JP6951558B2 - パターンの崩壊を緩和するための改善された充填材料 - Google Patents
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-
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Description
本出願は、「IMPROVED FILL MATERIAL TO MITIGATE PATTERN COLLAPSE」と題された、2017年9月21日に出願された米国特許仮出願第62/561,473号、及び「IMPROVED FILL MATERIAL TO MITIGATE PATTERN COLLAPSE」と題された、2018年1月9日に出願された米国特許仮出願第62/615,180号の合衆国法典第35巻第119条(e)の下での利益を主張するものであり、これらの開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、フォトリソグラフィ技術による電子部品の製造、及びエッチング残留物を除去するために使用される種類の水性洗浄溶液の除去時に、半導体基板のパターン化された高アスペクト比特徴部間で発生し得る、崩壊若しくはスティクションの緩和又は防止に関する。
純粋な又はドープされたシリコンウェハなどの半導体基板上に構築されたメモリセル及び他の構成要素などの電子部品の製造中に、フォトリソグラフィ技術を使用して基板を処理する。例えば、フォトレジストは、平坦なシリコンウェハ上に堆積され、続いて、例えば、UV露光を使用してフォトレジストをパターン化し得る。次いで、フォトレジストは、基板上に形成された狭い又は高いアスペクト比特徴部の間に形成されたトレンチの位置に対応するフォトレジストの部分を除去するのを容易にするように現像される。
以下の表1に列挙される材料を添加することによって、約40重量%のノボラック樹脂を含有する原液から、第1の充填材料のみを含有する置換溶液配合物を調製した。結果として得られた配合物は、表1に示すように固形分%を含有していた。次いで、溶液を、4インチのシリコンウェハ上で1500rpmでスピンコーティングし、それぞれ160℃及び180℃の接触ホットプレート上で60秒間焼成した。フィルム厚さ及び屈折率データは、以下の表1に示すとおりである。
本開示のノボラック樹脂の形態の第1の充填材料及びポリプロピレンカーボネートの形態の第2の充填材料の配合ブレンドは、以下の表2に列挙されるように、いくつかの市販のノボラック樹脂(ノボラック1〜5)をポリプロピレンカーボネート樹脂の原液と混合することによって調製した。結果として得られた配合物は、以下の表2の左側に示すように固形分%を含有していた。次いで、溶液を、4インチのシリコンウェハ上でスピンコーティングし、それぞれ160℃及び180℃の接触ホットプレート上で60秒間焼成した。フィルム厚さ及び屈折率データは、以下の表2に示すとおりである。
本開示のノボラック樹脂の形態の第1の充填材料及び/又はポリプロピレンカーボネートの形態の第2の充填材料の配合ブレンドは、実施例2に記載のように調製し、8インチのシリコンウェハ上にコーティングし、ホットプレート上の空気中で180℃/280℃で60秒間焼成した。エッチング前データは、以下の表3に記載される。
本明細書は以下の発明の態様を包含する。
[1]
半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、ノボラックポリマー及びレゾールポリマーからなる群から選択される少なくとも1つのフェノール−ホルムアルデヒドポリマーの形態の少なくとも1つの充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記空間から前記溶媒を実質的に除去し、前記空間内で実質的に固体形態の前記充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記充填材料を除去する工程と、を含む、方法。
[2]
前記少なくとも1つのフェノール−ホルムアルデヒドポリマーが、以下の式の少なくとも1つのノボラックポリマーを含むノボラックポリマーを含み、
[3]
前記第1の温度が、100℃〜175℃である、[1]に記載の方法。
[4]
前記少なくとも1つの溶媒が、50℃〜250℃の沸点を有する溶媒を含む、[1]に記載の方法。
[5]
前記置換工程が、スピンコーティングを介して実施される、[1]に記載の方法。
[6]
前記初期流体が、水性洗浄溶液である、[1]に記載の方法。
[7]
前記初期流体が、非水性フラッシング溶液を含む、[1]に記載の方法。
[8]
半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、フェノール−ホルムアルデヒドポリマーの形態の少なくとも1つの第1の充填材料と、ポリアルケンカーボネート(PAC)の形態の少なくとも1つの第2の充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記空間から前記溶媒を実質的に除去し、前記空間内で実質的に固体形態の前記第1及び第2の充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記第1及び第2の充填材料を除去する工程と、を含む、方法。
[9]
前記少なくとも1つの第2の充填材料が、ポリプロピレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート、ポリ(シクロヘキサン)カーボネート、ポリ(ノルボルネン)カーボネート、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、少なくとも1つのポリアルケンカーボネート(PAC)を含む、[8]に記載の方法。
[10]
前記少なくとも1つの第1の充填材料が、以下の式の少なくとも1つのノボラックポリマーを含み、
[11]
前記第1の温度が、100℃〜175℃である、[8]に記載の方法。
[12]
前記少なくとも1つの溶媒が、50℃〜250℃の沸点を有する溶媒を含む、[8]に記載の方法。
[13]
前記置換工程が、スピンコーティングを介して実施される、[8]に記載の方法。
[14]
前記第1及び第2の充填材料が、実質的に水に不溶性である、[8]に記載の方法。
[15]
前記置換溶液が、前記置換溶液の総重量に基づいて、5重量%〜30重量%の前記第1及び第2の充填材料を含む、[8]に記載の方法。
[16]
前記置換溶液が、前記第1及び第2の充填材料の総重量に基づいて、5重量%〜50重量%の前記少なくとも1つの第1の充填材料と、50重量%〜95重量%の前記少なくとも1つの第2の充填材料と、を更に含む、[8]に記載の方法。
[17]
前記曝露工程が、周囲空気雰囲気及び不活性ガスの雰囲気のうちの1つで行われる、[8]に記載の方法。
[18]
半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、ポリアルケンカーボネート(PAC)の形態の少なくとも1つの充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記空間から前記溶媒を実質的に除去し、前記空間内で実質的に固体形態の前記充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記充填材料を除去する工程と、を含む、方法。
[19]
前記充填材料が、ポリプロピレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート、ポリ(シクロヘキサン)カーボネート、ポリ(ノルボルネン)カーボネート、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、少なくとも1つのポリアルケンカーボネート(PAC)を含む、[18]に記載の方法。
[20]
前記第1の温度が、100℃〜175℃である、[18]に記載の方法。
Claims (3)
- 半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の間隙空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、少なくとも1つのフェノール−ホルムアルデヒドポリマーの形態の少なくとも1つの充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、ここで、前記置換溶液が、置換溶液の総重量に基づいて、5重量%〜30重量%の充填材料を含有し、前記少なくとも1つのフェノール−ホルムアルデヒドポリマーが、以下の式(I)で表され、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記間隙空間から前記溶媒を除去し、前記間隙空間内で固体形態の前記充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記充填材料を除去する工程と、を含む、方法。 - 半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の間隙空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、フェノール−ホルムアルデヒドポリマーの形態の少なくとも1つの第1の充填材料と、ポリアルケンカーボネート(PAC)の形態の少なくとも1つの第2の充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、ここで、前記置換溶液が、置換溶液の総重量に基づいて、5重量%〜30重量%の充填材料を含有し、前記少なくとも1つのフェノール−ホルムアルデヒドポリマーが、以下の式(I)で表され、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記間隙空間から前記溶媒を除去し、前記間隙空間内で固体形態の前記第1及び第2の充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記第1及び第2の充填材料を除去する工程と、を含む、方法。 - 半導体基板特徴部の崩壊を防止するための方法であって、
前記特徴部間の間隙空間を伴う、複数の高アスペクト比特徴部を有する、パターン化された半導体基板を提供する工程であって、前記間隙空間が、初期流体で少なくとも部分的に充填されている、工程と、
前記初期流体を、少なくとも1つの溶媒と、ポリアルケンカーボネート(PAC)の形態の少なくとも1つの充填材料と、を含む、置換溶液で置換する工程と、ここで、前記置換溶液が、置換溶液の総重量に基づいて、5重量%〜30重量%の充填材料を含有し、前記置換溶液は、1.0cP〜20.0cPの粘度を有する、
前記基板を第1の高温に曝露して、前記間隙空間から前記溶媒を除去し、前記間隙空間内で固体形態の前記充填材料を堆積させる工程と、
前記基板をドライエッチングプロセスに曝露して、前記間隙空間から前記充填材料を除去する工程と、を含む、方法。
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