CN105092976A - 接触电阻的测试方法和测试结构 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种接触电阻的测量方法和测试结构，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间设置电阻R；对两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；根据第一电压V和第一电流I计算出两个相邻焊垫之间的总电阻；对与两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流Iˊ并测量出电阻R对应的第二电压Vˊ；根据第二电压Vˊ和第二电流Iˊ计算出电阻R的大小；根据总电阻以及电阻R的大小计算出接触电阻的大小。应用本申请接触电阻的测试方法，利用差值计算接触电阻的大小，能有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
Description
技术领域
本申请涉及电阻测试领域，具体涉及接触电阻的测试方法和测试结构。
背景技术
现有技术中的热载流子注入实验是一种非常消耗时间的初级可靠性实验。在该实验中，探针与垫片的接触好坏对于实验和最终结果影响很大，当探针接触并不可靠时，实验所得的电信号参数会相应的发生改变。而探针与其对应的焊垫是否接触可靠，可以通过探针与其对应的焊垫之间的接触电阻来判断。
现有技术中的缺点：由于探针与其对应焊垫之间的接触电阻非常小，使得探针与对应焊垫接触并不可靠，对应的接触电阻也相应较小。这使现有技术中在需要检测探针的接触电阻时，工作人员需要耗费大量的时间和样本进行反复测试，才可获得较为准确的实验数据，导致工作成本较高。
发明内容
本申请旨在提供一种接触电阻的测试方法和测试结构，以达到降低工作成本的目的。
为了实现上述目的，本申请提供了一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间设置电阻R；对两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；根据第一电压V和第一电流I计算出两个相邻焊垫之间的总电阻；对与两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流I'并测量出电阻R对应的第二电压V'；根据第二电压V'和第二电流I'计算出电阻R的大小；根据总电阻以及电阻R的大小计算出接触电阻的大小。
进一步地，两个相邻焊垫包括第一焊垫和第二焊垫，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I＝R1+R2+R计算出总电阻，其中，R1为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R2为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。
进一步地，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V'/I'＝R计算出电阻R的大小。
进一步地，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I-V'/I'＝R1+R2计算出接触电阻。
进一步地，电阻R包括电阻本体和用于连接电阻本体以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加电阻本体和金属层。
进一步地，电阻R包括多晶硅和用于连接多晶硅以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加多晶硅和金属层。
进一步地，电阻R包括有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加有源区和金属层。
本发明还提供了一种测试结构，应用上述接触电阻的测试方法测量热载流子注入实验中焊垫和探针之间的接触电阻。
进一步地，测试结构包括连接于两个相邻焊垫上的电压表和串接于两个相邻焊垫之间的电阻R。
进一步地，测试结构包括用于测量总电阻大小的第一状态和用于测量电阻R的大小的第二状态。
进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的电阻本体和用于连接电阻本体与两个相邻焊垫的金属层。
进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接多晶硅与两个相邻焊垫的金属层。
进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的有源区和用于连接有源区与两个相邻焊垫的金属层。
应用本申请的接触电阻的测试方法，通过在两个相邻焊垫之间设置电阻R，可以计算出两个相邻焊垫之间的总电阻，再利用差值计算法计算出接触电阻的数值大小，能够有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
进一步地，由于接触电阻本身过小，设置电阻R并使用差值计算方法，能够使测量出来的接触电阻的数值与现有技术中的测量方法测量出的数值相比更加准确。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施方式及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为根据本申请接触电阻的测量方法实施方式中第一步骤的的测试原理示意图；
图2为根据本申请接触电阻的测量方法实施方式中第二步骤的测试原理示意图；
图3为根据本申请测试装置的第一实施方式中的结构示意图；
图4为根据本申请测试装置的第二实施方式中的结构示意图；
图5为根据本申请测试装置的第三实施方式中的结构示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本申请。
本申请的实施方式提供了一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻。图1和图2示出了该测试方法的两个步骤的测试原理，上述接触电阻的测量方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括：S11、在制作过程中于两个相邻焊垫之间设置电阻R。S12、对两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I。S13、根据第一电压V和第一电流I计算出两个相邻焊垫之间的总电阻。
第二步骤包括：S21、对与两个相邻焊垫相邻的另外两个焊垫施加第二电流I'并测量出电阻R对应的第二电压V'。S22、根据第二电压V'和第二电流I'计算出电阻R的大小。S23、根据总电阻以及电阻R的大小计算出接触电阻的大小。
需要说明的是，上述总电阻包括探针与焊垫之间的接触电阻和两个探针之间的电流流过的所有电阻。上述电阻R为两个探针之间的电流流过的电阻。
通过在两个相邻焊垫之间设置电阻R，可以方便、准确地计算出总电阻，再利用差值计算法计算出接触电阻的数值大小，能够有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
两个相邻焊垫包括第一焊垫2和第二焊垫3，在第一焊垫2和第二焊垫3的两侧分别设置有第三焊垫1和第四焊垫4。其中，上述四个焊垫依次串接并构成通路。优选地，本申请实施方式中的接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I＝R1+R2+R计算出总电阻，其中，R1为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R2为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。
由于接触电阻非常小，不便于直接进行测量，所以申请人在两个相邻垫片之间设置一个电阻较大的电阻R，由于电阻R的存在，致使工作人员可以直接通过电流表和电压表测量对应的电流和电压，进而能够通过计算得出电阻R与接触电阻的总和，即上述的R1+R2+R。
进一步地，本申请实施方式中的接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V'/I'＝R计算出电阻R的大小。此处的原理与第一步骤中计算总电阻的原理相同，此处就不在赘述。
由于已经计算得出总电阻以及电阻R的实际大小，故可以根据公式V/I-V'/I'＝R1+R2计算出第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻R1和第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻R2之和，即上述的接触电阻。
申请人对本申请实施方式中的电阻R进行了改进变形。例如，电阻R包括电阻本体5和用于连接电阻本体以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加电阻本体5和用于连接电阻本体以及两个相邻焊垫的金属层。
进一步地，电阻R包括多晶硅和用于连接多晶硅以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加多晶硅和用于连接多晶硅以及两个相邻焊垫的金属层。
更进一步地，电阻R包括有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层。
以上三种实施方式并不对本申请产生限制，凡是采用电阻R的任何变形测量接触电阻的方式均应在本申请的保护范围之内。
需要说明的是，本申请并不限于上述实施方式，例如在一种未图示的实施方式中可以将电阻R设置在第一焊垫2远离第二焊垫3的一侧，也可以将电阻R设置在第二焊垫3远离第一焊垫2的一侧。
当然，也可以采用其他方式设置电阻R的位置，凡是可以采用差值计算法计算接触电阻的技术方案，均应在本申请的保护范围之内。
本申请还提供了一种测试结构的实施方式，该测试结构采用上述接触电阻的测试方法测量接触电阻。优选地，上述测试结构包括连接于两个相邻焊垫上的电压表和串接于两个相邻焊垫之间的电阻R。上述电压表、两个相邻焊垫和电阻R连接构成闭合回路。
进一步地，本申请的测试结构的实施方式中，测试结构包括用于测量总电阻大小的第一状态和用于测量电阻R的大小的第二状态。
具体地，如图3所示，本申请测试结构的第一实施方式中，测试结构包括依次连接的第三焊垫1、第一焊垫2、第二焊垫3和第四焊垫4，以及分别连接在第三焊垫1和第四焊垫4上的金属层(M1-Mx)和P阱PW。电阻R包括设置于第一焊垫2和第二焊垫3之间的电阻本体5和用于连接电阻本体与第一焊垫2和第二焊垫3的金属层。
在测试时，只需按照上述接触电阻的测试方法，在第一焊垫2和第二焊垫3之间先加载第一电压V并测量出第一电流I，以计算第一垫片2与其对应探针之间的接触电阻R1、第二垫片3与其对应探针之间的接触电阻R2和两个插针之间的电阻总和。
其次，再将第三焊垫1和第四焊垫4之间通入第二电流I'并测量出电阻R所对应的第二电压V'，以计算出电阻R的大小。最后，通过差值计算方法，算出R1+R2之和。
进一步地，如图4所示，本申请测试结构的第二实施方式中，电阻R包括设置于至少两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接多晶硅与至少两个焊垫的金属层(Mn-Mn+x)。
优选地，如图5所示，本申请测试结构的第三实施方式中，电阻R包括设置于至少两个相邻焊垫之间的有源区6和用于连接有源区6与至少两个焊垫的金属层(M1-Mn+x)。
需要说明的是，第二实施方式和第三实施方式中除上述特征外，其他均与第一实施方式中的特征相同，且由于第二实施方式和第三实施方式中的测量方法与第一实施方式的测量方法原理相同，此处就不在赘述。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施方式实现了如下技术效果：通过在两个相邻焊垫之间设置电阻R，可以计算出两个焊垫之间的总电阻，再利用差值计算法计算出接触电阻的数值大小，能够有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。
进一步地，由于接触电阻本身过小，设置电阻R并使用差值计算方法，能够使测量出来的接触电阻的数值与现有技术中的测量方法测量出的数值相比更加准确。
以上所述仅为本申请的优选实施方式而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，其特征在于，包括以下步骤：
在两个相邻焊垫之间设置电阻R；
对所述两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；
根据所述第一电压V和所述第一电流I计算出所述两个相邻焊垫之间的总电阻；
对与所述两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流I'并测量出所述电阻R对应的第二电压V'；
根据所述第二电压V'和所述第二电流I'计算出所述电阻R的大小；
根据所述总电阻以及所述电阻R的大小计算出接触电阻的大小。
2.根据权利要求1所述的接触电阻的测量方法，所述两个相邻焊垫包括第一焊垫和第二焊垫，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I＝R1+R2+R计算出所述总电阻，其中，R1为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R2为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。
3.根据权利要求2所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V'/I'＝R计算出所述电阻R的大小。
4.根据权利要求3所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I-V'/I'＝R1+R2计算出所述接触电阻。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括电阻本体和用于连接所述电阻本体以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在所述两个相邻焊垫之间增加所述电阻本体和所述金属层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括多晶硅和用于连接所述多晶硅以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在所述两个相邻焊垫之间增加所述多晶硅和所述金属层。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括有源区和用于连接所述有源区以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻所述焊垫之间增加所述有源区和所述金属层。
8.一种测试结构，其特征在于，应用权利要求1至7中任一项所述的接触电阻的测试方法测量所述热载流子注入实验中所述焊垫和所述探针之间的接触电阻。
9.根据权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括连接于所述两个相邻焊垫上的电压表和串接于所述两个相邻焊垫之间的电阻R。
10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括用于测量所述总电阻大小的第一状态和用于测量所述电阻R的大小的第二状态。
11.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的电阻本体和用于连接所述电阻本体与所述两个相邻焊垫的金属层。
12.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接所述多晶硅与所述两个相邻焊垫的金属层。
13.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的有源区和用于连接所述有源区与所述两个相邻焊垫的金属层。
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|---|---|
| CN (1) | CN105092976A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107367678A (zh) * | 2016-05-11 | 2017-11-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 |
| CN108089054A (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-29 | 北京铁路信号有限公司 | 一种测量无焊压入式连接的接触电阻的方法 |
| CN108344898A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-31 | 华南理工大学 | 一种基于热电转换的预绞丝断口处接触电阻实验测量方法 |
| CN108414837A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-17 | 华南理工大学 | 一种架空地线与预绞丝接触端口接触电阻的实验测量方法 |
| CN108761203A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-11-06 | 成都奕斯伟芯片设计有限公司 | 接触电阻测试电路及芯片 |
| CN111426883A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-07-17 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 金属接触电阻测试方法和测试回路 |
| CN111796148A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电阻测试结构 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343426A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の検査方法 |
| CN1482468A (zh) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公 | 检测探针接触电阻的测试结构与方法 |
| CN101281218A (zh) * | 2007-04-05 | 2008-10-08 | 恩益禧电子股份有限公司 | 探针电阻测量方法和具有用于探针电阻测量的焊盘的半导体装置 |
| CN101907657A (zh) * | 2010-06-11 | 2010-12-08 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 探针电阻的检测方法 |
| CN101937021A (zh) * | 2010-06-30 | 2011-01-05 | 上海华岭集成电路技术有限责任公司 | 探针接触电阻在线测量方法 |
| CN103134990A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-06-05 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电阻测试方法 |
| CN103278693A (zh) * | 2013-06-03 | 2013-09-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种探针接触电阻测量方法 |
-
2014
- 2014-05-08 CN CN201410193209.4A patent/CN105092976A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343426A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の検査方法 |
| CN1482468A (zh) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公 | 检测探针接触电阻的测试结构与方法 |
| CN101281218A (zh) * | 2007-04-05 | 2008-10-08 | 恩益禧电子股份有限公司 | 探针电阻测量方法和具有用于探针电阻测量的焊盘的半导体装置 |
| CN101907657A (zh) * | 2010-06-11 | 2010-12-08 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 探针电阻的检测方法 |
| CN101937021A (zh) * | 2010-06-30 | 2011-01-05 | 上海华岭集成电路技术有限责任公司 | 探针接触电阻在线测量方法 |
| CN103134990A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-06-05 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电阻测试方法 |
| CN103278693A (zh) * | 2013-06-03 | 2013-09-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种探针接触电阻测量方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107367678A (zh) * | 2016-05-11 | 2017-11-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 |
| CN107367678B (zh) * | 2016-05-11 | 2020-03-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 测试结构、测试探针卡、测试系统及测试方法 |
| CN108089054A (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-29 | 北京铁路信号有限公司 | 一种测量无焊压入式连接的接触电阻的方法 |
| CN108089054B (zh) * | 2016-11-22 | 2020-04-24 | 北京铁路信号有限公司 | 一种测量无焊压入式连接的接触电阻的方法 |
| CN108344898A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-31 | 华南理工大学 | 一种基于热电转换的预绞丝断口处接触电阻实验测量方法 |
| CN108414837A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-17 | 华南理工大学 | 一种架空地线与预绞丝接触端口接触电阻的实验测量方法 |
| CN108761203A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-11-06 | 成都奕斯伟芯片设计有限公司 | 接触电阻测试电路及芯片 |
| CN111426883A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-07-17 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 金属接触电阻测试方法和测试回路 |
| CN111426883B (zh) * | 2020-05-13 | 2022-04-08 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 金属接触电阻测试方法和测试回路 |
| CN111796148A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电阻测试结构 |
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