving in wireless communications
JP4308858B2 (ja) 2007-02-16 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 送電制御装置、受電制御装置、無接点電力伝送システム、送電装置、受電装置および電子機器
JP4413236B2 (ja) 2007-02-16 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 受電制御装置、送電制御装置、無接点電力伝送システム、受電装置、送電装置および電子機器
JP4930093B2 (ja) 2007-02-21 2012-05-09 セイコーエプソン株式会社 送電制御装置、受電制御装置、無接点電力伝送システム、送電装置、受電装置および電子機器
US9774086B2 (en) 2007-03-02 2017-09-26 Qualcomm Incorporated Wireless power apparatus and methods
US8482157B2 (en) 2007-03-02 2013-07-09 Qualcomm Incorporated Increasing the Q factor of a resonator
JP4649430B2 (ja) 2007-03-20 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 非接触電力伝送装置
US20080255901A1 (en) 2007-03-26 2008-10-16 John Stuart Carroll Kiosk systems and methods
CA2682284C (en) 2007-03-27 2016-08-16 Massachusetts Institute Of Technology Wireless energy transfer
FR2914512A1 (fr) 2007-03-27 2008-10-03 Delachaux Sa Sa Systeme d'alimentation electrique et de transmission de donnees sans contact electrique.
US7602142B2 (en) 2007-04-02 2009-10-13 Visteon Global Technologies, Inc. System for inductive power transfer
US20080272860A1 (en) 2007-05-01 2008-11-06 M/A-Com, Inc. Tunable Dielectric Resonator Circuit
KR102128564B1 (ko) 2007-05-10 2020-07-01 오클랜드 유니서비시즈 리미티드 멀티 전력을 공급받는 전기 자동차
US20080300657A1 (en) 2007-05-31 2008-12-04 Mark Raymond Stultz Therapy system
US8115448B2 (en) 2007-06-01 2012-02-14 Michael Sasha John Systems and methods for wireless power
TWI339548B (en) 2007-06-01 2011-03-21 Ind Tech Res Inst Inductor devices
US9124120B2 (en) 2007-06-11 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Wireless power system and proximity effects
US8106739B2 (en) 2007-06-12 2012-01-31 Advanced Magnetic Solutions United Magnetic induction devices and methods for producing them
US9634730B2 (en) 2007-07-09 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Wireless energy transfer using coupled antennas
KR100819753B1 (ko) 2007-07-13 2008-04-08 주식회사 한림포스텍 배터리팩 솔루션을 위한 무접점충전시스템 및 그 제어방법
US20090033564A1 (en) 2007-08-02 2009-02-05 Nigel Power, Llc Deployable Antennas for Wireless Power
EP2176630A1 (en) 2007-08-06 2010-04-21 Premark FEG L.L.C. Oven with wireless temperature sensor for use in monitoring food temperature
JP2010537496A (ja) 2007-08-13 2010-12-02 クゥアルコム・インコーポレイテッド 長距離低周波数共振器および素材
US20090067198A1 (en) 2007-08-29 2009-03-12 David Jeffrey Graham Contactless power supply
JP4561796B2 (ja) 2007-08-31 2010-10-13 ソニー株式会社 受電装置、および電力伝送システム
US7999414B2 (en) 2007-09-01 2011-08-16 Maquet Gmbh & Co. Kg Apparatus and method for wireless energy and/or data transmission between a source device and at least one target device
WO2009033043A2 (en) 2007-09-05 2009-03-12 University Of Florida Research Foundation, Inc. Planar near-field wireless power charger and high-speed data communication platform
US8461817B2 (en) 2007-09-11 2013-06-11 Powercast Corporation Method and apparatus for providing wireless power to a load device
CN101904048A (zh) 2007-09-13 2010-12-01 高通股份有限公司 用于无线功率应用的天线
JP2010539821A (ja) 2007-09-13 2010-12-16 クゥアルコム・インコーポレイテッド ワイヤレス電力磁気共振器から生じた電力を最大にすること
KR101473600B1 (ko) 2007-09-17 2014-12-16 퀄컴 인코포레이티드 무선 전력 자기 공진기에서의 고효율 및 고전력 전송
US8610312B2 (en) 2007-09-17 2013-12-17 Hideo Kikuchi Induced power transmission circuit
WO2009039113A1 (en) 2007-09-17 2009-03-26 Nigel Power, Llc Transmitters and receivers for wireless energy transfer
CN107154534A (zh) 2007-09-19 2017-09-12 高通股份有限公司 使来自无线功率磁谐振器的功率产量最大化的方法和设备
JP2009081943A (ja) 2007-09-26 2009-04-16 Seiko Epson Corp 送電制御装置、送電装置、送電側装置および無接点電力伝送システム
WO2009042214A1 (en) 2007-09-26 2009-04-02 Governing Dynamics, Llc Self-charging electric vehicles and aircraft, and wireless energy distribution system
WO2009043034A1 (en) 2007-09-27 2009-04-02 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a wireless multiple-frequency mr coil
US7973635B2 (en) 2007-09-28 2011-07-05 Access Business Group International Llc Printed circuit board coil
EP2208279A4 (en) 2007-10-11 2016-11-30 Qualcomm Inc WIRELESS POWER TRANSFER USING MAGNETO-MECHANICAL SYSTEMS
AU2008312079B2 (en) 2007-10-16 2015-02-12 Implantica Patent Ltd. A method and apparatus for supplying energy to a medical device
US8193769B2 (en) 2007-10-18 2012-06-05 Powermat Technologies, Ltd Inductively chargeable audio devices
JP4453741B2 (ja) 2007-10-25 2010-04-21 トヨタ自動車株式会社 電動車両および車両用給電装置
US8175660B2 (en) 2007-10-30 2012-05-08 Qualcomm Incorporated Wireless energy transfer
US7868586B2 (en) 2007-10-31 2011-01-11 Intermec Ip Corp. System, devices, and method for selectively wirelessly energizing passive wireless data communications devices
US8228025B2 (en) 2007-11-09 2012-07-24 City University Of Hong Kong Electronic control method for a planar inductive battery charging apparatus
US7843288B2 (en) 2007-11-15 2010-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and system for transmitting power wirelessly
US8729734B2 (en) 2007-11-16 2014-05-20 Qualcomm Incorporated Wireless power bridge
WO2009070730A2 (en) 2007-11-27 2009-06-04 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for high efficiency scalable near-field wireless power transfer
KR101261686B1 (ko) 2007-11-28 2013-05-06 퀄컴 인코포레이티드 무급전 안테나를 사용한 무선 전력 범위 증가
JP4974171B2 (ja) 2007-12-07 2012-07-11 ソニーモバイルコミュニケーションズ株式会社 非接触無線通信装置、非接触無線通信アンテナの共振周波数の調整方法及び携帯端末装置
TWI361540B (en) 2007-12-14 2012-04-01 Darfon Electronics Corp Energy transferring system and method thereof
US20090160261A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Nokia Corporation Wireless energy transfer
US20090161078A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 Oculon Optoelectronics, Inc. Projector, and mobile device and computer device having the same
JP2009158598A (ja) 2007-12-25 2009-07-16 Panasonic Electric Works Co Ltd 平面コイル及びこれを用いた非接触電力伝送機器
CA2711489A1 (en) 2008-01-07 2009-07-16 David W. Baarman Inductive power supply with duty cycle control
US9128687B2 (en) 2008-01-10 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Wireless desktop IT environment
US8294300B2 (en) 2008-01-14 2012-10-23 Qualcomm Incorporated Wireless powering and charging station
JP4604094B2 (ja) 2008-01-23 2010-12-22 トヨタ自動車株式会社 車両用給電装置および車両用窓材
US8487479B2 (en) 2008-02-24 2013-07-16 Qualcomm Incorporated Ferrite antennas for wireless power transfer
US8344552B2 (en) 2008-02-27 2013-01-01 Qualcomm Incorporated Antennas and their coupling characteristics for wireless power transfer via magnetic coupling
US8855554B2 (en) 2008-03-05 2014-10-07 Qualcomm Incorporated Packaging and details of a wireless power device
JP5188211B2 (ja) 2008-03-07 2013-04-24 キヤノン株式会社 給電装置及び給電方法
US8421267B2 (en) 2008-03-10 2013-04-16 Qualcomm, Incorporated Packaging and details of a wireless power device
CN103944196B (zh) 2008-03-13 2017-09-22 捷通国际有限公司 具有多个线圈初级的感应电源系统
US8629576B2 (en) 2008-03-28 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Tuning and gain control in electro-magnetic power systems
JP2009251895A (ja) 2008-04-04 2009-10-29 Sony Corp 電力交換装置、電力交換方法、プログラム、および電力交換システム
US7999506B1 (en) 2008-04-09 2011-08-16 SeventhDigit Corporation System to automatically recharge vehicles with batteries
WO2009126963A2 (en) 2008-04-11 2009-10-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. Power control duty cycle throttling scheme for planar wireless power transmission system
KR101589836B1 (ko) 2008-04-21 2016-01-28 퀄컴 인코포레이티드 근거리 효율적인 무선 전력 송신
US9603512B2 (en) 2008-04-25 2017-03-28 Karl Storz Imaging, Inc. Wirelessly powered medical devices and instruments
KR101094253B1 (ko) 2008-04-28 2011-12-19 정춘길 무선 전력 수신 장치, 이와 관련된 무선 전력 송신 장치, 그리고, 무선 전력 송수신 시스템
DK2274837T3 (en) 2008-04-28 2018-02-19 Cochlear Ltd Inductive magnetic systems and devices
JP4544338B2 (ja) 2008-04-28 2010-09-15 ソニー株式会社 送電装置、受電装置、送電方法、プログラム、および電力伝送システム
JP4544339B2 (ja) 2008-04-28 2010-09-15 ソニー株式会社 送電装置、送電方法、プログラム、および電力伝送システム
US8193766B2 (en) 2008-04-30 2012-06-05 Medtronic, Inc. Time remaining to charge an implantable medical device, charger indicator, system and method therefore
US20090273242A1 (en) 2008-05-05 2009-11-05 Nigelpower, Llc Wireless Delivery of power to a Fixed-Geometry power part
JP4557045B2 (ja) 2008-05-12 2010-10-06 ソニー株式会社 送電装置、送電方法、プログラム、および電力伝送システム
US8629650B2 (en) 2008-05-13 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer using multiple transmit antennas
US8878393B2 (en) 2008-05-13 2014-11-04 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer for vehicles
CN102099958B (zh) 2008-05-14 2013-12-25 麻省理工学院 包括干涉增强的无线能量传输
TW200950257A (en) 2008-05-20 2009-12-01 Darfon Electronics Corp Wireless charging module and electronic apparatus
KR100976231B1 (ko) 2008-05-23 2010-08-17 고려대학교 산학협력단 무선 전력 공급 제어 시스템
WO2009155000A2 (en) 2008-05-27 2009-12-23 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for producing substantially uniform magnetic field
US20090299918A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Nigelpower, Llc Wireless delivery of power to a mobile powered device
WO2009149464A2 (en) 2008-06-06 2009-12-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for contactless power transfer
JP4725604B2 (ja) 2008-06-25 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 送電制御装置、送電装置、受電制御装置、受電装置及び電子機器
US8466654B2 (en) 2008-07-08 2013-06-18 Qualcomm Incorporated Wireless high power transfer under regulatory constraints
US8212414B2 (en) 2008-07-10 2012-07-03 Lockheed Martin Corporation Resonant, contactless radio frequency power coupling
US9853488B2 (en) 2008-07-11 2017-12-26 Charge Fusion Technologies, Llc Systems and methods for electric vehicle charging and power management
US7835417B2 (en) 2008-07-15 2010-11-16 Octrolix Bv Narrow spectrum light source
JP5524206B2 (ja) 2008-07-17 2014-06-18 クゥアルコム・インコーポレイテッド Ｈｆワイヤレス電力送信アンテナの適応整合および同調
US20100015918A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Ferro Solutions, Inc. Wireless transfer of information using magneto-electric devices
US8754549B2 (en) 2008-07-24 2014-06-17 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
US8278784B2 (en) 2008-07-28 2012-10-02 Qualcomm Incorporated Wireless power transmission for electronic devices
US8111042B2 (en) 2008-08-05 2012-02-07 Broadcom Corporation Integrated wireless resonant power charging and communication channel
US20100034238A1 (en) 2008-08-05 2010-02-11 Broadcom Corporation Spread spectrum wireless resonant power delivery
US7893564B2 (en) 2008-08-05 2011-02-22 Broadcom Corporation Phased array wireless resonant power delivery system
US8901880B2 (en) 2008-08-19 2014-12-02 Qualcomm Incorporated Wireless power transmission for portable wireless power charging
US8446045B2 (en) 2008-08-20 2013-05-21 Intel Corporation Flat, asymmetric, and E-field confined wireless power transfer apparatus and method thereof
US20100081379A1 (en) 2008-08-20 2010-04-01 Intel Corporation Wirelessly powered speaker
US8299652B2 (en) 2008-08-20 2012-10-30 Intel Corporation Wireless power transfer apparatus and method thereof
US8432070B2 (en) 2008-08-25 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Passive receivers for wireless power transmission
KR101247436B1 (ko) 2008-08-26 2013-03-25 퀄컴 인코포레이티드 동시 무선 전력 송신 및 근접장 통신
US8947041B2 (en) 2008-09-02 2015-02-03 Qualcomm Incorporated Bidirectional wireless power transmission
JP4911148B2 (ja) 2008-09-02 2012-04-04 ソニー株式会社 非接触給電装置
US8581542B2 (en) 2008-09-08 2013-11-12 Qualcomm Incorporated Receive antenna arrangement for wireless power
US8232793B2 (en) 2008-09-12 2012-07-31 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus of load detection for a planar wireless power system
EP2332213A1 (en) 2008-09-12 2011-06-15 Advanced Automotive Antennas, S.L. Flush-mounted low-profile resonant hole antenna
US8532724B2 (en) 2008-09-17 2013-09-10 Qualcomm Incorporated Transmitters for wireless power transmission
JP4743244B2 (ja) 2008-09-18 2011-08-10 トヨタ自動車株式会社 非接触受電装置
EP2330716B1 (en) 2008-09-19 2018-09-05 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Noncontact power receiving apparatus and vehicle including the same
US8441154B2 (en) 2008-09-27 2013-05-14 Witricity Corporation Multi-resonator wireless energy transfer for exterior lighting
US20120119569A1 (en) 2008-09-27 2012-05-17 Aristeidis Karalis Multi-resonator wireless energy transfer inside vehicles
US20120235502A1 (en) 2008-09-27 2012-09-20 Kesler Morris P Multi-resonator wireless energy transfer for implanted medical devices
US20120062345A1 (en) 2008-09-27 2012-03-15 Kurs Andre B Low resistance electrical conductor
US20120091794A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Campanella Andrew J Wirelessly powered laptop and desktop environment
CN107026511A (zh) 2008-09-27 2017-08-08 韦特里西提公司 无线能量转移系统
US8482158B2 (en) 2008-09-27 2013-07-09 Witricity Corporation Wireless energy transfer using variable size resonators and system monitoring
US8587155B2 (en) 2008-09-27 2013-11-19 Witricity Corporation Wireless energy transfer using repeater resonators
US20120248887A1 (en) 2008-09-27 2012-10-04 Kesler Morris P Multi-resonator wireless energy transfer for sensors
US8692412B2 (en) 2008-09-27 2014-04-08 Witricity Corporation Temperature compensation in a wireless transfer system
US8947186B2 (en) 2008-09-27 2015-02-03 Witricity Corporation Wireless energy transfer resonator thermal management
US20120112691A1 (en) 2008-09-27 2012-05-10 Kurs Andre B Wireless energy transfer for vehicles
US8912687B2 (en) 2008-09-27 2014-12-16 Witricity Corporation Secure wireless energy transfer for vehicle applications
US20120119698A1 (en) 2008-09-27 2012-05-17 Aristeidis Karalis Wireless energy transfer for vehicles
US9577436B2 (en) 2008-09-27 2017-02-21 Witricity Corporation Wireless energy transfer for implantable devices
US20120091797A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Kesler Morris P Energized tabletop
US8629578B2 (en) 2008-09-27 2014-01-14 Witricity Corporation Wireless energy transfer systems
US20120228952A1 (en) 2008-09-27 2012-09-13 Hall Katherine L Tunable wireless energy transfer for appliances
US8907531B2 (en) 2008-09-27 2014-12-09 Witricity Corporation Wireless energy transfer with variable size resonators for medical applications
US20120091819A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Konrad Kulikowski Computer that wirelessly powers accessories
US20120112536A1 (en) 2008-09-27 2012-05-10 Aristeidis Karalis Wireless energy transfer for vehicles
US8901778B2 (en) 2008-09-27 2014-12-02 Witricity Corporation Wireless energy transfer with variable size resonators for implanted medical devices
US8471410B2 (en) 2008-09-27 2013-06-25 Witricity Corporation Wireless energy transfer over distance using field shaping to improve the coupling factor
US20120091949A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Campanella Andrew J Wireless energy transfer for energizing power tools
US8928276B2 (en) 2008-09-27 2015-01-06 Witricity Corporation Integrated repeaters for cell phone applications
US8643326B2 (en) 2008-09-27 2014-02-04 Witricity Corporation Tunable wireless energy transfer systems
US8669676B2 (en) 2008-09-27 2014-03-11 Witricity Corporation Wireless energy transfer across variable distances using field shaping with magnetic materials to improve the coupling factor
US20120235501A1 (en) 2008-09-27 2012-09-20 Kesler Morris P Multi-resonator wireless energy transfer for medical applications
US9105959B2 (en) 2008-09-27 2015-08-11 Witricity Corporation Resonator enclosure
US8946938B2 (en) 2008-09-27 2015-02-03 Witricity Corporation Safety systems for wireless energy transfer in vehicle applications
US8461722B2 (en) 2008-09-27 2013-06-11 Witricity Corporation Wireless energy transfer using conducting surfaces to shape field and improve K
US8324759B2 (en) 2008-09-27 2012-12-04 Witricity Corporation Wireless energy transfer using magnetic materials to shape field and reduce loss
US20120112538A1 (en) 2008-09-27 2012-05-10 Kesler Morris P Wireless energy transfer for vehicle applications
US8552592B2 (en) 2008-09-27 2013-10-08 Witricity Corporation Wireless energy transfer with feedback control for lighting applications
US9160203B2 (en) 2008-09-27 2015-10-13 Witricity Corporation Wireless powered television
US9246336B2 (en) 2008-09-27 2016-01-26 Witricity Corporation Resonator optimizations for wireless energy transfer
US8937408B2 (en) 2008-09-27 2015-01-20 Witricity Corporation Wireless energy transfer for medical applications
US8487480B1 (en) 2008-09-27 2013-07-16 Witricity Corporation Wireless energy transfer resonator kit
US20120235504A1 (en) 2008-09-27 2012-09-20 Kesler Morris P Tunable wireless energy transfer for sensors
US8922066B2 (en) 2008-09-27 2014-12-30 Witricity Corporation Wireless energy transfer with multi resonator arrays for vehicle applications
US8569914B2 (en) 2008-09-27 2013-10-29 Witricity Corporation Wireless energy transfer using object positioning for improved k
US20120228953A1 (en) 2008-09-27 2012-09-13 Kesler Morris P Tunable wireless energy transfer for furniture applications
US8410636B2 (en) 2008-09-27 2013-04-02 Witricity Corporation Low AC resistance conductor designs
US8686598B2 (en) 2008-09-27 2014-04-01 Witricity Corporation Wireless energy transfer for supplying power and heat to a device
US8304935B2 (en) 2008-09-27 2012-11-06 Witricity Corporation Wireless energy transfer using field shaping to reduce loss
US9065423B2 (en) 2008-09-27 2015-06-23 Witricity Corporation Wireless energy distribution system
US8461721B2 (en) 2008-09-27 2013-06-11 Witricity Corporation Wireless energy transfer using object positioning for low loss
US20120242159A1 (en) 2008-09-27 2012-09-27 Herbert Toby Lou Multi-resonator wireless energy transfer for appliances
US20120248886A1 (en) 2008-09-27 2012-10-04 Kesler Morris P Multi-resonator wireless energy transfer to mobile devices
US20120091820A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Campanella Andrew J Wireless power transfer within a circuit breaker
US20120248888A1 (en) 2008-09-27 2012-10-04 Kesler Morris P Wireless energy transfer with resonator arrays for medical applications
US8400017B2 (en) 2008-09-27 2013-03-19 Witricity Corporation Wireless energy transfer for computer peripheral applications
US20100259110A1 (en) 2008-09-27 2010-10-14 Kurs Andre B Resonator optimizations for wireless energy transfer
US8497601B2 (en) 2008-09-27 2013-07-30 Witricity Corporation Wireless energy transfer converters
US8461720B2 (en) 2008-09-27 2013-06-11 Witricity Corporation Wireless energy transfer using conducting surfaces to shape fields and reduce loss
US8772973B2 (en) 2008-09-27 2014-07-08 Witricity Corporation Integrated resonator-shield structures
US8466583B2 (en) 2008-09-27 2013-06-18 Witricity Corporation Tunable wireless energy transfer for outdoor lighting applications
US8723366B2 (en) 2008-09-27 2014-05-13 Witricity Corporation Wireless energy transfer resonator enclosures
US20120313742A1 (en) 2008-09-27 2012-12-13 Witricity Corporation Compact resonators for wireless energy transfer in vehicle applications
US8598743B2 (en) 2008-09-27 2013-12-03 Witricity Corporation Resonator arrays for wireless energy transfer
US20120112535A1 (en) 2008-09-27 2012-05-10 Aristeidis Karalis Wireless energy transfer for vehicles
US20100277121A1 (en) 2008-09-27 2010-11-04 Hall Katherine L Wireless energy transfer between a source and a vehicle
US20120235566A1 (en) 2008-09-27 2012-09-20 Aristeidis Karalis Tunable wireless energy transfer for lighting applications
US20120091796A1 (en) 2008-09-27 2012-04-19 Kesler Morris P Wireless powered projector
US20170053736A9 (en) 2008-09-27 2017-02-23 Witricity Corporation Wireless energy transfer converters
US20110074346A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Hall Katherine L Vehicle charger safety system and method
US8933594B2 (en) 2008-09-27 2015-01-13 Witricity Corporation Wireless energy transfer for vehicles
US8692410B2 (en) 2008-09-27 2014-04-08 Witricity Corporation Wireless energy transfer with frequency hopping
US20120228954A1 (en) 2008-09-27 2012-09-13 Kesler Morris P Tunable wireless energy transfer for clothing applications
US20120086867A1 (en) 2008-09-27 2012-04-12 Kesler Morris P Modular upgrades for wirelessly powered televisions
US8901779B2 (en) 2008-09-27 2014-12-02 Witricity Corporation Wireless energy transfer with resonator arrays for medical applications
US9601261B2 (en) 2008-09-27 2017-03-21 Witricity Corporation Wireless energy transfer using repeater resonators
US9106203B2 (en) 2008-09-27 2015-08-11 Witricity Corporation Secure wireless energy transfer in medical applications
US20110043049A1 (en) 2008-09-27 2011-02-24 Aristeidis Karalis Wireless energy transfer with high-q resonators using field shaping to improve k
US9318922B2 (en) 2008-09-27 2016-04-19 Witricity Corporation Mechanically removable wireless power vehicle seat assembly
US9184595B2 (en) 2008-09-27 2015-11-10 Witricity Corporation Wireless energy transfer in lossy environments
US20120086284A1 (en) 2008-09-27 2012-04-12 Capanella Andrew J Wireless transmission of solar generated power
US9035499B2 (en) 2008-09-27 2015-05-19 Witricity Corporation Wireless energy transfer for photovoltaic panels
US20120256494A1 (en) 2008-09-27 2012-10-11 Kesler Morris P Tunable wireless energy transfer for medical applications
US8963488B2 (en) 2008-09-27 2015-02-24 Witricity Corporation Position insensitive wireless charging
US8476788B2 (en) 2008-09-27 2013-07-02 Witricity Corporation Wireless energy transfer with high-Q resonators using field shaping to improve K
US20120248981A1 (en) 2008-09-27 2012-10-04 Aristeidis Karalis Multi-resonator wireless energy transfer for lighting
US8587153B2 (en) 2008-09-27 2013-11-19 Witricity Corporation Wireless energy transfer using high Q resonators for lighting applications
US8957549B2 (en) 2008-09-27 2015-02-17 Witricity Corporation Tunable wireless energy transfer for in-vehicle applications
US9093853B2 (en) 2008-09-27 2015-07-28 Witricity Corporation Flexible resonator attachment
US8362651B2 (en) 2008-10-01 2013-01-29 Massachusetts Institute Of Technology Efficient near-field wireless energy transfer using adiabatic system variations
KR101025743B1 (ko) 2008-10-13 2011-04-04 한국전자통신연구원 중거리 무선 전력 전송 기술을 이용한 인공 망막 구동 장치
US8022569B2 (en) * 2008-10-23 2011-09-20 GM Global Technology Operations LLC Systems and methods for discharging bus voltage using semiconductor devices
JP5375032B2 (ja) 2008-11-04 2013-12-25 株式会社豊田自動織機 非接触電力伝送装置及び非接触電力伝送装置の設計方法
US8947042B2 (en) 2008-11-13 2015-02-03 Qualcomm Incorporated Wireless power and data transfer for electronic devices
JP5308127B2 (ja) 2008-11-17 2013-10-09 株式会社豊田中央研究所 給電システム
KR101440591B1 (ko) 2008-11-17 2014-09-17 삼성전자 주식회사 높은 큐의 영차 근접 자기장 공진기를 이용한 무선 전력 전송 장치
US8810194B2 (en) 2008-11-20 2014-08-19 Qualcomm Incorporated Retrofitting wireless power and near-field communication in electronic devices
US8929957B2 (en) 2008-11-21 2015-01-06 Qualcomm Incorporated Reduced jamming between receivers and wireless power transmitters
CN103208830B (zh) 2008-12-12 2016-06-22 英特尔公司 非接触输电设备的电力传输的控制方法及非接触输电设备
KR101455825B1 (ko) 2008-12-18 2014-10-30 삼성전자 주식회사 무선 전력전송용 공진기
US8054039B2 (en) 2008-12-19 2011-11-08 GM Global Technology Operations LLC System and method for charging a plug-in electric vehicle
JP5285418B2 (ja) 2008-12-24 2013-09-11 株式会社豊田自動織機 共鳴型非接触電力供給装置
JP5135204B2 (ja) 2008-12-26 2013-02-06 株式会社日立製作所 非接触電力伝送システム、および該非接触電力伝送システムにおける負荷装置
US8497658B2 (en) 2009-01-22 2013-07-30 Qualcomm Incorporated Adaptive power control for wireless charging of devices
US9136914B2 (en) 2009-01-22 2015-09-15 Qualcomm Incorporated Impedance change detection in wireless power transmission
CN102292918A (zh) 2009-01-22 2011-12-21 创科电动工具科技有限公司 用于电动工具的无线配电系统和方法
US20100194207A1 (en) 2009-02-04 2010-08-05 Graham David S Wireless power transfer with lighting
US9130394B2 (en) 2009-02-05 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Wireless power for charging devices
CN105109359B (zh) 2009-02-05 2018-10-16 奥克兰联合服务有限公司 感应式电力传输设备
WO2010090538A1 (en) 2009-02-05 2010-08-12 Auckland Uniservices Limited Inductive power transfer apparatus
US20100201310A1 (en) 2009-02-06 2010-08-12 Broadcom Corporation Wireless power transfer system
US8427330B2 (en) 2009-02-06 2013-04-23 Broadcom Corporation Efficiency indicator for increasing efficiency of wireless power transfer
US8427100B2 (en) 2009-02-06 2013-04-23 Broadcom Corporation Increasing efficiency of wireless power transfer
JP2010183814A (ja) 2009-02-09 2010-08-19 Toyota Industries Corp 非接触電力伝送装置
JP5262785B2 (ja) 2009-02-09 2013-08-14 株式会社豊田自動織機 非接触電力伝送装置
US20100201312A1 (en) 2009-02-10 2010-08-12 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer for portable enclosures
US20100201201A1 (en) 2009-02-10 2010-08-12 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer in public places
US9312924B2 (en) 2009-02-10 2016-04-12 Qualcomm Incorporated Systems and methods relating to multi-dimensional wireless charging
US8682261B2 (en) 2009-02-13 2014-03-25 Qualcomm Incorporated Antenna sharing for wirelessly powered devices
JP2012518382A (ja) 2009-02-13 2012-08-09 ウィットリシティ コーポレイション 損失性環境における無線エネルギー伝達
US9407327B2 (en) 2009-02-13 2016-08-02 Qualcomm Incorporated Wireless power for chargeable and charging devices
US8760113B2 (en) 2009-02-24 2014-06-24 Qualcomm Incorporated Wireless power charging timing and charging control
JP4815499B2 (ja) 2009-02-27 2011-11-16 東光株式会社 非接触電力伝送回路
JP4849142B2 (ja) 2009-02-27 2012-01-11 ソニー株式会社 電力供給装置および電力伝送システム
US20100225270A1 (en) 2009-03-08 2010-09-09 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer for chargeable devices
US8855786B2 (en) 2009-03-09 2014-10-07 Nucurrent, Inc. System and method for wireless power transfer in implantable medical devices
US9873347B2 (en) 2009-03-12 2018-01-23 Wendell Brown Method and apparatus for automatic charging of an electrically powered vehicle
US8338991B2 (en) 2009-03-20 2012-12-25 Qualcomm Incorporated Adaptive impedance tuning in wireless power transmission
US8803474B2 (en) 2009-03-25 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Optimization of wireless power devices
JP5521665B2 (ja) 2009-03-26 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 コイルユニット、それを用いた送電装置及び受電装置
US8686684B2 (en) 2009-03-27 2014-04-01 Microsoft Corporation Magnetic inductive charging with low far fields
US8452235B2 (en) 2009-03-28 2013-05-28 Qualcomm, Incorporated Tracking receiver devices with wireless power systems, apparatuses, and methods
JP5621203B2 (ja) 2009-03-30 2014-11-12 富士通株式会社 無線電力供給システム、無線電力供給方法
JP5353376B2 (ja) 2009-03-31 2013-11-27 富士通株式会社 無線電力装置、無線電力受信方法
JP5556044B2 (ja) 2009-03-31 2014-07-23 富士通株式会社 無線送電システム、無線電力受電装置、および無線電力送電装置
JP5515368B2 (ja) 2009-03-31 2014-06-11 富士通株式会社 無線電力供給方法及び無線電力供給システム
JP5417941B2 (ja) 2009-03-31 2014-02-19 富士通株式会社 送電装置
JP5365306B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-11 富士通株式会社 無線電力供給システム
JP5689587B2 (ja) 2009-03-31 2015-03-25 富士通株式会社 電力伝送装置
JP5417942B2 (ja) 2009-03-31 2014-02-19 富士通株式会社 送電装置、送受電装置および送電方法
US8536736B2 (en) 2009-04-03 2013-09-17 International Business Machines Corporation Wireless power infrastructure
US8970180B2 (en) 2009-04-07 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Wireless power transmission scheduling
JP2010252468A (ja) 2009-04-14 2010-11-04 Sony Corp 送電装置および方法、受電装置および方法、並びに、電力伝送システム
US9013141B2 (en) 2009-04-28 2015-04-21 Qualcomm Incorporated Parasitic devices for wireless power transfer
US20100276995A1 (en) 2009-04-29 2010-11-04 Thomas Louis Marzetta Security for wireless transfer of electrical power
KR101083630B1 (ko) 2009-05-22 2011-11-17 정춘길 무접점 방식의 배터리 충전을 위한 제어모듈 배치 구조
JP5744432B2 (ja) * 2009-07-21 2015-07-08 高周波熱錬株式会社 高周波焼入れシステム及び高周波焼入れ異常判定方法
US7978009B2 (en) 2009-08-03 2011-07-12 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Digital modulated RF power amplifier with impedance compensation circuit
JP2011050140A (ja) 2009-08-26 2011-03-10 Sony Corp 非接触給電装置、非接触受電装置、非接触給電方法、非接触受電方法および非接触給電システム
JP5484843B2 (ja) 2009-09-24 2014-05-07 パナソニック株式会社 非接触充電システム
CA2777596C (en) 2009-10-13 2018-05-29 Cynetic Designs Ltd. An inductively coupled power and data transmission system
US8575944B2 (en) 2009-11-03 2013-11-05 Robert Bosch Gmbh Foreign object detection in inductive coupled devices
KR101706616B1 (ko) 2009-11-09 2017-02-14 삼성전자주식회사 로드 임피던스 결정 장치, 무선 전력 전송 장치 및 그 방법
JP2013511255A (ja) 2009-11-17 2013-03-28 アップル インコーポレイテッド ローカルコンピューティング環境での無線電力の利用
US8547057B2 (en) 2009-11-17 2013-10-01 Qualcomm Incorporated Systems and methods for selective wireless power transfer
US8427101B2 (en) 2009-11-18 2013-04-23 Nokia Corporation Wireless energy repeater
EP2515414A4 (en) 2009-11-18 2016-04-06 Toshiba Kk WIRELESS POWER TRANSMISSION DEVICE
US20110115303A1 (en) 2009-11-19 2011-05-19 Access Business Group International Llc Multiple use wireless power systems
TWM384453U (en) 2010-03-02 2010-07-11 Winharbor Technology Co Ltd Pull-resistant illuminating/heat generating structure capable of being charged in wireless manner
CA2792256A1 (en) 2010-03-10 2011-09-15 Witricity Corporation Wireless energy transfer converters
CN103779973B (zh) 2010-04-07 2016-03-16 松下知识产权经营株式会社 无线电力传输系统及用于该无线电力传输系统中的电感器
US10343535B2 (en) 2010-04-08 2019-07-09 Witricity Corporation Wireless power antenna alignment adjustment system for vehicles
US9561730B2 (en) 2010-04-08 2017-02-07 Qualcomm Incorporated Wireless power transmission in electric vehicles
US20110278943A1 (en) 2010-05-11 2011-11-17 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware System including wearable power receiver and wearable power-output device
US8195102B2 (en) * 2010-06-02 2012-06-05 Nxp B.V. System and method for transmitting a baseband real signal with a non-constant envelope using a polar transmitter
JP4971527B2 (ja) 2010-06-30 2012-07-11 パナソニック株式会社 発電装置および発電システム
IT1400748B1 (it) 2010-06-30 2013-07-02 St Microelectronics Srl Apparato per il trasferimento wireless di energia fra due dispositivi e contemporaneo trasferimento di dati.
WO2012037279A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Witricity Corporation Wireless energy distribution system
US8551163B2 (en) 2010-10-07 2013-10-08 Everheart Systems Inc. Cardiac support systems and methods for chronic use
US8269566B2 (en) 2010-10-15 2012-09-18 Xilinx, Inc. Tunable resonant circuit in an integrated circuit
US9094055B2 (en) 2011-04-19 2015-07-28 Qualcomm Incorporated Wireless power transmitter tuning
WO2012170278A2 (en) 2011-06-06 2012-12-13 Witricity Corporation Wireless energy transfer for implantable devices
US20130007949A1 (en) 2011-07-08 2013-01-10 Witricity Corporation Wireless energy transfer for person worn peripherals
US20130038402A1 (en) 2011-07-21 2013-02-14 Witricity Corporation Wireless power component selection
WO2013013235A2 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Witricity Corporation Wireless power component selection
EP3435389A1 (en) 2011-08-04 2019-01-30 WiTricity Corporation Tunable wireless power architectures
EP2754222B1 (en) 2011-09-09 2015-11-18 Witricity Corporation Foreign object detection in wireless energy transfer systems
US20130062966A1 (en) 2011-09-12 2013-03-14 Witricity Corporation Reconfigurable control architectures and algorithms for electric vehicle wireless energy transfer systems
US20130069753A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Witricity Corporation High frequency pcb coils
JP2015502726A (ja) 2011-10-18 2015-01-22 ワイトリシティ コーポレーションＷｉｔｒｉｃｉｔｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 太陽電池パネルのための無線エネルギー伝達
US9318257B2 (en) 2011-10-18 2016-04-19 Witricity Corporation Wireless energy transfer for packaging
AU2012332131A1 (en) 2011-11-04 2014-05-22 Witricity Corporation Wireless energy transfer modeling tool
US9270342B2 (en) 2011-12-16 2016-02-23 Qualcomm Incorporated System and method for low loss wireless power transmission
US20130175874A1 (en) 2012-01-09 2013-07-11 Witricity Corporation Wireless energy transfer for promotional items
JP2015508987A (ja) 2012-01-26 2015-03-23 ワイトリシティ コーポレーションＷｉｔｒｉｃｉｔｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 減少した場を有する無線エネルギー伝送
CN104396109B (zh) * 2012-02-02 2018-12-18 奥克兰联合服务有限公司 用于感应功率传输系统的var控制
WO2013142840A1 (en) 2012-03-23 2013-09-26 Witricity Corporation Integrated repeaters for cell phone applications
US8827889B2 (en) * 2012-05-21 2014-09-09 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Method and system for powering implantable devices
US9343922B2 (en) 2012-06-27 2016-05-17 Witricity Corporation Wireless energy transfer for rechargeable batteries
JP6309517B2 (ja) 2012-06-27 2018-04-11 ワイトリシティ コーポレーションＷｉｔｒｉｃｉｔｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 充電式バッテリに対する無線エネルギー伝送
US8994426B2 (en) 2012-08-31 2015-03-31 Analog Devices, Inc. Method and systems for high-precision pulse-width modulation
US9666357B2 (en) 2012-09-11 2017-05-30 Qualcomm Incorporated Apparatus system, and method for wirelessly receiving power using conductive structures
CN103855928B (zh) 2012-12-05 2016-05-18 产晶积体电路股份有限公司 多功能数字脉冲宽度调变控制器
US9287798B2 (en) * 2012-12-06 2016-03-15 Stmicroelectronics, Inc. High power factor primary regulated offline LED driver
WO2014125392A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Koninklijke Philips N.V. Dynamic resonant matching circuit for wireless power receivers
US9785159B2 (en) * 2013-04-26 2017-10-10 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for extracting amplitude and phase information in a resonant system
US9431912B2 (en) * 2013-08-12 2016-08-30 Stmicroelectronics S.R.L. Control device for rectifiers of switching converters
US20170311396A1 (en) * 2013-10-31 2017-10-26 Innosys, Inc. Fluorescent Lamp Replacement LED Protection
CN103647289A (zh) * 2013-12-20 2014-03-19 淄博康润电气有限公司 容量连续可调的电力电容器控制方法及装置
US9825553B2 (en) * 2014-04-17 2017-11-21 Linear Technology Corporation Voltage regulation in resonant power wireless receiver
US9762121B2 (en) * 2014-05-14 2017-09-12 Cirel Systems Private Limited Accurate zero current detector circuit in switching regulators
CN105182222A (zh) * 2014-06-17 2015-12-23 国家电网公司 基于合成回路的晶闸管正向恢复特性测试装置及测试方法
AU2015296236A1 (en) 2014-07-30 2017-03-09 University Of Washington Adaptive and multi-transmitter wireless power for robots
US10505396B2 (en) * 2015-11-20 2019-12-10 Rohm Co., Ltd. Wireless power receiving apparatus
CN114123540A (zh) 2016-02-08 2022-03-01 韦特里西提公司 可变电容装置及高功率无线能量传输系统
KR101957575B1 (ko) * 2017-06-23 2019-03-13 인투코어테크놀로지 주식회사 전원 공급 장치 및 부하에 전원을 공급하는 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001023783A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放電ランプ点灯装置
JP2003348854A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 ▲ロン▼▲ウェイ▼股▼▲ふん▼有限公司 デジタルタイプの電源インバータ
JP2005210759A (ja) 2004-01-19 2005-08-04 Sanken Electric Co Ltd 共振型スイッチング電源装置
JP2009147204A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Taiyo Yuden Co Ltd 可変キャパシタ
JP2013090512A (ja) 2011-10-20 2013-05-13 Tdk Corp ランプ信号生成回路及びランプ信号調整回路
JP2013214740A (ja) 2012-04-03 2013-10-17 Highdeev Co Ltd チューナブルキャパシタ
US20150278681A1 (en) 2014-04-01 2015-10-01 Boise State University Memory controlled circuit system and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN109075614B (zh) 2021-11-02
US10913368B2 (en) 2021-02-09
AU2017218337A1 (en) 2018-08-09
US20210129690A1 (en) 2021-05-06
KR20180104176A (ko) 2018-09-19
US11807115B2 (en) 2023-11-07
JP2019512162A (ja) 2019-05-09
WO2017139406A1 (en) 2017-08-17
CN114123540A (zh) 2022-03-01
CN109075614A (zh) 2018-12-21
JP2021145133A (ja) 2021-09-24
US20180323654A1 (en) 2018-11-08
EP3203634A1 (en) 2017-08-09
CA3012697A1 (en) 2017-08-17
US20170229917A1 (en) 2017-08-10
KR102612384B1 (ko) 2023-12-12
JP6888017B2 (ja) 2021-06-16
US10063104B2 (en) 2018-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7089619B2 (ja) Ｐｗｍコンデンサの制御
US10651688B2 (en) Dynamic tuning in wireless energy transfer systems
TWI539735B (zh) 逆變裝置
KR20210010673A (ko) 무선 전력 전송 장치
JP6985577B2 (ja) コンデンサ感知を用いる共振整流器回路
US20200098968A1 (en) Power converter
US10819235B2 (en) Power converter
US9467048B2 (en) Voltage generator
US9831796B2 (en) Energy harvesting device using SSHI techniques
US20120139359A1 (en) Wireless charging system and transmitting end circuit thereof
CN113659837B (zh) 一种变换器、变换器控制方法以及电源适配器
Kkelis et al. Integration of a Class-E low dv/dt rectifer in a wireless power transfer system
CN203705525U (zh) 一种电流检测电路及其控制回路
Pilawa-Podgurski Design and evaluation of a very high frequency dc/dc converter
Cochran A GaN-Based Synchronous Rectifier with Reduced Voltage Distortion for 6.78 MHz Wireless Power Applications
TWI449315B (zh) 返馳式電源供應裝置的數位控制電路及驅動方法
CN104378860A (zh) 单结晶体管触发电路

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210615

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7089619

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150