JP7061457B2 - 磁気センサ、半導体装置及び電気機器 - Google Patents
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Description
N極検出動作は、ホール素子10の出力信号に基づいて、所定の基準強さ以上のN極の磁界がホール素子10に印加されているか否かを判定及び検出する動作である。所定の基準強さ以上のN極の磁界がホール素子10に印加されているとは、ホール素子10の配置位置において、磁束の向きがZ軸の正側から原点Oに向かう向きと一致している所定の強さ以上の磁界が存在している状態を指す。N極検出動作において、所定の基準強さ以上のN極の磁界がホール素子10に印加されていると検出することをN極の検出有り又は単にN極の検出と表現し、所定の基準強さ以上のN極の磁界がホール素子10に印加されていると検出されないことをN極の検出無し又はN極の非検出と表現する。
S極検出動作における上記所定の基準強さと、N極検出動作における上記所定の基準強さは、互いに一致していても良いし、互いに異なっていても良い。
S極先行モードでの単位動作においては、S極検出動作を実行してからN極検出動作を実行することを予定にしつつも、先に行ったS極検出動作にてS極が検出されたならば(即ちS極の検出有りと判定されたならば)当該単位動作においてN極検出動作を非実行として当該単位動作を終える。これにより、実行が不要と言えるN極検出動作の分だけ電力消費が抑制される。S極先行モードでの単位動作において、先に行ったS極検出動作にてS極が非検出となったならば(即ちS極の検出無しと判定されたならば)当該単位動作においてS極検出動作の後にN極検出動作を実行する。
N極先行モードでの単位動作においては、N極検出動作を実行してからS極検出動作を実行することを予定にしつつも、先に行ったN極検出動作にてN極が検出されたならば(即ちN極の検出有りと判定されたならば)当該単位動作においてS極検出動作を非実行として当該単位動作を終える。これにより、実行が不要と言えるS極検出動作の分だけ電力消費が抑制される。N極先行モードでの単位動作において、先に行ったN極検出動作にてN極が非検出となったならば(即ちN極の検出無しと判定されたならば)当該単位動作においてN極検出動作の後にS極検出動作を実行する。
同様に、第i回目の単位動作にてN極が検出されたならば第(i+1)回目の単位動作はN極先行モードにて実行される。第i回目の単位動作にてN極が検出されたならば、第(i+1)回目の単位動作の実行時点でもN極が検出される可能性が高いと考えられるからであり、第(i+1)回目の単位動作をN極検出動作から行うことで、S極検出動作を非実行にできる可能性が高まる(結果、電力消費が抑制される)。
尚、第i回目の単位動作にてS極もN極も未検出ならば、第i回目の単位動作での動作モードが第(i+1)回目の単位動作に対しても適用される、或いは、S極先行モード及びN極先行モードの内、予め定められた一方のモードが第(i+1)回目の単位動作に対して適用される。
第1切替状態において、ホール素子10にS極の磁界を印加されているとき、端子Dの電圧Vdが端子Bの電圧Vbよりも高くなる一方で、ホール素子10にN極の磁界を印加されているとき、端子Dの電圧Vdが端子Bの電圧Vbよりも低くなるように、且つ、
第2切替状態において、ホール素子10にS極の磁界を印加されているとき、端子Aの電圧Vaが端子Cの電圧Vcよりも高くなる一方で、ホール素子10にN極の磁界を印加されているとき、端子Aの電圧Vaが端子Cの電圧Vcよりも低くなるように、
ホール素子10が形成されているものとする。
図6を参照し、磁気センサ1におけるS極検出動作を説明する。尚、図6では、増幅電圧AOUT1及び比較電圧INC1の信号波形を実線で表す一方で増幅電圧AOUT2及び比較電圧INC2の信号波形を破線で表し、図示の便宜上、増幅電圧AOUT1の実線信号波形と増幅電圧AOUT2の破線信号波形をずらして示すと共に、比較電圧INC1の実線信号波形と比較電圧INC2の破線信号波形をずらして示している(後述の図7でも同様)。また、磁気センサ1には、回路構成に応じた信号遅延が存在するが、図6では、信号遅延の存在を無視している(後述の図7でも同様)。
AOUT1=α(Vb-Voffa1)、
AOUT2=α(Vd-Voffa2)、
となる。Voffa1及びVoffa2は、夫々、増幅回路31、32の入力オフセット電圧を表す。
INC1=VREF1-α(Vb-Voffa1)+α(Va-Voffa1) =VREF1-α(Vb-Va) ・・・(1)
INC2=VREF2-α(Vd-Voffa2)+α(Vc-Voffa2) =VREF2-α(Vd-Vc) ・・・(2)
図7を参照し、磁気センサ1におけるN極検出動作を説明する。
AOUT1=α(Va-Voffa1)、
AOUT2=α(Vc-Voffa2)、
となる。
AOUT1=α(Vb-Voffa1)、
AOUT2=α(Vd-Voffa2)、
となる。
INC1=VREF1-α(Va-Voffa1)+α(Vb-Voffa1) =VREF1-α(Va-Vb) ・・・(1)
INC2=VREF2-α(Vc-Voffa2)+α(Vd-Voffa2) =VREF2-α(Vc-Vd) ・・・(2)
図8を参照し、磁気センサ1の動作の流れを説明する。磁気センサ1への電源電圧VDDの供給が開始されると、まず、ステップS10において磁気センサ1は初期状態となる。磁気センサ1の初期状態において、出力信号LOUT1及びLOUT2はハイレベルであり、磁気センサ1の動作モードは、S極先行モード及びN極先行モードの内、予め定められた一方のモードとなる。ステップS10に続くステップS20以降の各動作は、制御回路80の制御の下で実行される。磁気センサ1の動作モードがS極先行モード及びN極先行モードの何れに設定されるのかは、制御回路80に含まれる論理回路の状態にて決定される。故に、制御回路80が磁気センサ1の動作モードの設定を行っていると考えて良い。
ステップS21のS極検出動作にてS極が検出された場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1をローレベルとし且つ出力信号LOUT2をハイレベルとし、
ステップS21のS極検出動作にてS極が非検出であって且つステップS24のN極検出動作にてN極が検出された場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1をハイレベルとし且つ出力信号LOUT2をローレベルとし、
ステップS21のS極検出動作にてS極が非検出であって且つステップS24のN極検出動作にてN極が非検出であった場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1及びLOUT2を共にハイレベルとする。
ステップS31のN極検出動作にてN極が検出された場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1をハイレベルとし且つ出力信号LOUT2をローレベルとし、
ステップS31のN極検出動作にてN極が非検出であって且つステップS34のS極検出動作にてS極が検出された場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1をローレベルとし且つ出力信号LOUT2をハイレベルとし、
ステップS31のN極検出動作にてN極が非検出であって且つステップS34のS極検出動作にてS極が非検出であった場合には、ステップS40にて出力信号LOUT1及びLOUT2を共にハイレベルとする。
図9及び図10を参照し、磁界に関する状態遷移に伴う各単位動作の内容制御を説明する。図11は磁界に関する状態遷移図である。各単位動作では、第1検出動作を行ってから第2検出動作を行うときと、第1検出動作のみを行うときがある。各単位動作において、第2検出動作のみが行われる場合や、第1検出動作より先に第2検出動作が行われる場合は無い。上述の説明から理解されるように、第1検出動作、第2検出動作は、S極先行モードにおいては、夫々、S極検出動作、N極検出動作であり、N極先行モードにおいては、夫々、N極検出動作、S極検出動作である。
F1は無印加状態、無検出状態からS極印加状態、S極検出状態への状態遷移を、
F2はS極印加状態、S極検出状態から無印加状態、無検出状態への状態遷移を、
F3は無印加状態、無検出状態からN極印加状態、N極検出状態への状態遷移を、
F4はN極印加状態、N極検出状態から無印加状態、無検出状態への状態遷移を、
F5はN極印加状態、N極検出状態からS極印加状態、S極検出状態への状態遷移を、
F6はS極印加状態、S極検出状態からN極印加状態、N極検出状態への状態遷移を表す。
状態遷移F7は、無印加状態、無検出状態が維持される状況に相当するが、無印加状態、無検出状態から無印加状態、無検出状態への遷移と考えることもできる。
状態遷移F8は、S極印加状態、S極検出状態が維持される状況に相当するが、S極印加状態、S極検出状態からS極印加状態、S極検出状態への遷移と考えることもできる。
状態遷移F9は、N極印加状態、N極検出状態が維持される状況に相当するが、N極印加状態、N極検出状態からN極印加状態、N極検出状態への遷移と考えることもできる。
S極、N極検出動作における各信号の挙動は図6及び図7を参照して上述した通りであるが、単位動作における磁気センサ1の各信号波形の例を幾つか説明する。
第1実施例を説明する。上述の基準強さは基準電圧VREF1及びVREF2の差分電圧VREF(=VREF2-VREF1)にて定まる。S極検出動作にて用いられる差分電圧VREFと、N極検出動作にて用いられる差分電圧VREFとは、具体的な電圧値において、互いに一致していても良いし、互いに異なっていても良い。また、VREFにヒステリシス特性を持たせるようにしても良い。
前回の単位動作にてS極が非検出であるときにおいて又は前回の単位動作にてN極が検出されたときにおいて、今回の単位動作にてS極検出動作を行う際には、前半クロック区間PS1においてノード300S1の電圧が基準電圧VREF2としてノードND2に加わるようにスイッチ62Sa及び62Sbを制御し、
前回の単位動作にてS極が検出されたときにおいて、今回の単位動作にてS極検出動作を行う際には、前半クロック区間PS1においてノード300S2の電圧が基準電圧VREF2としてノードND2に加わるようにスイッチ62Sa及び62Sbを制御する。
前回の単位動作にてN極が非検出であるときにおいて又は前回の単位動作にてS極が検出されたときにおいて、今回の単位動作にてN極検出動作を行う際には、前半クロック区間PN1においてノード300N1の電圧が基準電圧VREF2としてノードND2に加わるようにスイッチ62Na及び62Nbを制御し、
前回の単位動作にてN極が検出されたときにおいて、今回の単位動作にてN極検出動作を行う際には、前半クロック区間PN1においてノード300N2の電圧が基準電圧VREF2としてノードND2に加わるようにスイッチ62Na及び62Nbを制御する。
第2実施例を説明する。単位動作は間隔をおいて繰り返し実行されるが、或る単位動作の実行開始タイミングから次の単位動作の実行開始タイミングまでの時間差、即ち、隣接する単位動作の実行間隔を、センシング間隔と称する(図16参照)。センシング間隔は、予め定められた間隔で固定されていて良いが、状況に応じて可変されるものであっても良い。
第3実施例を説明する。磁気センサ1を半導体集積回路にて形成し(即ち磁気センサ1の各構成要素を半導体集積回路の形態で形成し)、当該半導体集積回路を、樹脂にて構成された筐体CS(パッケージ)内に封入した半導体装置を構成することができる。図17(a)及び(b)に、この半導体装置である磁気センサIC1の外観斜視図を示す。磁気センサIC1の筐体CSは概略直方体形状を有しており、その直方体形状の筐体CSの一面が表面として機能し、その一面に対向する面が裏面として機能する。図17(a)は表面側から見た磁気センサIC1の外観斜視図であり、図17(b)は裏面側から見た磁気センサIC1の外観斜視図である。
第4実施例を説明する。本発明に係る磁気センサを、折り畳み型の携帯電話機の開閉検出センサ、カバーや扉の開閉検出センサ、モータの回転位置検出センサ、ダイヤルの回転操作検出センサなど、幅広い広い用途に使用でき、これらの用途に対応して、様々な電気機器に搭載できる。即ち例えば、折り畳み型の携帯電話機の開閉検出センサとして磁気センサを利用する場合には該携帯電話機に本発明に係る磁気センサを搭載すれば良く、タブレット型又はノート型のパーソナルコンピュータのカバーの開閉検出センサに磁気センサを利用する場合には該パーソナルコンピュータに本発明に係る磁気センサを搭載すれば良い。
第5実施例を説明する。第4実施例において、図21に示す如く、カバー部420が開状態として第1開状態又は第2開状態をとりえるようにPC400が構成されていても良い。カバー部420の閉状態を起点にとして、ヒンジ部405を支点にカバー部420を約360°旋回させると第2開状態となり、閉状態と第2開状態との間の状態を第1開状態と考えることができる。第2開状態では、カバー部420が本体部410の裏面と接する位置に配置され、この際、カバー部420の磁石MGと本体部410の磁気センサ1が対向する。結果、カバー部420が閉状態であるときだけでなく第2開状態であるときにも、磁石MGによる磁界に基づき磁気センサ1の単位動作にてS極又はN極が検出されるよう、PC400を構成することができる。
第6実施例を説明する。第4実施例に記載したPC400が、第5実施例の如く(図21参照)、閉状態、第1開状態及び第2開状態の何れかの状態をとりうる場合には、以下のようにしても良い。
逆に、図22(b)に示す如く、PC400の第2開状態において、磁石MGのN極から出た磁力線の内、磁気センサ1のホール素子10を鎖交して磁石MGのS極に戻る磁力線は、Z軸の正側からZ軸の負側に向けてホール素子10を鎖交する(図22(b)においてホール素子10は図示せず)。このため、PC400の第2開状態において、磁気センサ1はN極の検出有りと判断する(図1(c)の状態と等価となる)。
カバー部420は、本体部410に対して閉状態、第1開状態、第2開状態の何れかの状態をとるように本体部410に対して開閉自在に取り付けられている。本体部410及びカバー部420間の位置関係を規定するカバー部420の閉状態、第1開状態及び第2開状態は、PC400の閉状態、第1開状態及び第2開状態であると解しても良い。
概略直方体状又は板状の筐体を備える本体部410は、当該筐体において、互いに対向する第1面及び第2面を有する。第1面は本体部410の表面として機能し、第2面は本体部410の裏面として機能する。本体部410の第1面及び第2面間を結ぶ方向はZ軸に平行である。本体部410の第1面には表示画面を備えた表示部431が配置されている。カバー部420が閉状態であるとき、表示画面がカバー部420で覆われて、ユーザは表示画面を視認不能となると共に表示画面を触れることによるタッチパネル操作の入力が不能となる。一方、カバー部420が第1開状態又は第2開状態であるとき、ユーザは表示画面の視認が可能となると共にタッチパネル操作が可能となる。
第7実施例を説明する。印加磁界を電気信号に変換する磁電変換素子としてのホール素子10と、制御回路80との間には、ホール素子10の出力信号を用いてS極の磁界及びN極の磁界を区別して検出可能な検出ブロック(検出回路)が設けられる。そして、基本実施例においては、単位動作が行われていない期間において、磁電変換素子及び検出ブロックへの電力供給が全部遮断されているが、磁電変換素子及び検出ブロックへの電力供給の一部のみが遮断されるようにしても構わない。
第8実施例を説明する。ホール素子における素子オフセット電圧及び増幅回路における入力オフセット電圧をキャンセルできる磁気センサの回路構成及び動作の例を上述したが、本発明に係る磁気センサの回路構成及び動作は、S極とN極の磁界を区別して検出可能なものでれば任意であり、S極とN極の磁界を区別して検出可能な公知の他の回路構成及び動作を本発明に適用しても良い。
10 ホール素子
20 切替回路
30 増幅回路部
41、42 コンデンサ
50 基準電圧生成回路
70 比較回路
80 制御回路
Claims (13)
- 印加される磁界に応じた信号を出力する磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の出力信号を用いて第1極性の磁界及び前記第1極性とは逆の第2極性の磁界を区別して検出可能な検出回路、及び、前記検出回路による前記第1極性の磁界を検出するための第1検出動作及び前記第2極性の磁界を検出するための第2検出動作の実行を制御する制御回路を有する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の少なくとも一方を含む単位動作を間隔をおいて繰り返し実行し、
前記信号処理回路は、
第i回目の単位動作にて前記第1極性の磁界が検出された場合、第(i+1)回目の単位動作において前記第2検出動作を介さずに前記第1検出動作を実行し、第(i+1)回目の単位動作での前記第1検出動作において前記第1極性の磁界が検出されなかったときには第(i+1)回目の単位動作において前記第1検出動作の後に前記第2検出動作を実行し、且つ、
第i回目の単位動作にて前記第2極性の磁界が検出された場合、第(i+1)回目の単位動作において前記第1検出動作を介さずに前記第2検出動作を実行し、第(i+1)回目の単位動作での前記第2検出動作において前記第2極性の磁界が検出されなかったときには第(i+1)回目の単位動作において前記第2検出動作の後に前記第1検出動作を実行する(iは自然数)
、磁気センサ。 - 前記信号処理回路は、第i回目の単位動作にて前記第1極性の磁界が検出され、且つ、第(i+1)回目の単位動作での前記第1検出動作において前記第1極性の磁界が検出されたとき、第(i+1)回目の単位動作において前記第2検出動作を非実行とする
、請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記信号処理回路は、第i回目の単位動作にて前記第2極性の磁界が検出され、且つ、第(i+1)回目の単位動作での前記第2検出動作において前記第2極性の磁界が検出されたとき、第(i+1)回目の単位動作において前記第1検出動作を非実行とする
、請求項1又は2に記載の磁気センサ。 - 前記信号処理回路は、第i回目の単位動作にて前記第1極性の磁界及び前記第2極性の磁界の何れもが検出されなかった場合、
第(i+1)回目の単位動作において、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の内、一方の検出動作を、他方の検出動作を介さずに実行し、前記一方の検出動作に対応する極性の磁界が検出されたときには、第(i+1)回目の単位動作において前記他方の検出動作を非実行とする
、請求項1~3の何れかに記載の磁気センサ。 - 前記信号処理回路は、第i回目の単位動作にて前記第1極性の磁界及び前記第2極性の磁界の何れもが検出されなかった場合、
第(i+1)回目の単位動作において、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の内、一方の検出動作を、他方の検出動作を介さずに実行し、前記一方の検出動作に対応する極性の磁界が検出されたときには、第(i+1)回目の単位動作において前記他方の検出動作を非実行とする一方で、そうでないときには第(i+1)回目の単位動作において前記一方の検出動作の後に前記他方の検出動作を実行する
、請求項4に記載の磁気センサ。 - 印加される磁界に応じた信号を出力する磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の出力信号を用いて第1極性の磁界及び前記第1極性とは逆の第2極性の磁界を区別して検出可能な検出回路、及び、前記検出回路による前記第1極性の磁界を検出するための第1検出動作及び前記第2極性の磁界を検出するための第2検出動作の実行を制御する制御回路を有する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の少なくとも一方を含む単位動作を間隔をおいて繰り返し実行し、
前記信号処理回路は、
各単位動作において、前記第2検出動作を介さずに前記第1検出動作を実行することにより、前記第1極性の磁界が検出された場合には当該単位動作において前記第2検出動作を非実行とする一方で前記第1極性の磁界が検出されなかった場合には当該単位動作において前記第1検出動作の後に前記第2検出動作を実行し、
各単位動作において、前記第1検出動作を介さずに前記第2検出動作を実行することにより、前記第2極性の磁界が検出された場合には当該単位動作において前記第1検出動作を非実行とする一方で前記第2極性の磁界が検出されなかった場合には当該単位動作において前記第2検出動作の後に前記第1検出動作を実行する
、磁気センサ。 - 請求項1~6の何れかに記載の磁気センサを形成する半導体装置であって、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成される
、半導体装置。 - 請求項1~5の何れかに記載の磁気センサを形成する半導体装置と、
前記半導体装置に接続される後段装置と、を備えた電気機器であって、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成され、
前記半導体装置は、各単位動作による磁界の検出結果に基づく検出結果信号を前記後段装置に出力し、
前記後段装置は、前記検出結果信号に基づいて所定の処理を実行し、
前記半導体装置における前記信号処理回路は、前記後段装置からの制御に依ることなく、第i回目の単位動作による磁界の検出結果に応じて第(i+1)回目の単位動作の内容を制御する
、電気機器。 - 請求項6に記載の磁気センサを形成する半導体装置と、
前記半導体装置に接続される後段装置と、を備えた電気機器であって、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成され、
前記半導体装置は、各単位動作による磁界の検出結果に基づく検出結果信号を前記後段装置に出力し、
前記後段装置は、前記検出結果信号に基づいて所定の処理を実行し、
前記半導体装置における前記信号処理回路は、前記後段装置からの制御に依ることなく、各単位動作の内容を制御する
、電気機器。 - 請求項1~6の何れかに記載の磁気センサを形成する半導体装置が設けられた本体部と、
前記本体部に対して閉状態、第1開状態及び第2開状態の何れかの状態をとるように前記本体部に対して開閉自在に取り付けられたカバー部と、
前記半導体装置に接続される後段装置と、を備えた電気機器であって、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成され、
前記半導体装置は、各単位動作による磁界の検出結果に基づく検出結果信号を前記後段装置に出力し、
前記後段装置は、前記検出結果信号に基づいて所定の処理を実行し、
前記本体部には互いに対向する第1面及び第2面が設けられ、
前記閉状態においては前記本体部の前記第1面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記第2開状態においては前記本体部の前記第2面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記カバー部が前記閉状態と前記第2開状態との間で遷移する過程において前記カバー部は前記第1開状態となり、
前記閉状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界が検出されるように、且つ、前記第2開状態において前記磁気センサにより前記第2極性の磁界が検出されるように、前記カバー部に磁石が設けられ、
前記第1開状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界及び前記第2極性の磁界が非検出となるよう、前記第1開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離は、前記閉状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離、並びに、前記第2開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離よりも長い
、電気機器。 - 磁気センサを形成する半導体装置が設けられた本体部と、
前記本体部に対して閉状態、第1開状態及び第2開状態の何れかの状態をとるように前記本体部に対して開閉自在に取り付けられたカバー部と、
前記半導体装置に接続される後段装置と、を備えた電気機器であって、
前記磁気センサは、
印加される磁界に応じた信号を出力する磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の出力信号を用いて第1極性の磁界及び前記第1極性とは逆の第2極性の磁界を区別して検出可能な検出回路、及び、前記検出回路による前記第1極性の磁界を検出するための第1検出動作及び前記第2極性の磁界を検出するための第2検出動作の実行を制御する制御回路を有する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の少なくとも一方を含む単位動作を間隔をおいて繰り返し実行し、第i回目の単位動作による磁界の検出結果に応じて第(i+1)回目の単位動作の内容を制御し(iは自然数)、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成され、
前記半導体装置は、各単位動作による磁界の検出結果に基づく検出結果信号を前記後段装置に出力し、
前記後段装置は、前記検出結果信号に基づいて所定の処理を実行し、
前記本体部には互いに対向する第1面及び第2面が設けられ、
前記閉状態においては前記本体部の前記第1面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記第2開状態においては前記本体部の前記第2面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記カバー部が前記閉状態と前記第2開状態との間で遷移する過程において前記カバー部は前記第1開状態となり、
前記閉状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界が検出されるように、且つ、前記第2開状態において前記磁気センサにより前記第2極性の磁界が検出されるように、前記カバー部に磁石が設けられ、
前記第1開状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界及び前記第2極性の磁界が非検出となるよう、前記第1開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離は、前記閉状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離、並びに、前記第2開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離よりも長い
、電気機器。 - 磁気センサを形成する半導体装置が設けられた本体部と、
前記本体部に対して閉状態、第1開状態及び第2開状態の何れかの状態をとるように前記本体部に対して開閉自在に取り付けられたカバー部と、
前記半導体装置に接続される後段装置と、を備えた電気機器であって、
前記磁気センサは、
印加される磁界に応じた信号を出力する磁電変換素子と、
前記磁電変換素子の出力信号を用いて第1極性の磁界及び前記第1極性とは逆の第2極性の磁界を区別して検出可能な検出回路、及び、前記検出回路による前記第1極性の磁界を検出するための第1検出動作及び前記第2極性の磁界を検出するための第2検出動作の実行を制御する制御回路を有する信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の少なくとも一方を含む単位動作を間隔をおいて繰り返し実行し、各単位動作において、前記第1検出動作及び前記第2検出動作の内、一方の検出動作を、他方の検出動作を介さずに実行することにより、対応する極性の磁界が検出された場合には、当該単位動作において前記他方の検出動作を非実行とし、
前記磁気センサは集積回路を用いて形成され、
前記半導体装置は、各単位動作による磁界の検出結果に基づく検出結果信号を前記後段装置に出力し、
前記後段装置は、前記検出結果信号に基づいて所定の処理を実行し、
前記本体部には互いに対向する第1面及び第2面が設けられ、
前記閉状態においては前記本体部の前記第1面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記第2開状態においては前記本体部の前記第2面に対向する位置に前記カバー部が配され、前記カバー部が前記閉状態と前記第2開状態との間で遷移する過程において前記カバー部は前記第1開状態となり、
前記閉状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界が検出されるように、且つ、前記第2開状態において前記磁気センサにより前記第2極性の磁界が検出されるように、前記カバー部に磁石が設けられ、
前記第1開状態において前記磁気センサにより前記第1極性の磁界及び前記第2極性の磁界が非検出となるよう、前記第1開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離は、前記閉状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離、並びに、前記第2開状態における前記磁気センサ及び前記磁石間の距離よりも長い
、電気機器。 - 前記磁気センサの磁電変換素子は、前記第1面及び前記第2面間を結ぶ方向の磁界に応じた信号を出力し、
前記閉状態及び前記第2開状態では、前記磁石のN極及びS極間を結ぶ方向が前記第1面及び前記第2面間を結ぶ方向と直交し、且つ、前記磁気センサ及び前記磁石の配置位置が前記第1面及び前記第2面間を結ぶ方向の直交方向において互いにずれている
、請求項10~12の何れかに記載の電気機器。
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