JP6931674B2 - メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 - Google Patents
メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法 Download PDFInfo
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Description
含む装置に関連し、複数のメモリプレーンの各々は、複数のメモリセルを含む。装置は、また、複数のグローバルアクセス線デコーダ回路も含むことができ、複数のグローバルアクセス線デコーダ回路のうちの一つのグローバルアクセス線デコーダ回路は、対応するグローバルアクセス線バスを介して、複数のメモリプレーンのうちの対応する一つに結合され、メモリアクセス動作中に、グローバルアクセス線デコーダ回路は、対応するグローバルアクセス線バスの複数のグローバルアクセス線のうちの一つに読み出しレベル電圧信号を提供し、かつ、複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に対応するパス電圧信号を提供するように構成される。装置は、また、複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路も含むことができ、複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路のうちの一つの読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、読み出しレベル電圧信号を提供するように構成される。装置は、また、複数のパス電圧レギュレータ回路も含むことができ、複数のパス電圧レギュレータ回路のうちの一つのパス電圧レギュレータ回路は、グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、対応するパス電圧信号を提供するように構成される。装置は、また、複数のメモリプレーンの二つ以上でメモリアクセス動作を同時に実施するように構成されたコントローラも含むことができ、同時のメモリアクセス動作中に、コントローラは、対応するページ種類に関連付けられた対応する電圧プロファイルを各々有する対応する読み出しレベル電圧信号を提供するように、複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路のうちの二つ以上を制御するように構成され、メモリアクセス動作中に、コントローラは、対応するページ種類に関連付けられた対応する電圧プロファイルを各々有する対応するパス電圧信号を提供するように、複数のパス電圧レギュレータ回路の二つ以上を制御するようにさらに構成される。
ギュレータ580は、内部コントローラ560からのRD LVL CTRL信号に応じて、VRDLV信号を提供することができる。VRDLV信号は、メモリアクセス動作中にアクセスされるページ種類に基づいたプロファイルを有することができる。パス電圧レギュレータ582は、内部コントローラ560からのVPASS CTRL信号に応じて、対応するVPASS信号を提供することができる。VPASS信号は、メモリアクセス動作中にアクセスされるページ種類に基づく、および/またはVRDLV信号を介してアクセスされるGALに関連する他のGALの位置に基づく値を有することができる。
る。
Claims (32)
- 複数のメモリプレーンを含むメモリアレイであって、前記複数のメモリプレーンの各々は、複数のメモリセルを含む、メモリアレイと、
複数のグローバルアクセス線デコーダ回路であって、前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路のうちの一つのグローバルアクセス線デコーダ回路は、対応するグローバルアクセス線バスを介して、前記複数のメモリプレーンのうちの対応する一つに結合され、メモリアクセス動作中に、前記グローバルアクセス線デコーダ回路は、前記対応するグローバルアクセス線バスの複数のグローバルアクセス線のうちの一つに読み出しレベル電圧信号を提供し、かつ、前記対応するグローバルアクセス線バスの前記複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に対応するパス電圧信号を提供するように構成される、複数のグローバルアクセス線デコーダ回路と、
複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路であって、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路のうちの一つの読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、前記グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、前記読み出しレベル電圧信号を提供するように構成される、複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路と、
前記グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、前記対応するパス電圧信号を提供するように構成されたパス電圧レギュレータ回路と、
前記複数のメモリプレーンの二つ以上に同時のメモリアクセス動作を実施するように構成されたコントローラであって、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記コントローラは、対応するページ種類に関連付けられた電圧プロファイルを各々有する対応する読み出しレベル電圧信号を提供するために、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の二つ以上を制御するように構成され、前記メモリアクセス動作中に、前記コントローラは、個々のページ種類に関連付けられた対応する電圧プロファイルを有する前記対応するパス電圧信号を提供するために、前記パス電圧レギュレータ回路を制御するようにさらに構成された、コントローラと、
を含み、
前記同時のメモリアクセス動作は第一のページ種類と第二のページ種類とを少なくとも含み、
前記コントローラは、前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路の各々で共通である読み出しレベル電圧信号であって、前記第一及び前記第二のページ種類の各々に関連付けられた電圧プロファイルが時系列に並べられた時系列電圧プロファイルに対応する時系列の読み出しレベル電圧信号である共通読み出しレベル電圧信号を提供するために、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の二つを制御し、
前記第一のページ種類に関連付けられた第一の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、第一の電圧値と、前記第一の電圧値よりも高い電圧値である第三の電圧値とを時系列で続けて提供することを表しており、
前記第二のページ種類に関連付けられた第二の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、前記第一の電圧値よりも高く、且つ、前記第三の電圧値よりも低い電圧値である第二の電圧値を提供することを表しており、
前記コントローラは、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の前記二つを制御して、時系列で前記第一の電圧値と前記第三の電圧値との間に前記第二の電圧値を配した読み出しレベル電圧信号を前記共通読み出しレベル電圧信号として提供する、
装置。 - 前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路のうちの第二のグローバルアクセス線デコーダ回路は、第二の対応するグローバルアクセス線バスを介して、前記複数のメモリプレーンのうちの別の対応する一つに結合され、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記第二のグローバルアクセス線デコーダ回路は、前記第二の対応するグローバルアクセス線バスの複数のグローバルアクセス線のうちの一つに、第二の読み出しレベル電圧信号を提供し、かつ、前記第二の対応するグローバルアクセス線バスの前記複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に前記対応するパス電圧信号を提供するように構成される、
請求項1に記載の装置。 - 前記読み出しレベル電圧信号および前記第二の読み出しレベル電圧信号は、共通の結末部分および共通の開始部分を有する、
請求項2に記載の装置。 - 前記読み出しレベル電圧信号および前記第二の読み出しレベル電圧信号は、共通の電圧プロファイルを有する、
請求項2に記載の装置。 - 前記共通の電圧プロファイルは、二以上のページ種類に関連付けられた読み出しレベル電圧を含む、
請求項4に記載の装置。 - 前記コントローラは、前記メモリアクセス動作中に、前記対応するグローバルアクセス線バスの前記複数のグローバルアクセス線の特定の一つに前記読み出しレベル電圧信号を提供し、かつ、前記複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に前記対応するパス電圧信号を提供するために、前記グローバルアクセス線デコーダ回路を制御するように構成された電力制御回路を含む、
請求項1に記載の装置。 - 複数のブロックコントローラをさらに含み、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記複数のブロックコントローラのうちの一つのブロックコントローラは、前記コントローラからのブロック選択信号に基づいて選択された前記メモリプレーンのブロックのローカルアクセス線に、前記グローバルアクセス線バスを結合するように構成される、
請求項1に記載の装置。 - 複数のページバッファをさらに含み、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記複数のページバッファのうちの一つのページバッファは、前記メモリプレーンの前記選択されたブロックのページからデータをラッチするように構成される、
請求項7に記載の装置。 - 複数のメモリプレーンを含むメモリアレイであって、前記複数のメモリプレーンの各々は、複数のメモリセルを含む、メモリアレイと、
複数のグローバルアクセス線デコーダ回路であって、前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路のうちの一つのグローバルアクセス線デコーダ回路は、対応するグローバルアクセス線バスを介して前記複数のメモリプレーンのうちの対応する一つに結合され、メモリアクセス動作中、前記グローバルアクセス線デコーダ回路は、前記対応するグローバルアクセス線バスの複数のグローバルアクセス線のうちの一つに読み出しレベル電圧信号を提供し、かつ、前記複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に対応するパス電圧信号を提供するように構成される、複数のグローバルアクセス線デコーダ回路と、
複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路であって、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路のうちの一つの読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、前記グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、前記読み出しレベル電圧信号を提供するように構成される、複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路と、
複数のパス電圧レギュレータ回路であって、前記複数のパス電圧レギュレータ回路のうちの一つのパス電圧レギュレータ回路は、前記グローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、前記対応するパス電圧信号を提供するように構成される、複数のパス電圧レギュレータ回路と、
前記複数のメモリプレーンの二つ以上にメモリアクセス動作を同時に実施するように構成されたコントローラであって、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記コントローラは、対応するページ種類に関連付けられた対応する電圧プロファイルを各々有する対応する読み出しレベル電圧信号を提供するために、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の二つ以上を制御するように構成され、前記メモリアクセス動作中に、前記コントローラは、前記対応するページ種類に関連付けられた対応する電圧プロファイルを各々有する対応するパス電圧信号を提供するために、前記複数のパス電圧レギュレータ回路の二つ以上を制御するようにさらに構成される、コントローラと、
を含み、
前記同時のメモリアクセス動作は第一のページ種類と第二のページ種類とを少なくとも含み、
前記コントローラは、前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路の各々で共通である読み出しレベル電圧信号であって、前記第一及び前記第二のページ種類の各々に関連付けられた電圧プロファイルが時系列に並べられた時系列電圧プロファイルに対応する時系列の読み出しレベル電圧信号である共通読み出しレベル電圧信号を提供するために、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の二つを制御し、
前記第一のページ種類に関連付けられた第一の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、第一の電圧値と、前記第一の電圧値よりも高い電圧値である第三の電圧値とを時系列で続けて提供することを表しており、
前記第二のページ種類に関連付けられた第二の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、前記第一の電圧値よりも高く、且つ、前記第三の電圧値よりも低い電圧値である第二の電圧値を提供することを表しており、
前記コントローラは、前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の前記二つを制御して、時系列で前記第一の電圧値と前記第三の電圧値との間に前記第二の電圧値を配した読み出しレベル電圧信号を前記共通読み出しレベル電圧信号として提供する、
装置。 - 前記グローバルアクセス線デコーダ回路は、前記読み出しレベル電圧信号および前記対応するパス電圧信号を受信し、前記コントローラからの信号に応じて、前記複数のグローバルアクセス線のうちの結合されたグローバルアクセス線に、前記読み出しレベル電圧信号または前記対応するパス電圧信号のうちの一つを提供するように各々構成された複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路を含む、
請求項9に記載の装置。 - 前記複数の読み出しレベル電圧レギュレータ回路の第二の読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、前記複数のグローバルアクセス線デコーダ回路のうちの第二のグローバルアクセス線デコーダ回路に結合され、第二の読み出しレベル電圧信号を提供するように構成され、前記第二の読み出しレベル電圧信号は、前記読み出しレベル電圧レギュレータ回路によって提供される前記読み出しレベル電圧信号とは異なるページ種類に基づいて提供される、
請求項9に記載の装置。 - 前記同時のメモリアクセス動作中に、前記第二の読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの第一部分は、前記読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの第一部分と同一である、
請求項11に記載の装置。 - 前記同時のメモリアクセス動作中に、前記第二の読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの最終部分は、前記読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの最終部分と同一である、
請求項11に記載の装置。 - 前記同時のメモリアクセス動作中に、前記第二の読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの中間部分は、前記読み出しレベル電圧信号の電圧プロファイルの中間部分と同一である、
請求項11に記載の装置。 - 複数のブロックコントローラであって、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記複数のブロックコントローラのうちの一つのブロックコントローラは、前記メモリプレーンの選択されたブロックのローカルアクセス線に、前記グローバルアクセス線を結合するように構成される、複数のブロックコントローラと、
複数のページバッファであって、前記同時のメモリアクセス動作中に、前記複数のページバッファのうちの一つのページバッファは、前記複数のメモリプレーンのうちの対応する一つからデータをラッチするように構成される、複数のページバッファと、
をさらに含む、
請求項9に記載の装置。 - 第一のグローバルアクセス線バスに結合された第一のメモリプレーンと、
第二のグローバルアクセス線バスに結合された第二のメモリプレーンと、
第一の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路を含む第一のグローバルアクセス線デコーダ回路であって、前記第一の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路の一つは、前記第一のグローバルアクセス線バスの対応するグローバルアクセス線に第一の読み出しレベル電圧信号を提供するように構成され、前記第一の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路の残りのグローバルアクセス線マルチプレクサ回路は、前記第一のグローバルアクセス線バスの前記第一の複数のグローバルアクセス線の残りのグローバルアクセス線に、対応するパス電圧信号を提供するように構成される、第一のグローバルアクセス線デコーダ回路と、
第二の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路を含む第二のグローバルアクセス線デコーダ回路であって、前記第二の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路のうちの一つは、前記第二のグローバルアクセス線バスの対応するグローバルアクセス線に第二の読み出しレベル電圧信号を提供するように構成され、前記第二の複数のグローバルアクセス線マルチプレクサ回路の残りのグローバルアクセス線マルチプレクサ回路は、前記第二のグローバルアクセス線バスの前記第二の複数のグローバルアクセス線の残りのグローバルアクセス線に、対応するパス電圧信号を提供するように構成される、第二のグローバルアクセス線デコーダ回路と、
前記第一の読み出しレベル電圧信号を提供するように構成された第一の読み出しレベル電圧レギュレータ回路と、
前記第二の読み出しレベル電圧信号を提供するように構成された第二の読み出しレベル電圧レギュレータ回路と、
を含み、
前記第一および第二のメモリプレーンは同時にアクセスされ、そのため、前記第一のメモリプレーンの第一のページ種類のページに前記第二のメモリプレーンの第二のページ種類のページと同時にアクセスし、
前記第二のページ種類は前記第一のページ種類と異なり、
前記第一の読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、前記第一のページ種類に基づいた第一の電圧プロファイルであって、読み出しレベル電圧信号として、第一の電圧値と、前記第一の電圧値よりも高い電圧値である第三の電圧値とを時系列で続けて提供することを表している前記第一の電圧プロファイルと、前記第二のページ種類に基づいた第二の電圧プロファイルであって、読み出しレベル電圧信号として、前記第一の電圧値よりも高く、且つ、前記第三の電圧値よりも低い電圧値である第二の電圧値を提供することを表している前記第二の電圧プロファイルとが時系列に並べられた時系列電圧プロファイルに対応する時系列の読み出しレベル電圧信号であって、時系列で前記第一の電圧値と前記第三の電圧値との間に前記第二の電圧値を配した読み出しレベル電圧信号である共通読み出しレベル電圧信号を、前記第一の読み出しレベル電圧信号として提供し、
前記第二の読み出しレベル電圧レギュレータ回路は、前記共通読み出しレベル電圧信号を、前記第二の読み出しレベル電圧信号として提供する、
装置。 - 前記対応するパス電圧信号を提供するように構成されたパス電圧レギュレータ回路をさらに含む、
請求項16に記載の装置。 - 前記パス電圧レギュレータ回路は、第一のパス電圧レギュレータ回路であって、前記パス電圧信号は、前記第一のグローバルアクセス線デコーダ回路に提供される第一のパス電圧信号であり、前記装置は、前記第二のグローバルアクセス線デコーダ回路に第二のパス電圧信号を提供するように構成された第二のパス電圧レギュレータ回路をさらに含み、前記第一のパス電圧信号の電圧は、前記第二のパス電圧信号の電圧とは異なる
請求項17に記載の装置。 - 前記第二の読み出しレベル電圧信号の前記第二の電圧プロファイルの少なくとも一部は、前記第一の読み出しレベル電圧信号の前記第一の電圧プロファイルとは異なる、
請求項16に記載の装置。 - 前記第一のページ種類は、上位ページであり、前記第二のページ種類は下位ページである、
請求項16に記載の装置。 - メモリアクセス動作中にアクセスされる前記第一のメモリプレーンのページに基づいた値を有する前記第一のグローバルアクセス線デコーダ回路に第一の制御信号を提供し、かつ、メモリアクセス動作中にアクセスされる前記第二のメモリプレーンのページに基づいた値を有する前記第二のグローバルアクセス線デコーダ回路に第二の制御信号を提供するように構成されたコントローラをさらに含む、
請求項16に記載の装置。 - メモリの第一のメモリプレーンに関連付けられた第一のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対と、前記メモリの第二のメモリプレーンに関連付けられた第二のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対と、を受信することと、
前記第一のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対を受信するのに応じて、
第一の読み出しレベル電圧信号を第一の読み出しレベル電圧レギュレータ回路から提供することと、
前記第一のメモリプレーンに結合された第一のグローバルアクセス線バスの第一の複数のグローバルアクセス線のうちの一つに前記第一の読み出しレベル電圧信号を提供し、前記第一の複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に対応するパス電圧信号を提供するように、第一のグローバルアクセス線デコーダ回路を構成することと、
前記第一のグローバルアクセス線デコーダ回路を構成するのと同時に、前記第二のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対を受信するのに応じて、
第二の読み出しレベル電圧信号を第二の読み出しレベル電圧レギュレータ回路から提供することと、
前記第二のメモリプレーンに結合された第二のグローバルアクセス線バスの第二の複数のグローバルアクセス線のうちの一つに前記第二の読み出しレベル電圧信号を提供し、前記第二の複数のグローバルアクセス線の残りの各グローバルアクセス線に前記対応するパス電圧信号を提供するように、第二のグローバルアクセス線デコーダ回路を構成することと、
前記第一のメモリプレーンの第一のページと前記第二のメモリプレーンの第二のページに同時にアクセスすることであって、前記第一のページは第一のページ種類であって前記第一のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対から決定される前記第一のページ種類に関連し、前記第二のページは第二のページ種類であって前記第二のメモリアクセスコマンドおよびアドレス対から決定される前記第二のページ種類に関連すること
を含み、
前記第二のページ種類は前記第一のページ種類と異なり、
前記第一の読み出しレベル電圧信号を提供することでは、前記第一のページ種類に基づいた第一の電圧プロファイルであって、読み出しレベル電圧信号として、第一の電圧値と、前記第一の電圧値よりも高い電圧値である第三の電圧値とを時系列で続けて提供することを表している前記第一の電圧プロファイルと、前記第二のページ種類に基づいた第二の電圧プロファイルであって、読み出しレベル電圧信号として、前記第一の電圧値よりも高く、且つ、前記第三の電圧値よりも低い電圧値である第二の電圧値を提供することを表している前記第二の電圧プロファイルとが時系列に並べられた時系列電圧プロファイルに対応する時系列の読み出しレベル電圧信号であって、時系列で前記第一の電圧値と前記第三の電圧値との間に前記第二の電圧値を配した読み出しレベル電圧信号である共通読み出しレベル電圧信号が、前記第一の読み出しレベル電圧信号として提供され、
前記第二の読み出しレベル電圧信号を提供することでは、前記共通読み出しレベル電圧信号が、前記第二の読み出しレベル電圧信号として提供される、
方法。 - 前記第一のメモリプレーンの第一の選択されたブロックのローカルアクセス線に、前記第一のグローバルアクセス線バスを結合することと、
前記第二のメモリプレーンの選択されたブロックのローカルアクセス線に、前記第二のグローバルアクセス線バスを結合することと、
をさらに含む、
請求項22に記載の方法。 - メモリアクセス動作中に、前記第一の読み出しレベル電圧および前記第二の読み出しレベル電圧に共通の開始部を提供することをさらに含む、
請求項22に記載の方法。 - メモリアクセス動作中に、前記第一の読み出しレベル電圧および前記第二の読み出しレベル電圧に共通の結末部を提供することをさらに含む、
請求項24に記載の方法。 - 前記第一の読み出しレベル電圧信号に基づいて前記第一のメモリプレーンから第一のデータをラッチすることと、前記第二の読み出しレベル電圧信号に基づいて、前記第二のメモリプレーンから第二のデータをラッチすることとを同時に行うことを、さらに含む、
請求項22に記載の方法。 - 前記メモリの出力で、前記ラッチされた第一のデータおよび第二のデータを提供することをさらに含む、
請求項26に記載の方法。 - メモリにおいて、複数のメモリコマンドおよびアドレス対を受信することであって、前記複数のメモリコマンドおよびアドレス対は、前記メモリの二つ以上のメモリプレーンに関連付けられ、二つ以上のページ種類に関連付けられる、ことと、
前記複数のメモリコマンドおよびアドレス対を受信するのに応じて、前記二つ以上のページ種類各々の電圧レベルをカバーする電圧プロファイルを含む、読み出しレベル電圧信号を提供することと、
前記読み出しレベル電圧信号に基づいて前記二つ以上のメモリプレーンの異なる対応するページに同時にアクセスすることであって、前記二つ以上のメモリプレーンの各々でアクセスされる前記異なる対応するページは、前記メモリコマンドおよびアドレス対から決定される、ことと、
を含み、
前記二つ以上のメモリプレーンの前記異なる対応するページは二つ以上のページ種類を含み、
前記電圧プロファイルは、前記二つ以上のページ種類の各々に関連付けられた電圧プロファイルが時系列に並べられた時系列電圧プロファイルであり、
前記二つ以上のページ種類は、第一のページ種類と第二のページ種類とを少なくとも含み、
前記第一のページ種類に関連付けられた第一の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、第一の電圧値と、前記第一の電圧値よりも高い電圧値である第三の電圧値とを時系列で続けて提供することを表しており、
前記第二のページ種類に関連付けられた第二の電圧プロファイルは、読み出しレベル電圧信号として、前記第一の電圧値よりも高く、且つ、前記第三の電圧値よりも低い電圧値である第二の電圧値を提供することを表しており、
前記読み出しレベル電圧信号を提供することでは、前記第一のページ種類を含む前記メモリプレーンのページと前記第二のページ種類を含む前記メモリプレーンのページとに、時系列で前記第一の電圧値と前記第三の電圧値との間に前記第二の電圧値を配した読み出しレベル電圧信号である共通読み出しレベル電圧信号を提供する、
方法。 - 前記読み出しレベル電圧信号に基づいて前記二つ以上のメモリプレーンの異なる対応するページに同時にアクセスすることは、対象ページのページ種類に対応する前記読み出しレベル電圧信号の電圧に応じて、前記二つ以上のメモリプレーンの前記異なる対応するページから対応するデータをラッチすることを含む、
請求項28に記載の方法。 - 前記二つ以上のメモリプレーンのうちの一つに結合されたグローバルアクセス線バスの複数のグローバルアクセス線のうちの一つに、前記読み出しレベル電圧信号を提供することをさらに含む、
請求項28に記載の方法。 - 前記二つ以上のメモリプレーンの別のプレーンに結合された第二のグローバルアクセス線バスの第二の複数のグローバルアクセス線のうちの一つに、前記読み出しレベル電圧信号を提供することをさらに含み、前記読み出しレベル電圧信号が提供される前記第二のグローバルアクセス線バスの前記第二の複数のグローバルアクセス線のうちの一つの位置は、前記読み出しレベル電圧信号が提供される前記グローバルアクセス線バスの前記複数のグローバルアクセス線のうちの一つの相対的位置とは異なる、
請求項30に記載の方法。 - 前記グローバルアクセス線バスの前記複数のグローバルアクセス線の残りのグローバルアクセス線にパス電圧信号を提供することをさらに含む、
請求項30に記載の方法。
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