CN201478306U - 扁平式封装双场效应晶体管器件 - Google Patents

扁平式封装双场效应晶体管器件 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管器件。它具有环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内的引线框架和场效应晶体管芯片，引线框架上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体同侧伸出，环氧树脂封装体为扁平状，场效应晶体管芯片分为第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片均设置在引线框架上，引脚为五个引脚，第一引脚为第一芯片和第二芯片的公共电极，第二引脚与为第二芯片的控制栅极，第三引脚为第二芯片的漏极，第四引脚为第一芯片的控制栅极，第五引脚与第一芯片相连构成第一芯片的源极。它结构扁平，体积小巧，适合线路板的安装使用；相对于一般封装模块，体积大大减小，生产工艺简单，因此生产成本降低，适合批量生产。

Description

扁平式封装双场效应晶体管器件
技术领域
本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管器件。
背景技术
目前市场上的双MOSFET场效应晶体管器件一般都采用标准模块封装，该封装模块底部带铜底板，外加塑料外壳，体积较大，生产工艺复杂，使用范围受到限制，特别不适于线路板的安装使用。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：为了克服现有双MOSFET场效应晶体管器件，体积大，不适合线路板的安装等问题，提供一种扁平式双场效应晶体管器件，其结构扁平、体积小巧、适合线路版的安装。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内的引线框架和场效应晶体管芯片，引线框架上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体同侧伸出，环氧树脂封装体呈扁平状，场效应晶体管芯片分为第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片均设置在引线框架上，引脚为五个引脚，第一引脚与第一芯片和第二芯片均电连接构成第一芯片和第二芯片的公共电极，第二引脚与第二芯片电连接构成第二芯片的控制栅极，第三引脚与第二芯片电连接构成第二芯片的漏极，第四引脚与第一芯片电连接构成第一芯片的控制栅极，第五引脚与第一芯片电连接构成第一芯片的源极。
所述的环氧树脂封装体外表面中部设置有安装孔。
所述的环氧树脂封装体长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm。
本实用新型的有益效果是；该双场效应晶体管器件结构扁平，体积小巧，适合线路版的安装；性能稳定，干扰少；接点多，使用范围广；生产工艺简单，因此生产成本降低，适合批量生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的左视局部剖视图。
图3是本实用新型的电路连接示意图。
其中：1.环氧树脂封装体，2.引线框架，21.第一引脚，22.第二引脚，23.第三引脚，24.第四引脚，25.第五引脚，3.场效应晶体管芯片，31.第一芯片，32.第二芯片，4.安装孔。
具体实施方式
如图1、2所示，一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体1以及封装在环氧树脂封装体1内的引线框架2和场效应晶体管芯片3，引线框架2上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体1同侧伸出，环氧树脂封装体1呈扁平状，环氧树脂封装体长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm，环氧树脂封装体1中部设置有安装孔4，场效应晶体管芯片3分为第一芯片31和第二芯片32，第一芯片31和第二芯片32均设置在引线框架2上，引脚为五个引脚21、22、23、24、25，第一引脚21与第一芯片31和第二芯片32均电连接构成第一芯片31和第二芯片32的公共电极，即第一引脚21作为第一芯片31的漏极和第二芯片32的源极，第二引脚22与第二芯片32电连接构成第二芯片32的控制栅极，第三引脚23与第二芯片32电连接构成第二芯片32的漏极，第四引脚24与第一芯31片电连接构成第一芯片31的控制栅极，第五引脚25与第一芯片31电连接构成第一芯片31的源极。这样组成如图3所示的连接电路。
使用时通过中部的安装孔4将产品紧固与散热装置，各功能的引脚连接相应线路端。当在控制栅极端加正压信号，漏极与源极可及时导通，当控制栅极端加上适当负电压信号，漏极与源极完全及时可靠关断，开关频率高，适合搞频场合使用。

Claims (3)

1.一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体(1)以及封装在环氧树脂封装体(1)内的引线框架(2)和场效应晶体管芯片(3)，引线框架(2)上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体(1)同侧伸出，其特征是：环氧树脂封装体(1)呈扁平状，场效应晶体管芯片(3)分为第一芯片(31)和第二芯片(32)，第一芯片(31)和第二芯片(32)均设置在引线框架(2)上，引脚为五个引脚(21、22、23、24、25)，第一引脚(21)是第一芯片(31)的漏极和第二芯片(32)的源极，他作为公共电极，第二引脚(22)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的控制栅极，第三引脚(23)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的漏极，第四引脚(24)与第一芯(31)片电连接构成第一芯片(31)的控制栅极，第五引脚(25)与第一芯片(31)电连接构成第一芯片(31)的源极。
2.根据权利要求1所述的扁平式封装双场效应晶体管器件，其特征是：所述的环氧树脂封装体(1)外表面中部设置有安装孔(4)。
3.根据权利要求1所述的扁平式封装双场效应晶体管器件，其特征是：所述的环氧树脂封装体(1)长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm。
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CN110824326A (zh) * 2019-11-15 2020-02-21 南京宏泰半导体科技有限公司 一种mosfet的测试方法

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Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Sirectifier Electronics Technology Corporation

Assignor: Shen Fude

Contract record no.: 2010320000304

Denomination of utility model: Flat type packaged double-gate field effect transistor

Granted publication date: 20100519

License type: Exclusive License

Record date: 20100324

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100519

Termination date: 20110804