JP6954356B2 - 方向性電磁鋼板の製造設備 - Google Patents
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Description
すなわち、鋼板と比べて低い熱膨張率を有する珪リン酸塩被膜を高温で形成し、それを室温まで低下させ、鋼板と珪リン酸塩被膜との熱膨張率の差によって、鋼板に引張応力を印加する。
この珪リン酸塩被膜は、方向性電磁鋼板に必須の絶縁被膜としても機能する。すなわち、絶縁によって、鋼板中の局部的な渦電流の発生が防止される。
しかし、鋼板と珪リン酸塩被膜との間にあるフォルステライト被膜は、アンカー効果により鋼板に密着する。そのため、必然的に鋼板表面の平滑度は劣化する。また、珪リン酸塩と金属との密着性は低く、表面を鏡面化した鋼板に直接珪リン酸塩被膜を成膜できない。このように、従来の方向性電磁鋼板の被膜構造(鋼板/フォルステライト被膜/珪リン酸塩被膜)においては、鋼板の表面を平滑化することはできない。
特許文献2には、このような成膜を行なうための製造設備が開示されている。
バッチ焼鈍では、一般的に、鋼板コイルを、巻取軸を垂直方向にした向きでコイル受台上に載置し、カバーを被せ、カバー内部の鋼板コイルを外部から加熱することにより、焼鈍する。
このため、バッチ焼鈍中の鋼板コイルは、下側(コイル受台側)部分が自重により潰れる場合がある。そうすると、バッチ焼鈍(仕上げ焼鈍)を経た方向性電磁鋼板は、板幅方向に完全にフラットではなく、片側が波打っている等の変形が生じている場合がある。
ここで、特許文献2の製造設備は、成膜室(高真空処理槽)と、成膜室の入側および出側に配置された複数段の減圧室(予備排気槽列)とを有するが、複数段の減圧室は、通板孔が形成された仕切板により区切られており、この通板孔にはピンチロールが設けられている(特許文献2の第1図を参照)。
すなわち、特許文献2の製造設備に供された仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板は、成膜室の入側および出側の減圧室に設けられたピンチロールにピンチされるが、その際に、変形部分が加圧されて潰され、割れ等の破損を生じる場合がある。
[1]仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板を搬送する搬送機構と、上記搬送される方向性電磁鋼板が通板される成膜室を有し、上記成膜室内の成膜領域を通過する方向性電磁鋼板の表面上に、減圧条件下で成膜を行なう成膜設備と、上記成膜室の入側に配置され、上記成膜前の方向性電磁鋼板が通板される複数段の入側減圧室を有し、上記成膜室に接近するに従い上記入側減圧室の内圧が上記成膜室の内圧に近づく入側減圧設備と、上記成膜室の出側に配置され、上記成膜後の方向性電磁鋼板が通板される複数段の出側減圧室を有し、上記成膜室から離反するに従い上記出側減圧室の内圧が大気圧に近づく出側減圧設備と、を備え、上記入側減圧室および上記出側減圧室は、各減圧室を規定し、かつ、方向性電磁鋼板が通板自在な形状の通板孔が形成された仕切板と、上記仕切板における上記通板孔の上下側に配置されたシールパッドと、を備える、方向性電磁鋼板の製造設備。
[2]上記成膜設備が、CVD法またはPVD法により、上記成膜を行なう、上記[1]に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
[3]上記成膜室内における上記成膜領域よりも搬送方向下流側に配置され、上記成膜後の方向性電磁鋼板が通板される冷却ロールを更に備える、上記[1]または[2]に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
[4]上記冷却ロールが、ブライドルロールである、上記[3]に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
[5]上記成膜室より搬送方向上流側に配置され、上記搬送される方向性電磁鋼板の表面を研磨する研磨設備を更に備える、上記[1]〜[4]のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
[6]上記入側減圧室と上記成膜室との間に配置された前処理室を有し、上記前処理室に導入された上記成膜前の方向性電磁鋼板の表面に対して不純物を除去する前処理を施す前処理設備を更に備える、上記[1]〜[5]のいずれかに記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
[7]上記前処理室と上記成膜室とを区切る隔壁が設けられ、上記隔壁には、方向性電磁鋼板が通板自在な形状の隔壁通板孔が形成され、上記隔壁における上記隔壁通板孔の上下側に、上記シールパッドが配置されている、上記[6]に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
以下では、コイル11として巻回されている仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板Sは、フォルステライト被膜を有するものとして説明するが、フォルステライト被膜などの酸化物被膜を有しないものであってもよい。後者の場合、後述する研磨設備13を省略できるため、低コスト化できる。前者の場合も、研磨設備13での研磨量を減らして低コスト化するためには、フォルステライト被膜などの酸化物被膜は極薄であることが好ましい。
入側減圧設備21は、複数段の入側減圧室22を有する。前処理設備31は、前処理室32を有する。成膜設備41は、成膜室42を有する。出側減圧設備51は、複数段の出側減圧室52を有する。
入側減圧室22、前処理室32、成膜室42、および、出側減圧室52の内部を除き、鋼板Sは、大気圧雰囲気内を搬送される。
研磨設備13は、導入された鋼板Sの表面を研磨する。研磨設備13における研磨としては、特に限定されず、機械研磨、電解研磨および化学研磨のいずれを用いてもよく、これら研磨の2つ以上を組み合わせた研磨であってもよいが、研削などの機械研磨を最初に施すことが好ましい。そうすることにより、電解研磨および化学研磨では鋼板Sの地鉄より被研磨速度が遅い酸化物被膜を容易に除去でき、最終的な表面粗さを低減できる。研磨後の鋼板Sの表面粗さは、算術平均粗さRaで0.4μm以下が好ましい。
前処理が施された鋼板Sは、成膜設備41の成膜室42に導入される。成膜室42の内部の成膜領域43を通過する鋼板Sの表面上に、減圧条件下で成膜が行なわれる。
入側減圧設備21が有する複数段の入側減圧室22は、前処理室32を介して、成膜室42の入側に配置されている。便宜的に、各々の入側減圧室22を、鋼板Sの搬送方向順に、入側減圧室22a、入側減圧室22b、および、入側減圧室22cと呼ぶ。
このため、入側減圧設備21では、複数段の入側減圧室22において、段階的に内圧を減少させる。これにより、圧力差による鋼板Sの蛇行を抑制できる。入側減圧室22の段数は、2段以上であれば特に限定されないが、効率良く内圧を下げる観点からは3段以上が好ましい。
仕切板24は、入側減圧室22どうしを仕切る仕切板だけでなく、外部環境に接する仕切板(図2中、入側減圧室22aの右側を規定する仕切板24)、および、前処理室32に接する仕切板(図2中、入側減圧室22cの左側を規定する仕切板24)等も含む。
入側減圧設備21においては、通板孔25から流入する大気量、および、鋼板Sの表面から揮発するガス量などを考慮して、所望の内圧となるように、排気口23から排気を行なう。
そこで、本実施形態においては、ピンチロールに代えて、仕切板24における通板孔25の上下側に、シールパッド81が配置されている。鋼板Sは、シールパッド81のギャップを通過するため、仮に、鋼板Sが変形していても、ピンチによる加圧が回避され、割れ等の破損を防止できる。
しかし、本実施形態においては、仕切板24における通板孔25の上下側にシールパッド81が配置されている。シールパッド81の材質は、一例として、柔軟性を有する樹脂である。このため、仮に、通板孔25を通過する鋼板Sがバタついて、仕切板24における通板孔25の上下側にぶつかっても、シールパッド81が存在するため、鋼板Sの傷付き等が防止される。シールパッド81が樹脂製であれば、シールパッド81を通過する際に鋼板Sに導入される歪みも減少できる。
入側減圧室22を経た鋼板Sは、前処理設備31の前処理室32に導入され、減圧条件下で、鋼板Sの表面上に付着した酸化物等の不純物を除去する前処理が施される。
成膜前に前処理を行なうことにより、成膜設備41で形成される被膜(例えば、窒化物被膜)の鋼板Sに対する密着性が顕著に向上する。このため、前処理設備31は、必須の設備ではないが、設けることが好ましい。
前処理の方法としては、イオンスパッタリングが好ましい。イオンスパッタリングの場合、使用するスパッタ材料のイオン種としては、アルゴンおよび窒素などの不活性ガスのイオン、または、TiおよびCrなどの金属のイオンが好ましい。
前処理室32の内部は減圧され、スパッタリングイオンの平均自由工程を上げるために、前処理室32の内圧は0.0001〜30Paが好適である。
鋼板Sを陰極として、スパッタ材料との間に、−100〜−1000Vのバイアス電圧を印加することが好ましい。
成膜法としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)法またはPVD(Physical Vapor Deposition)法が好ましい。成膜室42には、例えば、窒素ガス、TiCl4のガスなどの成膜のための原料ガス(雰囲気ガス)が導入される。成膜領域43を通過する鋼板Sは、加熱され、窒化物被膜などの被膜が、鋼板Sの表面上に形成される。
鋼板Sを加熱する手段としては、成膜室42の内部が排気されて減圧条件にあることから、必然的にバーナーなどは用いることができないが、代わりに、例えば、誘導加熱(IH)、電子ビーム照射、レーザー、赤外線などの酸素を必要としない手段であれば特に限定されず、適宜用いられる。
鋼板Sに成膜される被膜は、単層からなる被膜であってもよく、複数の層からなる被膜であってもよい。
前処理室32および成膜室42が有する排気口および原料ガスの投入口などは、図示を省略している。
成膜室42においては、CVD法の場合、投入する原料ガス量の0.50〜2.0倍の排気量が好ましく、PVD法の場合、投入する原料ガス量の0.50〜1.0倍の排気量が好ましい。
隔壁39における隔壁通板孔40の上下側にも、シールパッド81が配置されていることが好ましい。これにより、バッチ焼鈍を経た鋼板Sが変形していても、ピンチによる加圧が回避され、割れ等の破損を防止できる。
高温で長時間の前処理を施す場合や、熱CVD法を用いる場合は、隔壁39や鋼板Sが高温化するリスクがある。この場合、シールパッド81の材質としては、鋼板Sの板温に応じた耐熱性を有する材質、冷却しやすい性質を有する材質などを選択することが好ましい。耐熱性を有する材質としては、例えば、耐熱性を確保するために、高融点の材質が挙げられる。冷却しやすい性質を有する材質としては、熱伝導率の高い材質が挙げられ、その具体例としては、鉛、銅などが挙げられる。
出側減圧設備51では、複数段の出側減圧室52において、段階的に内圧を減少させる。これにより、圧力差による鋼板Sの蛇行を抑制できる。出側減圧室52の段数は、2段以上であれば特に限定されないが、効率良く内圧を下げる観点からは3段以上が好ましい。
仕切板54は、出側減圧室52どうしを仕切る仕切板だけでなく、外部環境に接する仕切板(図3中、出側減圧室52cの左側を規定する仕切板54)、および、成膜室42に接する仕切板(図3中、出側減圧室52aの右側を規定する仕切板54)等も含む。
仕切板54における通板孔55の上下側にも、仕切板24における通板孔25と同様に、シールパッド81が配置されている。これにより、バッチ焼鈍を経た鋼板Sが変形していても、ピンチによる加圧が回避され、割れ等の破損を防止できる。
出側減圧設備51においては、通板孔55から流入する大気量、および、鋼板Sの表面から揮発するガス量などを考慮して、所望の内圧となるように、排気口53から排気を行なう。
冷却ロール45の表面にこのような被膜が形成されると、ロール間の間隔が変化し、耳歪み等の原因になる。しかし、ゴムなどの樹脂ロールでは、300℃以上の高温に耐えきれない。
このため、冷却ロール45は、金属を材料とし、使用前に酸化処理を行なうことが好ましい。これにより、金属表面に厚さ1〜10μm程度の酸化物が生成し、CVD法またはPVD法による成膜を抑制できる。
金属の種類は、特に限定されないが、熱伝導率の高い金属の方が高い冷却能力を有することから、例えば、鉄にアルミニウムなどの高熱伝導率金属を加えた合金(鉄アルミニウム合金)が好適に挙げられる。
酸化処理の条件は、金属によって異なるが、上記鉄アルミニウム合金を用いる場合、大気中、800℃で、30秒〜2分間程度の焼鈍が好ましい。
冷却ロール45がブライドルロールである場合における製造設備1の全体図は図示していないが、通板孔55および出側減圧室52の位置を適宜調整した配置にすればよい。
仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板S(板厚:0.23mm)のコイル11(総質量:8t)を、図1〜図3に基づいて説明した製造設備1に供し、成膜を行なった。ラインスピードは30m/minとした。研磨設備13にて機械研磨によりフォルステライト被膜を除去した後、前処理室32にてArイオンスパッタリングにより表面の不純物を除去し、次いで、成膜室42にてCVD法によりTiN被膜(膜厚:0.3μm)を成膜した。CVD法は、熱CVD法とし、成膜温度は1000℃とし、原料にはTiCl4を用いた。シールパッド81のギャップGは、コイル11の通板前で1.5mmとした。
製造設備1にコイル11を全て通板させた後、出側減圧室52のシールパッド81の損耗度、および、成膜後の鋼板Sの磁気特性を求めた。
シールパッド81の損耗度は、コイル11の通板前後において、シールパッド81のギャップGが変化した割合で定義した。すなわち、コイル11の通板前に2.0mmであったギャップGが、コイル11の通板後に4.0mmになった場合、損耗度は100%となる。
磁気特性は、鉄損W17/50(単位:W/kg)を測定した(以下、同様)。
結果を下記表1に示す。
更に、磁気特性を見ると、シールパッド81の損耗が抑制された冷却ロールAまたはBを用いた場合は、通板後期に相当するコイル11の内巻部においても良好な磁気特性が得られた。そして、冷却ロールBを用いた場合は、冷却ロールAを用いた場合よりも、磁気特性がより良好であった。
仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板S(板厚:0.23mm)のコイル11(総質量:8t)を、図1〜図3に基づいて説明した製造設備1に供し、成膜を行なった。ラインスピードは30m/minとした。研磨設備13にて機械研磨によりフォルステライト被膜を除去した後、前処理室32にてArイオンスパッタリングにより表面の不純物を除去し、次いで、成膜室42にてCVD法により下記表2に示す窒化物被膜(膜厚:0.3μm)を成膜した。CVD法は、熱CVD法とし、成膜温度は1000℃とした。シールパッド81のギャップGは、コイル11の通板前で1.5mmとした。
製造設備1にコイル11を全て通板させた後、成膜後の鋼板Sの磁気特性を求めた。結果を下記表2に示す。
仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板S(板厚:0.23mm)のコイル11(総質量:8t)を、図1〜図3に基づいて説明した製造設備1に供し、成膜を行なった。ラインスピードは30m/minとした。研磨設備13にて機械研磨によりフォルステライト被膜を除去した後、前処理室32にてArイオンスパッタリングにより表面の不純物を除去し、次いで、成膜室42にてPVD法により下記表3および表4に示す窒化物被膜(膜厚:0.3μm)を成膜した。PVD法は、イオンプレーティング法とし、成膜温度は400℃とした。シールパッド81のギャップGは、コイル11の通板前で1.5mmとした。
製造設備1にコイル11を全て通板させた後、成膜後の鋼板Sの磁気特性を求めた。結果を下記表3および表4に示す。
試験例3では、以下の比較試験も行なった。
比較試験では、図1〜図3に基づいて説明した製造設備1における入側減圧室22および出側減圧室52をそれぞれ1段のみとした製造設備(便宜的に、「製造設備1′」と呼ぶ)を用いた。製造設備1′において、入側減圧室22および出側減圧室52の段数以外は、製造設備1と同様にした。
製造設備1′を用いて、上記実施例と同様にして、成膜した。
より詳細には、仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板S(板厚:0.23mm)のコイル11(総質量:8t)を、製造設備1′に供し、成膜を行なった。ラインスピードは30m/minとした。研磨設備13にて機械研磨によりフォルステライト被膜を除去した後、前処理室32にてArイオンスパッタリングにより表面の不純物を除去した。次いで、成膜室42にてPVD法(イオンプレーティング法)により、窒化物被膜を、膜厚が0.3μmとなる条件で成膜した(成膜温度:400℃)。シールパッド81のギャップGは、コイル11の通板前で1.5mmとした。
上記のように、製造設備1′を用いて膜厚が0.3μmとなる条件で成膜したが、0.05μmの膜厚しか得られなかった。そこで、成膜設備1および成膜設備1′における前処理室32および成膜室42の内圧を測定した。その結果、製造設備1では3.0Paであった。一方、製造設備1′では300Paであり、減圧が不十分であることが分かった。
11:コイル
12:入側ルーパー
13:研磨設備
14:水洗設備
15:乾燥設備
16:出側ルーパー
17:シャー
18:通板後コイル
19:ペイオフリール(搬送機構)
20:巻取りリール(搬送機構)
21:入側減圧設備
22:入側減圧室
22a、22b、22c:入側減圧室
23:排気口
24:仕切板
25:通板孔
31:前処理設備
32前処理室
39:隔壁
40:隔壁通板孔
41:成膜設備
42:成膜室
43:成膜領域
45:冷却ロール
51:出側減圧設備
52:出側減圧室
52a、52b、52c:出側減圧室
53:排気口
54:仕切板
55:通板孔
81:シールパッド
G:ギャップ
S:仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板
Claims (7)
- 板幅方向の片側の少なくとも一部が変形している方向性電磁鋼板を通板できる設備であって、
仕上げ焼鈍後の方向性電磁鋼板を搬送する搬送機構と、
前記搬送される方向性電磁鋼板が通板される成膜室を有し、前記成膜室内の成膜領域を通過する方向性電磁鋼板の表面上に、減圧条件下で成膜を行なう成膜設備と、
前記成膜室の入側に配置され、前記成膜前の方向性電磁鋼板が通板される複数段の入側減圧室を有し、前記成膜室に接近するに従い前記入側減圧室の内圧が前記成膜室の内圧に近づく入側減圧設備と、
前記成膜室の出側に配置され、前記成膜後の方向性電磁鋼板が通板される複数段の出側減圧室を有し、前記成膜室から離反するに従い前記出側減圧室の内圧が大気圧に近づく出側減圧設備と、を備え、
前記入側減圧室および前記出側減圧室は、
各減圧室を規定し、かつ、方向性電磁鋼板が通板自在な形状の通板孔が形成された仕切板と、
前記仕切板における前記通板孔の上下側にピンチロールに代えて配置されたシールパッドと、を備える、方向性電磁鋼板の製造設備。 - 前記成膜設備が、CVD法またはPVD法により、前記成膜を行なう、請求項1に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
- 前記成膜室内における前記成膜領域よりも搬送方向下流側に配置され、前記成膜後の方向性電磁鋼板が通板される冷却ロールを更に備える、請求項1または2に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
- 前記冷却ロールが、ブライドルロールである、請求項3に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
- 前記成膜室より搬送方向上流側に配置され、前記搬送される方向性電磁鋼板の表面を研磨する研磨設備を更に備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
- 前記入側減圧室と前記成膜室との間に配置された前処理室を有し、前記前処理室に導入された前記成膜前の方向性電磁鋼板の表面に対して不純物を除去する前処理を施す前処理設備を更に備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
- 前記前処理室と前記成膜室とを区切る隔壁が設けられ、
前記隔壁には、方向性電磁鋼板が通板自在な形状の隔壁通板孔が形成され、
前記隔壁における前記隔壁通板孔の上下側に、前記シールパッドが配置されている、請求項6に記載の方向性電磁鋼板の製造設備。
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