JP6941513B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6941513B2
JP6941513B2 JP2017172068A JP2017172068A JP6941513B2 JP 6941513 B2 JP6941513 B2 JP 6941513B2 JP 2017172068 A JP2017172068 A JP 2017172068A JP 2017172068 A JP2017172068 A JP 2017172068A JP 6941513 B2 JP6941513 B2 JP 6941513B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
die
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017172068A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019047089A5 (enExample
JP2019047089A (ja
Inventor
勇輝 名久井
勇輝 名久井
浩二 保坂
浩二 保坂
明 齊藤
明 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fasford Technology Co Ltd
Original Assignee
Fasford Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fasford Technology Co Ltd filed Critical Fasford Technology Co Ltd
Priority to JP2017172068A priority Critical patent/JP6941513B2/ja
Publication of JP2019047089A publication Critical patent/JP2019047089A/ja
Publication of JP2019047089A5 publication Critical patent/JP2019047089A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6941513B2 publication Critical patent/JP6941513B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
JP2017172068A 2017-09-07 2017-09-07 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 Active JP6941513B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017172068A JP6941513B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017172068A JP6941513B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019047089A JP2019047089A (ja) 2019-03-22
JP2019047089A5 JP2019047089A5 (enExample) 2020-08-20
JP6941513B2 true JP6941513B2 (ja) 2021-09-29

Family

ID=65815673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017172068A Active JP6941513B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6941513B2 (enExample)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7377654B2 (ja) * 2019-09-17 2023-11-10 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置、剥離ユニット、コレットおよび半導体装置の製造方法
TWI810522B (zh) * 2020-03-23 2023-08-01 日商捷進科技有限公司 晶片接合裝置、剝離治具及半導體裝置的製造方法
JP7443183B2 (ja) * 2020-07-22 2024-03-05 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ装置およびピックアップ方法
JP7607462B2 (ja) * 2021-01-26 2024-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7489929B2 (ja) * 2021-02-05 2024-05-24 キヤノンマシナリー株式会社 チップ剥離方法、半導体装置の製造方法、チップ剥離装置
KR102718054B1 (ko) * 2021-11-16 2024-10-17 한국생산기술연구원 원자층 복합 증착 장치
JP7655216B2 (ja) 2021-12-20 2025-04-02 三菱電機株式会社 半導体製造装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2652983B2 (ja) * 1990-10-24 1997-09-10 日本電気株式会社 ペレット突上げ機構
JP3243391B2 (ja) * 1995-03-17 2002-01-07 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
JP3999744B2 (ja) * 2004-01-05 2007-10-31 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体チップのピックアップ装置
JP4664150B2 (ja) * 2005-08-05 2011-04-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4462183B2 (ja) * 2005-12-26 2010-05-12 パナソニック株式会社 チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
SG144767A1 (en) * 2007-01-23 2008-08-28 Micron Technology Inc Methods and systems for processing semiconductor workpieces
JP5123357B2 (ja) * 2010-06-17 2013-01-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及びピックアップ装置
JP2012234882A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toray Eng Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置
JP6200735B2 (ja) * 2013-09-09 2017-09-20 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019047089A (ja) 2019-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6941513B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102495699B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101970884B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6685245B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
TWI615905B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
KR102490394B1 (ko) 다이 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 박리 장치
KR102003130B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20180131425A (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2018046060A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20200034600A (ko) 반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI719896B (zh) 黏晶裝置,剝離單元,夾頭及半導體裝置的製造方法
JP2015076410A (ja) ボンディング方法及びダイボンダ
KR20190042419A (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2022066502A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6211359B2 (ja) フリップチップボンダ及びボンディング方法
KR102635493B1 (ko) 본딩 설비에서 다이를 이송하기 위한 장치 및 방법
CN114792647A (zh) 芯片贴装装置以及半导体器件的制造方法
JP6200735B2 (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
JP5953069B2 (ja) ダイボンダ
JP2014060234A (ja) ダイボンダ及びボンディング方法
JP2010056404A (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200622

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210817

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6941513

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250