CN104378860A - 单结晶体管触发电路 - Google Patents

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CN104378860A
CN104378860A CN201410692725.1A CN201410692725A CN104378860A CN 104378860 A CN104378860 A CN 104378860A CN 201410692725 A CN201410692725 A CN 201410692725A CN 104378860 A CN104378860 A CN 104378860A
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unijunction transistor
resistor
rectifier bridge
trigger circuit
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庞小刚
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CHANGZHOU TIANJIAN MANAGEMENT CONSULTING Co Ltd
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CHANGZHOU TIANJIAN MANAGEMENT CONSULTING Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种单结晶体管触发电路,包括整流桥、第一电阻、稳压管、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及单结晶体管,整流桥的负极输出端与第一电阻的一端连接,第一电阻的另一端分别与稳压管的阴极端、第二电阻以及第三电阻的一端连接,第二电阻的另一端通过电容与整流桥的正极输出端连接,第三电阻另一端与单结晶体管的第一基极连接,单结晶体管的第二基极通过第四电阻与整流桥的正极输出端连接,单结晶体管的发射极连接于第二电阻和电容的结点处。本发明具有结构简单、成本低且能使脉冲与电源同步。

Description

单结晶体管触发电路
技术领域
本发明涉及一种单结晶体管触发电路。
背景技术
目前电磁炉灶主要是单极性驱动IGBT的并联谐振技术。该技术在中小型、便携式家用电磁灶得到了比较好的应用,成本低。但有高压器件,易损坏。线盘和IGBT发热量大。市场上有一些半桥驱动IGBT的串联谐振电磁灶,但由于没有采用电流过零自激触发和电压过零自激触发的同步电路,故需要用较大的电流承受能力的IGBT作为功率器件,提高了成本,同时由于非零电流触发会导致震荡回路偏磁而损坏功率器件和功率器件IGBT温升高。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种单结晶体管触发电路。本发明具有结构简单、成本低且能使脉冲与电源同步。
本发明的技术方案如下:
单结晶体管触发电路,包括整流桥、第一电阻、稳压管、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及单结晶体管,整流桥的负极输出端与第一电阻的一端连接,第一电阻的另一端分别与稳压管的阴极端、第二电阻以及第三电阻的一端连接,第二电阻的另一端通过电容与整流桥的正极输出端连接,第三电阻另一端与单结晶体管的第一基极连接,单结晶体管的第二基极通过第四电阻与整流桥的正极输出端连接,单结晶体管的发射极连接于第二电阻和电容的结点处。
还包括一个电位器,该电位器一端与第一电阻连接,另一端与第二电阻连接。
采用了上述方案,本发明的工作过程为:交流电经整流桥整流后,通过第一电阻降压、限流,再由稳压管削波,得到梯形同步电压。该梯形同步电压作为单结晶体管触发电路的电源,并从第四电阻输出触发脉冲,每组的第一个脉冲使单结晶体管触发导通。调节电位器,可以改变电容的充电速度,因此也改变第一个脉冲出现的时间,从而改变晶闸管导通角,达到调压的目的。本发明可使脉冲与电源同步,即当梯形波电压过零点,电容的电压也为零,因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点,这样就可保证输出脉冲的频率和电源频率保持相应的关系。本发明的电路由几个简单的零件组成,具有结构简单,成本低的特点。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进一步说明。
参见图1,单结晶体管触发电路,包括整流桥VC、第一电阻R1、稳压管VS、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4以及单结晶体管VT,整流桥VC的负极输出端与第一电阻R1的一端连接,第一电阻R1的另一端分别与稳压管VS的阴极端、第二电阻R2以及第三电阻R3的一端连接,第二电阻R2的另一端通过电容C与整流桥VC的正极输出端连接,第三电阻R3另一端与单结晶体管VT的第一基极连接,单结晶体管VT的第二基极通过第四电阻R4与整流桥VC的正极输出端连接,单结晶体管VT的发射极连接于第二电阻R2和电容C的结点处。还包括一个电位器RP,该电位器RP一端与第一电阻R1连接,另一端与第二电阻R2连接。
本发明的工作过程为:交流电经整流桥VC整流后,通过第一电阻R1降压、限流,再由稳压管削波,得到梯形同步电压。该梯形同步电压作为单结晶体管触发电路的电源,并从第四电阻R4输出触发脉冲,每组的第一个脉冲使单结晶体管VT触发导通。调节电位器RP,可以改变电容C的充电速度,因此也改变第一个脉冲出现的时间,从而改变晶闸管导通角,达到调压的目的。本发明可使脉冲与电源同步,即当梯形波电压过零点,电容C的电压也为零,因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点,这样就可保证输出脉冲的频率和电源频率保持相应的关系。

Claims (2)

1.单结晶体管触发电路,其特征在于:包括整流桥(VC)、第一电阻(R1)、稳压管(VS)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)以及单结晶体管(VT),整流桥(VC)的负极输出端与第一电阻(R1)的一端连接,第一电阻(R1)的另一端分别与稳压管(VS)的阴极端、第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)的一端连接,第二电阻(R2)的另一端通过电容(C)与整流桥(VC)的正极输出端连接,第三电阻(R3)另一端与单结晶体管(VT)的第一基极连接,单结晶体管(VT)的第二基极通过第四电阻(R4)与整流桥(VC)的正极输出端连接,单结晶体管(VT)的发射极连接于第二电阻(R2)和电容(C)的结点处。
2.根据权利要求1所述的单结晶体管触发电路,其特征在于:还包括一个电位器(RP),该电位器(RP)一端与第一电阻(R1)连接,另一端与第二电阻(R2)连接。
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PB01 Publication
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Application publication date: 20150225

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