JP6996786B2 - Mosfetのテスト方法 - Google Patents
Mosfetのテスト方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6996786B2 JP6996786B2 JP2020189056A JP2020189056A JP6996786B2 JP 6996786 B2 JP6996786 B2 JP 6996786B2 JP 2020189056 A JP2020189056 A JP 2020189056A JP 2020189056 A JP2020189056 A JP 2020189056A JP 6996786 B2 JP6996786 B2 JP 6996786B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mosfet
- terminal
- tester
- test
- source terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
図1および図2を参照して、本発明のテスト方法について説明する。
Claims (3)
- テスターを用いてMOSFETの電気的特性を測定するMOSFETのテスト方法であって、
第1のMOSFETおよび第2のMOSFETを、マトリックスボックスを介して前記テスターに接続し、
ソフトウェアを用いて前記マトリックスボックスの各端子の接続を入れ替えることで、前記第1のMOSFETのソース端子を前記テスターのコレクター端子に接続して0ボルトに設定し、前記第2のMOSFETのソース端子を前記テスターのエミッタ端子に接続し、前記第1のMOSFETのドレイン端子として使用し、
前記第2のMOSFETのソース端子と前記第1のMOSFETのソース端子との間に所定の電流を印加することで、前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETの両方の電気的特性を測定する、
ことを特徴とするMOSFETのテスト方法。 - 請求項1に記載のMOSFETのテスト方法であって、
前記テスターと前記マトリックスボックスとの外部配線を変更することなく、前記第1のMOSFETのゲート端子とソース端子および前記第2のMOSFETのゲート端子とソース端子の電気的特性をさらに測定する、
ことを特徴とするMOSFETのテスト方法。 - 請求項1または2に記載のMOSFETのテスト方法であって、
ドレイン端子が外部に出ていないデュアルMOSFETチップ、および、ドレイン端子が外部に出ているMOSFETチップ、の両方のテストに適用される、
ことを特徴とするMOSFETのテスト方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021199772A JP7042542B2 (ja) | 2019-11-15 | 2021-12-09 | Mosfetのテスト方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911116747.2 | 2019-11-15 | ||
CN201911116747.2A CN110824326A (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种mosfet的测试方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021199772A Division JP7042542B2 (ja) | 2019-11-15 | 2021-12-09 | Mosfetのテスト方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021081427A JP2021081427A (ja) | 2021-05-27 |
JP6996786B2 true JP6996786B2 (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=69555442
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020189056A Active JP6996786B2 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-13 | Mosfetのテスト方法 |
JP2021199772A Active JP7042542B2 (ja) | 2019-11-15 | 2021-12-09 | Mosfetのテスト方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021199772A Active JP7042542B2 (ja) | 2019-11-15 | 2021-12-09 | Mosfetのテスト方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6996786B2 (ja) |
CN (1) | CN110824326A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050285616A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ali Keshavarzi | Overvoltage detection apparatus, method, and system |
JP2006147700A (ja) | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008109008A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016134603A (ja) | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0675091B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1994-09-21 | 富士電機株式会社 | Mos形fetの熱抵抗測定方法 |
JPH0821719B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1996-03-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH11211786A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Sony Tektronix Corp | 熱抵抗測定方法 |
KR100355662B1 (ko) * | 2001-08-25 | 2002-10-11 | 최웅림 | 반도체 비휘발성 메모리 및 어레이 그리고 그것의 동작 방법 |
JP4202012B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2008-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電流記憶回路 |
CN201478306U (zh) * | 2009-08-04 | 2010-05-19 | 沈富德 | 扁平式封装双场效应晶体管器件 |
CN201622323U (zh) * | 2010-04-02 | 2010-11-03 | 江西联创特种微电子有限公司 | 小功率NPN型三极管hFE参数测试仪 |
CN102096036B (zh) * | 2010-12-03 | 2013-12-11 | 华东光电集成器件研究所 | 一种集成三极管阵列电路测试装置 |
-
2019
- 2019-11-15 CN CN201911116747.2A patent/CN110824326A/zh active Pending
-
2020
- 2020-11-13 JP JP2020189056A patent/JP6996786B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-09 JP JP2021199772A patent/JP7042542B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050285616A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ali Keshavarzi | Overvoltage detection apparatus, method, and system |
JP2006147700A (ja) | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008109008A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016134603A (ja) | 2015-01-22 | 2016-07-25 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110824326A (zh) | 2020-02-21 |
JP2022031892A (ja) | 2022-02-22 |
JP7042542B2 (ja) | 2022-03-28 |
JP2021081427A (ja) | 2021-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107367678B (zh) | 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 | |
CN102004218B (zh) | 芯片可接受度测试方法 | |
JP2008277417A (ja) | 半導体装置及びその試験方法 | |
US20140354325A1 (en) | Semiconductor layout structure and testing method thereof | |
CN106233150B (zh) | 保护测试仪器的电路 | |
JP6996786B2 (ja) | Mosfetのテスト方法 | |
TWM595884U (zh) | 測試用於積體電路裝置的晶圓之測試系統和方法 | |
CN103837809A (zh) | 测试mosfet匹配性的ic布局及测试方法 | |
US7049842B2 (en) | Simultaneous pin short and continuity test on IC packages | |
US11573261B2 (en) | Semiconductor device and method of operating the same | |
CN104730448A (zh) | 自动测试设备资源配置方法与自动测试通道配置装置 | |
CN114460443A (zh) | 一种虚拟化自动测试设备的系统、测试方法及存储介质 | |
US20080088333A1 (en) | Semiconductor device and test method thereof | |
CN113030675A (zh) | 一种基于临近颗粒法的无背金mosfet晶圆测试方法 | |
JP4744884B2 (ja) | ウエハ検査装置及びウエハ検査方法 | |
KR101050111B1 (ko) | 자동 테스트 시스템의 차등 신호 발생 장치 및 그 방법 | |
CN108254672B (zh) | 一种改进的伪四线测试方法及其测试结构 | |
JP2765527B2 (ja) | 半導体装置の評価方法 | |
CN212459794U (zh) | 一种具有通道测试功能的探针卡 | |
TW201823743A (zh) | 用於測試半導體元件之系統及方法 | |
CN102759697A (zh) | Mos晶体管封装级测试方法以及mos晶体管制造方法 | |
US20080122446A1 (en) | Test pattern | |
KR0163727B1 (ko) | 반도체장치의 ac특성 감시회로 | |
CN115586391A (zh) | 电性测试电路、芯片、系统、方法、电子设备和存储介质 | |
CN117706144A (zh) | 测试电路、探针卡、测试系统及测试方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210415 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210415 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6996786 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |