CN107367678B - 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 - Google Patents

Abstract

一种测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法，所述测试结构包括：呈线型排布的多个焊垫，包括第一公共焊垫、与第一公共焊垫相邻的第二公共焊垫、位于第二公共焊垫远离第一公共焊垫一侧的第三公共焊垫、位于第三公共焊垫远离第二公共焊垫一侧且与第三公共焊垫相邻的第四公共焊垫，以及位于第二公共焊垫与第三公共焊垫之间的多个测试焊垫；多个测试器件，与测试焊垫对应相连，与奇数测试焊垫相连的测试器件为第一器件，与偶数测试焊垫相连的测试器件为第二器件。探针卡包括：多根探针，数量为焊垫数量一半。相比现有技术，相邻探针的间距增加了一倍，且数量为焊垫数量的一半，不仅减小了测试过程中的漏电流，还降低了探针卡的制作成本。

Description

测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法。

背景技术

随着半导体领域技术的不断进步，为了在生产过程中及时了解晶圆的良品率，需对晶圆进行WAT(Wafer Acceptance Test，晶圆允许测试)测试，并将检测得到的数据通过WAT Alg平台进行输出和保存，便于技术人员对晶圆的生产进行控制，以确保晶圆在生产中的良品率。

但是，随着器件特征尺寸的不断减小，WAT测试的精度有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法，提高测试精度。

为解决上述问题，本发明提供一种测试结构。包括：呈线型排布的多个焊垫，包括第一公共焊垫、与所述第一公共焊垫相邻的第二公共焊垫、位于所述第二公共焊垫远离所述第一公共焊垫一侧的第三公共焊垫、位于所述第三公共焊垫远离所述第二公共焊垫一侧且与所述第三公共焊垫相邻的第四公共焊垫，以及位于所述第二公共焊垫与所述第三公共焊垫之间的多个测试焊垫，所述多个测试焊垫包括奇数测试焊垫和偶数测试焊垫；多个测试器件，与所述测试焊垫对应相连，与奇数测试焊垫相连的测试器件为第一器件，与偶数测试焊垫相连的测试器件为第二器件；第一连接线，与所述第一公共焊垫和第二公共焊垫相连接；第二连接线，与所述第三公共焊垫和第四公共焊垫相连接。

相应的，本发明还提供一种测试探针卡，用于与本发明所述测试结构的焊垫相接触以加载信号。包括：电路板，用于提供测试信号；多根探针，每一根探针的一端用于固定于所述电路板上，另一端用于与晶圆测试单元的焊垫相接触，包括第一探针、第二探针以及位于所述第一探针和第二探针之间的多个第三探针；其中，所述第一探针用于与所述第一公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第三公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述奇数测试焊垫一一对应，用于与所述奇数测试焊垫相接触；或者，所述第一探针用于与所述第二公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第四公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述偶数测试焊垫一一对应，用于与所述偶数测试焊垫相接触。

相应的，本发明还提供一种测试系统。包括：本发明所述的测试结构；本发明所述的测试探针卡。

相应的，本发明还提供一种测试方法。包括：提供本发明所述的测试结构；提供本发明所述的测试探针卡；使第一探针与第一公共焊垫相接触，第二探针与第三公共焊垫相接触，第三探针与奇数测试焊垫相接触，对所述第一器件进行第一测试；使第一探针与第二公共焊垫相接触，第二探针与第四公共焊垫相接触，第三探针与偶数测试焊垫相接触，对所述第二器件进行第二测试。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明提供的测试结构，可以通过第一公共焊垫、第三公共焊垫和奇数测试焊垫对第一器件进行测试，通过第二公共焊垫、第四公共焊垫和偶数测试焊垫对第二器件进行测试，因此后续用测试探针卡对所述测试结构进行测试时，所述测试探针卡可以先后对所述第一器件和第二器件进行测试，因此，相邻探针的间距可以设置为相邻所述焊垫的中心间距的两倍。相比现有技术，所述相邻探针的间距增加了一倍，从而可以减小测试过程中测试探针卡的漏电流，进而提高测试精度。

本发明提供的测试探针卡，适用于本发明所述的测试结构。在测试过程中，探针与第一公共焊垫、第三公共焊垫和奇数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第一器件的测试，或者，与第二公共焊垫、第四公共焊垫和偶数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第二器件的测试；因此，所述测试探针卡的探针数量为所述测试结构的焊垫数量的一半，相邻探针的间距为相邻焊垫的中心间距的两倍。相比现有技术，所述相邻探针的间距增加了一倍，且探针的数量为焊垫数量的一半，不仅可以减小测试过程中探针卡的漏电流，提高测试精度，还降低了探针卡的制作成本。

相应的，由本发明所述的测试结构和测试探针卡构成的测试系统，由于探针卡的漏电流较小，因此，测试精度可以得到提高，且测试成本也相应降低。

通过采用本发明所述的测试探针卡先后对所述测试结构的第一器件和第二器件进行测试，即探针与第一公共焊垫、第三公共焊垫和奇数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第一器件的测试，或者，与第二公共焊垫、第四公共焊垫和偶数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第二器件的测试。相比现有技术，相邻探针的间距增加了一倍，因此可以减小测试过程中探针卡的漏电流，从而提高测试精度。

可选方案中，在同一个测试结构上先后进行第一测试和第二测试时，所述测试探针卡的移动位移等于相邻焊垫的中心间距，因此所述测试探针卡的移动位移较小，从而可以减小测试时间，提高测试效率。

附图说明

图1和图2是现有技术测试方法一实施例的示意图；

图3和图4是本发明测试结构一实施例的结构示意图；

图5是本发明测试探针卡一实施例的结构示意图；

图6和图7是本发明测试方法一实施例的示意图。

具体实施方式

现有技术的测试精度较低，结合参考图1和图2，示出了现有技术测试方法一实施例的示意图。分析其原因在于：

如图1所示，若干个测试结构102位于晶圆100的切割道101内。在现有技术中，通常采用探针卡(图未示)进行测试，完成一个测试结构102的测试后，将所述探针卡从所述测试结构102移动至下一个待测试结构102位置处并继续进行测试，直至测试完所有测试结构102。

具体地，如图2所示，所述测试结构102包括多个测试焊垫112，所述探针卡包括多个探针122。其中，所述测试焊垫112的数量与所述探针122的数量相等，且所述探针122与所述测试焊垫112相接触并一一对应。目前，所述测试焊垫112的数量为12个或22个，相应的，所述探针122的数量为12个或22个；相邻所述测试焊垫112的中心间距L1与相邻探针122的间距L2相等。

随着器件特征尺寸的减小，相邻测试焊垫112的中心间距L1越来越小，相应的，相邻所述探针122的间距L2也越来越小，探针122间距L2过小时，容易导致测试过程中漏电流的增加，从而降低测试稳定度和精度。此外，为了保证所述探针122的硬度，所述探针卡的使用寿命有限，探针卡的制作成本也越来越高。因此，减小测试过程中的漏电流，避免探针卡对测试结果产生不良影响成为了亟需解决的问题。

为了解决所述技术问题，本发明提供一种测试结构，包括：呈线型排布的多个焊垫，包括第一公共焊垫、与所述第一公共焊垫相邻的第二公共焊垫、位于所述第二公共焊垫远离所述第一公共焊垫一侧的第三公共焊垫、位于所述第三公共焊垫远离所述第二公共焊垫一侧且与所述第三公共焊垫相邻的第四公共焊垫，以及位于所述第二公共焊垫与所述第三公共焊垫之间的多个测试焊垫，所述多个测试焊垫包括奇数测试焊垫和偶数测试焊垫；多个测试器件，与所述测试焊垫对应相连，与奇数测试焊垫相连的测试器件为第一器件，与偶数测试焊垫相连的测试器件为第二器件；第一连接线，与所述第一公共焊垫和第二公共焊垫相连接；第二连接线，与所述第三公共焊垫和第四公共焊垫相连接。

相应的，本发明还提供一种测试探针卡，用于与本发明所述测试结构的焊垫相接触以加载信号。包括：电路板，用于提供测试信号；多根探针，每一根探针的一端用于固定于所述电路板上，另一端用于与晶圆测试单元的焊垫相接触，包括第一探针、第二探针以及位于所述第一探针和第二探针之间的多个第三探针；其中，所述第一探针用于与所述第一公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第三公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述奇数测试焊垫一一对应，用于与所述奇数测试焊垫相接触；或者，所述第一探针用于与所述第二公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第四公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述偶数测试焊垫一一对应，用于与所述偶数测试焊垫相接触。

本发明提供的测试结构，可以通过第一公共焊垫、第三公共焊垫和奇数测试焊垫对第一器件进行测试，通过第二公共焊垫、第四公共焊垫和偶数测试焊垫对第二器件进行测试。因此采用测试探针卡对所述测试结构进行测试时，探针与第一公共焊垫、第三公共焊垫和奇数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第一器件的测试，或者，与第二公共焊垫、第四公共焊垫和偶数测试焊垫相接触以加载信号，实现对第二器件的测试，也就是说，所述测试探针卡可以先后对所述第一器件和第二器件进行测试，因此，相邻探针的间距可以设置为相邻所述焊垫的中心间距的两倍。相比现有技术，所述相邻探针的间距增加了一倍，且探针的数量为焊垫数量的一半，不仅可以减小测试过程中探针卡的漏电流，提高测试精度，还降低了探针卡的制作成本。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图3和图4是本发明测试结构一实施例的结构示意图。

结合参考图3和图4，图4是图3中任一测试结构202的结构示意图。所述测试结构202设置于晶圆200上，所述晶圆200包括切割道201，所述测试结构202位于所述切割道201中。

通过对所述测试结构202进行测试并得出测试数据，以表征各器件的电学性能，从而控制晶圆200在生产中的良品率。如图4所示，所述测试结构202包括：

呈线型排布的多个焊垫，包括第一公共焊垫212、与所述第一公共焊垫212相邻的第二公共焊垫222、位于所述第二公共焊垫222远离所述第一公共焊垫212一侧的第三公共焊垫232、位于所述第三公共焊垫232远离所述第二公共焊垫222一侧且与所述第三公共焊垫232相邻的第四公共焊垫242，以及位于所述第二公共焊垫222与所述第三公共焊垫232之间的多个测试焊垫252，所述多个测试焊垫252包括奇数测试焊垫和偶数测试焊垫。

所述焊垫用于在测试过程中与测试探针卡的探针相接触，以接收测试信号。

现有技术中，焊垫的数量为12个或22个。本实施例中，所述焊垫的数量为现有技术焊垫的2倍。具体地，所述焊垫的数量为24至44个，相邻所述焊垫的中心间距D(如图4所示)为190μm至200μm。

本实施例中，所述焊垫的数量为44个，相应的，所述测试焊垫252的数量为40个，相邻所述焊垫的中心间距D为190μm。

在另一实施例中，所述焊垫的数量为24个，相应的，所述测试焊垫的数量为20个，相邻所述焊垫的中心间距为200μm。

本实施例中，所述第一公共焊垫212和第二公共焊垫222用于在测试过程中接收测试信号，所述第三公共焊垫232和第四公共焊垫242用于在测试过程中接地。

在另一实施例中，所述第一公共焊垫和第二公共焊垫用于在测试过程中接地，所述第三公共焊垫和第四公共焊垫用于在测试过程中接收测试信号。

需要说明的是，所述测试焊垫252包括奇数测试焊垫(未标示)和偶数测试焊垫(未标示)。

本实施例中，所述测试结构202还包括：多个测试器件，所述多个测试器件与所述测试焊垫252对应相连。其中，与奇数测试焊垫相连的测试器件为第一器件282，与偶数测试焊垫相连的测试器件为第二器件292。

需要说明的是，所述多个测试器件与所述测试焊垫252对应相连指的是：所述测试器件的数量与所述测试焊垫252的数量相等；所述测试器件与所述测试焊垫252一一对应，且所述测试器件位于所述测试焊垫252同侧。本实施例中，所述测试器件均位于所述测试焊垫252远离所述第二公共焊垫222一侧。在另一实施例中，所述测试器件均位于所述测试焊垫靠近所述第二公共焊垫一侧。

还需要说明的是，所述第一器件282为同一类型器件，所述第二器件292为同一类型器件。

所述第一器件282为MOS场效应晶体管，所述第二器件292为电阻或电容；或者，所述第一器件282为电阻或电容，所述第二器件292为MOS场效应晶体管；或者，所述第一器件282和第二器件292均为MOS场效应晶体管；或者，所述第一器件282和第二器件292均为电阻或电容。

在一个具体实施例中，所述第一器件282为MOS场效应晶体管，所述第二器件292为电阻或电容。

本实施例中，所述测试结构202还包括：第一连接线262，与所述第一公共焊垫212和第二公共焊垫222相连接；第二连接线272，与所述第三公共焊垫232和第四公共焊垫242相连接。

所述第一连接线262与所述第二连接线272平行设置，所述多个焊垫位于所述第一连接线262与所述第二连接线272之间。

本实施例中，所述第一连接线262为公共测试信号加载端；所述第二连接线272为公共接地端。相应的，所述第一公共焊垫212和第二公共焊垫222通过所述第一连接线262，向测试器件加载测试信号，用于传输电流或电压；所述第三公共焊垫232和第四公共焊垫242通过所述第二连接线272接地。

在另一实施例中，所述第一连接线为公共接地端；所述第二连接线为公共测试信号加载端。相应的，所述第一公共焊垫和第二公共焊垫通过所述第一连接线接地；所述第三公共焊垫和第四公共焊垫通过所述第二连接线，向测试器件加载测试信号，用于传输电流或电压。

本实施例所述的测试结构202，可以通过第一公共焊垫212、第三公共焊垫232和奇数测试焊垫对第一器件282进行测试，通过第二公共焊垫222、第四公共焊垫242和偶数测试焊垫对第二器件292进行测试，因此后续采用测试探针卡所述测试结构202进行测试时，所述测试探针卡可以先后对所述第一器件282和第二器件292进行测试，因此，相邻探针的间距可以设置为相邻所述焊垫的中心间距的两倍。相比现有技术，所述相邻探针的间距增加了一倍，从而可以减小测试过程中测试探针卡的漏电流，进而提高测试精度。

通过对所述测试结构进行测试，以获得相应器件的电性参数数据，以表征电学性能。

具体地，如图4所示，以所述第一器件282为MOS场效应晶体管，所述第二器件292为电阻或电容为第一实施例进行说明。

本实施例中，所述第一连接线262为公共测试信号加载端，所述第二连接线272为公共接地端；所述第一器件282为MOS场效应晶体管，包括栅极381、源极382、漏极380和基极383；所述第二器件292为电阻或电容，包括第一端(未标示)和第二端(未标示)。

具体地，所述栅极381与所述第一连接线262相连接，所述漏极382与对应的测试焊垫相连接，所述源极382和基极383与所述第二连接线272相连接。也就是说，所述栅极381通过所述第一连接线262与所述第一公共焊垫212相连接，所述漏极380与奇数测试焊垫相连接，所述源极382和基极383通过所述第二连接线272与所述第三公共焊垫232相连接。

具体地，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线272相连接。也就是说，所述第一端与所述偶数测试焊垫相连接，所述第二端通过所述第二连接线272与所述第四公共焊垫242相连接。

在第二实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件为电阻或电容，所述第二器件为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一端和第二端；所述第二器件包括栅极、源极、漏极和基极。

具体地，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线相连接。也就是说，所述第一端与所述奇数测试焊垫相连接，所述第二端通过所述第二连接线与所述第三公共焊垫相连接；

所述栅极与所述第一连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第二连接线相连接。也就是说，所述栅极通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接，所述漏极与偶数测试焊垫相连接，所述源极和基极通过所述第二连接线与所述第四公共焊垫相连接。

在第三实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一基极；所述第二器件包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二基极。

具体地，所述第一栅极与所述第一连接线相连接，所述第一漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极与所述第二连接线相连接。也就是说，所述第一栅极通过所述第一连接线与所述第一公共焊垫相连接，所述第一漏极与奇数测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极通过所述第二连接线与所述第三公共焊垫相连接；

所述第二栅极与所述第一连接线相连接，所述第二漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极与所述第二连接线相连接。也就是说，所述第二栅极通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接，所述第二漏极与偶数测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极通过所述第二连接线与所述第四公共焊垫相连接。

在第四实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件和第二器件均为电阻或电容为例进行说明。

所述第一器件包括第一器件第一端和第一器件第二端；所述第二器件包括第二器件第一端和第二器件第二端。

具体地，所述第一器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第一器件第二端与所述第二连接线相连接。也就是说，所述第一器件第一端与所述奇数测试焊垫相连接，所述第一器件第二端通过所述第二连接线与所述第三公共焊垫相连接；

所述第二器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二器件第二端与所述第二连接线相连接。也就是说，所述第二器件第一端与所述偶数测试焊垫相连接，所述第二器件第二端通过所述第二连接线与所述第四公共焊垫相连接。

在第五实施例中，所述第一连接线为公共接地端，所述第二连接线为公共测试信号加载端；以所述第一器件为MOS场效应晶体管，所述第二器件为电阻或电容为例进行说明。

所述第一器件包括栅极、源极、漏极和基极；所述第二器件包括第一端和第二端。

具体地，所述栅极与所述第二连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第一连接线相连接。也就是说，所述栅极通过所述第二连接线与所述第三公共焊垫相连接，所述漏极与奇数测试焊垫相连接，所述源极和基极通过所述第一连接线与所述第一公共焊垫相连接；

所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第一端与所述偶数测试焊垫相连接，所述第二端通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接。

在第六实施例中，所述第一连接线为公共接地端，所述第二连接线为公共测试信号加载端；以所述第一器件为电阻或电容，所述第二器件为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一端和第二端；所述第二器件包括栅极、源极、漏极和基极。

具体地，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第一端与所述奇数测试焊垫相连接，所述第二端通过所述第一连接线与所述第一公共焊垫相连接；

所述栅极与所述第二连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第一连接线相连接。也就是说，所述栅极通过所述第二连接线与所述第四公共焊垫相连接，所述漏极与偶数测试焊垫相连接，所述源极和基极通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接。

在第七实施例中，所述第一连接线为公共接地端，所述第二连接线为公共测试信号加载端；以所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一基极；所述第二器件包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二基极。

具体地，所述第一栅极与所述第二连接线相连接，所述第一漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第一栅极通过所述第二连接线与所述第三公共焊垫相连接，所述第一漏极与奇数测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极通过所述第一连接线与所述第一公共焊垫相连接；

所述第二栅极与所述第二连接线相连接，所述第二漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第二栅极通过所述第二连接线与所述第四公共焊垫相连接，所述第二漏极与偶数测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接。

在第八实施例中，所述第一连接线为公共接地端，所述第二连接线为公共测试信号加载端；以所述第一器件和第二器件均为电阻或电容为例进行说明。

所述第一器件包括第一器件第一端和第一器件第二端；所述第二器件包括第二器件第一端和第二器件第二端。

具体地，所述第一器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第一器件第二端与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第一器件第一端与所述奇数测试焊垫相连接，所述第一器件第二端通过所述第一连接线与所述第一公共焊垫相连接；

所述第二器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二器件第二端与所述第一连接线相连接。也就是说，所述第二器件第一端与所述偶数测试焊垫相连接，所述第二器件第二端通过所述第一连接线与所述第二公共焊垫相连接。

本发明还提供一种测试探针卡，用于与前述测试结构202(如图4所示)的焊垫相接触以加载信号。图5示出了本发明测试探针卡一实施例的结构示意图。所述测试探针卡400包括：

电路板410，用于提供测试信号；

多根探针，每一根探针的一端用于固定于所述电路板410上，另一端用于与晶圆测试单元500的焊垫(未标示)相接触，所述多根探针包括第一探针401、第二探针402以及位于所述第一探针401和第二探针402之间的多个第三探针403。

结合参考图4，其中，所述第一探针401用于与所述第一公共焊212相接触，所述第二探针402用于与所述第三公共焊垫232相接触，所述多个第三探针403与所述奇数测试焊垫(未标示)一一对应，用于与所述奇数测试焊垫相接触；或者，所述第一探针401用于与所述第二公共焊垫222相接触，所述第二探针402用于与所述第四公共焊垫242相接触，所述多个第三探针403与所述偶数测试焊垫(未标示)一一对应，用于与所述偶数测试焊垫相接触。

本实施例中，所述测试探针卡400置于测试机台内，所述电路板410与测试机台相连接；通过所述电路板410，将测试机台的测试信号传输至探针上，再由所述探针将所述测试信号施加至所述焊垫上。

本实施例中，所述探针的数量为所述焊垫数量的一半，所述探针的间距K(如图5所示)为相邻所述焊垫510的中心间距D(如图5所示)的两倍。

所述焊垫的数量为24至44个，相邻所述焊垫的中心间距D为190μm至200μm；相应的，所述探针的数量为12个至22个，相邻所述探针的间距K为380μm或400μm。

本实施例中，所述焊垫的数量为44个，相邻所述焊垫的中心间距D为190μm；相应的，所述探针的数量为22个，相邻所述探针的间距为380μm。

在另一实施例中，所述焊垫的数量为22个，相邻所述焊垫的中心间距D为200μm；相应的，所述探针的数量为11个，相邻所述探针的间距为400μm。

需要说明，对所述测试结构202(如图4所示)进行测试的步骤包括制造过程中的测试和制造完成后的测试。本实施例中，进行制造过程中的测试时，所述探针的材料可以为钨或铜，进行制造完成后的测试时，所述探针的材料可以为钨或铜。

本实施例所述的测试探针卡，适用于前述的测试结构202。在测试过程中，探针与第一公共焊垫212(如图4所示)、第三公共焊垫232(如图4所示)和奇数测试焊垫(未标示)相接触以加载信号，实现对第一器件282(如图4所示)的测试，或者，与第二公共焊垫222、第四公共焊垫242和偶数测试焊垫(未标示)相接触以加载信号，实现对第二器件292(如图4所示)的测试；因此，所述测试探针卡400的探针数量为所述测试结构202的焊垫数量的一半，相邻探针的间距K(如图5所示)为相邻焊垫的中心间距D(如图5所示)的两倍。相比现有技术，所述相邻探针的间距K增加了一倍，且探针的数量为焊垫数量的一半，不仅可以减小测试过程中探针卡的漏电流，提高测试精度，还降低了探针卡的制作成本。

结合参考图4和图5，相应的，本发明还提供一种测试系统。所述测试系统包括：前述的测试结构202(如图4所示)；前述的测试探针卡400(如图5所示)。

对所述测试结构202和测试探针卡400的具体描述，可参数前述实施例，在此不做赘述。

由于所述探针卡的漏电流较小，因此，测试精度可以得到提高，且测试成本也相应降低。

相应的，本发明还提供一种测试方法。图6和图7示出了本发明测试方法一实施例的示意图。所述测试方法包括：

提供本发明所述的测试结构；

提供本发明所述的测试探针卡；

使第一探针401与第一公共焊垫212相接触，第二探针402与第三公共焊垫232相接触，第三探针403与奇数测试焊垫(未标示)相接触，对所述第一器件进行第一测试；

使第一探针401与第二公共焊垫222相接触，第二探针402与第四公共焊垫242相接触，第三探针403与偶数测试焊垫(未标示)相接触，对所述第二器件进行第二测试。

本实施例中，所述第一连接线262为公共测试信号加载端，所述第二连接线272为公共接地端；以所述第一器件282为MOS场效应晶体管，所述第二器件292为电阻或电容为例进行说明。

所述第一器件包括栅极381、源极382、漏极380和基极383，所述栅极381与所述第一连接线262相连接，所述漏极382与对应的测试焊垫相连接，所述源极382和基极383与所述第二连接线272相连接；所述第二器件包括第一端和第二端，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线272相连接。

具体地，如图6所示，进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针401并经由所述第一公共焊垫212和第一连接线262，向所述栅极381加载第一测试电压，通过所述第二探针402并经由所述第三公共焊垫232和第二连接线272，使所述源极382和基极383接地，通过所述第三探针403并经由所述奇数测试焊垫，向所述漏极380加载第二测试电压；根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据。

具体地，如图7所示，进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针401使所述第二公共焊垫222接地，通过所述第三探针403并经由所述偶数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一端加载测试电压，通过所述第二探针402并经由所述第四公共焊垫242和第二连接线207，使所述电阻或电容的第二端接地；根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

本实施例中，先对所述第一器件282进行第一测试，再对所述第二器件292进行第二测试。在另一实施例中，还可以先对所述第二器件进行第二测试，再对所述第一器件进行第一测试。

需要说明的是，以先对第一器件282进行第一测试，再对第二器件292进行第二测试为例，完成所述第一测试后，进行所述第二测试之前，沿所述焊垫的排布方向移动所述探针，其中，所述探针移动的距离等于相邻焊垫的中心间距D(如图6所示)。也就是说，完成所述第一测试后，将所述第一探针401由所述第一公共焊垫212位置处移动至所述第二公共焊垫222位置处，其他探针相应移动。

在第二实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件为电阻或电容，所述第二器件为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一端和第二端，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线相连接；所述第二器件包括栅极、源极、漏极和基极，所述栅极与所述第一连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第二连接线相连接。

具体地，进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第一公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第二端接地；根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据。

具体地，进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第二公共焊垫和第一连接线，向所述栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述源极和基极接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述漏极加载第二测试电压；根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

在第三实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管为例进行说明。

所述第一器件包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一基极，所述第一栅极与所述第一连接线相连接，所述第一漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极与所述第二连接线相连接；所述第二器件包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二基极，所述第二栅极与所述第一连接线相连接，所述第二漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极与所述第二连接线相连接。

具体地，进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第一公共焊垫和第一连接线，向所述第一栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述第一源极和第一基极接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述第一漏极加载第二测试电压；根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据。

具体地，进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第二公共焊垫和第一连接线，向所述第二栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述第二源极和第二基极接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述第二漏极加载第二测试电压；根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

在第四实施例中，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；以所述第一器件和第二器件均为电阻或电容为例进行说明。

所述第一器件包括第一器件第一端和第一器件第二端，所述第一器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第一器件第二端与所述第二连接线相连接；所述第二器件包括第二器件第一端和第二器件第二端，所述第二器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二器件第二端与所述第二连接线相连接。

具体地，进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第一公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一器件第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第一器件第二端接地；根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据。

具体地，进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第二公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述电阻或电容的第二器件第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第二器件第二端接地；根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

在其他实施例中，所述第一连接线为公共接地端，所述第二连接线为公共测试信号加载端。

其中，所述第一器件为MOS场效应晶体管，所述第二器件为电阻或电容；或者，所述第一器件为电阻或电容，所述第二器件为MOS场效应晶体管；或者，所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管；或者，所述第一器件和第二器件均为电阻或电容。

具体测试方法可参考前述测试方法，在此不再赘述。

通过采用本发明所述的测试探针卡400(如图5所示)先后对所述测试结构202(如图6所示)的第一器件282(如图6所示)和第二器件292(如图7所示)进行测试，即探针与第一公共焊垫212(如图6所示)、第三公共焊垫232(如图6所示)和奇数测试焊垫(未标示)相接触以加载信号，实现对第一器件282的测试，或者，与第二公共焊垫222(如图7所示)、第四公共焊垫242(如图7所示)和偶数测试焊垫(未标示)相接触以加载信号，实现对第二器件292的测试。相邻探针的间距K(如图6所示)为相邻所述焊垫的中心间距D(如图6所示)的两倍，相比现有技术，相邻探针的间距K增加了一倍，因此可以减小测试过程中探针卡202的漏电流，从而提高测试精度。

进一步，在同一个测试结构202(如图6所示)上先后进行第一测试和第二测试时，以先进行第一测试再进行第二测试为例，完成所述第一测试后，进行所述第二测试之前，沿所述焊垫的排布方向移动所述探针，其中，所述探针的移动位移等于相邻焊垫的中心间距D。相比现有技术，所述测试探针卡的移动位移较小，从而可以减小测试时间，提高测试效率。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

呈线型排布的多个焊垫，包括第一公共焊垫、与所述第一公共焊垫相邻的第二公共焊垫、位于所述第二公共焊垫远离所述第一公共焊垫一侧的第三公共焊垫、位于所述第三公共焊垫远离所述第二公共焊垫一侧且与所述第三公共焊垫相邻的第四公共焊垫，以及位于所述第二公共焊垫与所述第三公共焊垫之间的多个测试焊垫，所述多个测试焊垫包括奇数测试焊垫和偶数测试焊垫；

多个测试器件，与所述测试焊垫对应相连，与奇数测试焊垫相连的测试器件为第一器件，与偶数测试焊垫相连的测试器件为第二器件；

第一连接线，与所述第一公共焊垫和第二公共焊垫相连接；

第二连接线，与所述第三公共焊垫和第四公共焊垫相连接。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述焊垫的数量为24至44个。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，相邻焊垫的中心间距为190μm至200μm。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；

所述第一公共焊垫和第二公共焊垫用于加载测试信号，所述第三公共焊垫和第四公共焊垫用于接地。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一连接线与所述第二连接线平行设置，所述多个焊垫位于所述第一连接线与所述第二连接线之间。

6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一器件为MOS场效应晶体管，所述第二器件为电阻或电容；

或者，所述第一器件为电阻或电容，所述第二器件为MOS场效应晶体管；

或者，所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管；

或者，所述第一器件和第二器件均为电阻或电容。

7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；

所述第一器件为MOS场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极和基极；

所述栅极与所述第一连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第二连接线相连接。

8.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；

所述第二器件为电阻或电容，包括第一端和第二端；

所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线相连接。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构设置于晶圆上；

所述晶圆包括切割道，所述测试结构位于所述切割道中。

10.一种测试探针卡，用于与如权利要求1～9任一项所述测试结构的焊垫相接触以加载信号，其特征在于，所述测试探针卡包括：

电路板，用于提供测试信号；

多根探针，每一根探针的一端用于固定于所述电路板上，另一端用于与晶圆测试单元的焊垫相接触，包括第一探针、第二探针以及位于所述第一探针和第二探针之间的多个第三探针；

其中，所述第一探针用于与所述第一公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第三公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述奇数测试焊垫一一对应，用于与所述奇数测试焊垫相接触；或者，所述第一探针用于与所述第二公共焊垫相接触，所述第二探针用于与所述第四公共焊垫相接触，所述多个第三探针与所述偶数测试焊垫一一对应，用于与所述偶数测试焊垫相接触。

11.如权利要求10所述的测试探针卡，其特征在于，所述探针的数量为12个至22个。

12.如权利要求10所述的测试探针卡，其特征在于，相邻所述探针的间距为380μm至400μm。

13.如权利要求10所述的测试探针卡，其特征在于，所述探针的材料为钨或铜。

14.一种测试系统，其特征在于，包括：

如权利要求1-9的任意一项权利要求所述的测试结构；

如权利要求10-13的任意一项权利要求所述的测试探针卡。

15.一种测试方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1-9的任意一项权利要求所述的测试结构；

提供如权利要求10-13的任意一项权利要求所述的测试探针卡；

使第一探针与第一公共焊垫相接触，第二探针与第三公共焊垫相接触，第三探针与奇数测试焊垫相接触，对所述第一器件进行第一测试；

使第一探针与第二公共焊垫相接触，第二探针与第四公共焊垫相接触，第三探针与偶数测试焊垫相接触，对所述第二器件进行第二测试。

16.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；所述第一器件为MOS场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极和基极，所述栅极与所述第一连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第二连接线相连接；所述第二器件为电阻或电容，包括第一端和第二端，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线相连接；

进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第一公共焊垫和第一连接线，向所述栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述源极和基极接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述漏极加载第二测试电压；

根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据；

进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第二公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第二端接地；

根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

17.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；所述第一器件为电阻或电容，包括第一端和第二端，所述第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二端与所述第二连接线相连接；所述第二器件为MOS场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极和基极，所述栅极与所述第一连接线相连接，所述漏极与对应的测试焊垫相连接，所述源极和基极与所述第二连接线相连接；

进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第一公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第二端接地；

根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据；

进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第二公共焊垫和第一连接线，向所述栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述源极和基极接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述漏极加载第二测试电压；

根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

18.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；所述第一器件和第二器件均为MOS场效应晶体管；所述第一器件包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一基极，所述第一栅极与所述第一连接线相连接，所述第一漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第一源极和第一基极与所述第二连接线相连接；所述第二器件包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二基极，所述第二栅极与所述第一连接线相连接，所述第二漏极与对应的测试焊垫相连接，所述第二源极和第二基极与所述第二连接线相连接；

进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第一公共焊垫和第一连接线，向所述第一栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述第一源极和第一基极接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述第一漏极加载第二测试电压；

根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据；

进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针并经由所述第二公共焊垫和第一连接线，向所述第二栅极加载第一测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述第二源极和第二基极接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述第二漏极加载第二测试电压；

根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

19.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第一连接线为公共测试信号加载端，所述第二连接线为公共接地端；所述第一器件和第二器件均为电阻或电容；所述第一器件包括第一器件第一端和第一器件第二端，所述第一器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第一器件第二端与所述第二连接线相连接；所述第二器件包括第二器件第一端和第二器件第二端，所述第二器件第一端与对应的测试焊垫相连接，所述第二器件第二端与所述第二连接线相连接；

进行所述第一测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第一公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述奇数测试焊垫，向所述电阻或电容的第一器件第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第三公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第一器件第二端接地；

根据测试参数，调节测试条件，获得第一测试数据；

进行所述第二测试的步骤包括：

通过所述第一探针使所述第二公共焊垫接地，通过所述第三探针并经由所述偶数测试焊垫，向所述电阻或电容的第二器件第一端加载测试电压，通过所述第二探针并经由所述第四公共焊垫和第二连接线，使所述电阻或电容的第二器件第二端接地；

根据测试参数，调节测试条件，获得第二测试数据。

20.如权利要求15所述的测试方法，其特征在于，完成所述第一测试后，进行所述第二测试之前，沿所述焊垫的排布方向移动所述探针；

所述探针移动的距离等于相邻焊垫的中心间距。

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